JPH0311303A - 光サーキュレータ - Google Patents
光サーキュレータInfo
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- JPH0311303A JPH0311303A JP1145446A JP14544689A JPH0311303A JP H0311303 A JPH0311303 A JP H0311303A JP 1145446 A JP1145446 A JP 1145446A JP 14544689 A JP14544689 A JP 14544689A JP H0311303 A JPH0311303 A JP H0311303A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光通信、光計測等に用いろ導波路型の光サーキ
ュレータに関するものである。
ュレータに関するものである。
〈従来の技術〉
光サーキュレータの従来例を第８図に示す。
５１．５２，５３，５４はボート、５５．５６はＳＪ！
！光を透過し、ｐ＃Ａ光を反射する偏光ビームスプリッ
タ、５７はＹＩＧ等のファラディ回転子、５８はファラ
ディ回転子５７中を通る磁界を示す。ここで、ボート５
１から入射したＳＩｌ光（垂直な偏光を持つ光）は偏光
ビームスプリッタ５５を透過し、ファラディ回転子５７
を通ることにより偏波が４５度回転し、同じ方向に４５
度傾けられた偏光ビームスプリッタ５６を透過した後、
ボート５２から出射する。ボート５２から入射したＳ偏
光（垂直から４５度傾いた偏光）は偏光ビームスプリッ
タ５６を透過し、ファラディ回転子５７を通ることによ
り偏波が４５度回転して水平とな９、偏光ビームスプリ
ッタ５５に対しＰ偏光となり反射して、ボート５３から
出射する。ボート５３から入射したＰ偏光（水平な偏光
）は、偏光ビームスプリッタ５５で反射され、ファラデ
ィ回転子５７を通ることにより偏波が４５度回転し、偏
光ビームスプリッタ５６対しＰ［光となり反射して、ボ
ート５４から出射する。
！光を透過し、ｐ＃Ａ光を反射する偏光ビームスプリッ
タ、５７はＹＩＧ等のファラディ回転子、５８はファラ
ディ回転子５７中を通る磁界を示す。ここで、ボート５
１から入射したＳＩｌ光（垂直な偏光を持つ光）は偏光
ビームスプリッタ５５を透過し、ファラディ回転子５７
を通ることにより偏波が４５度回転し、同じ方向に４５
度傾けられた偏光ビームスプリッタ５６を透過した後、
ボート５２から出射する。ボート５２から入射したＳ偏
光（垂直から４５度傾いた偏光）は偏光ビームスプリッ
タ５６を透過し、ファラディ回転子５７を通ることによ
り偏波が４５度回転して水平とな９、偏光ビームスプリ
ッタ５５に対しＰ偏光となり反射して、ボート５３から
出射する。ボート５３から入射したＰ偏光（水平な偏光
）は、偏光ビームスプリッタ５５で反射され、ファラデ
ィ回転子５７を通ることにより偏波が４５度回転し、偏
光ビームスプリッタ５６対しＰ［光となり反射して、ボ
ート５４から出射する。
〈発明が解決しようとするＩｆ！Ｊ！題〉しかしながら
、従来例の光サーキュレータはファラディ回転子が高価
な上、ファラディ回転子及び偏光ビームスプリッタを光
軸及び偏光角度を高精度にＴＡ監する必要があったなめ
、信頼性に乏しく、非常に高価となる欠点があった。さ
らに、従来例の光サーキュレータは光回路の集積化が困
難である欠点があった。
、従来例の光サーキュレータはファラディ回転子が高価
な上、ファラディ回転子及び偏光ビームスプリッタを光
軸及び偏光角度を高精度にＴＡ監する必要があったなめ
、信頼性に乏しく、非常に高価となる欠点があった。さ
らに、従来例の光サーキュレータは光回路の集積化が困
難である欠点があった。
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであり、
高価な部品を使用することなく、また、その部品につい
ての高精度の調整を不要とすることができ、更には光集
積化に適した安価な光サーキュレータを提供することを
目標とする。
高価な部品を使用することなく、また、その部品につい
ての高精度の調整を不要とすることができ、更には光集
積化に適した安価な光サーキュレータを提供することを
目標とする。
＜Ｉｆ！ｌ！題を解決するための手段〉斯かる目的を達
成する本発明の光サーキュレータに係る構成は少なくと
もその一部が磁気光学材料で形成され外部磁界により非
相反特性を示す２本の光導波路が同一基板上に互いに平
行で隣接して配設されることにより方向性結合器が形成
されると共に前記光導波路は外部磁界の印加前におげろ
伝搬定数が相互に異なるものであり、更に前記方向性結
合器の結合長を所定の長さとすることによ口、前記光導
波路のうちの一方から他方へ、前進波についてはパワー
を完全に移行させ、逆ニ、後退波についてはパワーを移
行させないようにしたことを特徴とする。
成する本発明の光サーキュレータに係る構成は少なくと
もその一部が磁気光学材料で形成され外部磁界により非
相反特性を示す２本の光導波路が同一基板上に互いに平
行で隣接して配設されることにより方向性結合器が形成
されると共に前記光導波路は外部磁界の印加前におげろ
伝搬定数が相互に異なるものであり、更に前記方向性結
合器の結合長を所定の長さとすることによ口、前記光導
波路のうちの一方から他方へ、前進波についてはパワー
を完全に移行させ、逆ニ、後退波についてはパワーを移
行させないようにしたことを特徴とする。
ここで前記光導波路には、その軸方向に対し垂直な方向
でかつ前記基板と平行な方向であって、しかも、相互に
反対方向にそれぞれ外部磁界が印加されろことが望まし
く、また、前記光導波路としては、そのうちのいずれか
一方のみについて少なくともエア又はクラッドの部が磁
気光学材料で形成されるものであっても良い。
でかつ前記基板と平行な方向であって、しかも、相互に
反対方向にそれぞれ外部磁界が印加されろことが望まし
く、また、前記光導波路としては、そのうちのいずれか
一方のみについて少なくともエア又はクラッドの部が磁
気光学材料で形成されるものであっても良い。
〈作 用〉
その一部が磁気光学材料で形成された２本の光導波路に
対し、例えば、その軸方向に対し垂直な方向でかつ基板
と平行な方向であって、しかも、相互に反対方向に外部
磁界を印加すると、光導波路を伝搬する７Ｍモードの光
は伝搬定数が変化し、前進波と後退波では伝搬定数が異
なる非相反特性を示す。ここで、外部磁界印加前におけ
る各光導波路の伝搬定数をβ１．β２とすると、各光導
波路についての前進波の伝搬定数β、、β２１及び後退
波の伝搬定数β４．β２ゎは下式で与えられる。
対し、例えば、その軸方向に対し垂直な方向でかつ基板
と平行な方向であって、しかも、相互に反対方向に外部
磁界を印加すると、光導波路を伝搬する７Ｍモードの光
は伝搬定数が変化し、前進波と後退波では伝搬定数が異
なる非相反特性を示す。ここで、外部磁界印加前におけ
る各光導波路の伝搬定数をβ１．β２とすると、各光導
波路についての前進波の伝搬定数β、、β２１及び後退
波の伝搬定数β４．β２ゎは下式で与えられる。
β１．＝β１−β１゜
β１．＝β１＋β１Ｍ
β２Ｆ＝β２＋β２□
β２．＝β２−β２Ｍ
ここで、βＬＭ’β２Ｍはそれぞれ、外部磁界を印加し
たときの各光導波路についての伝搬定数の非相反変化量
であり、外部磁界の大きき等を調節することにより、可
変することができる。
たときの各光導波路についての伝搬定数の非相反変化量
であり、外部磁界の大きき等を調節することにより、可
変することができる。
そこで、下式のように各導波路の前進波の伝搬定数を一
致させて位相整合させ、一方、後退波については各導波
路の伝搬定数の差へを外部磁界印加前よりさらに大きく
して移送不整合する。
致させて位相整合させ、一方、後退波については各導波
路の伝搬定数の差へを外部磁界印加前よりさらに大きく
して移送不整合する。
β、＝β２１
へ＝β１８〜β２．＝（β１−β２）＋（β８Ｍ＋β２
．．）そして、下記連立方程式が成り立つように方向性
結合器の結合長りを所定の長さとすれば、結合長しにお
いて前進波のパワーは隣接する導波路に完全に移動する
こととなり、逆１こ後退波のパワーについては移行しな
いことになる。
．．）そして、下記連立方程式が成り立つように方向性
結合器の結合長りを所定の長さとすれば、結合長しにお
いて前進波のパワーは隣接する導波路に完全に移動する
こととなり、逆１こ後退波のパワーについては移行しな
いことになる。
Ｌχ＝ （ｍ＋Ｖ２） π
Ｌ５”−肩：に’、；（ｎ＋１）π
但し、Ｘは方向性結合器の結合長、 ｍ、 ｎは０又は
自然数である。
自然数である。
く実 施 例〉
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図に本発明の第１の実施例を示す。同図に示される
ように基板５上には磁気光学膜６、カバー層９が順に積
層されろと共に磁気光学ｇｉＪ６に膜厚の厚い部分が第
１．第２のリブ形導波路７，８を形成している。第１．
第２のリブ形導波路７，８は平行に隣接して配設されろ
部分が方向性結合器を構成しており、その結合長はＬで
ある。第１．第２のりブ形導波＠７，８の端部はそれぞ
れボート１，２゜３．４となっており、またそれらのパ
ターン幅は異なるものとなっている。カバー層９上には
、各導波路７，８の方向性結合器の部分に平行に沿って
、しかも、その真上に位置するよう導線１０が折曲して
配線されている。
ように基板５上には磁気光学膜６、カバー層９が順に積
層されろと共に磁気光学ｇｉＪ６に膜厚の厚い部分が第
１．第２のリブ形導波路７，８を形成している。第１．
第２のリブ形導波路７，８は平行に隣接して配設されろ
部分が方向性結合器を構成しており、その結合長はＬで
ある。第１．第２のりブ形導波＠７，８の端部はそれぞ
れボート１，２゜３．４となっており、またそれらのパ
ターン幅は異なるものとなっている。カバー層９上には
、各導波路７，８の方向性結合器の部分に平行に沿って
、しかも、その真上に位置するよう導線１０が折曲して
配線されている。
従って、この導線１０に電流１１を図中矢印で示すよう
に流すと、第１．第２のリブ形導波路７．８にはそれぞ
れ図中白抜きの矢印で示す方向に外部磁界１２．１３が
作用する。
に流すと、第１．第２のリブ形導波路７．８にはそれぞ
れ図中白抜きの矢印で示す方向に外部磁界１２．１３が
作用する。
即ち、外部磁界１２，１３は各導波路７，８の軸方向に
垂直で、かつ、基板５と平行であって、しかも、相互に
反対方向に作用している。第１．第２のリブ型導波路７
，８は磁気光学膜６を構成要素としているので、外部磁
界１２，１３が印加されると、伝搬するＴＭモードの光
は前進波と後退波とでは伝搬定数が異なる非相反特性を
示す（電子情報通信学会論文誌’８８１５Ｖｏ１． β
７１− ＣＮａ５ｐｐ７０２〜７０８）ここで、第１．
第２のリブ型導波路７，８はそのパターン幅がそれぞれ
Ｗ、 、 Ｗ２（Ｗ、 ＞ Ｗ２）と異なる値であるた
め、外部磁界を印加しないときのそれぞれの伝搬定数β
３．β２（β１〉β２）は第２図（ａｌに示すように異
なる値となる。前進波と後退波とでは伝搬定数は変わら
ない。
垂直で、かつ、基板５と平行であって、しかも、相互に
反対方向に作用している。第１．第２のリブ型導波路７
，８は磁気光学膜６を構成要素としているので、外部磁
界１２，１３が印加されると、伝搬するＴＭモードの光
は前進波と後退波とでは伝搬定数が異なる非相反特性を
示す（電子情報通信学会論文誌’８８１５Ｖｏ１． β
７１− ＣＮａ５ｐｐ７０２〜７０８）ここで、第１．
第２のリブ型導波路７，８はそのパターン幅がそれぞれ
Ｗ、 、 Ｗ２（Ｗ、 ＞ Ｗ２）と異なる値であるた
め、外部磁界を印加しないときのそれぞれの伝搬定数β
３．β２（β１〉β２）は第２図（ａｌに示すように異
なる値となる。前進波と後退波とでは伝搬定数は変わら
ない。
ところが、図中に示すように外部磁界１２゜１３が印加
され各導波９７，８が非相反特性を示すと、第１のリブ
型導波路７の前進波の伝搬定数β４．後退波の伝搬定数
β、。、第２のリブ形導波路８の前進波の伝搬定数β
。
され各導波９７，８が非相反特性を示すと、第１のリブ
型導波路７の前進波の伝搬定数β４．後退波の伝搬定数
β、。、第２のリブ形導波路８の前進波の伝搬定数β
。
後退波の伝搬定数β２．はそれぞれ式（１）〜（４）で
与えられろ。
与えられろ。
β、＝β１−β１１ ・・・（１）β
１．＝β、＋β１．． ・・・（２）
β２Ｆ”β２＋β２１．ｌ ・・・（
３）β２．＝β２−β２、 ・・・（４
）ここで、β２＋β２１は下式で与えられる。
１．＝β、＋β１．． ・・・（２）
β２Ｆ”β２＋β２１．ｌ ・・・（
３）β２．＝β２−β２、 ・・・（４
）ここで、β２＋β２１は下式で与えられる。
βＩＭ＝ ２ωｃａ ｆ、Ｒｅ（ｊγｅ ｅ、 ）
ｄ ｘ −（５１β、、−＝２ωｇ＠ｆ、Ｒｅ（ｊ７
ｅ ｅ、）ｄｘ ・−（６１但し、β８０．β２
ｏはそれぞれ、外部磁界を印加したときの第１及び第２
のリブ形導波路の伝搬定数の非相反変化量、ωは角周波
数。
ｄ ｘ −（５１β、、−＝２ωｇ＠ｆ、Ｒｅ（ｊ７
ｅ ｅ、）ｄｘ ・−（６１但し、β８０．β２
ｏはそれぞれ、外部磁界を印加したときの第１及び第２
のリブ形導波路の伝搬定数の非相反変化量、ωは角周波
数。
ε０は真空の誘電率ｐ ｆ ＋ ｐ β２ばそれぞれ第
１及び第２導波路の断面での積分、 Ｒａは実数部分、
Ｊは虚数単位、γば磁気光学効果量。
１及び第２導波路の断面での積分、 Ｒａは実数部分、
Ｊは虚数単位、γば磁気光学効果量。
ｅｘ、ｌ！１２はそれぞれＸ及び２方向の光の電界成分
２本は複素共役を表わす。
２本は複素共役を表わす。
非相反変化量βＩＭ’β２Ｍは第１及び第２のリブ型導
波路のパターン幅Ｗ、、Ｗ２及び外部磁界１２．１３を
与える電流１工を調節することにより可変となるので、
第２図ｆｂｌに示すように第１と第２のリブ型導波路の
前進波の伝搬定数を一致させ、位相整合をとることがで
きる。すなわち式（７）が成り立つ。
波路のパターン幅Ｗ、、Ｗ２及び外部磁界１２．１３を
与える電流１工を調節することにより可変となるので、
第２図ｆｂｌに示すように第１と第２のリブ型導波路の
前進波の伝搬定数を一致させ、位相整合をとることがで
きる。すなわち式（７）が成り立つ。
β２＋β２１ ・・・（７）一方
、後退波（ζ関しては、第２図（Ｃ）２式（８）に示す
ように、第１と第２導波路の伝搬定数差へは外部磁界印
加前よりさらに大きくなり位相不整合となる。
、後退波（ζ関しては、第２図（Ｃ）２式（８）に示す
ように、第１と第２導波路の伝搬定数差へは外部磁界印
加前よりさらに大きくなり位相不整合となる。
Δ＝β１６−β１．＝（β、−β２）＋（β１□＋β２
１） ・・・（８）光サーキュレータを構成するた
めには、第１．第２のリブ型導波路７，８による方向性
結合器の結合長りを下式ｆ９） ０１の連立方程式が成
り立つように設定すれば、第３図に示すように、結合長
しにおいて前進波のパワーが隣接した導波路に完全に移
行しく実＄２１）、後退波のパワーは全く移行しないこ
とになる（破線２２）。
１） ・・・（８）光サーキュレータを構成するた
めには、第１．第２のリブ型導波路７，８による方向性
結合器の結合長りを下式ｆ９） ０１の連立方程式が成
り立つように設定すれば、第３図に示すように、結合長
しにおいて前進波のパワーが隣接した導波路に完全に移
行しく実＄２１）、後退波のパワーは全く移行しないこ
とになる（破線２２）。
Ｌχ＝（ｍ十棒）π ・・（９）し５’乙
寸（ｎ＋１１ ｙｒ −Ｑｌ但し、Ｘは方向性結合
器の結合係数２ｍ。
寸（ｎ＋１１ ｙｒ −Ｑｌ但し、Ｘは方向性結合
器の結合係数２ｍ。
ｎはＯ又は自然数を表わす。ｍ ＝ ｎ ＝ ０のとき
、結合長しは最小とな’） 、（９１ｆＩＩ式から（１
１）式で与えられる。
、結合長しは最小とな’） 、（９１ｆＩＩ式から（１
１）式で与えられる。
すなわち、第１図において、ポート１または、ポート３
から第１のリブ形導波路７に入射した光は第２のリブ形
導波路８へと完全パワーの移行が起こり、それぞれ、ポ
ート４またはボートｚかた出射する。ポート２またはボ
ート４から第２のリブ形導波路８に入射した光はパワー
の移行が起こらないため、そのままそれぞれボート１ま
たはボート３から出射することになる。
から第１のリブ形導波路７に入射した光は第２のリブ形
導波路８へと完全パワーの移行が起こり、それぞれ、ポ
ート４またはボートｚかた出射する。ポート２またはボ
ート４から第２のリブ形導波路８に入射した光はパワー
の移行が起こらないため、そのままそれぞれボート１ま
たはボート３から出射することになる。
次に、本実施例にかかる光サーキュレータの形成方法に
ついて第４図を参照して説明する。
ついて第４図を参照して説明する。
まず、第４図体）に示すようにＮ Ｇ Ｇ （Ｎｄ、Ｇ
ａ、Ｏ，、）、 ＧＧＧ （Ｇｄ、Ｇａ５０，２）等の
結晶基板５上にＬＰＥ。
ａ、Ｏ，、）、 ＧＧＧ （Ｇｄ、Ｇａ５０，２）等の
結晶基板５上にＬＰＥ。
スッパタ等によりＹＩＧ、Ｂ１１１換ＹＩＧ等の磁気光
学膜６を形成する。次に、フォトリゾグラフィ技術を用
い、この膜６にＡｒイオン等を用いたドライエツチング
または黙りん酸等によるケミカルエツチングを行い、第
４図ｆｂ）に示す導波路７，８を形成する。さらにその
上に、第４図（ｅ）に示すようにＳ ｉ Ｏ２等のカバ
ー層９をスッパタ等により形成し、その上に、第４図ｆ
ｄｌに示すようにフォトリゾグラフィ技術を用いＡｔ等
の導線１０を形成し、完成する。
学膜６を形成する。次に、フォトリゾグラフィ技術を用
い、この膜６にＡｒイオン等を用いたドライエツチング
または黙りん酸等によるケミカルエツチングを行い、第
４図ｆｂ）に示す導波路７，８を形成する。さらにその
上に、第４図（ｅ）に示すようにＳ ｉ Ｏ２等のカバ
ー層９をスッパタ等により形成し、その上に、第４図ｆ
ｄｌに示すようにフォトリゾグラフィ技術を用いＡｔ等
の導線１０を形成し、完成する。
第５図は本発明は第２の実施例の断面図である。磁気光
学膜６上に高屈折率膜２５を形成し、これをリブ形導波
路２６．２７に加工した。このような構造にすることに
より伝搬定数の非相反変化量が大きくなる（電子情報通
信学会論文誌’ ８８１５Ｖｏ１． Ｊ７１−ＣＮｏ、
５ｐｐ７０２−７０８）。
学膜６上に高屈折率膜２５を形成し、これをリブ形導波
路２６．２７に加工した。このような構造にすることに
より伝搬定数の非相反変化量が大きくなる（電子情報通
信学会論文誌’ ８８１５Ｖｏ１． Ｊ７１−ＣＮｏ、
５ｐｐ７０２−７０８）。
第６図は本発明の第３の実施例の断面図である。磁気光
学材料からなる第１の導波路３１に装荷したものである
。これにより第１と第２の導波路に伝搬定数差を与えた
もので、第１の実施例における第１と第２の導波路のパ
ターン幅を違えたことと同じ効果を与える。
学材料からなる第１の導波路３１に装荷したものである
。これにより第１と第２の導波路に伝搬定数差を与えた
もので、第１の実施例における第１と第２の導波路のパ
ターン幅を違えたことと同じ効果を与える。
第７図は本発明の第４の実施例の断面図である。磁気光
学材料からなる第１導波路４１とＴ ａ、 Ｏ，、Ｌ
ｉ Ｎ ｂ Ｏ，等の磁気光学を示さない誘電体材料か
らなる第２の導波路４２を形成し、第１の導波路に電極
４３により外部磁界を印加した。外部磁界を印加しない
ときの第１と第２の伝搬定数の差は材料の屈折率または
パターン幅等を変えること等により与えられている。こ
の場合は第２図または式（１）〜（６）においてβ１０
＝０またはβ２ｏ；０としたものであり、結合長しが長
くなるが第１の実施例と同じ効果の光サーキュレータが
実現できる。
学材料からなる第１導波路４１とＴ ａ、 Ｏ，、Ｌ
ｉ Ｎ ｂ Ｏ，等の磁気光学を示さない誘電体材料か
らなる第２の導波路４２を形成し、第１の導波路に電極
４３により外部磁界を印加した。外部磁界を印加しない
ときの第１と第２の伝搬定数の差は材料の屈折率または
パターン幅等を変えること等により与えられている。こ
の場合は第２図または式（１）〜（６）においてβ１０
＝０またはβ２ｏ；０としたものであり、結合長しが長
くなるが第１の実施例と同じ効果の光サーキュレータが
実現できる。
〈発明の効果〉
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように、本発
明では高価なファラディ回転子を使用せず、その高精度
の！１ｕｌｌが不要であり、更に光の非相反方向性結合
器を構成したので、基板上に光サーキュレータを一体形
成でき、光集積化に好適であり、安価であるという利点
がある。
明では高価なファラディ回転子を使用せず、その高精度
の！１ｕｌｌが不要であり、更に光の非相反方向性結合
器を構成したので、基板上に光サーキュレータを一体形
成でき、光集積化に好適であり、安価であるという利点
がある。
第１図は本発明の特徴を最も良く表わしている第１の実
施例の構成図、第２図は本発明の動作原理を説明するた
めの光の伝搬定数の変化を示す説明図であり、第２図（
ａｌは外部磁界を印加しないときの第１及び第２の導波
路の伝搬定数、第２図（ｂ）は外部磁界を印加したとき
の第１及び第２の導波路の前進波の伝搬定数、第２図＜
ｃ＋は外部磁界を印加したときの第１及び第２の導波路
の後退波の伝碗定数をそれぞれ示し、第３図は前進波及
び後進波のパワーの移行率を示すグラフ、第４図ｔａｌ
（ｂｌ ｆｃｌ ［ｄｌは第１の実施例の導波路の形
成工程を表わす工程図、第５図は本発明の第２の実施例
の断面図、第６図は本発明の第３の実施例の断面図、第
７図は本発明の第４の実施例の断面図、第８図は従来の
光サーキュレータの構成図である。 図 面 中、 １．２，３．４はポート、 ５は基板、 ６は磁気光学膜、 ７は第１のリブ形導波路、 ８は第２のリブ形導波路、 ９はカバー層、 １０は導線、 １１は１０を流れる電流、 １２は電流１１によって導波＃７に生じる磁界、 １３は電流１１によって導波９８内に生じる磁界、 １４は座標、 ２１は前進波によるパワーの移行率、 ２２は後退波によるパワーの移行率、 ２５は高屈折率膜、 ２Ｇ、２７はリブ形導波路、 ３１．３２は磁気光学材料からなる導波路、３３はバッ
ファ層、 ４１は磁気光学材料からなる導波路、 ４２は磁気光学を示さない誘電体材料からなる導波路、 ４３は導線、 ５１．５２，５３，５４ばボート、 ５５．５６は偏光ビームスプリッタ、 ５７はファラディ回転子、 ５８はファラディ回転子５７中を通る磁界、６１は基板
、 ６２は磁気光学膜、 ６３はカバー層、 ６４はカバー層、 ６５は高屈折率層である。 第２図
施例の構成図、第２図は本発明の動作原理を説明するた
めの光の伝搬定数の変化を示す説明図であり、第２図（
ａｌは外部磁界を印加しないときの第１及び第２の導波
路の伝搬定数、第２図（ｂ）は外部磁界を印加したとき
の第１及び第２の導波路の前進波の伝搬定数、第２図＜
ｃ＋は外部磁界を印加したときの第１及び第２の導波路
の後退波の伝碗定数をそれぞれ示し、第３図は前進波及
び後進波のパワーの移行率を示すグラフ、第４図ｔａｌ
（ｂｌ ｆｃｌ ［ｄｌは第１の実施例の導波路の形
成工程を表わす工程図、第５図は本発明の第２の実施例
の断面図、第６図は本発明の第３の実施例の断面図、第
７図は本発明の第４の実施例の断面図、第８図は従来の
光サーキュレータの構成図である。 図 面 中、 １．２，３．４はポート、 ５は基板、 ６は磁気光学膜、 ７は第１のリブ形導波路、 ８は第２のリブ形導波路、 ９はカバー層、 １０は導線、 １１は１０を流れる電流、 １２は電流１１によって導波＃７に生じる磁界、 １３は電流１１によって導波９８内に生じる磁界、 １４は座標、 ２１は前進波によるパワーの移行率、 ２２は後退波によるパワーの移行率、 ２５は高屈折率膜、 ２Ｇ、２７はリブ形導波路、 ３１．３２は磁気光学材料からなる導波路、３３はバッ
ファ層、 ４１は磁気光学材料からなる導波路、 ４２は磁気光学を示さない誘電体材料からなる導波路、 ４３は導線、 ５１．５２，５３，５４ばボート、 ５５．５６は偏光ビームスプリッタ、 ５７はファラディ回転子、 ５８はファラディ回転子５７中を通る磁界、６１は基板
、 ６２は磁気光学膜、 ６３はカバー層、 ６４はカバー層、 ６５は高屈折率層である。 第２図
Claims (3)
- （１）少なくともその一部が磁気光学材料で形成され外
部磁界により非相反特性を示す２本の光導波路が同一基
板上に互いに平行で隣接して配設されることにより方向
性結合器が形成されると共に前記光導波路は外部磁界の
印加前における伝搬定数が相互に異なるものであり、更
に前記方向性結合器の結合長を所定の長さとすることに
より、前記光導波路のうちの一方から他方へ、前進波に
ついてはパワーを完全に移行させ、逆に、後退波につい
てはパワーを移行させないようにしたことを特徴とする
光サーキュレータ。 - （２）請求項（１）において、前記光導波路には、その
軸方向に対し垂直な方向でかつ前記基板と平行な方向で
あって、しかも、相互に反対方向にそれぞれ外部磁界が
印加されることを特徴とする光サーキュレータ。 - （３）請求項（１）において前記光導波路のうちのいず
れか一方のみについて少なくともエア又はクラッドの部
が磁気光学材料で形成されることを特徴とする光サーキ
ュレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145446A JPH0311303A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 光サーキュレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145446A JPH0311303A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 光サーキュレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311303A true JPH0311303A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15385415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1145446A Pending JPH0311303A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 光サーキュレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311303A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05241102A (ja) * | 1992-03-03 | 1993-09-21 | Tokin Corp | ３端子光サーキュレータ |
| JPH0764022A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Kyocera Corp | 光ファイバ部品 |
| JP2007053837A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Toshiba Elevator Co Ltd | 筐体の組み立て方法 |
| JP2008187849A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Yaskawa Electric Corp | 電子機器及びその収納方法 |
| JP2016527544A (ja) * | 2013-06-25 | 2016-09-08 | ウニベルジダデ・フェデラル・ド・パラＵｎｉｖｅｒｓｉｄａｄｅ Ｆｅｄｅｒａｌ Ｄｏ Ｐａｒａ | 光磁気共振器に基づく非相反三方分配器 |
| JP2021021834A (ja) * | 2019-07-26 | 2021-02-18 | 京セラ株式会社 | アイソレータ及び光送信機 |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP1145446A patent/JPH0311303A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05241102A (ja) * | 1992-03-03 | 1993-09-21 | Tokin Corp | ３端子光サーキュレータ |
| JPH0764022A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Kyocera Corp | 光ファイバ部品 |
| JP2007053837A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Toshiba Elevator Co Ltd | 筐体の組み立て方法 |
| JP2008187849A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Yaskawa Electric Corp | 電子機器及びその収納方法 |
| JP2016527544A (ja) * | 2013-06-25 | 2016-09-08 | ウニベルジダデ・フェデラル・ド・パラＵｎｉｖｅｒｓｉｄａｄｅ Ｆｅｄｅｒａｌ Ｄｏ Ｐａｒａ | 光磁気共振器に基づく非相反三方分配器 |
| JP2021021834A (ja) * | 2019-07-26 | 2021-02-18 | 京セラ株式会社 | アイソレータ及び光送信機 |
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