JPH03102845A - 検査方法及び検査システム - Google Patents
検査方法及び検査システムInfo
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- JPH03102845A JPH03102845A JP23994289A JP23994289A JPH03102845A JP H03102845 A JPH03102845 A JP H03102845A JP 23994289 A JP23994289 A JP 23994289A JP 23994289 A JP23994289 A JP 23994289A JP H03102845 A JPH03102845 A JP H03102845A
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- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ワーク上における欠陥等を検査，分析，観察
を行なう製造途中に行う検査装置に関する。
を行なう製造途中に行う検査装置に関する。
半一淳体装置を製造する過程において、現在、様々な検
査が行われている。検査を行う装置として例えば、ウェ
ハ上に付着した異物を検出し、その大きさ、ウエハ上の
座標を測定する異物検査装置、ウェハ上のパターン欠陥
等外観不良を検出し、大きさ、ウェハ上の位置を測定し
，該外観不良を顕微鏡を用いて作業者が＆Ｉ１察する外
観検査装置、微小異物の元素組戊を分析する元素分析装
置、微小異物やパターン欠陥を＆Ｉ１察する走査型電子
顕微鏡（以下セムと略す）、有機異物の同定が行える螢
光顕微鏡、ウエハ上の特定の位置の膜圧を測定する膜圧
測定装置等がある。こうしした中で、一台の装置で異物
を検出し，その元素分析を行い、セム観察できる装置が
日立評論１９８９年５月号、ｖｏ１７１．８３頁から８
８頁に述べられている。
査が行われている。検査を行う装置として例えば、ウェ
ハ上に付着した異物を検出し、その大きさ、ウエハ上の
座標を測定する異物検査装置、ウェハ上のパターン欠陥
等外観不良を検出し、大きさ、ウェハ上の位置を測定し
，該外観不良を顕微鏡を用いて作業者が＆Ｉ１察する外
観検査装置、微小異物の元素組戊を分析する元素分析装
置、微小異物やパターン欠陥を＆Ｉ１察する走査型電子
顕微鏡（以下セムと略す）、有機異物の同定が行える螢
光顕微鏡、ウエハ上の特定の位置の膜圧を測定する膜圧
測定装置等がある。こうしした中で、一台の装置で異物
を検出し，その元素分析を行い、セム観察できる装置が
日立評論１９８９年５月号、ｖｏ１７１．８３頁から８
８頁に述べられている。
該装置の様に、特定の検査装置を接続する場合、各装置
のウェハ上の検査対象を記述する座標系が予め判明して
いる為、検査対象の座標を変換することは、特に問題と
ならなかった。
のウェハ上の検査対象を記述する座標系が予め判明して
いる為、検査対象の座標を変換することは、特に問題と
ならなかった。
しかし，不良の発生原囚を究明する為には、各々の不良
に応じた検査をせねばならない。ここでもし２つの検査
装置間の座標データを変換するには、１０Ｍｉ類の検査
装置がありそれぞれ異なった座標系を有していたならば
全部で９０通りの座標変換手段を管理しなければならな
い。従って検査データの総合解析システムを構築する場
合，有効な座標変換手段を確立する必要がある。
に応じた検査をせねばならない。ここでもし２つの検査
装置間の座標データを変換するには、１０Ｍｉ類の検査
装置がありそれぞれ異なった座標系を有していたならば
全部で９０通りの座標変換手段を管理しなければならな
い。従って検査データの総合解析システムを構築する場
合，有効な座標変換手段を確立する必要がある。
本発明の目的は上記の問題点を解決することにある。
第１の手段として上記目的を達或するために、ウェハに
対し標準とする座標系（以下標準座標系と呼ぶ）を設定
し、各検査装置に標準座標系と各検査装置固有の座標系
の変換部を持たせる。そして検査装置における検査対象
の座標の入出力を標準座標系に従って行う。第２の手段
としてすべての検査装置の検査、分析をＩ準座標系に基
づいて行えるよう検査装置の規格を統一する。
対し標準とする座標系（以下標準座標系と呼ぶ）を設定
し、各検査装置に標準座標系と各検査装置固有の座標系
の変換部を持たせる。そして検査装置における検査対象
の座標の入出力を標準座標系に従って行う。第２の手段
としてすべての検査装置の検査、分析をＩ準座標系に基
づいて行えるよう検査装置の規格を統一する。
第１の手段によれば，座標データの入出力の際は，各装
置の固有の座標系と４１１座標系の間の座標変換を行う
だけである。従って例えば１０種類の検査装置がありそ
れぞれ異なった座標系を有していたならば２０種類の座
標変換手段を管理するだけで良い。
置の固有の座標系と４１１座標系の間の座標変換を行う
だけである。従って例えば１０種類の検査装置がありそ
れぞれ異なった座標系を有していたならば２０種類の座
標変換手段を管理するだけで良い。
第２の手段によれば、座標変換を行う必要性は一切ない
。
。
実施例１．
本発明を半導体装置製造を例に説明する。半導体装置は
ウェハ上で或膜、感光、エッチング等の工程を繰返し行
い、回路パターンを形成し製造する。ウェハ上での加工
を前工程と呼ぶ。第１図に示すようにウェハが前工程の
製造工程１００１から１００６を流れる間に、検査工程
１００７、１００８で検査を行う。第１図中央の省略部
２０００には複数の検査工程と製造工程が存在している
。作業者が検査結果を正確にかつ誤りなく認識するため
に検査工程１００７における出力１００９と検査工程１
００８における出力１０１０が同一の座標系で記述され
ていなければならない。
ウェハ上で或膜、感光、エッチング等の工程を繰返し行
い、回路パターンを形成し製造する。ウェハ上での加工
を前工程と呼ぶ。第１図に示すようにウェハが前工程の
製造工程１００１から１００６を流れる間に、検査工程
１００７、１００８で検査を行う。第１図中央の省略部
２０００には複数の検査工程と製造工程が存在している
。作業者が検査結果を正確にかつ誤りなく認識するため
に検査工程１００７における出力１００９と検査工程１
００８における出力１０１０が同一の座標系で記述され
ていなければならない。
検査を行う装置として例えば、ウエハ上に付着した異物
を検出し，その大きさ、ウエハ上の座標を測定する異物
検査装置、ウェハ上のパターン欠陥等外観不良を検出し
、大きさ，ウエハ上の位置を測定し、該外観不良を顕微
鏡を用いて作業者がＷｔ察する外観検査装置，微小異物
の元素組成を分析する元素分析装置（エネルギー分散型
Ｘ線分析装置等が適当である。）、微小異物やパターン
欠陥をＭ察する走査型電子顕微鏡（以下セムと略す）、
有機異物の同定が行える有機物分析装置（フーリ工変換
型赤外分光装置等が適当である。）、ウェハ上の特定の
位置の膜圧を測定する膜圧測定装置、不純物や膜の組或
を調べる蛍光Ｘ線分析装置がある。異物検査装置、外観
検査装置は検査結果の一つとして、検査対象のウェハ上
の座標を出力する。
を検出し，その大きさ、ウエハ上の座標を測定する異物
検査装置、ウェハ上のパターン欠陥等外観不良を検出し
、大きさ，ウエハ上の位置を測定し、該外観不良を顕微
鏡を用いて作業者がＷｔ察する外観検査装置，微小異物
の元素組成を分析する元素分析装置（エネルギー分散型
Ｘ線分析装置等が適当である。）、微小異物やパターン
欠陥をＭ察する走査型電子顕微鏡（以下セムと略す）、
有機異物の同定が行える有機物分析装置（フーリ工変換
型赤外分光装置等が適当である。）、ウェハ上の特定の
位置の膜圧を測定する膜圧測定装置、不純物や膜の組或
を調べる蛍光Ｘ線分析装置がある。異物検査装置、外観
検査装置は検査結果の一つとして、検査対象のウェハ上
の座標を出力する。
またセム，元素分析装置、有機分析装置、膜圧測定装置
，蛍光Ｘ線分析装置は、検査対象のウェハ上の座標を入
力し、該座標において、検査，測定した結果と検査対象
の座標を併せて出力する。
，蛍光Ｘ線分析装置は、検査対象のウェハ上の座標を入
力し、該座標において、検査，測定した結果と検査対象
の座標を併せて出力する。
前記の異物検査装置、外観検査装置、セム、元素分析装
置、有機分析装置、膜圧測定装置．蛍光Ｘ線分析装置は
ウェハに対して独自に座標系を設定している。従って異
物検査装置、外観検査装置、セム、元素分析装置、有機
分析装置、膜圧測定装置，蛍光Ｘ，１分析装置の検査結
果の中から２つ以上の検査結果を比較、解析する場合は
、座標変換を行なう必要がある。
置、有機分析装置、膜圧測定装置．蛍光Ｘ線分析装置は
ウェハに対して独自に座標系を設定している。従って異
物検査装置、外観検査装置、セム、元素分析装置、有機
分析装置、膜圧測定装置，蛍光Ｘ，１分析装置の検査結
果の中から２つ以上の検査結果を比較、解析する場合は
、座標変換を行なう必要がある。
該座標変換を効率的に行う第一の例として一台の装置で
異物を検出し、その元素分析を行い、セム観察できる装
置が日立評論１９８９年５月号、ｖｏ１７１．８３頁か
ら８８頁に述べられている。
異物を検出し、その元素分析を行い、セム観察できる装
置が日立評論１９８９年５月号、ｖｏ１７１．８３頁か
ら８８頁に述べられている。
該装置は装Ｉｄ内に座標変換手段を設けてある。
また、第２の例として異物検査装置と外観検査装置にお
いて座標系を統一し、座標変換の手間を省いた例が特許
出願番号ＮＮＮＮＮＮに記載されている。
いて座標系を統一し、座標変換の手間を省いた例が特許
出願番号ＮＮＮＮＮＮに記載されている。
前記第１と第２の座標変換の例ではいずれも特定の装置
間の座標変換を行っている。
間の座標変換を行っている。
次に第３の例を示す。該例においては作業者は、対象と
する検査装置に関らず常に標準座標系に基づいて、デー
タ処理が出来る。また新規に検査装置を導入した場合で
も、作業者は該特定の標準座標系に基づいて、データ処
理が出来る。
する検査装置に関らず常に標準座標系に基づいて、デー
タ処理が出来る。また新規に検査装置を導入した場合で
も、作業者は該特定の標準座標系に基づいて、データ処
理が出来る。
検査装置のウェハに対する座標の設定の仕方の例を第２
図に示す。主に加工を加える面をおもてと定義する。第
２図はおちて見た図である。第２図（ａ）はウェハ１０
１１上のチップ配列１０１４のオリフラ側の一辺をＸ軸
１０１２とし、左側の一辺をＹ軸１０１３とする。第２
図（ｂ）はウェハ１０１５上のチップ配列１０１８のト
ップ側の一辺をＸ軸１０１６とし、右側の一辺をＹ軸１
ｏ１７とする。第２図（ｃ）はオリフラをＸ軸１０２０
とし、ウェハの左側に接しＸ軸に垂直な直線をＹ＊ｌｌ
ｌ１０２１とする。原点はどの座標系もＸ軸とＹ軸の交
点である。第２図（ａ），（ｂ），（ｃ）の座標系の座
標番号をＣｌ，Ｃ２，Ｃ３とする。
図に示す。主に加工を加える面をおもてと定義する。第
２図はおちて見た図である。第２図（ａ）はウェハ１０
１１上のチップ配列１０１４のオリフラ側の一辺をＸ軸
１０１２とし、左側の一辺をＹ軸１０１３とする。第２
図（ｂ）はウェハ１０１５上のチップ配列１０１８のト
ップ側の一辺をＸ軸１０１６とし、右側の一辺をＹ軸１
ｏ１７とする。第２図（ｃ）はオリフラをＸ軸１０２０
とし、ウェハの左側に接しＸ軸に垂直な直線をＹ＊ｌｌ
ｌ１０２１とする。原点はどの座標系もＸ軸とＹ軸の交
点である。第２図（ａ），（ｂ），（ｃ）の座標系の座
標番号をＣｌ，Ｃ２，Ｃ３とする。
１＋Ｊを座標番号に対する指数として座標系ＣｉからＣ
ｊへ変換する変換手段ＦはＣｉとＣｊを見出しとしても
ちＦ （ Ｃ ｘ ＋ Ｃ ｊ）として表記する。ここ
でＣｉとＣｊの順序は意味を持つ。座標変換方法自体は
公知であるので簡単に説明する。
ｊへ変換する変換手段ＦはＣｉとＣｊを見出しとしても
ちＦ （ Ｃ ｘ ＋ Ｃ ｊ）として表記する。ここ
でＣｉとＣｊの順序は意味を持つ。座標変換方法自体は
公知であるので簡単に説明する。
変換方法はベクトル記法を用いて
Ｆ （Ｃｉ，Ｃｊ）： Ｊ＝Ｔ＋Ｒ （−０’）Ｉとな
る。記号を第３図を用いて説明する。座標系ＣｉはＸ軸
が１０２３、Ｙ軸が１０２４、原点が１１０３である。
る。記号を第３図を用いて説明する。座標系ＣｉはＸ軸
が１０２３、Ｙ軸が１０２４、原点が１１０３である。
座標系ＣｊはＸ軸が工０２５、Ｙ軸が工０２６、原点Ｏ
が１１０４である。ここでＩ１０２７，Ｊ１０２８は座
標系Ｃｉ，Ｃｊでの検査対象を示す座標ベクトル、Ｔ１
０２９は座標系の原点から見た座標系の原点の位置ベク
トル、０１０３０は座標系Ｃｉ，ＣｊのＸ軸のなす角で
ある。Ｒ（θ）は回転角θの回転変換を表す行列である
。
が１１０４である。ここでＩ１０２７，Ｊ１０２８は座
標系Ｃｉ，Ｃｊでの検査対象を示す座標ベクトル、Ｔ１
０２９は座標系の原点から見た座標系の原点の位置ベク
トル、０１０３０は座標系Ｃｉ，ＣｊのＸ軸のなす角で
ある。Ｒ（θ）は回転角θの回転変換を表す行列である
。
ここで、標準座標系ＣＮを導入する。第４図に示す様に
検査装置１０３２に座標変換部１０３３を持たせる。該
座標変換部は外部入出力部１０３４と接続されている。
検査装置１０３２に座標変換部１０３３を持たせる。該
座標変換部は外部入出力部１０３４と接続されている。
該検査装置が座標番号Ｃｉの座標系を有している場合、
変換方法は出力時Ｆ（ｃｉ，ＣＮ）−入力時Ｆ （ＣＮ
，Ｃｉ）とかける。作業者はデータ整理作業や検査装置
に対するデータの入出力をすべて標準座標系に基づいて
行なう．ＣＮはＣｌ，Ｃ２，Ｃ３のどれかに一致してい
てもよいし、一致していなくとも良いが、もともと採用
している座標系がＣＮと一致している検査装置なら座標
変換部は必要としない。従って標準座標系はＣｌ，Ｃ２
，Ｃ３のうち最も多くの検査装置に採用されているもの
を選ぶと座標変換部を取付ける労力が省ける。
変換方法は出力時Ｆ（ｃｉ，ＣＮ）−入力時Ｆ （ＣＮ
，Ｃｉ）とかける。作業者はデータ整理作業や検査装置
に対するデータの入出力をすべて標準座標系に基づいて
行なう．ＣＮはＣｌ，Ｃ２，Ｃ３のどれかに一致してい
てもよいし、一致していなくとも良いが、もともと採用
している座標系がＣＮと一致している検査装置なら座標
変換部は必要としない。従って標準座標系はＣｌ，Ｃ２
，Ｃ３のうち最も多くの検査装置に採用されているもの
を選ぶと座標変換部を取付ける労力が省ける。
本実施例では座標系としてＣｌ，Ｃ２，Ｃ３を例示した
が、他の異なる座標系Ｃｘが導入されても，座標系Ｃｘ
を採用している検査装置に同様に座標変換部を設置し、
入力時にＦ （Ｃｘ，ＣＮ），出力時にＦ （ＣＮ，Ｃ
ｘ）を行えばよい。
が、他の異なる座標系Ｃｘが導入されても，座標系Ｃｘ
を採用している検査装置に同様に座標変換部を設置し、
入力時にＦ （Ｃｘ，ＣＮ），出力時にＦ （ＣＮ，Ｃ
ｘ）を行えばよい。
実施例２．
実施例ｌに説明した半導体装置構造ラインにおいて、す
べての検査装置における座標系を標準座標系で統一する
。本実施例では実施例１の第４図に示す座標変換部は必
要ない。
べての検査装置における座標系を標準座標系で統一する
。本実施例では実施例１の第４図に示す座標変換部は必
要ない。
実施例３．
磁気ディスク製造における検査の際の、標準座標系の設
定の仕方の一実施例を述べる。
定の仕方の一実施例を述べる。
まず磁気ディスク１０３５のおもて面定義し、おもてか
ら見たときに第５図に示すように、内周部のｌケ所１０
３８にマークを付け、中心１０３９と該マークを結ぶ半
直線を基準線１０３７とし、対象Ａ１０４０の基準線か
らの角度１０４１を用いて２次元極座標系を設定する。
ら見たときに第５図に示すように、内周部のｌケ所１０
３８にマークを付け、中心１０３９と該マークを結ぶ半
直線を基準線１０３７とし、対象Ａ１０４０の基準線か
らの角度１０４１を用いて２次元極座標系を設定する。
該標増座標系を基に実施例１または実施例２でのべた座
標系゛の管理方法を適用する。
標系゛の管理方法を適用する。
実施例４．
薄膜回路基板製造における検査の際の、標準座標系の設
定の仕方の一実施例を述べる。
定の仕方の一実施例を述べる。
まず基板１０４５のおもて面定義し，おもてから見たと
きに第６図に示す様に下の辺をＸ軸工０４３、左の辺を
Ｙｉｌｌｌｌ０４４、Ｘ軸とＹ軸の交点を原点０１１０
５をとする。本実施例は薄膜回路基板に限らず、ワーク
が概ね４角形である場合に適用可能である。該標準座標
系を基に実施例工または実施例２でのべた座標系の管理
方法を適用する。
きに第６図に示す様に下の辺をＸ軸工０４３、左の辺を
Ｙｉｌｌｌｌ０４４、Ｘ軸とＹ軸の交点を原点０１１０
５をとする。本実施例は薄膜回路基板に限らず、ワーク
が概ね４角形である場合に適用可能である。該標準座標
系を基に実施例工または実施例２でのべた座標系の管理
方法を適用する。
本発明によりａｉｌ座標系で入出力できるようになった
ので、座標変換をわざわざ行う必要はなくなった。その
ためデータ解析の労力が低減される。
ので、座標変換をわざわざ行う必要はなくなった。その
ためデータ解析の労力が低減される。
また、装置固有の座標系と標準座標系の間の変換を行う
座標変換手段のみ管理すればよい。従って座標変換手段
を選択する際の不注意な誤りを防ぐと共に、管理すべき
座標変換手段を減らし、検査システムの保守性を向上さ
せる。
座標変換手段のみ管理すればよい。従って座標変換手段
を選択する際の不注意な誤りを防ぐと共に、管理すべき
座標変換手段を減らし、検査システムの保守性を向上さ
せる。
標系の説明図、第４図は座標変換部の説明図、第５図は
磁気ディスクの外周と内周を表わす説明図、第６図は座
標説明図である。 １００１〜１００６・・・製造工程、 １００７．１００８・・・検査工程、 １００９・・・出力、 ２０００・・・省酩部。
磁気ディスクの外周と内周を表わす説明図、第６図は座
標説明図である。 １００１〜１００６・・・製造工程、 １００７．１００８・・・検査工程、 １００９・・・出力、 ２０００・・・省酩部。
Claims (1)
- １、ワーク上の検査対象の座標系を入出力する検査装置
において、検査部と座標変換部と入出力部からなること
を特徴とする検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1239942A JP2993683B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 検査方法及び検査システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1239942A JP2993683B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 検査方法及び検査システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102845A true JPH03102845A (ja) | 1991-04-30 |
| JP2993683B2 JP2993683B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=17052113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1239942A Expired - Fee Related JP2993683B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 検査方法及び検査システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2993683B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5375364A (en) * | 1992-07-16 | 1994-12-27 | Daiwa Seiko, Inc. | Fishing rod |
| EP0727660A2 (en) * | 1995-02-14 | 1996-08-21 | Seiko Instruments Inc. | Analyzing method and apparatus for minute foreign substances, and manufacturing methods for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device using the same |
| WO1998001903A1 (fr) * | 1996-07-09 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un composant de circuit integre a semi-conducteur |
| JP2002214757A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-07-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 測定データの補正方法および測定処理装置 |
| WO2005103658A1 (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-03 | Olympus Corporation | 欠陥検査装置およびそれを用いた基板製造システム |
| JP2007147366A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体パターン形状評価装置および形状評価方法 |
| JP2007300003A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハの検査システム及び検査方法 |
| JP2014117209A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Shimano Inc | 釣竿用グリップ |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1239942A patent/JP2993683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5375364A (en) * | 1992-07-16 | 1994-12-27 | Daiwa Seiko, Inc. | Fishing rod |
| EP0727660A2 (en) * | 1995-02-14 | 1996-08-21 | Seiko Instruments Inc. | Analyzing method and apparatus for minute foreign substances, and manufacturing methods for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device using the same |
| WO1998001903A1 (fr) * | 1996-07-09 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un composant de circuit integre a semi-conducteur |
| JP2002214757A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-07-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 測定データの補正方法および測定処理装置 |
| WO2005103658A1 (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-03 | Olympus Corporation | 欠陥検査装置およびそれを用いた基板製造システム |
| JPWO2005103658A1 (ja) * | 2004-04-22 | 2008-03-13 | オリンパス株式会社 | 欠陥検査装置およびそれを用いた基板製造システム |
| US7372062B2 (en) | 2004-04-22 | 2008-05-13 | Olympus Corporation | Defect inspection device and substrate manufacturing system using the same |
| JP2007147366A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体パターン形状評価装置および形状評価方法 |
| JP4634289B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2011-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体パターン形状評価装置および形状評価方法 |
| JP2007300003A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハの検査システム及び検査方法 |
| JP2014117209A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Shimano Inc | 釣竿用グリップ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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