JPH03113815A - 磁気ヘッドの磁区構造制御方法 - Google Patents

磁気ヘッドの磁区構造制御方法

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JPH03113815A
JPH03113815A JP24933189A JP24933189A JPH03113815A JP H03113815 A JPH03113815 A JP H03113815A JP 24933189 A JP24933189 A JP 24933189A JP 24933189 A JP24933189 A JP 24933189A JP H03113815 A JPH03113815 A JP H03113815A
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JP
Japan
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magnetic
film
pole
domain structure
controlling
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JP24933189A
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English (en)
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Yoshihisa Nakamura
慶久 中村
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明は高密度磁気記録を達成するための磁気ヘッドに
係り、特にトラック幅が狭い垂直磁気記録用あるいは面
内磁気記録用の薄膜磁気ヘッドに関する。
【従来の技術1 磁気ヘッドの磁極磁性膜に加工を施して磁区構造を制御
するといった公知例は、例えば特開昭59−17860
9に記載されている。これは、磁極磁性膜の端部に、ト
ラック幅方向にほぼ平行な切り欠けを入れて磁区構造を
制御するといったものである。しかし磁極磁性膜をこの
ような構造にすると、切り欠けの周辺に90″磁壁がで
きるといった問題が生ずる。この90″磁壁は記録再生
動作時に不規則な動きを伴うため、再生出力変動の原因
となる。また切り欠けの角度や大きさによって磁性膜の
磁気特性が大幅に変動するため、実際のヘッドに適用す
ることは非常に難しいといった問題がある。 (発明が解決しようとする課題] 本発明の目的は、トラック幅を狭小化した際にも8力変
動、および再生出力の低下をもたらすことのない磁極磁
性膜の磁区構造制御方法を提供することにある。 【課題を解決するための手段】 上記目的は、磁気ヘッドを構成する磁極磁性膜のトラッ
ク幅方向に浅い溝を周期的に設け、再生動作時に起こる
90°磁壁、および180°磁壁の不規則な動きを抑制
することにより達成される。
【作用】 磁気ヘッドの磁極磁性膜に、本発明による磁区構造制御
用の浅い溝(グループ)が設けられている場合と設けら
れていない場合における磁区構造の違いを、垂直記録用
単磁極ヘッドの主磁極膜を例にとって説明する。  第
1図はトラック幅が100μm、および50μmの主磁
極膜の磁区構造を、ビッタ−法によりwA察した結果を
示した図である。グループを施す前の主磁極膜の異方性
磁界Hkは2,10eであった。この結果から磁極磁性
膜に浅い溝を設けると、トラック幅に対する還流磁区の
大きさを小さくできることがわかる。 一方、第2図は、グループが設けられている磁性膜と設
けられていない磁性膜の磁化過程の違いを説明するため
の図である。磁極磁性膜にグループが設けられていない
と、外部磁界が印加された場合、磁界と同じ方向に磁化
を持つ還流磁区が大きく成長する。またこの還流磁区の
大きさは膜内で一様でないため、外部磁界の印加に伴い
180゜磁壁も動くようになる。これに対し磁極磁性膜
にグループが設けられている場合は、外部磁界印加に伴
う還流磁区の成長が抑制されると同時に180°磁壁も
動きにくくなるため、安定した再生出力が得られるよう
になる。このようにグループが設けられている磁性膜の
磁化変化は、a壁移動が抑制されるため磁化回転が主流
となる。この結果として高密度、高周波領域での再生特
性を向上させることができるようになる。
【実施例】
本実施例では1本発明による磁気ヘッドの磁区構造制御
方法を垂直記録用単磁極ヘッドの主磁極膜に適用してそ
の効果を確認した。以下、本発明の実施例を第3図以下
により説明する。第3図はグループの形成方法を説明す
るための図である。 まず主磁極膜となる膜厚0.3μmのCoZrNb非晶
質合金(2)を機械研磨を施したセラミクス基板(1)
上にスパッタ法により形成する。スパッタ後主磁極膜(
2)を、磁化困難軸方向にそって任意のトラック幅にパ
ターニングする。パタニング後磁性膜上に再度フォトレ
ジストを塗布し、露光した後グループとなる領域以外の
レジストを除去する。その後Arイオン雰囲気中でミリ
ングを施すことにより任意の深さのグループ(3)が形
成される。第4図に本発明の実施例であるグループを施
した主磁極膜の概略図を示す。本実施例ではグループの
幅を3μm、間隔を25μm、深さを0.1μmとした
。 第5図は本実施例において記録再生特性の評価用に用い
た垂直記録用単磁極ヘッドの概略図である。グループが
施された主磁極膜(4)は、機械研磨の施されたセラミ
ック基板(5)とのあいだに挾められ、巻線(6)の施
されたフェライトよりなる補助磁極(7)上に固定され
る。その後ヘツド先端は、主磁極膜が任意の長さLにな
るまで研磨されヘッド加工が終了する。 本実施例で作製された単磁極ヘッドの記録再生特性は、
Co−Cr/N1−Fs二層膜垂直記録媒体を用いて評
価した。この媒体は5.25インチのフレキシブル媒体
で、Co−Cr層厚みは150nm、Ni−Fe層厚み
は550nm、一方、Co−Cr1の膜垂直方向の保磁
力Haは6800eである。なお測定に用いた単磁極ヘ
ッドは、主磁極膜の磁化困難方向の異方性磁界Hkが2
.10e、5.40eでグループのないもの(タイプA
、タイプC)、および異方性磁界Hkが2.10eでグ
ループあり(タイプB)の三種類である。 主磁極長り
をパラメータとして再生出力の比較を行った結果を第6
@に示す。この図は記録と再生を数回繰り返し、測定さ
れる出力の最大値と最小値をプロットした結果を示して
いる。 この図から、異方性磁界Hkが大きくグループの無い主
磁極をもつタイプCは、Hkが小さくグループの無いタ
イプAやグループのあるタイプBより出力が安定してい
るが、低記録密度領域(20kBPI)および高記録密
度領域(セカンドピーク弁150kBPI)共に再生出
力が低いことがわかる。これは大きなトラック幅方向の
異方性磁界のために磁化回転が抑制されているためであ
ると考えられる。これに対し、共に異方性磁界Hkが小
さく、グループの無いタイプAとグループのあるタイプ
Bとの再生出力を比較すると、20kBPI程度の低い
記録密度領域ではほとんど違いがあられれていないが、
セカンドピーク(150kBPr)では、グループのあ
るタイプBがグループの無いタイプAよりも高く、シか
も安定していることがわかる。このように磁気ヘッドを
構成する磁極磁性膜に浅いグループを形成して磁区構造
を制御すことにより、再生出力を下げることなく記録再
生動作を安定に行えるようになることが確かめられた。 【発明の効果) 本発明によれば、トラック幅が5μm以下でも再生効率
が高く、かつ再生出力が安定した磁気ヘッドが得られる
ので、特に記憶容量が大きくかつデータの高速度転送を
必要とする磁気ディスク装置用ヘッドとして有効である
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の詳細な説明するための磁構造
の概略図である。第3図、第4図は本発明によるグルー
プ作製方法、およびグループの施さ九た主磁極膜の概略
図を示す6第5図は本実施例で使用した垂直磁気記録用
単磁極ヘッドの概略図である。第6図は本発明による効
果を説明するための図である。 符号の説明 1.5・・・セラミクス基板、2,4・・・主磁極膜、
3・・・グループ、6・・・コイル、7・・・補助磁極

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、磁気ヘッドの磁気回路を構成する磁性膜に浅い溝を
    設けることにより、磁性膜の磁区構造を制御することを
    特徴とする磁気ヘッドの磁区構造制御方法。 2、特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘッドの磁区構造
    制御方法において、磁極磁性膜に一定間隔の浅い溝を、
    エッチング法により形成することを特徴とする磁区構造
    制御方法。3、特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘッド
    の磁区構造制御方法において、磁極磁性膜の異方性磁界
    が2Oe程度であることを特徴とする磁区構造制御方法
    。 4、特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘッドの磁区構造
    制御方法において、磁極磁性膜に設けられる浅い溝の深
    さが、磁極磁性膜厚の1/3程度であることを特徴とす
    る磁区構造制御方法。 5、特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘッドの磁区構造
    制御方法において、磁極磁性膜に設けられる浅い溝の間
    隔は、トラック幅に対して1/4程度であることを特徴
    とする磁区構造制御方法。 6、特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘッドの磁区構造
    制御方法において、磁極磁性膜に設けられる浅い溝の幅
    は、溝間隔の1/8程度であることを特徴とする磁区構
    造制御方法。
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