JPH03115107A - 超伝導材料の粒子を製造する装置および方法 - Google Patents
超伝導材料の粒子を製造する装置および方法Info
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- JPH03115107A JPH03115107A JP2182539A JP18253990A JPH03115107A JP H03115107 A JPH03115107 A JP H03115107A JP 2182539 A JP2182539 A JP 2182539A JP 18253990 A JP18253990 A JP 18253990A JP H03115107 A JPH03115107 A JP H03115107A
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- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
ｆｆｌへ訓」Ｌ丸！
本発明は、超伝導材料の製造に役立つ装置および方法に
関するものである。特に本発明は、当初から溶液内へ原
子状に混合され且つ保持されている成分からの超伝導材
料の粒子の製造に関するｂのである。本発明は特に、但
し独占的にではなく、エーロゾル噴霧を乾燥させて超伝
導材料の均質な粉末を製造するのに役立つ。
関するものである。特に本発明は、当初から溶液内へ原
子状に混合され且つ保持されている成分からの超伝導材
料の粒子の製造に関するｂのである。本発明は特に、但
し独占的にではなく、エーロゾル噴霧を乾燥させて超伝
導材料の均質な粉末を製造するのに役立つ。
従来技術、および発明が解決しようとする超伝導材料の
製造のために幾つかの方法が提案されている。一般に、
この種の材料を製造１゛る最初の段階は、超伝導成分を
溶液内に溶解させることである。次いで、問題点は、溶
液からの材料をそれが液体の状態におけると同様に均質
な（即ち原子状に混合された）乾燥状態に変換させるこ
とである。更によｌこ、沈殿物が単一の相（ｐｈａｓｅ
ｐｕｒｅ）であり、従って、あったとしてもわずかな共
晶しかないことが望ましい。
製造のために幾つかの方法が提案されている。一般に、
この種の材料を製造１゛る最初の段階は、超伝導成分を
溶液内に溶解させることである。次いで、問題点は、溶
液からの材料をそれが液体の状態におけると同様に均質
な（即ち原子状に混合された）乾燥状態に変換させるこ
とである。更によｌこ、沈殿物が単一の相（ｐｈａｓｅ
ｐｕｒｅ）であり、従って、あったとしてもわずかな共
晶しかないことが望ましい。
溶液からの超伝導材料を乾燥させる一つの周知の方法は
、−・般に気相沈殿または吹付１ノ熱分解と称されるプ
ロセスである。このプロセスのために超伝導材料の溶液
が炉内に吹き付けられ、それが炉を通って下降する際に
脱水し且つ、恐らくは反応し４！するようにされる。結
果として生ずる沈殿物は、次いで炉から集取され、超伝
導粒子を生成すべく更に加工処理することができる。し
かし、吹１ノ熱分解には若干の難点が見られる。第一に
、炉から微粒子を集取することが困難な恐れがある。
、−・般に気相沈殿または吹付１ノ熱分解と称されるプ
ロセスである。このプロセスのために超伝導材料の溶液
が炉内に吹き付けられ、それが炉を通って下降する際に
脱水し且つ、恐らくは反応し４！するようにされる。結
果として生ずる沈殿物は、次いで炉から集取され、超伝
導粒子を生成すべく更に加工処理することができる。し
かし、吹１ノ熱分解には若干の難点が見られる。第一に
、炉から微粒子を集取することが困難な恐れがある。
その上、力】内の対′ａ流れと炉内へ吹付けを精確に向
けることの９４Ｈさとにより、炉の側壁が容易に汚損さ
れ且つそこに沈殿物が塊状集積しようと１６゜従って、
生成された粉体の全てが集取されることはない。また、
このプロセスに発生する緩徐な脱水ら、各しずく内の各
種成分の偏析を招いて、最終粉体製品の不均質性を招来
する恐れがある。
けることの９４Ｈさとにより、炉の側壁が容易に汚損さ
れ且つそこに沈殿物が塊状集積しようと１６゜従って、
生成された粉体の全てが集取されることはない。また、
このプロセスに発生する緩徐な脱水ら、各しずく内の各
種成分の偏析を招いて、最終粉体製品の不均質性を招来
する恐れがある。
この特定の手順の例が、Ｔ、 Ｔ、コーダス（Ｋｏｄａ
ｓ ）等茗［１ア０ゾル・７〇−・リアクタ・ブ［」ダ
クション参オプ◆）戸イン（Ａｅｒｏｓｏｌ Ｆｌｏｗ
Ｒｅａｃｔｏｒｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｆｉｎ
ｅ） Ｙ Ｂ ａ に ｕ ３０７パウ２ ダー（Ｐｏｗｄｅｒ） 、フアプリケーションー７１７
−スーバーコンダクテイング・セラミックス（Ｆａｂｒ
ｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎ
ｇＣｅｒａｎ＋１ｃｓ） ｌ 。
ｓ ）等茗［１ア０ゾル・７〇−・リアクタ・ブ［」ダ
クション参オプ◆）戸イン（Ａｅｒｏｓｏｌ Ｆｌｏｗ
Ｒｅａｃｔｏｒｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｆｉｎ
ｅ） Ｙ Ｂ ａ に ｕ ３０７パウ２ ダー（Ｐｏｗｄｅｒ） 、フアプリケーションー７１７
−スーバーコンダクテイング・セラミックス（Ｆａｂｒ
ｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎ
ｇＣｅｒａｎ＋１ｃｓ） ｌ 。
（１９８８年刊、アプライド・フィジックス・レターズ
（＾ｐｐｌｔｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
） 、５２．１６２２）に記述されている。
（＾ｐｐｌｔｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
） 、５２．１６２２）に記述されている。
溶液から超伝導材料を沈殿させる別の周知の方法は、加
熱されたプレートが回転され、プレート上へその中心か
ら溶液が放出されるようにしたブ１コセスである。これ
により溶液は、プレートの加熱された表面上に回転させ
られ、溶液内の水が蒸発するに従って沈殿物の薄い膜ま
たは層を生成する。しかし、かくはんと比較的緩徐な蒸
発とにより、この旋回方法もまた、不均質な沈殿の塊状
集積と形成とを６たらり傾向がある。このプロセスをス
ケールアップして大量の粉体を生成することは困難であ
る。この手順の例が、ｌガバーメント・インダストリー
・バック・コー・ケイ・スーパーコンダクタ−、Ｕフォ
ート（ＧＯＶｅｒｎｌｌｌｅｎｔ＋ｎｄｕｓｔｒｙ Ｂ
ａｃｋ ｕ、に、 ５ｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｅ
ｆｆｏｒｔ） Ｊ（１９８９年４月刊、セラミック・イ
ンダストリー （Ｃｅｒａｍｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ）
、８１ページ）に記述されＣいる。
熱されたプレートが回転され、プレート上へその中心か
ら溶液が放出されるようにしたブ１コセスである。これ
により溶液は、プレートの加熱された表面上に回転させ
られ、溶液内の水が蒸発するに従って沈殿物の薄い膜ま
たは層を生成する。しかし、かくはんと比較的緩徐な蒸
発とにより、この旋回方法もまた、不均質な沈殿の塊状
集積と形成とを６たらり傾向がある。このプロセスをス
ケールアップして大量の粉体を生成することは困難であ
る。この手順の例が、ｌガバーメント・インダストリー
・バック・コー・ケイ・スーパーコンダクタ−、Ｕフォ
ート（ＧＯＶｅｒｎｌｌｌｅｎｔ＋ｎｄｕｓｔｒｙ Ｂ
ａｃｋ ｕ、に、 ５ｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｅ
ｆｆｏｒｔ） Ｊ（１９８９年４月刊、セラミック・イ
ンダストリー （Ｃｅｒａｍｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ）
、８１ページ）に記述されＣいる。
卑ＩｉＩされた溶液から超伝導材料を沈殿させる更に慣
習的な方法は、液体状態のｖｃ＋股物を包含する周知の
プロセスぐある。しかし、液体状態沈殿プロセスについ
ての一１′及な問題点は、均質な沈殿を達成する際の困
難さである。従って、満足な結末を得るためには、溶液
の組成とｐＨとを調整する時間と努力とを賀すことが一
般に必要である。史に、沈殿が発生した後においても、
更に先のプロセスのために沈殿を溶液から分１１１−！
することが困Ｍなこともあり歓する。この手順の例が、
Ｈ−Ｈ・ワン（Ｈａｎｇ）等著［コンバリズン・オブ・
カーボネート・ザイトレート・アンド・第１リレート・
ケミカル・ルーツ・ツー・ザ・ハイ・ＴＣ・メタル・オ
キサイド・スーパーコンダクタズ（ｃｏｍｐａｒｉｓｏ
ｎｏ（Ｃａｒｂｏｎａｔｅ Ｃ１ｔｒａｔｅ ａｎｄ
０ｘａｌａｔｅ Ｃｈｅ＋＋１ａ１１ｏｕｔｅｓ
ｔｏ ｔｈｅ Ｈｉｇｈ ｒＣＭｅｔａｌ ０ｘｉｄｅ
ＳｕＤｅｒＣＯｎｄｕＣｊＯｒＳ ） Ｌ ａ Ｓ
ｒ ＣＬＪ Ｏ４Ｊ、２−×× （１９８７年刊、インオーガニック・ケミストリー （
１ｎｏｒｏａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ） 、２
６ 、 １６２２ ）に記述されている。
習的な方法は、液体状態のｖｃ＋股物を包含する周知の
プロセスぐある。しかし、液体状態沈殿プロセスについ
ての一１′及な問題点は、均質な沈殿を達成する際の困
難さである。従って、満足な結末を得るためには、溶液
の組成とｐＨとを調整する時間と努力とを賀すことが一
般に必要である。史に、沈殿が発生した後においても、
更に先のプロセスのために沈殿を溶液から分１１１−！
することが困Ｍなこともあり歓する。この手順の例が、
Ｈ−Ｈ・ワン（Ｈａｎｇ）等著［コンバリズン・オブ・
カーボネート・ザイトレート・アンド・第１リレート・
ケミカル・ルーツ・ツー・ザ・ハイ・ＴＣ・メタル・オ
キサイド・スーパーコンダクタズ（ｃｏｍｐａｒｉｓｏ
ｎｏ（Ｃａｒｂｏｎａｔｅ Ｃ１ｔｒａｔｅ ａｎｄ
０ｘａｌａｔｅ Ｃｈｅ＋＋１ａ１１ｏｕｔｅｓ
ｔｏ ｔｈｅ Ｈｉｇｈ ｒＣＭｅｔａｌ ０ｘｉｄｅ
ＳｕＤｅｒＣＯｎｄｕＣｊＯｒＳ ） Ｌ ａ Ｓ
ｒ ＣＬＪ Ｏ４Ｊ、２−×× （１９８７年刊、インオーガニック・ケミストリー （
１ｎｏｒｏａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ） 、２
６ 、 １６２２ ）に記述されている。
本発明は、ＩｉＬ備された超伝導溶液から水を急速に蒸
発させる装置および方法により従来技術の幾つかの欠点
を克服し得ることを認めるものである。
発させる装置および方法により従来技術の幾つかの欠点
を克服し得ることを認めるものである。
更に本発明は、加熱された表面上へ溶液のエーロゾルが
直接に吹き付けられ、イこ−Ｃ各小滴が個々に蒸発する
場合に充分迅速な蒸発を達成できることを認めるしのぐ
ある。
直接に吹き付けられ、イこ−Ｃ各小滴が個々に蒸発する
場合に充分迅速な蒸発を達成できることを認めるしのぐ
ある。
上記に鑑みて、本発明の目的は、乾燥状態において、液
体の状態にお１すると同様に均質な沈殿物を生成捗る超
伝導体の製造のための装置および方法を提供りることに
ある。本発明の別の目的は、甲−の相で・あり且つ観察
し得る共晶を全く包有しない沈殿物を生成する超伝導体
の製造のための装置および方法を提供−４ることにある
。本発明の史に別のｌ」的は、超伝導材料の微粒子を生
成する超伝導体の製造のためのＭ置および方法を提供す
ることにある。本発明のまた別のＬ」的は、使用し易い
超伝導体の製造のための装置を提供することにある。本
発明の史に別の目的は、超伝導粒子を迅速且つ再現自イ
■に生成する超伝導の＋Ｉ！Ａ造のための方法を提供す
ることにある。本発明の別の目的は、溶液の組成とｐＨ
とを調整することを必要とせずに全ての正規組成体に適
用可能な超伝導体の製造のための装置９および方法を提
供することにある。本発明の更に別の目的は、単純且つ
］ンバクトで、しかし比較的に費用効果のある超伝導体
の製造のためのに置および方法を提供することにある。
体の状態にお１すると同様に均質な沈殿物を生成捗る超
伝導体の製造のための装置および方法を提供りることに
ある。本発明の別の目的は、甲−の相で・あり且つ観察
し得る共晶を全く包有しない沈殿物を生成する超伝導体
の製造のための装置および方法を提供−４ることにある
。本発明の史に別のｌ」的は、超伝導材料の微粒子を生
成する超伝導体の製造のためのＭ置および方法を提供す
ることにある。本発明のまた別のＬ」的は、使用し易い
超伝導体の製造のための装置を提供することにある。本
発明の史に別の目的は、超伝導粒子を迅速且つ再現自イ
■に生成する超伝導の＋Ｉ！Ａ造のための方法を提供す
ることにある。本発明の別の目的は、溶液の組成とｐＨ
とを調整することを必要とせずに全ての正規組成体に適
用可能な超伝導体の製造のための装置９および方法を提
供することにある。本発明の更に別の目的は、単純且つ
］ンバクトで、しかし比較的に費用効果のある超伝導体
の製造のためのに置および方法を提供することにある。
題を解決するための手段
超伝導材料の粉体を製造する装置には、超伝導体諸成分
の溶液を保持する容器が包合される。詳述すれば、希土
類、バリウムおよび銅（例えばｌ＜Ｅ２０３、ここにＲ
［はイツトリウムおよび希土類元素、ＣＵＯおよびＢａ
（ＮＯ３）、２ ）を硝酸および水に溶解させること
により、均質な、原子状に混合された溶液が製造される
。これらの元素の組合せは結果として、原子状に混合さ
れた超伝導材料を包′Ｆｉする溶液を正規組成で、ある
いはわずかに正規組成から外れて（例えばＤ Ｖ １．
にｙ、＝１３ａ −Ｃｕ ）、生じさせる。
の溶液を保持する容器が包合される。詳述すれば、希土
類、バリウムおよび銅（例えばｌ＜Ｅ２０３、ここにＲ
［はイツトリウムおよび希土類元素、ＣＵＯおよびＢａ
（ＮＯ３）、２ ）を硝酸および水に溶解させること
により、均質な、原子状に混合された溶液が製造される
。これらの元素の組合せは結果として、原子状に混合さ
れた超伝導材料を包′Ｆｉする溶液を正規組成で、ある
いはわずかに正規組成から外れて（例えばＤ Ｖ １．
にｙ、＝１３ａ −Ｃｕ ）、生じさせる。
１．９！１ ２．９０
本発明のｖｔ向にはまた、熱衝撃に耐える滑らかな平た
ん面を備えたプレートも包含されている。
ん面を備えたプレートも包含されている。
プレートはまた、６００℃未満の溶液やその成分とは化
学的に反応せず且つ約６００℃ま′Ｃの温度に効果的に
対応する材料で作られる。
学的に反応せず且つ約６００℃ま′Ｃの温度に効果的に
対応する材料で作られる。
プレートの表面上に溶液を吹き付番ノるためにノズルが
設けられ、容器内の溶液に流体連通して連結される。更
にｚ１述すれば、ノズルは、溶液と反応的でない４１料
、例えばガラスまたはチタン、で作られるべきである。
設けられ、容器内の溶液に流体連通して連結される。更
にｚ１述すれば、ノズルは、溶液と反応的でない４１料
、例えばガラスまたはチタン、で作られるべきである。
更にノズルは、直径が約５０μ以下の小滴を含む溶液の
微細化された噴霧を生成できなければならない。プレー
トの表面を約２００℃まで予熱することにより、吹き付
けられた溶液は、それが表面に接触すると、急速に加熱
される。この加熱により溶液内の水が急速に蒸発し、表
面上に沈積された均質の固形沈殿物が形成される。
微細化された噴霧を生成できなければならない。プレー
トの表面を約２００℃まで予熱することにより、吹き付
けられた溶液は、それが表面に接触すると、急速に加熱
される。この加熱により溶液内の水が急速に蒸発し、表
面上に沈積された均質の固形沈殿物が形成される。
表面から沈殿物を除去するためにスクレーパが用いられ
る。次いで沈殿物が別のプレート上に置かれ、約５００
℃に加熱されて、沈殿物内の硝酸塩の大部分が分解され
、水和作用のいかなる残留水も除去される。次に、沈殿
した超伝導材料は炉内に１侃かれ、約１〜８ｈの間、８
００〜９２５℃の範囲の温度でか焼される。望むならば
材料を、それがか焼された後に粉砕して新しい表向を露
出させ、次いで８００〜９２５℃の′ｔｒ！囲の高温で
ほぼ１〜８ｈの間、再か焼するこもできる。超伝導材料
の酸素化は、材料をか焼温度から徐々に冷却し、材料を
室温まで更に冷却する前に、約４００℃の中間レベルで
温度を−・定に保つことにより達成される。
る。次いで沈殿物が別のプレート上に置かれ、約５００
℃に加熱されて、沈殿物内の硝酸塩の大部分が分解され
、水和作用のいかなる残留水も除去される。次に、沈殿
した超伝導材料は炉内に１侃かれ、約１〜８ｈの間、８
００〜９２５℃の範囲の温度でか焼される。望むならば
材料を、それがか焼された後に粉砕して新しい表向を露
出させ、次いで８００〜９２５℃の′ｔｒ！囲の高温で
ほぼ１〜８ｈの間、再か焼するこもできる。超伝導材料
の酸素化は、材料をか焼温度から徐々に冷却し、材料を
室温まで更に冷却する前に、約４００℃の中間レベルで
温度を−・定に保つことにより達成される。
本発明の新規な諸特徴ならびに、その構造および作動の
双方についての本発明自体は、類似部分を同様の参照符
号で示すようにした、添付説明に関連して作成された添
付図面により、詳細にｐＩ！解されよう。
双方についての本発明自体は、類似部分を同様の参照符
号で示すようにした、添付説明に関連して作成された添
付図面により、詳細にｐＩ！解されよう。
友通ｆＡ ８ 、に ｔＦ艷月
先ず第１図について説明する。同図は、本発明による超
伝導粉体の製造のために追従される各種の段階を順次定
めたブ【コック図を示す。第１図のブロック１０は、第
１段階が硝Ｖ塩溶液の準備を意味することを示す。第２
図に１２で示１この溶液は、望ましくは選定された成分
を硝酸と水に溶解させて正規組成の混合物を形成するこ
とによって作られる。詳述ずれば、２８．７９のＤ！／
２０３と３６．７９のＣＵＯと８０．４９のＤａ （Ｎ
Ｏ３）２とが硝酸と水に溶解される。
伝導粉体の製造のために追従される各種の段階を順次定
めたブ【コック図を示す。第１図のブロック１０は、第
１段階が硝Ｖ塩溶液の準備を意味することを示す。第２
図に１２で示１この溶液は、望ましくは選定された成分
を硝酸と水に溶解させて正規組成の混合物を形成するこ
とによって作られる。詳述ずれば、２８．７９のＤ！／
２０３と３６．７９のＣＵＯと８０．４９のＤａ （Ｎ
Ｏ３）２とが硝酸と水に溶解される。
Ｄｙ２Ｏ３はここで好適な実施例に引用されているが、
このプロセスは一般に全ての高温の超伝導材料に適用可
能である。従って、他の希土類やイツトリウム酸化物も
使用できる。
このプロセスは一般に全ての高温の超伝導材料に適用可
能である。従って、他の希土類やイツトリウム酸化物も
使用できる。
正規組成の混合物が望ましいが、正規組成かられずかに
ずれた成分を混合することにより、より少ない共晶を包
含し、または最終超伝導製品におけるフラックスの拘東
に役立つ沈殿物が結果として生ずることが見いだされて
いる。その結果、液相は最小化される。詳述づれば、こ
の目的のためには、組成り ” １．０５Ｂａ１．９５
Ｃｕ２．９００７を用いることが望ましい。何れにせよ
、この結果は、般にいわゆる１ −２−３超伝導体の組
成である。
ずれた成分を混合することにより、より少ない共晶を包
含し、または最終超伝導製品におけるフラックスの拘東
に役立つ沈殿物が結果として生ずることが見いだされて
いる。その結果、液相は最小化される。詳述づれば、こ
の目的のためには、組成り ” １．０５Ｂａ１．９５
Ｃｕ２．９００７を用いることが望ましい。何れにせよ
、この結果は、般にいわゆる１ −２−３超伝導体の組
成である。
第２図に承す如く、溶液１２は、管１６を介しポンプ１
８に流体連通して連結される容器１４内に保持されてい
る。ポンプ１８の作動により溶液１２は管２０を経てノ
ズル２２の外へ押し出される。重大なことにノズル２２
は、溶液１２に対し化学的に非反応性の材料で作らなけ
ればならない。
８に流体連通して連結される容器１４内に保持されてい
る。ポンプ１８の作動により溶液１２は管２０を経てノ
ズル２２の外へ押し出される。重大なことにノズル２２
は、溶液１２に対し化学的に非反応性の材料で作らなけ
ればならない。
例えばノズル１２を、パイレックス（ｐｙｒｅｘ ）ガ
ラス（商標名）またはチタンで作ることができる。
ラス（商標名）またはチタンで作ることができる。
史に、ノズル２２が、直径が約１０〜１００μのＰＲ液
１２の小滴を含むエーロゾル２４を生成し得ることは重
装である。このエーロゾル２４は、プレート２８の表面
２６上へ、ノズル２２から直接に吹き付けられる。本発
明の諸目的に応じ、ノズル２２を、Ｉｌｌ連技術におい
て１８知の任意の形式の噴霧器またはソノ・チック（５
ｏｎｏ−Ｔｅｋ ＞社により製造されるような形式の超
音波ノズルの何れにすることもできる。
１２の小滴を含むエーロゾル２４を生成し得ることは重
装である。このエーロゾル２４は、プレート２８の表面
２６上へ、ノズル２２から直接に吹き付けられる。本発
明の諸目的に応じ、ノズル２２を、Ｉｌｌ連技術におい
て１８知の任意の形式の噴霧器またはソノ・チック（５
ｏｎｏ−Ｔｅｋ ＞社により製造されるような形式の超
音波ノズルの何れにすることもできる。
Ｘ−０ゾル２４（ＩＩＩも吹き付けられ！ご溶液）をＩ
ＩＩ御し且つ吹き付けられた溶液１２の適切な分散を達
成するため、ノズル２２は、プレート２８の表面２６に
比較的に近接して位置付けされる。この距離は、望まし
くは、約１５．２４α（６ｉｎ）程度である。エーロゾ
ル２４の表面２６との接触により、第１図のブロック３
０に表示されるプ【−１セスの次の段階が達成される。
ＩＩ御し且つ吹き付けられた溶液１２の適切な分散を達
成するため、ノズル２２は、プレート２８の表面２６に
比較的に近接して位置付けされる。この距離は、望まし
くは、約１５．２４α（６ｉｎ）程度である。エーロゾ
ル２４の表面２６との接触により、第１図のブロック３
０に表示されるプ【−１セスの次の段階が達成される。
叩ちニー０ゾル２４はフラッシュ蒸発され、換占すれば
、液体の小滴はそれらがホットプレートの表面に接触す
ると急速に乾燥される。
、液体の小滴はそれらがホットプレートの表面に接触す
ると急速に乾燥される。
第２図は、プレート２８がベース３２上に取り付けられ
ていることを表示している。ベース３２はなるべくなら
、図示のロッドのような、プレート２８の回転を可能に
させる構造体ぐあることが望ましい。また加熱器３４が
設けられ、プレート２８を加熱するように位置付けされ
る。本発明により予期される如く、加熱器３４はなるべ
くなら、グレート２８の表面２６を１８０℃〜２３０℃
の範囲の温度に加熱することが望ましい。表面２６がこ
の温度範囲の場合、エーロゾル２４は表面２６との接触
の際に沈殿物３６を４ｒ成する。このフラッジ」蒸発段
階中にプレート２８が適切に機能するためには、プレー
ト２８がある特性を備えることが必要Ｃある。詳述すれ
ば、プレート２８は溶液１２に対し、化学的に非反応性
でなければならない。史に、プレート２８は、それがフ
ラッシュ蒸発段階中にひび割れやぎ裂を生じないように
、熱衝撃に対し抵抗性がなければならない。史に、プレ
ート２８の表面２６は、表面２６からの沈１股物３６の
除去を容易に覆るため、滑らかでなければならない。こ
れを念頭に置けば、プレート２８は、パイロセラム（Ｐ
ｙｒｏｃｅｒａｍ ） （商標名）として周知されコー
ニング（Ｃｏｒｎｉｎｇ ）社′Ｃ−製造されている商
業的に入手可能な製品のような、ガラスセラミック材料
ぐ作ることが望ましい。
ていることを表示している。ベース３２はなるべくなら
、図示のロッドのような、プレート２８の回転を可能に
させる構造体ぐあることが望ましい。また加熱器３４が
設けられ、プレート２８を加熱するように位置付けされ
る。本発明により予期される如く、加熱器３４はなるべ
くなら、グレート２８の表面２６を１８０℃〜２３０℃
の範囲の温度に加熱することが望ましい。表面２６がこ
の温度範囲の場合、エーロゾル２４は表面２６との接触
の際に沈殿物３６を４ｒ成する。このフラッジ」蒸発段
階中にプレート２８が適切に機能するためには、プレー
ト２８がある特性を備えることが必要Ｃある。詳述すれ
ば、プレート２８は溶液１２に対し、化学的に非反応性
でなければならない。史に、プレート２８は、それがフ
ラッシュ蒸発段階中にひび割れやぎ裂を生じないように
、熱衝撃に対し抵抗性がなければならない。史に、プレ
ート２８の表面２６は、表面２６からの沈１股物３６の
除去を容易に覆るため、滑らかでなければならない。こ
れを念頭に置けば、プレート２８は、パイロセラム（Ｐ
ｙｒｏｃｅｒａｍ ） （商標名）として周知されコー
ニング（Ｃｏｒｎｉｎｇ ）社′Ｃ−製造されている商
業的に入手可能な製品のような、ガラスセラミック材料
ぐ作ることが望ましい。
このプロセスの段階（即ちエーロゾル２４が表面２６上
で蒸発して沈殿３６を生成する）では、沈殿物３６は、
希土類の＆ｒｌ酸塩と硝酸バリウムと硝酸銅との均質な
混合物を包含する、表面に付着した物質である。第１図
のブ［１ツク３８に表示する如く、プロセスの次の段階
は、この物質を粉体として集取することである。
で蒸発して沈殿３６を生成する）では、沈殿物３６は、
希土類の＆ｒｌ酸塩と硝酸バリウムと硝酸銅との均質な
混合物を包含する、表面に付着した物質である。第１図
のブ［１ツク３８に表示する如く、プロセスの次の段階
は、この物質を粉体として集取することである。
第２図は、プレート２８を、概ね矢印４０で示す方向へ
、ベース３２の回りに回転させ得ることを示している。
、ベース３２の回りに回転させ得ることを示している。
プレート２８は第２図に側面図のみで示しであるが、当
業者には、プレート２８が円形であり得ることが理解さ
れるはずである。従って、矢印４０ぐ艮丞した方向への
プレート２８の回転により、表面２６上に沈積されたエ
ーロゾル２４からの沈殿物３６が、スクレーパ４２に接
触ηるようになる。次いでスクレーパ４２は粉体沈殿物
を、表向２６からプレート２８を貫いて延びる孔（図示
せず）を通してそれを押すことにより、表面２６から除
去する。次いで沈殿物３６を集取し、または、第２図に
承り如く、別のプレート４４上に沈積させることができ
る。スクレーパ４２はなるべくなら、テフロン（１’ｅ
ｆｌｏｎ） （商標名）またはステンレス鋼のような
、沈殿物３６に対し化学的に非反応性の材料で作ること
が望ましい。
業者には、プレート２８が円形であり得ることが理解さ
れるはずである。従って、矢印４０ぐ艮丞した方向への
プレート２８の回転により、表面２６上に沈積されたエ
ーロゾル２４からの沈殿物３６が、スクレーパ４２に接
触ηるようになる。次いでスクレーパ４２は粉体沈殿物
を、表向２６からプレート２８を貫いて延びる孔（図示
せず）を通してそれを押すことにより、表面２６から除
去する。次いで沈殿物３６を集取し、または、第２図に
承り如く、別のプレート４４上に沈積させることができ
る。スクレーパ４２はなるべくなら、テフロン（１’ｅ
ｆｌｏｎ） （商標名）またはステンレス鋼のような
、沈殿物３６に対し化学的に非反応性の材料で作ること
が望ましい。
第１図のブ［１ツク４６は、溶液１２の１−［１ゾル２
４がフラッジ１蒸発した後、残留Ｉｎ酸塩を分解させる
必要があることを表示している。これはプレート４４上
の沈殿物３６を加熱することにより行うことができ、こ
の目的のために加熱４８が設けられている。沈殿物３６
内の残留硝酸塩の大部分を適切に分解させるためには、
粉体沈殿物３６の温度を約４００〜６００ ”Ｃの温度
範囲に上界させることが必要である。、沈殿物３６をこ
の温度範囲まで昇温させる目的は、実際は二通りである
。
４がフラッジ１蒸発した後、残留Ｉｎ酸塩を分解させる
必要があることを表示している。これはプレート４４上
の沈殿物３６を加熱することにより行うことができ、こ
の目的のために加熱４８が設けられている。沈殿物３６
内の残留硝酸塩の大部分を適切に分解させるためには、
粉体沈殿物３６の温度を約４００〜６００ ”Ｃの温度
範囲に上界させることが必要である。、沈殿物３６をこ
の温度範囲まで昇温させる目的は、実際は二通りである
。
６ｒｌ酸塩の大部分が分解されるのみではなく（若干の
残留硝酸バリウムは存在するかも知れないが）、これら
の上ｎされたｄｌ！度もまた、沈殿物３６内に存在し得
る水和作用のいかなる残留水をも除去する。沈殿物３６
がプレート２８から除去された様態と同様にして、矢印
４０で表示される方向への、ベース３２でのプレート４
４の回転により、沈殿物３６がスクレーパ５０へ接触さ
せられる。全ての重要な点において、プレート４４はプ
レート２８と同じであり、スクレーパ５０はスクレーパ
４２と同じである。機能的には、これらの構成虚索が相
互作用し且つ同様に作動する。何れにせよ、沈殿物３６
は、更に先の加エエ稈のためにプレート４４から除去さ
れる。
残留硝酸バリウムは存在するかも知れないが）、これら
の上ｎされたｄｌ！度もまた、沈殿物３６内に存在し得
る水和作用のいかなる残留水をも除去する。沈殿物３６
がプレート２８から除去された様態と同様にして、矢印
４０で表示される方向への、ベース３２でのプレート４
４の回転により、沈殿物３６がスクレーパ５０へ接触さ
せられる。全ての重要な点において、プレート４４はプ
レート２８と同じであり、スクレーパ５０はスクレーパ
４２と同じである。機能的には、これらの構成虚索が相
互作用し且つ同様に作動する。何れにせよ、沈殿物３６
は、更に先の加エエ稈のためにプレート４４から除去さ
れる。
第１図のブロック５２に表示される如く、沈殿物３６内
のｔｉｒ１酸塩が分解され且つ水和・１゛川の水が除去
された後、沈殿物３６ばか焼される用意が整う。沈殿物
３６をか焼炉５６へ移送するため、第２図に示ずコンベ
ヤ・ベルト５４を使用することができる。本発明の開目
的に応じ、か焼炉５６は、在来の電気炉または回転式か
焼かの何れであっても良い。実際、か焼炉５６は、関連
技術において周知のいかなる形式の炉であっても良い。
のｔｉｒ１酸塩が分解され且つ水和・１゛川の水が除去
された後、沈殿物３６ばか焼される用意が整う。沈殿物
３６をか焼炉５６へ移送するため、第２図に示ずコンベ
ヤ・ベルト５４を使用することができる。本発明の開目
的に応じ、か焼炉５６は、在来の電気炉または回転式か
焼かの何れであっても良い。実際、か焼炉５６は、関連
技術において周知のいかなる形式の炉であっても良い。
か焼炉５６内では沈殿物３６が、８００〜９２５℃の範
囲で、約１〜８ｈの間、加熱される。これにより残留硝
酸塩が分解され、１−２−３超伝導体を代：ＪＬする正
方品系のＷＪ３ｔｓが形成される。その結果は、容器６
０内へ集取できる超伝導粒子５８の粉体である。暇炉中
は、極力はとんど水（Ｈ２Ｏ）および二酸化炭素（Ｃｏ
２）のないガスを使用することが重数′ｃある。この種
のガスは、空気中にＨＯとＣＯ２がないか、酸素中にト
Ｉ２０とＣＯ２がないか、である。これは、超仏″３８
０料による硝酸バリウムの形成を防止するためにそうな
っている。オゾンは、オゾン化されない空気や酸素が実
現し得る以上に硝酸バリウムの形成を防止するので、な
るべくなら、オゾン化された空気や酸素の中でか焼する
ことが望ましい。
囲で、約１〜８ｈの間、加熱される。これにより残留硝
酸塩が分解され、１−２−３超伝導体を代：ＪＬする正
方品系のＷＪ３ｔｓが形成される。その結果は、容器６
０内へ集取できる超伝導粒子５８の粉体である。暇炉中
は、極力はとんど水（Ｈ２Ｏ）および二酸化炭素（Ｃｏ
２）のないガスを使用することが重数′ｃある。この種
のガスは、空気中にＨＯとＣＯ２がないか、酸素中にト
Ｉ２０とＣＯ２がないか、である。これは、超仏″３８
０料による硝酸バリウムの形成を防止するためにそうな
っている。オゾンは、オゾン化されない空気や酸素が実
現し得る以上に硝酸バリウムの形成を防止するので、な
るべくなら、オゾン化された空気や酸素の中でか焼する
ことが望ましい。
か焼段階中に、粒子５８がわずかに塊状集積し、尚且つ
若干の残留硝Ｍ１！成分を包有することが偶然生じ得る
。集塊を打破して脱硝すべき新しい表面を露出させるた
め、粒子５８が当初にか焼された後でそれらを粉砕する
ことが望ましい。何れにせよ、粉砕の後、第１図のブロ
ック６４に表示される如く、当初のか炉温度で、１〜８
ｈの何れかの間、超伝導粒子５８を再か焼することがで
きる。
若干の残留硝Ｍ１！成分を包有することが偶然生じ得る
。集塊を打破して脱硝すべき新しい表面を露出させるた
め、粒子５８が当初にか焼された後でそれらを粉砕する
ことが望ましい。何れにせよ、粉砕の後、第１図のブロ
ック６４に表示される如く、当初のか炉温度で、１〜８
ｈの何れかの間、超伝導粒子５８を再か焼することがで
きる。
プロセスの最終段階として、超伝導粒子５８を完全に酸
素化しｌ■つ非超伝導正方品系の位相から超伝導斜り品
の位相へｅＭ造を変換させるために追従される酸素化プ
ロセスが、第１図のブロック６６に表示されている。詳
述すれば、最後のか炉中、粒子５８は、約８５０℃のか
炉温度から、約４００℃の中間温度へ緩徐に冷却される
。粒子５８はこの中間温度に約４ｈ保持され、次いで更
に室温まで冷却される。緩徐な冷却および酸素化の間は
、極力はとんと水（Ｈ２Ｏ）および二酸化炭素（ＣＯ２
）のないガスを使用することがｆｆ１ｆｆである。この
種のガスは、空気中に１１２０とＣＯ２がないか、酸素
中にＨ，２０とＣＯ２がないか、である。これは、超伝
導材料による硝酸バリウムの形成を防止するためにそう
なっている。オゾンは、オゾン化されない空気や酸素が
実現し得る以上に硝酸バリウムの形成を防止するので、
なるべくなら、オゾン化された空気や酸素の中で緩徐々
な冷却や酸素化を行うことが望ましい。
素化しｌ■つ非超伝導正方品系の位相から超伝導斜り品
の位相へｅＭ造を変換させるために追従される酸素化プ
ロセスが、第１図のブロック６６に表示されている。詳
述すれば、最後のか炉中、粒子５８は、約８５０℃のか
炉温度から、約４００℃の中間温度へ緩徐に冷却される
。粒子５８はこの中間温度に約４ｈ保持され、次いで更
に室温まで冷却される。緩徐な冷却および酸素化の間は
、極力はとんと水（Ｈ２Ｏ）および二酸化炭素（ＣＯ２
）のないガスを使用することがｆｆ１ｆｆである。この
種のガスは、空気中に１１２０とＣＯ２がないか、酸素
中にＨ，２０とＣＯ２がないか、である。これは、超伝
導材料による硝酸バリウムの形成を防止するためにそう
なっている。オゾンは、オゾン化されない空気や酸素が
実現し得る以上に硝酸バリウムの形成を防止するので、
なるべくなら、オゾン化された空気や酸素の中で緩徐々
な冷却や酸素化を行うことが望ましい。
本発明がセラミック酸化物の全般的な製造に適用可能で
あることは当業者に理解されよう。従って本発明には１
−２−３超伝導体以外のセラミック粉体の製造が意図さ
れている。例えば、タリウム＜ Ｔ Ｉ ＞ 、バリウ
ム（１３ａ）、カルシウム（Ｃａ）および銅（Ｃｕ）の
酸化物セラミック超伝導体を本発明に従ってｒｔするこ
とができる。
あることは当業者に理解されよう。従って本発明には１
−２−３超伝導体以外のセラミック粉体の製造が意図さ
れている。例えば、タリウム＜ Ｔ Ｉ ＞ 、バリウ
ム（１３ａ）、カルシウム（Ｃａ）および銅（Ｃｕ）の
酸化物セラミック超伝導体を本発明に従ってｒｔするこ
とができる。
Ｗ−１様に、ビスマス（Ｂ ｉ ） 、鉛（Ｐｂ） 、
カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）および銅
（Ｃｕ）の酸化物セラミックを製造することもできる。
カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）および銅
（Ｃｕ）の酸化物セラミックを製造することもできる。
ここに詳細に同示し開示したような、セラミツ４゜
り超伝導粉体を製造するための特定のフラッシュ蒸発法
は、開目的を達成し且つここで前に述べた諸利益を付与
することが充分可能であるが、それが単に本発明の目Ｆ
の好適な実施例の例示に過ぎないことと、添付フレイム
に定ｉされた以外にここに示された構成または設計の細
部については全＜ ｖ１約がないこととを理解すべきで
ある。
は、開目的を達成し且つここで前に述べた諸利益を付与
することが充分可能であるが、それが単に本発明の目Ｆ
の好適な実施例の例示に過ぎないことと、添付フレイム
に定ｉされた以外にここに示された構成または設計の細
部については全＜ ｖ１約がないこととを理解すべきで
ある。
第１図は本発明による超伝導材料の粒子の製）Δに用い
られる継続的諸段階を示Ｊブロック図、第２図は第１図
に説明した諸段階を遂行するために用いられる構成諸要
素の略図である。 １２：溶液 １４：容器 ２２：ノズル ２６：表面 ２８．４４ニブレート ３２：ベース ３６：沈殿物 ４２．５０：スクレーパ ５６ ： か焼装置 ５８：ＩＩ！１伝導粒子。
られる継続的諸段階を示Ｊブロック図、第２図は第１図
に説明した諸段階を遂行するために用いられる構成諸要
素の略図である。 １２：溶液 １４：容器 ２２：ノズル ２６：表面 ２８．４４ニブレート ３２：ベース ３６：沈殿物 ４２．５０：スクレーパ ５６ ： か焼装置 ５８：ＩＩ！１伝導粒子。
Claims (37)
- （１）超伝導材料の粒子の製造装置にして、ほぼ正規組
成の溶液を保持する容器と、予定の温度に加熱できるプ
レートと、前記プレート上に前記溶液を吹き付け前記溶
液を蒸発させて超伝導材料の沈殿物を形成するための前
記容器に流体連通するノズルとを含む製造装置。 - （２）請求項１に記載された超伝導材料の粒子の製造装
置において、前記溶液が、希土類元素とバリウムと銅と
を含む硝酸溶液であるようにした製造装置。 - （３）請求項２に記載された超伝導材料の粒子の製造装
置において、前記希土類元素がジスプロシウムであるよ
うにした製造装置。 - （４）請求項１に記載された超伝導材料の粒子の製造装
置にして、前記プレートを保持するベースと、前記プレ
ートに係合自在でそこから沈殿物を除去するスクレーパ
を含む製造装置。 - （５）請求項４記載された超伝導材料の粒子の製造装置
にして、前記沈殿物をか焼する装置と、前記の除去され
た沈殿物を前記か焼装置へ移送する、前記ベースと連結
された装置とを含む製造装置。 - （６）請求項５に記載された超伝導材料の粒子の製造装
置において、前記か焼装置が炉であるようにした製造装
置。 - （７）請求項５に記載された超伝導材料の粒子の製造装
置において、前記か焼装置が回転か焼器であるようにし
た製造装置。 - （８）請求項４に記載された超伝導材料の粒子の製造装
置にして、前記プレートを前記ベース上で前記スクレー
パと相対的に回転させて前記プレートから前記沈殿物を
除去する装置を含む製造装置。 - （９）請求項１に記載された超伝導材料の粒子の製造装
置において、前記の吹き付けられた溶液を受けるため前
記プレートが平滑な表面で形成されるようにした製造装
置。 - （１０）請求項１に記載された超伝導材料の粒子の製造
装置において、前記プレートがガラスセラミックで作ら
れるようにした製造装置。 - （１１）請求項１に記載された超伝導材料の粒子の製造
装置において、前記ノズルが噴霧器であるようにした製
造装置。 - （１２）請求項１に記載された超伝導材料の粒子の製造
装置において、前記ノズルが超音波ノズルであるように
した製造装置。 - （１３）請求項１に記載された超伝導材料の粒子の製造
装置において、前記ノズルがチタンで作られるようにし
た製造装置。 - （１４）請求項１に記載された超伝導材料の粒子の製造
装置において、前記ノズルがガラスで作られるようにし
た製造装置。 - （１５）請求項４に記載された超伝導材料の粒子の製造
装置において、前記スクレーパがテフロン（商標名）で
作られるようにした製造装置。 - （１６）請求項４に記載された超伝導材料の粒子の製造
装置において、前記スクレーパがステンレス鋼で作られ
るようにした製造装置。 - （１７）超伝導材料の粒子の製造装置にして、正規組成
の硝酸溶液を保持する装置と、前記溶液を吹き付けるた
めの前記保持装置に流体連通する装置と、前記の吹き付
けられた溶液を受けて前記溶液を蒸発させ、そこから沈
殿物を形成する装置と、前記蒸発装置から前記沈澱物を
除去するための前記蒸発装置に結合された装置と、前記
の除去された沈殿物を受けて前記沈殿物をか焼するため
の前記蒸発装置に連結された装置とを含む製造装置。 - （１８）請求項１７に記載された超伝導材料の粒子の製
造装置にして、前記の除去された沈殿物を粉砕する装置
を含む製造装置。 - （１９）請求項１１７に記載された超伝導材料の粒子の
製造装置において、前記吹き付け装置がノズルであるよ
うにした製造装置。 - （２０）請求項１７に記載された超伝導材料の粒子の製
造装置において、前記蒸発装置が、前記の吹き付けられ
た溶液を受ける平滑な表面を有するプレートであり、前
記プレートの前記表面が予定の温度に加熱可能であるよ
うにした製造装置。 - （２１）請求項１７に記載された超伝導材料の粒子の製
造装置において、前記除去装置がスクレーパであるよう
にした製造装置。 - （２２）請求項１７に記載された超伝導材料の粒子の製
造装置において、前記か焼装置が炉であるようにした製
造装置。 - （２３）請求項１７に記載された超伝導材料の粒子の製
造装置において、前記溶液が、希土類元素即ちイットリ
ウムと銅とバリウムとを含むようにした製造装置。 - （２４）超伝導材料の粒子の製造方法にして、ほぼ正規
組成の硝酸溶液を製造する段階と、前記プレートの平滑
な表面上に前記溶液を吹き付ける段階と、前記プレート
の前記表面を予熱してその上に吹き付けられた前記溶液
を蒸発させ且つその沈殿物を形成する段階と、前記プレ
ートから前記沈殿物を除去する段階と、前記沈殿物内の
残留硝酸塩を部分的に分解させる段階と、前記沈殿物を
か焼する段階とを含む製造方法。 - （２５）請求項２４に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法にして、前記か焼段階の後に前記沈殿物を粉砕す
る段階と、前記沈殿物を再か焼する段階とを含む製造方
法。 - （２６）請求項２４に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法にして、前記のか焼された沈殿物を酸素化する段
階を含む製造方法。 - （２７）請求項２４に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、Ｄｙ＿２Ｏ＿３とＣｕＯとＢａ（ＮＯ
＿３）＿２とを硝酸内に溶解させることにより前記溶液
が製造されるようにした製造方法。 - （２８）請求項２４に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、前記プレートの前記表面が約１８０℃
〜２３０℃の範囲に予熱されるようにした製造方法。 - （２９）請求項２４に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、前記の硝酸塩を部分的に分解させる段
階が、除去された沈殿物の温度を４００℃〜６００℃の
温度範囲まで上昇させることにより達成されるようにし
た製造方法。 - （３０）請求項２４に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、前記の吹き付ける段階が、直径が約１
０〜１００μの溶液の小滴を形成することにより達成さ
れるようにした製造方法。 - （３１）請求項２４に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、前記か焼段階が、前記沈殿物を８００
℃〜９２５℃の範囲の温度に加熱することにより達成さ
れるようにした製造方法。 - （３２）請求項３１に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、前記温度が約１ｈ〜約８ｈ保持される
ようにした製造方法。 - （３３）請求項２６に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、前記の酸素化する段階が、前記沈殿物
を約４００℃の中間温度まで徐々に冷却し、前記中間温
度を約４ｈ保持し、次いで前記沈殿物を室温まで徐々に
冷却することにより達成されるようにした製造方法。 - （３４）請求項２４に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、前記沈殿物をか焼する段階が、二酸化
炭素、水および炭化水素のない環境内で達成されるよう
にした製造方法。 - （３５）請求項２４に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、前記沈殿物をか焼する段階が、オゾン
化された環境内で達成されるようにした製造方法。 - （３６）請求項３３に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、前記の酸素化する段階が、二酸化炭素
、水および炭化水素のない環境内で達成されるようにし
た製造方法。 - （３７）請求項３３に記載された超伝導材料の粒子の製
造方法において、前記の酸素化する段階が、オゾン化さ
れた環境内で達成されるようにした製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US37949789A | 1989-07-11 | 1989-07-11 | |
| US379497 | 1989-07-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03115107A true JPH03115107A (ja) | 1991-05-16 |
| JP3017777B2 JP3017777B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=23497504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2182539A Expired - Lifetime JP3017777B2 (ja) | 1989-07-11 | 1990-07-10 | 超伝導材料の粒子を製造する装置および方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0408240A3 (ja) |
| JP (1) | JP3017777B2 (ja) |
| CA (1) | CA2020319A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1248618B (it) * | 1990-08-01 | 1995-01-21 | Sviluppo Materiali Spa | Dispositivo per la produzione in continuo di ceramiche superconduttrici |
| EP1122214B1 (en) * | 2000-02-04 | 2008-04-16 | Haldor Topsoe A/S | Process for the production of alumina |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077267A (en) * | 1988-07-12 | 1991-12-31 | International Business Machines Corporation | Process for making composite high temperature superconductor copper wires |
-
1990
- 1990-07-03 CA CA002020319A patent/CA2020319A1/en not_active Abandoned
- 1990-07-04 EP EP19900307308 patent/EP0408240A3/en not_active Withdrawn
- 1990-07-10 JP JP2182539A patent/JP3017777B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0408240A2 (en) | 1991-01-16 |
| CA2020319A1 (en) | 1991-01-12 |
| EP0408240A3 (en) | 1991-05-29 |
| JP3017777B2 (ja) | 2000-03-13 |
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