JPH03116928A - 截頭角錐体状サセプタを備えた垂直反応器内のエピタキシャル成長速度制御系 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、截頭角錐状のサセプタを備えた垂直反応器内
におけるエピタキシャル成長速度を、サセプタの周囲の
ガスの反応速度を調節することによって制御する制御系
に関する。

［、従来の技術］ この垂直エピタキシャル反応器としては、鐘形容器内に
収容されたサセプタ、すなわち加熱された担体と、ハウ
ジング、すなわちエピタキシャル成長させられる結晶性
半導体材料のスライスなどの化学的処理を施すべき支持
体とから少なくとも構成されたものがよ（知られている
。

公知の垂直エピタキシャル反応器の構成を、次の２つの
代表例に基づいて説明する。

まず、第一のタイプとしてのエピタキシャル反応器１０
は、第１図および第２図に示すように、一般に鐘形容器
１２からなっている。この鐘形容器１２は通常石英その
地回様に透明で、かつ化学反応体に耐性を有する材料か
もなるものであり、支持板１４に懸垂されている。この
鐘形容器ｌ：は、支持板１４に対し締着ブロック１６で
保持２れなフランジ１６により係合している。

鐘形容器１２の頂部には反応ガスを導入するノめのノズ
ル２０および２２が設けられている。つ印２４および２
６でそれぞれ示される噴出流番従って反応ガスは送られ
、鐘形容器１２内に収キされた截頭角錐体状のサセプタ
３２の周囲に循ｆするガス流２８および３０が得られる
。

鐘形容器１２の湾曲ドームの底部に位置するレン管３４
は、使用済みの反応ガスの排出口でｊる。使用済反応ガ
スはガス流３６として流出すシが、使用済反応ガスの一
部はガス流３８およで４０として鐘形容器内を再循環し
てノズル２０Ｊよび２２を通って流入する新しい（未使
用）反ムガスと混合される。

上記サセプタ３２は鐘形容器１２内に軸４２＆・よって
吊られ、例えば矢印４４の方向に回転すシことができる
。

截頭角錐体状のサセプタ３２は通常、側面４６　ａ、　
４６　ｂ、　４６　ｃ、　４６　ｄ、４６ｅおよび４６
ｆを有しており、これら側面４６ａ〜ｆには処理すべき
材料のスライス４８　ａ　＋−ａ、４８ｂ、ｌ、・・・
　４８ｆ・１−１が装着されている。

このような第一のタイプのエピタキシャル反応器におい
ては、鐘形容器の一端に位置する複数の導管から比較的
高速の反応ガスを受は取り、この反応ガスを上方に向い
たドーム状の鐘形容器に配された排出管を通して放出し
、この鐘形容器の一方の側において上方から下方へのガ
ス循環を惹起するとともに、鐘形容器の他方の側におい
て反応ガスの一部が実質的な上昇復帰を惹起する。鐘形
容器内のサセプタの回転により被処理体を反応ガスに実
質的に均等に暴露させることができる。

また、第二のタイプとしてのエピタキシャル容器６０は
、第３図、第４図、第５Ａ図および第５Ｂ図に示すよう
に、一般に鐘形容器６２からなっている。この鐘形容器
６２は通常石英その地回様に透明な、かつ化学反応体に
耐性を有する材料からなるものであり、支持板６４上に
載置されている。鐘形容器６２は、支持板６４に対し締
着ブロック６６で保持されたフランジ６６により併合し
ている。

鐘形容器６２の頂部にはフランジ７２によって閉じられ
る首部７０が設けられている。また、フランジ７２を通
して、反応ガスを導入するための管７４が反応器の外部
に突出しており、管７１７１）他端は円形の案内羽根分
配器７６を形成し、この分配器７６から矢印７８で示さ
れるようなガス叩出流が噴出する。このガス噴出流はガ
ス流８０として鐘形容器６２の側壁と、モータ８６によ
って例えば矢印８８で示す方向に作動される軸８４によ
って回転可能に支持される截頭角錐体サセプタの側面と
の間の間隙を通過し、使用済みガスとしてドレン管９０
を通して排出流９２として放出される。

このような第二のタイプの反応器においては、新しい反
応ガスを鐘形容器の内部全体に均等に分布させるととも
に、サセプタの全側壁に沿って上方から下方に同時に移
動させることができる。このタイプの反応器では、サセ
プタの側壁全体にわたって均等に反応ガスを受は取るこ
とができる。

「発明が解決しようとする課題」 ところで、第１図および第２図に図示したエピタキシャ
ル反応器１０に使用した反応ガス導入のための第一の導
入系に従えば、ノズル２０および２２を通って流入する
反応ガスは矢印２８ｉ３よび３０で示される斜線領域で
圧縮され、該反応ガスは該反応器の他の領域における流
速よりも早い流速で流動するため、これらの領域ではス
ライス４８の成長速度が工程の終端で検出される平均流
速よりも５倍も早い。もちろん、サセプタ３２がその垂
直軸すなわち中心線の周りに回転することにより、該サ
セプタの全ての側面で成長速度の均等分布が保証される
。

上述のように、この系では新しい導入されたばかりの反
応ガスが既に部分的に反応したガスと若干混合し、蒸着
層の若干の電気的パラメータの特に注意深い調節をする
ことができない。さらに、ガスの導入流量は非常に大き
いので噴出流が向けられた領域におけるエピタキシャル
層の瞬間的成長速度も非常に早く、そのため固体粒子（
ダスト）を生成する場合、スライス上に成長するエピタ
キシャル層に結晶学的欠陥すなわち格子欠陥を誘発する
。

さらに、エピタキシャル層の瞬間的成長速度が早いので
、該成長速度が例えば埋没層装置のような特定の装置に
対して破壊的に作用する。それは、エピタキシャル層の
下の諸層の形に歪みを生じ、その後の製造工程に問題を
生じるためである。この系では適切にノズル２０および
２２を指向させることによりエピタキシャル層の成長速
度を、サセプタの平行面に沿って、すなわち水平方向に
おいて、もっと均等性が増すように変えることができる
。

第３図ないし第５Ａ、５Ｂ図に図示するエピタキシャル
反応器において案内羽生分配器７６に結合された流入管
７４から成る第二のガス導入系を使用して、鐘形容器６
２とサセプタ８２との間に存在する間隙の全ての部分に
、第３図および第４図において示す噴出流７８およびガ
ス流８０のように、該ガスを理論的に均等になるような
仕方で分布させる。

もちろん、この系は新しい反応ガスと使用済みの反応ガ
スの混合を排除しており、ダストを生じないため、第１
図および第２図に図示する反応器１０について上記説明
した特異な問題点を解消している。その上、さらにサセ
プタの子午線に沿って、工程の終端で検出される平均速
度と同様の、均等な瞬間的成長速度を与えることができ
る。このことは上記の埋没層装置には特に有利であり、
エピタキシャル層の電気的パラメータをより良く調節す
ることができる。

この第二の系はサセプタ８２自体の垂直軸に沿う成長速
度を均等にすることができるが、サセプタ８２の平行面
に沿って成長速度分布（従ってスライスの成長厚さ）を
変える手段を持たない。

鐘形容器６２とサセプタ８２との間の間隙のガスの流量
はほぼその厚さに反比例しているので、この流量はサセ
プタ８２の隅部近傍で最大となり、該サセプタの各面の
中心線近傍において最小となり、従って、ガスの流量に
強く依存する成長速度も同様に変動し得る。

このことはサセプタ８２の頂部と底部における該間隙の
厚さと、該サセプタの各面の隅部近傍と中心近傍のガス
の対応するガス流量を認識することができる第５Ａ図、
第５Ｂ図、第６Ａ図および第６Ｂ図から特によく分かる
。

上記の理由は第５Ａ図、第６Ａ図および第５Ｂ図、第６
Ｂ図を見るだけでよく分かる。第３図の５Ａ−５Ａ線に
沿った反応器６０の断面図を部分的に図示した第５Ａ図
を参照すると、鐘形容器６２の側壁とサセプタ８２の間
に間隙が存在し、その厚さが半径ＯＡ、　、ＯＡ、の差
および半径ＯＢｇ　、ＯＢ＋の差に相当する最小値から
半径ＯＨｚ　、ＯＨｌの差に相当する最大値まで変動す
ることか分かる。

ガスの流量はほぼ該間隙の厚さに反比例するので、該流
量は第６Ａ図のグラフに示すように実質的に変動する。

第６Ａ図、では、点Ａ１およびＢ。

において最大流量■＋ａおよび点Ｈ１において最小流量
Ｖ、どなる。最大流量Ｖ１ｍと最小流量Ｖｉ＆との比は
１に非常に近いが、これはサセプタの隅部における間隙
厚さが該サセプタの各面の中心における間隙厚さにほと
んど等しいためである。

第３図の５Ｂ−５Ｂ線に沿った反応器６０の断面図を部
分的に図示した第５Ｂ図を参照すると、鐘形容器６２の
側壁とサセプタ８２の間に間隙が存在し、その厚さが半
径ＯＡａ　、ＯＡ＋の差および半径ＯＢＩ　、ＯＢ、の
差に相当する最小値から半径ＯＨＭ、ＯＨ，の差に相当
する最大値まで変動することが分かる。

相当するガスの流量は第６Ｂ図に図示するが、第６Ｂ図
では、点Ａ１およびＢ＋において最大流量ＶａＩｌおよ
び点Ｈ１において最小流量ｖａＩ、となるが、この場合
は第６Ａ図の場合と異なって、最大流量ｖ　ｌｂと最小
流量Ｖ。どの比はもっと大きくなる。これは最大間隙厚
さと最小間隙厚さの比が大きいためである。該サセプタ
の平行面に沿った流量の差は、３個の半導体ディスクす
なわちスライス９８ａ＋　、９８ａｚ　、９８ａｓを収
容するサセプタ８２の面９６ａを示す第７図に図示する
ように、スライス上に析出するエピタキシャル層の層厚
の差となって現われる。第７図から分かるように、スラ
イス９８ａ＋　、９８ａ＊　、９８ａｓは平均して面９
６ａの横隅部に隣接する縁に沿って高い成長（記号子で
表す）をし、一方直径中心領域に沿って低減された成長
（記号−で表す）をする。第７図に図示する上記成長差
は鐘形容器内でサセプタ回転しても補償できない。その
理由は、鐘形容器６２の形状の不規則性による該鐘形容
器内のガスの偶然の小さな流量変動以外に、サセプタ８
２の鐘形容器６２に対する回転は間隙厚さのいかなる変
動をも意味せず、従って回転による間隙厚さの変動およ
びサセプタ８２の平行面に沿った流量および析出厚さの
均等化が期待されないためである。従って、この第二の
ガス導入系に従えば、第３図に図示するように、成長層
厚さの変動は避けられない。

本発明の目的は、上記のタイプの先行技術の解決策に基
づくエピタキシャル成長法に伴う問題点を解消したエピ
タキシャル成長速度の制御系を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、サセプタの周囲の反応ガスの流量を調節する
ことによって鐘形容器内に収容された截頭角錐状サセプ
タ使用する上記のタイプの反応器のエピタキシャル成長
速度を制御する制御系であって、上記サセプタの隣接す
る面によって定義される側面隅部から突出する隅隆起部
の形の固体障害物を使用することにより、サセプタの側
面における流量をなるべく均等にしようとしたことを特
徴とする 特に、上記制御系は截頭角錐体状サセプタに、平フライ
ス削りによりフライス面を該サセプタの出発材料片であ
る截頭円錐体の側面に沿って切削することによって該サ
セプタと一体に突起すなわち隆起部を設けたことを特徴
とする。

別の方法としては、上記の実質的に截頭角錐体状サセプ
タは、実質的に截頭円錐体状の出発部材に横フライス削
りにより曲面をつけて突出する一体の隆起部を設けるこ
とによって得られる。

また、截頭角錐体状サセプタの側面を規制する隅部の近
傍の反応ガス流を実質的に停止するこの制御系は該隅部
において該側面を分離する突起または隆起部を使用して
いる。

本発明の第二の実施態様に従えば、上記制御系は、隣接
する側面を分離する各隅部の近傍に、該側面を規制しか
つ該側面に掘られた溝孔（スロット）に挿入された数対
の突起または隆起部を設けた截頭円錐体状サセプタを使
用している。

また、截頭円錐体状サセプタに、側面を分離する各隅部
の近傍に、さらに該側面に平行な横突起を設けた突起ま
たは隆起部を備えて該サセプタの側面に沿う反応ガスの
流量の均等性を高めているが、これらの突起は該側面を
分離する隅部に位置している。

さらにまた、截頭円錐体状サセプタに、側面を分離する
各隅部の近傍に、さらに該側面に平行な横突起を設けた
、該側面を規制する突起又は隆起部を備えて該サセプタ
の側面に沿う反応ガスの流量の均等性を高めているが、
これらの突起は該側面自体に位置している。

特に、上記突起又は隆起部は、それらの外縁が該截頭円
錐体状サセプタの側面を分離する対応する隅部に対して
それぞれ平行に配置されている。

さもなければ、該サセプタの側面を分離する隅部から出
ている上記突起又は隆起部は、厚さを変えてそれらの外
縁が該サセプタの軸と鐘形容器の側壁に平行になるよう
にしてもよい。

あるいは、該サセプタの側面を分離する隅部から出てい
る上記突起又は隆起部は、種々の形状の外縁を設けてい
る。

本発明の特徴および利点は、先行技術の截頭円錐体状サ
セプタを本発明のサセプタの非限定的な実施態様と比較
する添付図面を参照した以下の詳細な説明から明らかで
あろう。

［実施例］ 以下、図面を参照して、本発明の詳細な説明する。

第８図において、エピタキシャル反応器１１０は截頭角
錐体状のサセプタ１３２を収容する鐘形容器１１２から
なり、該サセプタ１３２の側面１４６ａ−ｆは側面自体
を分離する隅部から半径方向に突出する突起または隆起
部１４７ａ〜ｆを備えている。先行技術と同様に、この
該側面１４６ａ−ｆは処理すべき材料のスライス１４８
ａ＋−ｓ　、１４８ｂ＋−ｓ　、−１４８ｆ＋−ｓを収
容している。

上記隆起部１４７ａ＝ｆの存在によりサセプタ１３２の
平行面に沿ったエピタキシャル成長速度がより均等にな
ることが実験的に確認されている。

第９Ａ図、第９Ｂ図、第１０Ａ図、および第１０Ｂ図に
図示するこの現象の説明は、面１４６ａ−ｆと隆起部１
４７ａ−ｆの間の各隅部に接近すると隆起部の存在によ
りガスの流量が減少し、隆起部に対しては実質的にゼロ
である。次いで、該隅部から遠ざかると増大し、該隅部
の任意の一個と該面の中心Ｈの中間の点で最大となるこ
とに立脚して行なうことができる。

第９Ａ図−第１０Ａ図を参照すると、第５Ａ図、第５Ｂ
図、第６Ａ図、および第６Ｂ図に関して述べたのと同様
の考察で、ガスの流量プロフィルは第９Ａ図、第９Ｂ図
、第１０Ａ図、および第１０Ｂ図に示すように、より均
等になる。

本発明の原理に従うサセプタは第８図に図示するものと
は異なった方法で制作することができる。

例えば、サセプタは、サセプタの材料塊、例えばグラフ
ァイトから面２４６ａ−ｆの機械加工によって得られた
突起又は隆起部２４７ａ−ｆによってそれぞれ分離され
た面２４６ａ〜ｆを備えたサセプタ２３２に対して第１
１図に示す断面形状を有していてもよい。

また、サセプタは、サセプタに使用し得る材料の円筒形
または円錐形ブロックの側面にフライス輪の作用、周加
工により製造される隅部３４７ａ〜ｆによって相互に分
離された凹角面３４６ａ〜ｆを備えたサセプタ３３２に
対して第１２図に示す断面形状を有していてもよい。

さらにまた、サセプタは、第８図のサセプタ１３２と同
様に面４４６ａ−ｆを分離する隅部に、工程に対して化
学的に適合する限り、サセプタの材料と同一または全（
異なる材料でもよい突起又は隆起部４４７ａ−ｆが取付
けられているサセプタ４３２に対して第１３図に図示し
た断面形状を有していてもよい。第１４図に図示するよ
うに、サセプタは、各内挿入された突起または隆起部対
５４７ａ＋　、５４７ａｚ　、５４７ｆ＋　５５４７ｆ
、によって囲まれた面５４６ａ−ｆを備えたサセプタ５
３２のものと同様の断面形状を有していてもよい。

第１５図に図示する別のサセプタにおいては、横突起を
設けた突起又は隆起部６４７ａ＝ｆを面６４６ａ〜ｆの
間に挿入して側面に沿ったガス流量の均等性を高めるこ
とができる。

また、第１６図に図示するサセプタにおいて、内側横突
起を設けた突起または隆起部対７４７ａ＋　、７４７ａ
＝　、−７４７ｆ＋、７４７ｆｓを面７４６ａ−ｆの間
に挿入して側面に沿ったガス流量の均等性を高めること
ができる。

サセプタの横隅部の突起又は隆起部自体は異なる配置を
していてもよい。

例えば、第１７図に図示するように、突起又は隆起部１
４７ａは外縁がサセプタ１３２の面１４６ａの対応する
隅部に平行に配置されているのに対して、第１８図に図
示するように、突起又は隆起部１５７ａはその長さに沿
って厚さが変化しており外縁をサセプタ１３２の軸と鐘
形容器１１２の側壁とに平行に維持している。

ここで、調節することを企図している特定の効果は、ス
ライス１４８ａ＋のような上方のスライスにおけるエピ
タキシャル成長速度の過剰であり、この過剰は、おそら
く該上方のスライスが、分配器から放出されたばかりで
分解反応を未だ全く受けていない特に新しい反応ガスに
暴露されることによるものと考えられる。この成長速度
の過剰を解決するために、隆起部１４７ａをサセプタの
上底の上方まで第８図の突起１４７ａ、のようなサセプ
タの中心軸に延長している突起により延長して、サセプ
タ頂部近傍のガスの流量を低下させ従ってスライス自体
の近傍のガスの流量を低下させることが考えられる。

一般に、第１９図に図示するように、突起又は隆起部１
６７ａは、ここに図示したのと同様の適当な方法で成形
された一個又は複数個の外縁を設けてあり、種々の経験
的に決定された形状により生成物に特に良好な結果を生
じる特定のエピタキシャル成長速度が得られることが見
いだした。

本発明は上述し、添付図面に図示した特定の実施態様に
ついて説明したが、これらの例示的な実施態様に限定さ
れず、本発明の範囲内において種々の均等なまたは当業
者に自明な変更を加えることができる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、截頭角錐状のサ
セプタを備えた垂直反応器内におけるエピタキシャル成
長速度を正確に制御することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は頂部が開いた鐘形容器を備えた先行技術のエピ
タキシャル反応器の横断面図、第２図は第１図に示す種
類のエピタキシャル反応器を上方から見た概略断面図、 第３図は底部が開いた鐘形容器を備えた垂直反応器の横
断面図、 第４図は第３図に示すタイプのエピタキシャル反応器の
上面図であり、同反応器への反応ガス分布パターンを説
明するための図、 第５Ａ図は第３図の５Ａ−５Ａ線に沿う部分図であり、
サセプタ面と該サセプタの頂部における鐘形容器との間
の反応ガス流路の規制を説明するための図、 第５Ｂ図は第３図の５Ｂ−５Ｂ線に沿う部分図であり、
サセプタ面と該サセプタの底部における鐘形容器との間
の反応ガス流路の規制を説明するための図、 第６Ａ図は第３図の反応器のサセプタの頂部付近の平行
面に沿う反応ガスの流量プロフィルを示す図、 第６Ｂ図は第３図の反応器のサセプタの底部付近の平行
面に沿う反応ガスの流量プロフィルを示す図、 第７図は第３図に示す種類の垂直エピタキシャル反応器
の截頭角錐体状サセプタの側面の概略図、 第８図は本発明に従うサセプタを備え、かつ反応ガス分
布を調節して反応器自体における成長速度を調節するこ
とを可能にしたエピタキシャル反応器の部分側面図、 第９Ａ図は第８図の９Ａ−９Ａ線に沿う部分図であり、
サセプタ面と該サセプタの頂部における鐘形容器との間
の反応ガス流路の規制を説明するための図、 第９Ｂ図は第８図の９Ｂ−９Ｂ線に沿う部分図であり、
サセプタ面と該サセプタの底部における鐘形容器との間
の反応ガス流路の規制を説明するための図、 第１０Ａ図は第８図の反応器のサセプタの頂部付近の平
行面に沿う反応ガスの流量ブロク・イルを示す図、 第１０Ｂ図は第８図の反応器のサセプタの底部付近の平
行面に沿う反応ガスの流量プロフィルを示す図、 第１１図および第１２図はそれぞれ、当該サセプタ材料
に一体に形成された隅部の突起又は隆起部を設けた本発
明に従うサセプタの上面図、第１３図および第１４図は
それぞれ、挿入された突起又は隆起部を設けた本発明に
従うサセプタの上面図、 第１５図および第１６図はそれぞれ、各側面の中心を指
向する横板を設けて該側面に沿う反応ガスのための輸送
領域を規定する突起又は隆起部を挿入した、本発明に従
うサセプタの上面図、第１７図は横隅部に平行な縁を有
する隆起部を設けたサセプタの部分側面図、 第１８図は中心線に平行な縁を有する隆起部を設けたサ
セプタの部分側面図、および 第１９図は種々の形状の縁を有する隆起部を設けたサセ
プタの部分側面図である。 １ ３ ３ ４ ４ ４ ４ ４ ４ ２・・・鐘形容器、 ２．２３２．３３２．４３２． ２．６３２．７３２・・・サセプタ、 ６ａ〜ｆ１２４６ａ〜ｆ１ ６　ａ〜ｆ、　４４６　ａ〜ｆ。 ６　ａ〜ｆ、　６４６　ａＡ−ｆ。 ６ａｘｆ・・・サセプタの側面、 ？　ａ〜ｆ、　２４７　ａ　〜ｆ。 ７　ａ〜ｆ、　４４７　ａＡ−ｆ。 ６４７ａ−ｆ・・・突起または隆起部、５４７ａ＋　　
、　　５４７ａ２　、　　・・・５４７ｆ、、５４７ｆ
２・・・突起または隆起部対。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）鐘形容器内に収容され、多角形状の基部を有する截
   頭角錐体状のサセプタの周囲の反応ガスの流量を調節す
   ることによって、前記サセプタを使用するタイプの反応
   器のエピタキシャル成長速度を制御する制御系であって
   、 前記サセプタの互いに隣接する側面によって定義される
   隅部に、該サセプタの横縁から突出する隅部隆起部の形
   の固体障害物を設けて、該サセプタの側面における流量
   を可及的に均等にすることを特徴とする制御系。 ２）前記截頭角錐体状のサセプタ本体と一体に、平フラ
   イス削りにより該サセプタの出発部材を構成する截頭円
   錐体の側面に沿って複数の面を切削することによって突
   起または隆起部を設けたことを特徴とする請求項１記載
   の制御系。 ３）前記サセプタとして実質的に截頭円錐体状の出発部
   材に横フライス削りにより曲面をつけて、突出する一体
   の隆起部を設け、これにより実質的に截頭角錐体状のサ
   セプタを得たことを特徴とする請求項２記載の制御系。 ４）前記サセプタとしての截頭角錐体状のサセプタの側
   面を規制する隅部の近傍の反応ガス流を実質的に均等に
   するために各隅部に取付けられ、該側面を分離する突起
   または隆起部を使用したことを特徴とする請求項１記載
   の制御系。 ５）前記突起または隆起部が該サセプタと同一の材料で
   作成したことを特徴とする請求項４記載の制御系。 ６）前記突起または隆起部が、該反応器内で起きる反応
   に対して化学的に適合し得ることを条件として、該サセ
   プタと異なる材料で作成したことを特徴とする請求項４
   記載の制御系。 ７）前記サセプタとして、截頭角錐体状のサセプタに、
   隣接する側面を分離する各隅部近傍において、該側面を
   規制し、これに取付けられた突起または隆起部対を設け
   たことを特徴とする請求項１記載の制御系。 ８）前記サセプタとして、截頭角錐体状のサセプタに、
   隣接する側面を分離する各隅部近傍において、該側面に
   平行で、かつ該側面を分離する隅部に取付けられた横突
   起を設けた突起または隆起部を設けて該サセプタの該側
   面に沿った反応ガスの流量の均等性を保証したことを特
   徴とする請求項１または８記載の制御系。 ９）前記サセプタとして、截頭角錐体状のサセプタに、
   隣接する側面を分離する各隅部近傍において、該側面に
   平行で、かつ該側面自体に取付けられた突起または隆起
   部対を設けて該サセプタの該側面に沿った反応ガスの流
   量の均等性を保証したことを特徴とする請求項１または
   ７記載の制御系。 １０）前記突起または隆起部を、外縁が該截頭角錐体状
   のサセプタの側面を分離する対応する隅部に平行にまた
   は該側面自体に平行に配置したことを特徴とする請求項
   １ないし９のいずれか１項に記載の制御系。 １１）前記サセプタの側面を分離する該隅部から突出す
   る該突起又は隆起部の厚さが異なり、該サセプタの軸と
   鐘形容器の側壁とに平行に維持したことを特徴とする請
   求項１ないし９のいずれか１項に記載の制御系。 １２）前記サセプタの側面を分離する該隅部から突出す
   る該突起または隆起部に、形状を経験的に決定される複
   数個の外縁を設けて、該反応器内のエピタキシャル成長
   速度を所望のプロフィルに従って調節できるようにした
   ことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記
   載の制御系。 １３）前記サセプタの側面を分離する該隅部から突出す
   る該突起または隆起部に、前記鐘形容器の側壁に平行に
   複数個の外縁を設けて、階段状に配置したことを特徴と
   する請求項１２記載の制御系。 １４）前記突起が、前記サセプタの中心軸に延長してい
   る突起によって、該サセプタの上底の上方に延長してい
   る該サセプタの頂部近傍のガス流量を低下させたことを
   特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の制
   御系。