JPH03111569A

JPH03111569A - 堆積膜形成法

Info

Publication number: JPH03111569A
Application number: JP1250015A
Authority: JP
Inventors: Shigeyuki Matsumoto; 繁幸松本; Atsushi Ikeda; 敦池田; Kazuaki Omi; 近江　和明
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-09-26
Filing date: 1989-09-26
Publication date: 1991-05-13
Anticipated expiration: 2013-07-30
Also published as: JP2781223B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、堆積膜形成法に関し、特に半導体集積回路装
置等の配線に好ましく適用できるタングステン（Ｗ）堆
積膜の形成法に関するものである。

［従来の技術］従来、半導体を用いた電子デバイスや集積回路において
、電極や配線には主にアルミニウム（Ａ℃）が用いられ
てきた。ここで、八１は廉価で電気伝導度が高く、また
表面に緻密な酸化膜が形成されるので、内部が化学的に
保護されて安定化することや、Ｓｉとの密着性が良好で
あることなど、多くの利点を有している。

ところで、ＬＳＩ等の集積回路の集積度が増大し、配線
の微細化や多層配線化などが近年特に必要とされるよう
になってきたため、従来のＡ１配線に対してこれまでに
ない厳しい要求が出されるようになってきている。集積
度の増加による寸法微細化に伴って、ＬＳＩ等の表面は
酸化、拡散、薄膜堆積、エツチングなどにより凹凸が激
しくなフている０例えば電極や配線金属は段差のある面
上へ断線なく堆積されたり、径が微小でかつ深いピアホ
ール中へ堆積されなければならない。４Ｍｂｉｔや１６
ＭｂｉｔのＤＲＡＭ　（ダイナミックＲＡＭ）などでは
、へ１等の金属を堆積しなければならないピアホールの
アスペクト比（ピアホール深さ÷ピアホール直径）は１
．０以上であり、ピアホール直径自体も１μ層以下とな
る。従って、アスペクト比の大きいピアホールにもＡ１
を堆積できる技術が必要とされる。

特に、５ｉｎ２等の絶縁膜の下にあるデバイスに対して
確実な接続を行うためには、成膜というよりむしろデバ
イスのピアホールのみを穴埋めするようにＡ１を堆積す
る必要がある。

そして八１は融点が６６０℃と低いことやエレクトロマ
イグレーションに弱い点あり、ＡＪ２に代わる配線材料
の１つとしてＷが検討されている。

Ｗの堆積膜形成法としては、原料ガスとじてＷＦ、を用
い、基板の構成原子である５７との還元反応によりＷを
ＳＮ基板上に堆積させるＣＶＤ法が提案されている。

しかしながら、この方法では基板との反応である為、Ｗ
膜がＳｉ基板上を覆ってしまうと選択性が劣化すること
や、Ｓｉ基板を侵食してしまうことを避けられない、堆
積速度はせいぜい３０〜５０人／ｍｉｎであり膜厚も安
定なものとしては２０００人〜３０００人程度が限界と
なる。また、ＦによるＳｉ基板とＷ膜との界面の汚染と
いう問題も残されている。加えて、膜の均一性について
も改善の余地が多分にある。

しかしながら、Ｗは融点が３４１０℃と高い為に配線材
料として用いれば、半導体装置の製造プロセスにおいて
後工程での高温処理可能という利点があり、この利点は
すてがたいものであった。

［発明が解決しようとする課題］以上のように、近年より高集積化が望まれている半導体
の技術分野において、高集積化され、かつ高性能化され
た半導体装置を廉価に提供するためには、改善すべき余
地が多く存在していた。

本発明は、上述した技術的課題に鑑みてなされたもので
あり、導電体として良質なＷ膜を制御性良く形成し得る
堆積膜形成法を提供することを目的とする。

本発明の別の目的は、基体を損傷することなく、平坦で
緻密な膜を厚く形成することのできる堆積膜形成法を提
供することにある。

本発明の他の目的は、小さなピアホール内にも良質のＷ
を堆積することのできる堆積膜形成法を提供することに
ある。

本発明のさらに他の目的は、バリアメタルとして特性の
良い堆積膜を形成することのできる堆積膜形成法を提供
することにある。

本発明のさらに他の目的は、Ｗのシリサイド化の容易な
堆積膜を形成できる堆積膜形成法を提供することにある
。

［課題を解決するための手段］かかる目的を達成するために本発明堆積膜形成方法は、（ａ）電子供与性の表面を有する基体を堆積膜形成用の
空間に配する工程、（ｂ）タングステン原子を含む化合物のガスと水素ガス
とを前記堆積膜形成用の空間に導入する工程、および（ｃ）タングステン膜を前記電子供与性の表面に形成す
る工程を有することを特徴とする。

［作　用〕上記基体の表面（Ａ）に対して、Ｗを含む化合物のガス
（原料ガス）と水素ガスとの反応系においてＷは単純な
熱反応のみで堆積する。すなわち、例えば原料ガスとし
てのＷ　（ＣＨ３）　８および反応ガスしての■２を含
んだ混合気体が、ｗ　（ＣＨ３）　ａの分解温度以上の
適切な温度範囲に加熱された基体上に供給され、上記空
間内の圧力を適切に定めることにより、表面上にＷが析
出し、連続膜が形成されてこれが成長する。従って、低
抵抗、緻密かつ平坦なＷ膜を基体上に選択的に堆積させ
ることができる。

［実施例］以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施態様につ
いて説明する。

本発明においては、導電性堆積膜として良質のＷ膜を基
体上に堆積させるためにＣＶＤ法を用いるものである。

すなわち、堆積膜の構成要素となる原子を少なくとも１
つ含む原料ガスとして有機金属であるＷ　（ＩＩ：Ｈｓ
）　ａと反応ガスとしてＨ２を使用し、これらの混合ガ
スによる気相成長により基体上にＷ膜を形成する。

本発明の適用可能な基体は、Ｗの堆積する表面を形成す
るための電子供与性を有する材料を用いる。

この電子供与性について以下詳細に説明する。

電子供与性材料とは、基体中に自由電子が存在している
か、もしくは自由電子を意図的に生成せしめたかしたも
ので、例えば基体表面上に付着した原料ガス分子との電
子授受により化学反応が促進される表面を有する材料を
いう。例えば、一般に金属や半導体がこれに相当する。

金属もしくは半導体表面に薄い酸化膜が存在しているも
のも含まれる。それは基体と付着原料分子間で電子授受
により化学反応が生ずるからである。

具体的には、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質
シリコン等の半導体、ＩＩＩ族元素としてのＧａ、Ｉｎ
、　Ａｌ１と■族元素としてのＰ、Ａｓ、Ｎとを組合せ
て成る二元系もしくは三元系もしくは四元系ＩＩＩ　−
Ｖ族化合物半導体、タングステン、モリブデン、タンタ
ル、タングステンシリサイド、チタンシリサイド、アル
ミニウム、アルミニウムシリコン、チタンアルミニウム
、チタンナイトライド。

銅、アルミニウムシリコン銅、アルミニウムパラジウム
、チタン、モリブデンシリサイド、タンクルシリサイド
等の金属１合金およびそれらのシリサイド等を含む。

このような構成の基体に対して、Ｗは原料ガスとＨ２と
の反応系において単純な熱反応のみで堆積する０例えば
Ｉｌｌ　（ＣＨｓ）　ａと■２との反応系における熱反
応は基本的にＷ　（Ｃ）１３）　６　＋　４Ｈ２→Ｗ↓＋６ＣＨ４ｔ
　＋　Ｈ２↑と考えられる。

第１図は本発明を適用可能な堆積膜形成装置を示す模式
図である。

ここで、１はＷ膜を形成するための基体である。基体１
は、同図に対して実質的に閉じられた堆積膜形成用の空
間を形成するための反応管２の内部に設けられた基体ホ
ルダ３上に載置される。

反応管２を構成する材料としては石英が好ましいが、金
属製であってもよい。この場合には反応管を冷却するこ
とが望ましい。また、基体ホルダ３は金属製であり、載
置される基体を加熱できるようにヒータ４が設けられて
いる。モしてヒータ４の発熱温度を制御して基体温度を
制御することができるよう構成されている。

ガスの供給系は以下のように構成されている。

５はガスの混合器であり、原料ガスと反応ガスとを混合
させて反応管２内に供給する。６は原料ガスとして有機
金属を昇華させるために設けられた原料ガス昇華器であ
る。

本発明において用いる有機金属は室温で固体状であるの
で、昇華器６内で加熱しキャリアガス中へ有機金属の飽
和蒸気となし、混合器５へ導入する。昇華器はｉａｏ℃
±１０℃、配管、混合器５１反応管２は１７０℃±１０
℃に加熱しておく。

排気系は以下のように構成される。

７はゲートバルブであり、堆積膜形成前に反応管２内部
を排気する時など大容量の排気を行う際に開かれる。８
はスローリークバルブであり、堆積膜形成時の反応管２
内部の圧力を調整する時など小容量の排気を行う際に用
いられる。９は排気ユニットであり、ターボ分子ポンプ
等の排気用のポンプ等で構成される。

基体１の搬送系は以下のように構成される。

１ｏは堆積膜形成前および堆積膜形成後の基体を収容可
能な基体搬送室であり、バルブ１１を開いて排気される
。１２は搬送室を排気する排気ユニットであり、ターボ
分子ポンプ等の排気用ポンプで構成される。

バルブ１３は基体１を反応室と搬送空間で移送する時の
み開かれる。

第１図に示すように、原料ガスを生成するために昇華室
６においては、１８０℃に保持され、Ｗ（Ｃ［ｓ）ａに
対しキャリアガスとしてのＨ２もしくはＡｒ（もしくは
他の不活性ガス）を流し、気体状Ｗ（ＣＨ３）６を生成
し、これを混合器５に輸送する。

反応ガスとしてのＨ２は別経路から混合器５に輸送され
る。ガスはそれぞれその分圧が所望の値となるように流
量が調整されている。

このような原料ガスおよび反応ガスを用い、基板温度３
００〜８００℃で形成された膜は、オーシュ電子分光法
や光電子分光法による分析の結果、この膜には炭素や酸
素のような不純物の混入が認められない。

また、形成された堆積膜の抵抗率は、膜厚４００人では
室温で８〜１０μΩ・ｃｍと良好であり、連続かつ平坦
な膜となる。また、膜厚１μｍであっても、その抵抗率
はやはり室温で略々８〜１ｏμΩ・ｃｍとなり、厚膜で
も十分に緻密な膜が形成される。可視光波長領域におけ
る反射率も略々８０％であり、表面平坦性にすぐれた薄
膜を堆積させることができる。

基体温度としては、Ｗを含む原料ガスの分解温度以上、
かつ８００℃以下が望ましい。８００℃を越えるとメチ
ル基の分解の可能性が生ずる。具体的には基体温度３０
０〜５００℃が望ましく、この条件で堆積を行った場合
、Ｗ　（ＣＨ３）　６分圧が１０−４〜１０すＴｏｒｒ
のとき堆積速度は１００人／分〜２００人／分と非常に
大きく、超ＬＳＩ用Ｗ堆積技術として十分大きい堆積速
度が得られる。

さらに好ましくは基体温度３５（１℃〜４５０℃であり
、この条件で堆積したＷ膜は配向性も強く、後工程にお
ける酸化耐性に優れている。

第１図示の装置では、１回の堆積において１枚の基体に
しかＷを堆積することができない。略々２００人／分の
堆積速度は得られるが、多数枚の堆積を短時間で行うた
めには不十分である。

この点を改善する堆積膜形成装置と１７では、多数枚の
ウェハを同時に装填してＷを堆積することのできる減圧
ＣｖＤ装置がある。本発明によるＷ堆積は加熱された電
子供与性基体表面での表面反応を用いているため、ホッ
トウォール型減圧ＣＶＤ法であれば＊　（Ｃ）Ｉｓ）　
ｅとＨ２によりＷを堆積させることができる。

反応管圧力は０．０５〜７６０Ｔｏｒｒ、望ましくは０
．１〜０．８Ｔｏｒｒ　、基体温度は３００℃〜８００
℃、望ましくは３５０℃〜４５０℃、Ｗ　（ＣＨ３）　
８分圧は反応管内圧力のｌＸｌ０”’倍〜１．３　Ｘｌ
０−’倍であり、Ｗが電子供与性基体上にのみ堆積する
。

第２図はかかる本発明を適用可能な堆積膜形成装置を示
す模式図である。

５７はＷ膜を形成するための基体である。５０は周囲に
対して実質的に閉じられた堆積膜形成用の空間を形成す
る石英製の外側反応管、５１は外側反応管５０内のガス
の流れを分離するために設置される石英製の内側反応管
、５４は外側反応管５０の開口部を開閉するための金属
製のフランジであり、基体５７は内側反応管５１内部に
設けられた基体保持具５６内に設置される。なお、基体
保持具５Ｂは石英製とするのが望ましい。

また、本装置はヒータ部５９により基体温度を制御する
ことができる。反応管５０内部の圧力は、ガス排気口５
３を介して結合された排気系によって制御できるように
構成されている。

また、原料ガスは第１図に示す装置と同様に、第１のガ
ス系、第２のガス系および混合器を有しくいずれも図示
せず）、原料ガスは原料ガス導入ライン５２より反応管
５０内部に導入される。また、第１のガス系、混合器お
よび原料ガス導入ライン５２は加熱機構を有する。原料
ガスは、第２図中矢印５８で示すように、内側反応管５
１内部を通過する際、基体５７の表面において反応し、
Ｗを基体表面に堆積する。反応後のガスは、内側反応管
５１と外側反応管５０とによって形成される間隙部を通
り、ガス排気口５３から排気される。

基体の出し入れに際しては、金属製フランジ５４をエレ
ベータ（図示せず）により基体保持具５６゜基体５７と
ともに降下させ、所定の位置へ移動させて基体の着脱を
行う。

かかる装置を用い、前述した条件で堆積膜を形成するこ
とにより、装置内の総てのウェハにおいて良質なＷ膜を
同時に形成することができる。

上述したように本発明にもとづくＷ成膜方法によって得
られた膜は緻密であり炭素等の不純物含有量がきわめて
少なく抵抗率も低く且つ表面平滑度の高い特性を有する
ため以下に述べる顕著な効果が得られる。

■抵抗率低減従来Ｗは融点が３４１０℃と高く、後工程の熱処理の影
響をうけにくいという利点を有していたが、スパッタ法
で１８〜３０μΩｃｍ、ＣＶＤ法で約１０μΩｃｎ＋と
抵抗率が大きかった。

本発明による堆積法を用いると８〜９μΩｃｍの低抵抗
率Ｗが得られた。且つ厚膜化も容易である。

■堆積速度向上従来の堆積速度は３０〜５０人／分であったのに対し、
本発明による堆積法を用いると最大２００人／分の堆積
速度が得られた。

また第２図に示す装置を用いることにより２５０枚の大
量処理が同時に行なうことができた。

■コンタクトホール内埋込み本発明は基本的に電子供与性基体上でのＷ　（ＣＨ３）
　８とＨ２の表面反応である。

ピアホール（コンタクトホール）内部にＷが完全に充填
され、ピアホール内のＷの抵抗率は１０μΩｃｍと充分
に低いものであった。

■表面平滑性の向上（配線のバターニング性向上）従来、金属薄膜の表面の粗さは配線のパターニング工程
においてマスクと基体用のアライメント工程およびエツ
チング工程において不都合を及ぼしていた。

つまり従来のスパッタ法にょるＷおよびＣＶＤ法による
Ｗ膜の表面には数百〜数千人に及ぶ凹凸があり表面モル
フォロジーが悪く、そのため１）アライメント信号が表
面で乱反射を生じ、そのため雑音レベルが高くなり本来
のアライメント信号を識別できない。

２）大きな表面凹凸をカバーするため、レジスト膜厚を
大きくとらねばならず微細化に反する。

３）表面モルフォロジーが悪いとレジスト内部反射によ
るハレーションが極部的に生じ、レジスト残りが生ずる
。

４）表面モルフォロジーが悪いとその凹凸に準じて配線
エツチング工程で側壁がギザギサになってしまう等の欠
点をもっていた。

本発明によると形成されたｌ膜の表面モル７オロジーが
画期的に改善され、上述の欠点は全て改善される。

（実施例工）まずＷ成膜の手順は次の通りである。第１図に示した装
置を用い、排気設備９により、反応管２内を略々Ｉ　Ｘ
　１０−’Ｔｎｒｒに耕苛する−ただし反応管２内の真
空度は１　ｘ　１０−’Ｔｏｒｒより悪くてもＷは成膜
する。

Ｓｉウェハを洗浄後、搬送室１０を大気圧に解放しＳｉ
ウェハを搬送室に装填する。搬送室を略々１×１０−’
Ｔｏｒｒに排気し、その後ゲートバルブ１３を開はウェ
ハをウェハホルダー３に装着する。

ウェハをウェハホルダー３に装着した後、ゲートバルブ
１３を閉じ、反応室２の真空度が略々１×ＸＯ−’Ｔｏ
ｒｒになるまで排気する。

本実施例では第１のガスラインからＷ　（ＣＴｏ）　ｓ
を供給する。　’ＩＩ　（Ｃ１１３）　ｅラインのキャ
リアガスはＨ３を用いた。第２のガスラインはＨ２用と
する。第１のガスライン全体、混合器および反応管を１
７０℃に加熱し、昇華器を１８０℃に加熱する。

第２ガスラインからＨ２を流し、スローリークバルブ８
の開度を調整して反応管２内の圧力を所定の値にする。

本実施例における典型的圧力は略々１．０Ｔｏｒｒとす
る。その後ヒータ４に通電しクエへを加熱する。ウェハ
温度が所定の温度に到達したン８．　　Ｗ／ｌ’：Ｒ，
１，−７−／ン上ｎ　Ｗ／ｒｌＪｊ　−Ｇ　Ｆ　１７％
ＪＦｒ）８八Ｊ人する。全圧は略々１．ＯＴｏｒｒであ
り、Ｗ　（ＣＨｓ）　ｓ分圧を略々１．Ｏｘ　１０−’
Ｔｏｒｒとする。Ｗ　（ＣＨｓ）　ｅを反応管２に導入
するとＷが堆積する。所定の堆積時間が経過した後、Ｗ
　（Ｃ）Ｉｓ）　ｓの供給を停止する０次にヒータ４の
加熱を停止し、クエへを冷却するａ　Ｈ２ガスの供給を
止め反応管内を排気した後、ウェハを搬送室に移送し、
搬送室のみを大気圧にした後ウェハを取り出す０以上が
Ｗ成膜手順の概略である。

次に本実施例における試料作製を説明する。

Ｓｉ基体（Ｎ型１〜２Ωｃｏｄ）を水素燃焼方式（Ｈ２
：３［八、ｏ２：　２ｆＬ／Ｍ）により１０００℃の温
度で熱酸化を行なった。

膜厚は７０００人±５００人であり、屈折率は１．４６
であった。このＳｔ基体全面にホトレジストを塗布し、
露光機により所望のパターンを焼きつける。

パターンは０．２５μｔａ　ｘＱ、２５μｒａ　〜１（
１０ｐｍ　Ｘ１００μｍの各種の孔が開孔する様なもの
である。ホトレジストを現像後反応性イオンエツチング
（ＲＩＥ）等でホトレジストをマスクとして下地のＳｉ
ｎ、をエツチングし、部分的に基体Ｓｉを露出させた。

このようにして０．２５μｍ　ｘＯ，２５μｍ　〜１０
０　／Ｊｌｌｌ　Ｘ１００μｍの各種の大きさの５ｉ０
２の孔を有する試料を用意し、前述した手順に従って全圧　　　　　　１．ＯＴｏｒｒＷ　（ＣＨ３）　ｓ分圧　　１．ＯＸ　１０−’Ｔｏｒ
ｒなる条件でＷ膜を堆積した。

基板温度を変化して堆積したＷ膜を各種の評価方法を用
いて評価した。その結果を表１に示す。

（以下余白）上記試料において３００℃〜４５０℃の温度範囲におい
て抵抗率の低い、平坦な実用的な堆積速度のＷ膜を得る
ことができた。

（実施例２）本実施例は第１のガスラインｗ　（ＣＨ３）　ｓのキャ
リアガスとして＾「を用いた。

実施例１と同様の手順に従い全圧　　　　　１．ＯＴｏｒｒｗ　（Ｃ）＋３）　ａ分圧　１．Ｏｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒなる条件でＷを堆積した。

このようにして堆積したＷ膜は実施例１と同様の結果を
得た。

（実施例３）５１基体を熱酸化したものを用意し全面に従来の減圧Ｃ
ｖＤを用いてポリシリコンを堆積する。

上記試料を第１図に示した装置で実施例１と同様の手順
、同様の設定でＷを堆積した。

堆積膜は実施例１と同様の膜質を有した。この試料を９
００℃Ｎ２雰囲気の熱処理を行うことでタングステンの
シリサイド化（ＳｉとＷの合金化）を行なったところ３
０μΩｃｍの抵抗率を有する酸化特性に優れた低抵抗の
タングステンシリサイドが得られた。

（実施例４）第２図に示した減圧ＣｖＯ装置を用いて以下に述べるよ
うな構成の基体にＷ膜を形成した。

電子供与性である第１の基体表面材料としての単結晶シ
リコン表面に選択的に１０”ｃｏ＋−’のリンを拡散さ
せ、その上に熱酸化５ｉｎ２膜を形成し、−数的なフォ
トリソグラフィー工程によりバターニングを行い、単結
晶シリコン表面を部分的に露出させた。

この時の熱酸化Ｓｉｎ、膜の膜厚は８０００人、単結晶
シリコンの露出部即ち開口の大きさは０．８μｍ×０．
８μｍであった。このようにしてサンプルを準備した。

これらのサンプルを第２図に示した減圧ＣＶｔ１　装置
に入れ、同一バッヂ杓でＷ膜を成膜した。成膜条件は反
応管圧力０．３Ｔｏｒｒ、１ｌ（ＣＨｓ）ｓ分圧１．０
×１０−’Ｔｏｒｒ、基体温度３基体温度３股０る。

このような条件で成膜した結果、バターニングを施した
サンプルに関しては全てＷ膜の堆積が起こり、８０００
人の深さの開口部を完全に埋めつくした。Ｗ膜の膜質は
実施例１で示した基体温度３５０℃のものと同一の性質
を示し非常に良好であった。

さらにシリコンのリン拡散した領域と堆積したＷ膜との
コンタクト抵抗がｌＸｌ０−’〜５　Ｘ　１０−’Ωｃ
Ｉ１１２が得られた。また、８０００人の深さに８００
０Ａ　ｘ８０００人の開孔を設けたため、アスペクト比
は！であり単純にホール内Ｗの抵抗率を求めるとｌＯμ
Ωｃｍであった。

つまりバリアメタル等をピアホール内に設置することな
くピアホール内がＷで充填されかつ良好なコンタクト抵
抗およびホール内抵抗を得ることができた。

またＷＦ８を用いたＣＶＤで見られるようなピアホール
底部つまりＳｉ面の侵食およびＦによるコンタミネーシ
ョンはまったく観られなかった。

（実施例５）実施例１の手順にしたがい全圧　　　　　　１．０ＴＯｒｒ基板温度　　　　４００℃ ｗ　（ｃＨｓ）　ｓ分圧　　１．Ｏ　Ｘ　１０−’Ｔｏ
ｒｒなる条件下で第３のガスラインにより５ｉ２Ｈ．を分圧ｌＸｌ０−’
Ｔｏｒｒになるように反応管に導入し、Ｗ　（（：Ｈ３
）　ａとＨ２の反応中にＳｔが混入するように設定した
。

堆積膜はＷＳｉ（タングステンシリサイドつまりＷとＳ
ｌの合金）であり抵抗率は６０μΩｃａｔであった。

実施例３で行なった結果よりも抵抗値は大きいが低温で
ＷＳｌが形成されかつＭＯＳトランジスターを作製する
上では充分なＷＳｌが得られた。

［発明の効果コ以上説明したように、本発明によれば、低抵抗，緻密，
かつ平坦なＷ膜を基体上に堆積させることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用可能な堆積膜形成装置の一例を示
す模式図、第２図は本発明を適用可能な堆積膜形成装置の他の例を
示す模式図である。ｌ・・・基体、２・・・反応管、３・・・基体ホルダ、４・・・ヒータ、５・・・混合器、６・・・昇華器、７・・・ゲートバルブ、８・・・スローリークバルブ、９・・・排気ユニット、１０・・・搬送室、１１・・・バルブ、１２・・・排気ユニット、５０・・・石英製外側反応管、５１・・・石英製内側反応管、５２・・・原料ガス導入ライン、５３・・・ガス排気口、５４・・・金属製フランジ、５Ｂ・・・基体係持具、５７・・・基体、５８・・・ガスの流れ、５９・・・ヒータ部。

Claims

【特許請求の範囲】１）（ａ）電子供与性の表面を有する基体を堆積膜形成
用の空間に配する工程、（ｂ）タングステン原子を含む化合物のガスと水素ガス
とを前記堆積膜形成用の空間に導入する工程、および（ｃ）タングステン膜を前記電子供与性の表面に形成す
る工程を有することを特徴とする堆積膜形成法。