JPH03104104A - 磁性ガーネット材料 - Google Patents

磁性ガーネット材料

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JPH03104104A
JPH03104104A JP1241472A JP24147289A JPH03104104A JP H03104104 A JPH03104104 A JP H03104104A JP 1241472 A JP1241472 A JP 1241472A JP 24147289 A JP24147289 A JP 24147289A JP H03104104 A JPH03104104 A JP H03104104A
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JP
Japan
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bubble diameter
saturation magnetization
magnetic garnet
magnetic
film
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JP1241472A
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English (en)
Inventor
Satoru Fukuda
悟 福田
Toshihiko Riyuuou
俊彦 流王
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/18Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
    • H01F10/20Ferrites
    • H01F10/24Garnets

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [a業上の利用分野J 本発明は磁性ガーネット材料、特には回転数検出器など
の磁気バブルを利用する新規な素子に有用とされる磁性
ガーネット材料に関するものである。
[従来の技術] 磁気バブルを利用した磁性ガーネット材料はバブルメモ
リー ブロッホラインメモリなどに使用されており、こ
れについては回転数検出器への利用も検討されているが
、ここに使用されている磁性ガーネット材料はガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット(GGG)単結晶からウェ
ーハ状に切り出された基板結晶上にガーネット磁性薄膜
を成長させることによって作られている。
[発明が解決しようとする課題] しかし、この磁性ガーネット材料を回転数検出器として
用いるためには磁気バブルが安定に存在しており、かつ
これが情報を正確に伝搬することが必要であり、そのた
めにはバイアス磁界と回転磁界の関係で示されるマージ
ン幅が大きいことが必要であるし、また検出をしやすく
するためにはバブル径をある程度大きくすることも必要
でありさらには移動方向が異常なハードバブルを抑制し
、バブル状態をすべて同一にすることが要求される。
しかし、上記した従来のバブルメモリ、ブロッホライン
メモリ用の磁性ガーネット材料は動作マージン幅が狭く
、ハードバブルが発生し易いために、これを素子として
用いた回転数検出器は信頼性が著しく低いという問題点
がある。
[課題を解決するための手段] 本発明はこのような問題点を解決した回転数検出器など
に有用とされる磁性ガーネット材料に関するもので、こ
れは磁気バブル保持可能な磁気ガーネット膜において、
飽和磁化(4πMs)をX(G)とし、バブル径をy(
μm)とした(x,y)が、第1図においてA (30
0G,  6μn+) .  B (600G,  l
μm) .  C (700G,  1μm) ,  
D (400G,  6μm)の4点で囲まれた範囲に
あることを特徴とするものである。
すなわち、本発明者らは前記したような不利を伴わない
、回転数検出器用などに適した磁性ガーネット材料を開
発すべく種々検討したところ、磁性ガーネット材料にお
ける飽和磁化(4πMs)を増加させると動作マージン
幅(ΔHO)が増大することを見出すと共に、このバブ
ル径(d)については実用面から1〜6grnの範囲と
すべきであることを知り、この飽和磁化とバブル径との
関係について検討したところ、この飽和磁化をx (G
)とし、バブル径をy(μm)としたときの(x.y)
については図形上においてこれをA(300G,6μm
) , B (600G, 1μlXl) , C (
700G, lμm) . D(400G, 6μm)
の4点で囲まれた範囲とすればよいこと、またハードバ
ブルをなくすためにはこの磁性ガーネット材料の表面に
面内磁化膜を形戒させればよいということを確認して本
発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
[作 用] 本発明の磁性ガーネット材料は飽和磁化(4πMs)と
バブル径を上記した範囲に特定したものである。
回転数検出器用などに使用される磁性ガーネット材料に
はバイアス磁界と回転磁界とで示される動作マージン幅
を大きくすれば、回転数検出器の動作領域が拡張され、
信頼性を向上させることができることから、この動作マ
ージン幅をある程度大きくすることが必要とされる。
しかし、この動作マージン幅の上限値はコラップス磁界
(}Ie.)により限定され、この下限値はランアウト
磁界(H,。)により限定されるので、この動作マージ
ン幅(ΔHQ)はHco−}1roが上限値となるが、
このコラップス磁界(Heo)  ランアウト磁界(H
,。)はそれぞれ次式で示されるものであり、 1 / h = So (do/h) = 52 (d
,/h)・・・(3) A=12(4ycMs)3/32πHx       
・−・(4)(ここに、A:交換定数で2.4〜2.6
 XIO’エルグ/c+nの値をとる) この式(1)〜(4)から動作マージン幅(ΔH0=H
co−Hro )は飽和磁化(4πMs) ,バブル径
(d)、膜厚(h)、HK/4πPIsのバラメーター
で表わされることが判る。
したがって、これらのバラメーターと動作マージン幅(
ΔH0)の関係について検討した結果、飽和磁化(4π
Ms)が増加すれば動作マージン幅(ΔH0)の増大す
ることが見出されたが、この飽和磁化(4πMs)とバ
ブル径(d)との関係については飽和磁化(4πMs)
を大きくするとバブル径(d)が小さくなってバブルの
有無の検出が困難となるので、このバブル径もある程度
の大きさが必要であり、そのためにはこの飽和磁化(4
πMs)も一定の範囲とすることが必要であることから
、この両者の大きさと動作マージン幅(ΔHo)を増大
させる範囲を求めたところ、飽和磁化(4πMs)の値
をX軸に、またバブル径をY軸にとってこの両者の関係
を図上に形成したところ、第1図に示したA,B.C.
Dの4点で囲まれた範囲とすることがよいことが見出さ
れた。
すなわち、バブル径としてはバブル径(d)が1μmよ
り小さいとバブルの有無の検出が困難となるし、これを
6μmより大きくするとチップサイズが大きくなるとい
う問題点が生じるので、これは1〜6μmの範囲とすべ
きであるが、このバブル径(d)と飽和磁化(4πMs
)との関係についてはバブル径(d)が1μmでは飽和
磁化(4πMs)は600〜700Gの範囲とし、バブ
ル径(d)が6μ鴫では飽和磁化(4πMs)は300
〜400 Gとすればよいので、この4点社ついてはA
 (300G .  8 μm) ,B (600G,
  fμm) , C (700G.  lμm) ,
  D (400G,64m)とし、飽和磁化(4πM
s)とバブル径(d)をこの4点で囲まれた範囲とすれ
ば動作マージン幅(ΔH0)を増大させることができる
ことが確認された。
本発明の磁性ガーネット材料自体は公知のものでよく、
したがってこれは一般式A3B5012で示され、この
AはBi, CG,希土類元素、例えばY.Gd, N
d, Sm, Lu, Euから選択される元素、Bは
遷移金属元素、例えばFe, Goなど.非磁性金属、
例えばGe, GG,^R, Sc, Stなどから選
択される元素からなる酸化物ガーネット構造を有するも
のとすればよく、これには式 (YSmLuCa)3(FeGe)5012で示される
ものが例示されるが、このものはこれを成長させるべき
ガドリニウム・ガリウム・ガーネット(GGG)結晶と
格子定数が近似していることも好ましいものとされる。
しかして、この磁性ガーネット材料は前記したことから
、この飽和磁化(4πMs)とバブル径(d)とを第1
図に示したA,B,C,Dで囲まれた範囲とする必要が
あるが、これはこの磁性ガーネット材料を構戊する金属
の種類とその配合比率、膜厚などを調整することによっ
て行えばよい。したがってこの磁性ガーネット材料の製
造は上記したA3B5012におけるA,Bとして選択
された各金属成分の酸化物の所定量をフラックス戒分と
してのPbO. 8203の所定量と共に秤量して白金
ルツボに仕込み、これをその融点以上の温度に加熱溶融
して融液を作り、これを過冷却状態に保ってからここに
GGGなどの基板結晶を挿入し、液相エピタキシャル法
でこの基板結晶に磁性ガーネット膜を所定の厚さで成長
させればよい。
このようにして得られた磁性ガーネット材料はこの結晶
を構成する金属の種類、この金属酸化物の配合量、膜厚
が特定のものとされていることからその飽和磁化(4π
Ms) 、バブル径(d)が前記した第1図に示したA
,B.C,Dで囲まれた範囲のものとなるので動作マー
ジン幅の大きいものとなり、したがって回転数検出器用
として使用することができるものとなるが、回転数検出
器用としては異常なハードバブルが抑制されたものであ
ることが必要とされるので、これについてさらに検討を
進めたところ、これについてはこの磁性ガーネット層の
表面に式YsFesO+2で示されるYIGなどの面内
磁化層を設けてバブルの磁壁のスピンと面内磁化層のス
ピンを結合させるとハードバブルの発生が防止されるこ
とが見出された。なお、この磁性ガーネット層上に設け
るYIG層の威長は公知の液相エビタキシャル法で行え
ばよいが、このYIG層の戒長は0.05,μm以上の
厚さとすればよく、これによればハードバブルにおける
通常より大きいコラップス磁界(He.)の値が、通常
の値にまで低下してバブルの状態が均一化されるので、
コラップス磁界(Hc.)のバラ付きがなくなり、ハー
ドバブルの発生が抑制される。
[実施例] つぎに本発明の実施例および比較例をあげる。
実施例I Y20! 3.31 g , Sm20s 2.72g
 , Lute3B.23g .CaO 6.67g 
, Fe203181.48gおよびGem, 36.
8 gをフラックス成分としてのPb0 1,981i
 g , B,0,28.48 gと共に直径9 0m
m ,高さ100mmの白金ルッポに仕込み、1,10
0℃に加熱し溶融して融液を作り、この融液から液相エ
ピタキシャル法で直径1インチ、厚さ500μmのGG
G単結晶の(111 >方向に式(YSmLuCa) 
,(FeGe) .0,.で示される磁性ガーネット膜
をlO.5μmの膜厚で成長させた。
ついで、この磁性ガーネット膜の特性を測定したところ
、このものは飽和磁化(4πMs)が377Gでバブル
径は4.8μmであり(第1図のE点)、このコラップ
ス磁界(He.)  とランアウト磁界(H,。)をヘ
ルムホルッコイルを備えた偏光顕微鏡で磁区観察して測
定してこのコラップス磁界(He.)とランアウト磁界
(H,.)との差(Hc.一H,。)から動作マージン
幅(ΔH.)を求めたところ、これはΔH0=32 0
eの値を示した。
比較例I Y203 27.75g , Sm20s 4.29g
 , Lu2035.49g ,CaO 27.75 
g , Fe2es 476.22gおよびGem.1
53.37gをフラックス成分としてのPb0 720
 g ,8203 96.09 gと共に直径120m
m,  高さ180mmの白金ルッポに仕込み、1,1
00℃に加熱し溶融して融液を作り、実施例1と同様の
方法でGGG jlL結晶の(111 )方向に式(Y
SmLuCa) 3(FeGe) s0 1 2で示さ
れる磁性ガーネット膜を4.0μmの膜厚で成長させ、
この磁性ガーネット膜の特性を測定したところ、このも
のはバブル径(d)は4.4μmであったが飽和磁化(
4πMs)が200Gと小さい(第1図中のG点)こと
から、この動作マージン幅(ΔH.)は220eと狭い
ものであった。
実施例2 Y203 1.29 g . 501203 3.97
g , LL+203 8.76g ,Ca06.33
g , Fe20s 312.4 gおよびGeO23
5.43gをフラックス成分としてノPb0 2,09
0 g , B,0,41.79 gと共に白金ルッポ
に仕込み、1,100 tに加熱し溶融して融液を作り
、実施例1と同様に処理して式(YSmLuCa)3(
FeGe)50.2で示される磁性ガーネット膜を3μ
mの膜厚で成長させ、この磁性ガーネット膜の特性を測
定したところ、このものは飽和磁化(4πMs)が80
0 Gでバブル径(d)は24m(第1図中のF点)で
あり、実施例1と同様の方法で測定したコラップス磁界
(He.) とランアウト磁界(H,.)からその動作
マージン幅は660eと算出された。
比較例2 Y203 3.74 g , Sm20s 3.03g
 , Lu203 8.90g ,CaCOs 6.9
2g , Fe,0., 204.3 gおよびGem
,38.17 gをフラックス成分としテ<7)PbO
 2,207g , B20329J9gと共に白金ル
ッポに仕込み、1,100℃に加熱し溶融して融液を作
り、この融?から液相エビタキシャル法でGGG単結晶
の(111)方向に式(YSmLuCa) 3 (Fe
Ge) 50+2で示される磁性ガーネット膜を1.9
μmの厚さで戒長させ、この膜の特性を測定したところ
、このものは飽和磁化(4yzMs)が450Gでバブ
ル径は2,μm(第1図のH点)であり、このコラップ
ス磁界(Hco)とランアウト磁界(H,.) とから
算出した動作マージン幅(ΔH.)は480eであった
実施例3 y2032.22 gとFe2es 47.12 gを
フラックス戒分としてPbO 433J:Lg . B
20! 17.33 gと共に白金ルツボに仕込み、1
,100℃に加熱し溶融して融液を作り、この融液から
液相エピタキシャル法で実施例1で得た磁性ガーネット
膜を有するGGGウェーハの磁性ガーネット膜上にY,
Fe,J■(YIG)で示される第2の磁性膜を厚さ0
.06μmで成長させ、このもののコラップス磁界(H
c.)を測定してその(Heo)■x/ (Hco)+
alnを求めたところ、これはほぼ1.0を示したので
、これはバラ付きの殆んどない均一なバブルであること
が確認された。
しかし、比較のためにこのYIG膜を戒長させなかった
ものについてそのコラップス磁界(0c0)を測定し、
(Hco)−x/ (Hco) s+Inを求めたとコ
ロ、これは1.5以上であり、このものはコラップス磁
界(He.)が大きく、そのバラ付きも大きいのでハー
ドバブルの存在するものであることが確認された。
[発明の効果] 本発明は回転数検出器などに有用とされる磁性ガーネッ
ト材料に関するもので、これは前記したように飽和磁化
(4πMs)をx (G)とし、バブル径をy(μff
l)としたときの(x,y)値を第1図に示したA (
300G,  6μm) ,  B (600G,  
1 am) ,C (700G,  1 un) , 
D (400G, 6μm)の4点で囲まれた範囲内に
あるものとするというものであり、このものはバブルの
動作マージン幅が従来のものにくらべて大巾に拡大され
たものになるし、これはまたその表面にYIGなどの膜
を面内磁化膜として形成させたものはハードバブルのな
いものとなるので、この磁性ガーネット材料は回転数検
出器などに有用なものになるという工業的な有益性が与
えられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は磁性ガーネット材料の飽和磁化(4πMs)と
バブル径との相関を示したグラフであり、図中のA,B
,C,Dで囲まれた範囲は本発明の磁性ガーネット材料
の範囲を示し、図中のE, Fは実施例1.2の点、G
,Hは比較例1.2の点を示したものである。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.磁気バブル保持可能な磁気ガーネット膜において、
    飽和磁化(4πMs)をx(G)とし、バブル径をy(
    μm)とした(x,y)が、第1図においてA(300
    G,6μm),B(600G,1μm),C(700G
    ,1μm),D(400G,6μm)の4点で囲まれた
    範囲にあることを特徴とする磁性ガーネット材料。
  2. 2.磁性ガーネット膜が基板結晶上に形成されてなるも
    のである請求項1に記載の磁性ガーネット材料。
  3. 3.磁性ガーネット膜上に面内磁化膜が形成されてなる
    請求項1または2に記載の磁性ガーネット材料。
  4. 4.磁性ガーネット膜が式(YSmLuCa)_3(F
    eGe)_5O_1_2で示されるものである請求項1
    ,2または3に記載の磁性ガーネット材料。
  5. 5.面内磁化膜が式Y_3Fe_5O_1_2で示され
    るものである請求項3に記載の磁性ガーネット材料。
  6. 6.式Y_3Fe_5O_1_2が液相エピタキシャル
    法で形成されたものである請求項5に記載の磁性ガーネ
    ット材料。
JP1241472A 1989-09-18 1989-09-18 磁性ガーネット材料 Pending JPH03104104A (ja)

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