JPH03120817A - 半導体装置の露光方式 - Google Patents
半導体装置の露光方式Info
- Publication number
- JPH03120817A JPH03120817A JP1260442A JP26044289A JPH03120817A JP H03120817 A JPH03120817 A JP H03120817A JP 1260442 A JP1260442 A JP 1260442A JP 26044289 A JP26044289 A JP 26044289A JP H03120817 A JPH03120817 A JP H03120817A
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- JP
- Japan
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- reticle
- patterns
- semiconductor substrate
- exposed
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical class [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の露光方式に関し、特に縮小投影露
光装置を用いた半導体装置の露光方式に関する。
光装置を用いた半導体装置の露光方式に関する。
従来、縮小投影露光装置を用いた半導体装置の露光方式
は、第３図（ａ）、（ｂ）の構成図において、同図（ａ
）に示すように、一度の露光工程において一つのレチク
ル（ｒｅｔｉｃａｌｅ） ２の全パターンを使用し、こ
のレチクル２の全パターンを光源１からの露光光線にに
より、ステージ５上の半導体基板４上に主レンズ３を介
して縮小投影し、繰り返しステッピングすることにより
、同図＜ｂ）のように半導体基板４全体に複数のレチク
ル２の縮小パターンを露光している。
は、第３図（ａ）、（ｂ）の構成図において、同図（ａ
）に示すように、一度の露光工程において一つのレチク
ル（ｒｅｔｉｃａｌｅ） ２の全パターンを使用し、こ
のレチクル２の全パターンを光源１からの露光光線にに
より、ステージ５上の半導体基板４上に主レンズ３を介
して縮小投影し、繰り返しステッピングすることにより
、同図＜ｂ）のように半導体基板４全体に複数のレチク
ル２の縮小パターンを露光している。
上述した従来の半導体装置の露光方式は、一度の露光工
程において一つのレチクルの全パターンを使用し、この
レチクルの全パターンを半導体基板上に縮小投影し、繰
り返しステッピングすることにより半導体基板全体に複
数個のレチクル縮小パターンを露光しているので、開発
試作用レチクルなどのように、一つのレチクル内に多品
種の半導体装置のパターンを含んでいる場合には、任意
の半導体装置のパターンを選択的に露光することができ
ず、そのため新たに量産用レチクルを作成しなければな
らず、開発の効率が悪いという欠点がある。
程において一つのレチクルの全パターンを使用し、この
レチクルの全パターンを半導体基板上に縮小投影し、繰
り返しステッピングすることにより半導体基板全体に複
数個のレチクル縮小パターンを露光しているので、開発
試作用レチクルなどのように、一つのレチクル内に多品
種の半導体装置のパターンを含んでいる場合には、任意
の半導体装置のパターンを選択的に露光することができ
ず、そのため新たに量産用レチクルを作成しなければな
らず、開発の効率が悪いという欠点がある。
本発明は、半導体装置の露光方式において、一度の露光
工程で複数個の異なるパターンを有するレチクルの一部
分を選択的に縮小投影することにより、半導体基板上に
レチクル内の少なくとも一種類以上の部分パターンを複
数個露光する半導体装置の露光方式である。
工程で複数個の異なるパターンを有するレチクルの一部
分を選択的に縮小投影することにより、半導体基板上に
レチクル内の少なくとも一種類以上の部分パターンを複
数個露光する半導体装置の露光方式である。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の露光方
式を示す構成図である。同図（ａ）において、制御部６
には、複数個の異なるパターンを有するレチクル２の、
例えばパターンＢの部分だけを選択的に露光する、とい
うデータを入力しておく。
式を示す構成図である。同図（ａ）において、制御部６
には、複数個の異なるパターンを有するレチクル２の、
例えばパターンＢの部分だけを選択的に露光する、とい
うデータを入力しておく。
このデータに基づいて、各ショット（ｓｈｏｔ）をステ
ッピングさせながらＢのショットパターン７だけを、光
源１からの露光光線により主レンズ３を介して半導体基
板４上に縮小投影する。
ッピングさせながらＢのショットパターン７だけを、光
源１からの露光光線により主レンズ３を介して半導体基
板４上に縮小投影する。
この方式により、同図（ｂ）のように半導体基板４上に
レチクル２の中から任意の半導体装置のパターンＢだけ
を露光することができる。
レチクル２の中から任意の半導体装置のパターンＢだけ
を露光することができる。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の露光方
式を示す構成図である。同図（ａ）において、制御部６
には、複数個の異なるパターンを有するレチクル２の、
例えば隣接するパターンＡ、Ｂの部分だけを選択的に露
光する、というデータを入力しておく。
式を示す構成図である。同図（ａ）において、制御部６
には、複数個の異なるパターンを有するレチクル２の、
例えば隣接するパターンＡ、Ｂの部分だけを選択的に露
光する、というデータを入力しておく。
このデータに基づいて、各ショットをステッピングさせ
なからＡ、Ｂのショットパターン７を光源１からの露光
光線により主レンズ３を介して半導体基板４上に縮小投
影する。
なからＡ、Ｂのショットパターン７を光源１からの露光
光線により主レンズ３を介して半導体基板４上に縮小投
影する。
この方式により、同図（ｂ）のように半導体基板４上に
レチクル２の中から隣接する任意のパターンＡ、Ｂを露
光することができる。
レチクル２の中から隣接する任意のパターンＡ、Ｂを露
光することができる。
以上説明したように本発明は、一度の露光工程において
、レチクルの一部分を選択的に縮小投影し、半導体基板
上にレチクル内の少なくとも一種類以上の部分パターン
を複数個露光することにより、開発試作用レチクルなど
のように一つのレチクル内に多品種の半導体装置のパタ
ーンを含んでいる場合には、任意の半導体装置のパター
ンを選択的に露光することができる。
、レチクルの一部分を選択的に縮小投影し、半導体基板
上にレチクル内の少なくとも一種類以上の部分パターン
を複数個露光することにより、開発試作用レチクルなど
のように一つのレチクル内に多品種の半導体装置のパタ
ーンを含んでいる場合には、任意の半導体装置のパター
ンを選択的に露光することができる。
その結果、開発試作用レチクルで量産レチクル的な役割
を果すことができ、化合物半導体などの多品種少量の半
導体装置製造において、効率良く新製品開発ができると
いう効果がある。
を果すことができ、化合物半導体などの多品種少量の半
導体装置製造において、効率良く新製品開発ができると
いう効果がある。
例えば、ＧａＡｓ （ガリウム砒素）のＭＳＩ（中規模
集積回路）クラスにおいては、一つのレチクルに１０品
種程度のパターンが試作でき、各品種の量産レチクルを
作成するのに対し、約８倍程度効率が良くなる。
集積回路）クラスにおいては、一つのレチクルに１０品
種程度のパターンが試作でき、各品種の量産レチクルを
作成するのに対し、約８倍程度効率が良くなる。
半導体基板、５・・・ステージ、６・・・制御部、７・
・・ショットパターン。
・・ショットパターン。
Claims (1)
- 半導体装置の露光方式において、一度の露光工程で複数
個の異なるパターンを有するレチクルの一部分を選択的
に縮小投影することにより、半導体基板上にレチクル内
の少なくとも一種類以上の部分パターンを複数個露光す
ることを特徴とする半導体装置の露光方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260442A JPH03120817A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体装置の露光方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260442A JPH03120817A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体装置の露光方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120817A true JPH03120817A (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=17347997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1260442A Pending JPH03120817A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体装置の露光方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120817A (ja) |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP1260442A patent/JPH03120817A/ja active Pending
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