JPH0298194A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPH0298194A JPH0298194A JP25063588A JP25063588A JPH0298194A JP H0298194 A JPH0298194 A JP H0298194A JP 25063588 A JP25063588 A JP 25063588A JP 25063588 A JP25063588 A JP 25063588A JP H0298194 A JPH0298194 A JP H0298194A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- region
- wiring
- integrated circuit
- insulating layer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、集積回路に関し、特に配線層の平坦な集積回
路に関する。
路に関する。
［従来の技術］
従来、この種の集積回路は、第３図に示すようになって
いた。
いた。
即ち、信号の配線を行なう際に、まず絶縁層上に全屈や
ポリシリコン等により信号の配線パターン８を引き、更
にその上に絶縁層を重ねるようにしており、この配線パ
ターン８上に重ねた絶縁層の上に更に配線層を作るよう
にしていた。
ポリシリコン等により信号の配線パターン８を引き、更
にその上に絶縁層を重ねるようにしており、この配線パ
ターン８上に重ねた絶縁層の上に更に配線層を作るよう
にしていた。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の集積回路にあっては、絶縁層４上に配線
パターン８を引き、その上に絶縁層を重ねることとして
いたため、配線パターン８により絶縁層の表面に凹凸が
できてしまうために、その上に配線層を作る際に凹凸に
より配線が細いと切れてしまうこととなり、配線を細く
できないなど集積回路の微細化への問題、信頼性の低下
等の欠点があった。
パターン８を引き、その上に絶縁層を重ねることとして
いたため、配線パターン８により絶縁層の表面に凹凸が
できてしまうために、その上に配線層を作る際に凹凸に
より配線が細いと切れてしまうこととなり、配線を細く
できないなど集積回路の微細化への問題、信頼性の低下
等の欠点があった。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記課題を解決するためになしたもので、そ
の解決手段として本発明の集積回路は、素子領域を有す
るサブストリートと、該サブストリート上に形成したス
ルーホール付きの絶縁層と、該絶縁層上に形成した半導
体層とを備え、該半導体層は不純物拡散により電気的に
分離したＮ型配線領域とＰ型分離層領域とを備える構成
としている。
の解決手段として本発明の集積回路は、素子領域を有す
るサブストリートと、該サブストリート上に形成したス
ルーホール付きの絶縁層と、該絶縁層上に形成した半導
体層とを備え、該半導体層は不純物拡散により電気的に
分離したＮ型配線領域とＰ型分離層領域とを備える構成
としている。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例に係る集積回路を示す斜視図
であり、第２図はその断面図であるにの集積回路は、サ
ブストリート６と、絶縁層４と、半導体層３とを備える
。
であり、第２図はその断面図であるにの集積回路は、サ
ブストリート６と、絶縁層４と、半導体層３とを備える
。
サブストリート６は、その上面側に面一に素子領域５を
有している。
有している。
絶縁層４は、サブストリート６上に形成しである。この
絶縁層４には、スルーホール７が形成して適宜の位置で
素子領域と接続可源となっている。
絶縁層４には、スルーホール７が形成して適宜の位置で
素子領域と接続可源となっている。
半導体層３は、絶縁層４上に形成してあり、この絶縁層
４によってサブストリート６の素子領域５と絶縁される
ようになっている。この半導体層３は配線層とされるも
ので、不純物拡散により電気的に分離したＮ型配線領域
ｌとＰ型分離層領域２とを備える。
４によってサブストリート６の素子領域５と絶縁される
ようになっている。この半導体層３は配線層とされるも
ので、不純物拡散により電気的に分離したＮ型配線領域
ｌとＰ型分離層領域２とを備える。
即ち、素子領域５上にＮ型配線領域ｌを絶縁するための
絶縁層４を設け、Ｎ型配線領域ｌと素子領域５の素子と
を接続するためのスルーホール６をあける。また、絶縁
層４の上に配線層とするための半導体層３（ポリシリコ
ン等）を形成し、この半導体層３の配線とすべき部分に
型不純物を拡散しＮ型配線領域１をつくり、他の部分に
Ｐ型不純物を拡散しＰ型分離層領域２をつくる。Ｐ型分
離層領域２には、Ｐ型のサブストリート６に印加する集
積回路の最低電位と同様の電位を印加する。これにより
Ｎ型配線領域１は、他の配線領域と分離される。この配
線は、半導体層３の中に拡散により作られているために
、配線層としての表面の凹凸を少なくすることができる
。
絶縁層４を設け、Ｎ型配線領域ｌと素子領域５の素子と
を接続するためのスルーホール６をあける。また、絶縁
層４の上に配線層とするための半導体層３（ポリシリコ
ン等）を形成し、この半導体層３の配線とすべき部分に
型不純物を拡散しＮ型配線領域１をつくり、他の部分に
Ｐ型不純物を拡散しＰ型分離層領域２をつくる。Ｐ型分
離層領域２には、Ｐ型のサブストリート６に印加する集
積回路の最低電位と同様の電位を印加する。これにより
Ｎ型配線領域１は、他の配線領域と分離される。この配
線は、半導体層３の中に拡散により作られているために
、配線層としての表面の凹凸を少なくすることができる
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の集積回路は、素子領域を有
するサブストリートと、該サブストリート上に形成した
スルーホール付きの絶縁層と、該絶縁層上に形成した半
導体層とを備え、該半導体層は不純物拡散により電気的
に分離したＮ型配線領域とＰ型分＃層領域とを備える構
成としたため、配線層の表面の平坦化、及び平坦化がな
し得、これにより集積回路の信頼性の向上、微細化がで
きる効果がある。
するサブストリートと、該サブストリート上に形成した
スルーホール付きの絶縁層と、該絶縁層上に形成した半
導体層とを備え、該半導体層は不純物拡散により電気的
に分離したＮ型配線領域とＰ型分＃層領域とを備える構
成としたため、配線層の表面の平坦化、及び平坦化がな
し得、これにより集積回路の信頼性の向上、微細化がで
きる効果がある。
第１図は本発明の一実施例に係る集積回路を示す斜視図
、第２図はその断面図、第３図は従来の集積回路の配線
パターンを示す斜視図である。 ｌ二Ｎ型配線領域 ２：Ｐ要分ｇＩ層領域 ４：絶縁層 ５：素子領域 ６：サブストリート ７：スルーホール ８：配線パターン
、第２図はその断面図、第３図は従来の集積回路の配線
パターンを示す斜視図である。 ｌ二Ｎ型配線領域 ２：Ｐ要分ｇＩ層領域 ４：絶縁層 ５：素子領域 ６：サブストリート ７：スルーホール ８：配線パターン
Claims (1)
- 素子領域を有するサブストリートと、該サブストリー
ト上に形成したスルーホール付きの絶縁層と、該絶縁層
上に形成した半導体層とを備え、該半導体層は不純物拡
散により電気的に分離したＮ型配線領域とＰ型分離層領
域とを備えることを特徴とする集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25063588A JPH0298194A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25063588A JPH0298194A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298194A true JPH0298194A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17210788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25063588A Pending JPH0298194A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298194A (ja) |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP25063588A patent/JPH0298194A/ja active Pending
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