JPH03116899A

JPH03116899A - 多層回路基板

Info

Publication number: JPH03116899A
Application number: JP25400289A
Authority: JP
Inventors: Mitsuaki Yamakawa; 山川　光明
Original assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Current assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date: 1989-09-29
Filing date: 1989-09-29
Publication date: 1991-05-17

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は多層回路基板に関し、特に小型化。

軽量化を図った電子機器に用いられる多層回路基板に関
わる。

（従来の技術）近年、電子機器の軽薄短小化の要求は、ポータプルＶＴ
Ｒ，液晶ＴＶ、無線機器等においてますます太き（なっ
てきている。

こうした電子機器において、そのハード面で基礎となっ
ているものはいうまでもなく電子機器を構成している部
品等の小型化にある。中でも、電子回路基板に着目して
みると、−膜面にガラス・エポキシ（ガラエポ）基板が
あるが、更に高密度実装を要求される場合にはプラスチ
ック多層基数等の併用で対応している。

しかしながら、上記のように高密度実装化が進むと、微
弱な信号を扱っている電子回路、大振幅を扱う回路、パ
ルス波形を扱っていて高調波成分を多く含む回路、Ｆａ
気を発生している回路等が、従来プリント基板上にディ
スクリート部品を配置していた時には何の影響も無かっ
た回路においても磁気の干渉や電？ＩＪｔ（ＥＭＩ）障
害が容易に生じるようになってきた。

こうしたことから、上記障害を防止するために、例えば
第４７図に示す多層回路基板が提案されている。図中の
１は、熱可塑性樹脂性多層樹脂基板である。この多層樹
脂基板１上に、半導体素子２などからなる回路ブロック
３，４が設けられている。これら回路ブロック３．４は
、磁気シールド板５により仕切られている。この磁気シ
ールド板５の材質は、鉄、アルミ等である。なお、前記
磁気シールド板５は、前記基板１にはピン状になってい
る。このように磁気シールド板５を用いた多層回路基板
によれば、干渉し合っているブロック回路３．４間の電
波傷害を回避する事ができる。

しかし、こうした対策は余分なスペースをとるため、多
層回路基板のやチップの小型化が進むにつれて困難にな
りつつある。また、スペースの６効利用に適った方法と
は言えない。

ところで、高密度実装を図るため、従来第５図に示す多
層回路基板が提案されている。この多層回路基板は、多
層樹脂基板１の両面に互いに異なる性質の回路ブロック
６．７（大振幅と小振幅。

あるいは発振部と受信部）を形成するものである。

なお、図中の７は、配線パターンである。しかしながら
、こうした多層回路基板は、第４７図のように磁気シー
ルド板を用いることができず、磁気の干渉や電波傷害が
生じる。

（発明が解決しようとする課題）本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、従来のよう
に磁気シールド板を用いることなく磁気の干渉や電波傷
害が生じるのを回避するとともに、高密度実装化を達成
しえる多層回路基板を提供することを目的とする。

［発明の構成コ（課題を解決するための手段と作用）本願第１の発明は、電子部品と電気的に接続される配線
パターンを有した熱変形性樹脂製樹脂基板と、この樹脂
基板に積層され、内部に粉状又は繊維状導電性材料を充
填した熱変形性樹脂製静電シールド層とを具備する事を
特徴とする多層回路基板である。

上記静電シールド層の導電性材料としては、銅。

鉄等の金属あるいはこれらの合金等が挙げられる。

これらの導電性材料は粉状または繊維状の状態で用いら
れる。ここで、粉状として用いた場合、好ましくは導電
性材料の粒径は０．１〜１０μｍ１熱可塑性樹脂に対す
る配合割合は５〜５０重二％である。

配合割合を上記のように規定するのは、５重量％未満で
は多層樹脂基板の抵抗率が上り静電シールド効果が十分
得られず、５０重量％を越えると抵抗率は下がるが成形
がしにくくなるからである。−方、前記導電性材料を繊
維状として用いた場合、好ましくはその長さは大体Ｏ〜
５１程度が良い。

本願第２の発明は、電子部品と電気的に接続される配線
パターンを有した熱変形性樹脂製樹脂基板と、この樹脂
基板に積層され、内部に金属酸化物を主体とする磁性材
料を充填した熱変形性樹脂製静電シールド層とを具備す
る事を特徴とする多層回路基板である。

上記静電シールド層の磁性材料としては、例えばフェラ
イトや酸化マンガン、酸化鉄等の金属酸化物が挙げられ
る。前記導電性材料を粉状で用いた場合の好ましい粒径
、配合割合、あるいは繊維状で用いた場合の材料の長さ
等は上記第１の発明の場合と同様である。

本発明では、磁気シールド層あるいは静電シールド層を
夫々単独で用いてもよいし、あるいは導電性材料及′び
磁性材料を適宜混合させた磁気・静電シールド層を用い
てもよい。こうしたシールド層は、前記多層樹脂基板の
片面あるいは両面ある意は他の樹脂基板間に設ければよ
い。このようにシールド層を設けた基板は、使用に応じ
て適宜折りり曲げて使用してもよい。また、従来使用し
た磁気シールド板と併用してもよい。

（作用）本発明によれば、多層回路基板に載置または収容される
電子部品や多層回路基板に形成された配線パターンへの
磁気の干渉や電波傷害が生じるのを回避するとともに、
高密度実装化を達成できる。

以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

［実施例１コ第１図を参照する。

図中の１１は、厚さ１０〜１００μｍ程度の熱変形性樹
脂フィルムに各々厚膜導電ペーストを印刷し、後述の電
子部品と電気的に接続する配線パターンが形成された樹
脂基板である。ここで、前記樹脂フィルムの材料として
は、例えばポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルフォン
、ポリフェニレンサルファイド、ポリアセタール、ポリ
アミド等が挙げられる。また、前記厚膜導電ベーストは
、例えば上記の熱変形性フィルムを構成する樹脂、他の
熱変形性樹脂をバインダとし、これに例えば銀、銅、ニ
ッケル、金、白金、アルミニウム等の金属微粉末を混練
りし、必要に応じて溶媒を適宜添加した組成からなる。

前記多層樹脂基板Ｉｌ内には、半導体素子１２などの電
子素子が一体的に収容された回路ブロック１３が設けら
れて、いる。

前記多層樹脂基板１１の両面には、熱変形性樹脂製静電
シールド層１４．１５が夫々設けられている。ここで、
前記静電シールド層１４．１５は、例えば前述の熱変形
性樹脂体フィルムに例えば粒径が例えば５μｍ程度の銅
（Ｃｕ）粉を略均−に充填した層である。この銅粉の配
合割合は、前記多層樹脂基板の熱可塑性樹脂に対して約
３０％重量部である。

前記静電シールド層１４．１５は、前記樹脂基板１１に
対して該基板１１の両側から熱プレスによって圧着して
一体的に積層する。なお、図中の１６は多層樹脂基板ｌ
ｌ内に形成され、前記半導体素子１２と電気的に接続す
る前述の配線パターンである。

こうした構成の多層回路基板によれば、多層樹脂基板１
１の両面に熱変形性樹脂製静電シールド層１４、１５を
夫々設けた構成になっているため、従来のように電磁シ
ールド板を用いる事なく、電磁シールド効果を得ること
ができる。また、電磁シールド板を用いる事がないため
、スペースを有効に利用でき、高密度実装化が可能にな
る。

［実施例２］この実施例２の多層回路基板は、第２図に示す如く前記
熱可塑性樹脂製静電シールド層１４を、多層樹脂基板Ｉ
Ｉ内の略中夫に設けたものである。ここで、電子部品を
収容する回路ブロック１３ａ。

１３ｂは、前記多層樹脂基板１１ａ、１１ｂ内に配設さ
れている。こうした構成の多層回路基板によれば、上記
回路ブロック１３ａ　＋、　１３ｂに収容された電子部
品間の電磁シールド効果を得る事ができる。

［実施例３］この実施例３の多層回路基板は、第３図に示す如く前記
熱変形性樹脂製静電シールド層１４を、樹脂基板１１の
片面に設け、かつ該基板１１が外側に位置するように所
定の２個所で折曲げ、しかも下部に電磁シールド板１７
を設けて蓋したものである。

こうした構成の多層回路においても上記実施例と同様な
電磁シールド効果を有する。また、電磁シールド板１７
は、折り曲げた多層樹脂基板１１の両端部を覆うように
設けられているため、従来のように高密度実装化を妨げ
ることはない。

なお、上記実施例では、樹脂フィルムに銅等の粉末を充
填した静電シールド層を設けた場合について述べたが、
これに限定されない。例えば静電シールド層に代えて、
例えばフェライトなどの金属酸化物からなる磁性粉末を
充填した静電シールド膜を用いてもよい。前記磁気シー
ルド層の設ける場所は、静電シールド層の場合と同様で
ある。

また、導電体粉末と磁性体粉末の両者を充填した静電シ
ールド層を設けてもよい。この場合も、高密度実装化を
図りつつ静電シールド効果を得ることができる。

［発明の効果］以上詳述した如く本発明によれば、従来のように磁気シ
ールド板を用いることなく磁気の干渉や電波傷害が生じ
るのを回避するとともに、高密度実装化を達成しえる多
層回路基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１に係る多層回路基板の説明図
、第２図は実施例２に係る多層回路基板の説明図、第３
図は実施例３に係る多層回路基板の説明図、第４図及び
第５図は夫々従来の多層回路基板の説明図である。１１・・・多層回路基板、ｌｌａ　、　ｌｌｂ・・・樹
脂基板、１２・・・電子部品、１３．１３ａ　１３ｂ・
・・回路プロ・ツク、１４゜１５・・・熱可塑性樹脂製
静電シールド層、１６・・・配線、（ターン、１７・・
・磁気シールド板。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）電子部品と電気的に接続される配線パターンを有
した熱変形性樹脂製樹脂基板と、この樹脂基板に積層さ
れ，内部に粉状又は繊維状導電性材料を充填した熱変形
性樹脂製静電シールド層とを具備する事を特徴とする多
層回路基板。
（２）電子部品と電気的に接続される配線パターンを有
した熱変形性樹脂製樹脂基板と、この樹脂基板に積層さ
れ，内部に金属酸化物を主体とする磁性材料を充填した
熱変形性樹脂製静電シールド層とを具備する事を特徴と
する多層回路基板。