JPH0296764A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0296764A JPH0296764A JP25021488A JP25021488A JPH0296764A JP H0296764 A JPH0296764 A JP H0296764A JP 25021488 A JP25021488 A JP 25021488A JP 25021488 A JP25021488 A JP 25021488A JP H0296764 A JPH0296764 A JP H0296764A
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- resist
- heating
- pattern
- forming method
- pattern forming
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造等のりソゲラフイエ程におけるパ
ターン形成方法に関する。
ターン形成方法に関する。
従来の技術
半導体製造におけるリングラフィ工程においては、微細
で形状の良いレジストハターンを形成する。ことが最も
重安となる。
で形状の良いレジストハターンを形成する。ことが最も
重安となる。
しかし、一般に現在行なわれているプレベーク（１００
℃前後）で紫外線〔ｑ線（４３６ｎｍ）。
℃前後）で紫外線〔ｑ線（４３６ｎｍ）。
ｉ線（３ｅｃｓｎｍ））などで口先し、現像したパター
ンにおいては、テーバ−（すそ広がり）がつく。特に微
細パターンにおいてはテーパー角度が大きく、次のエソ
チング工程において問題となることが多い。
ンにおいては、テーバ−（すそ広がり）がつく。特に微
細パターンにおいてはテーパー角度が大きく、次のエソ
チング工程において問題となることが多い。
第２図を用いて、このような従来の技術についてのパタ
ーン形成方法を示すアルミ配線の形成された半導体基板
１上にボジレジス）（ＭＰ’３−１４００Ｄ２シブレイ
社）２を１．７μｍ厚となるように形成する（第２ ！
Ｎ（ａ） ）。次に、ホットプレー１で加熱し、有機溶
媒を蒸発させる（第２図（ｂ））。
ーン形成方法を示すアルミ配線の形成された半導体基板
１上にボジレジス）（ＭＰ’３−１４００Ｄ２シブレイ
社）２を１．７μｍ厚となるように形成する（第２ ！
Ｎ（ａ） ）。次に、ホットプレー１で加熱し、有機溶
媒を蒸発させる（第２図（ｂ））。
次に、ｑａ（４３ｅｎｍ）光４をマスク６を介して、選
択的に露光する。なお、このときの露光装置は縮小投影
露光装置を使った（第２図（Ｃ））。最後にアルカリ現
像液（ＭＰＳ１ ｅ ニジプレイ社）により６０秒間の
パドル現像を行い、パターン２Ｂを形成した（第２図（
ｄ））。
択的に露光する。なお、このときの露光装置は縮小投影
露光装置を使った（第２図（Ｃ））。最後にアルカリ現
像液（ＭＰＳ１ ｅ ニジプレイ社）により６０秒間の
パドル現像を行い、パターン２Ｂを形成した（第２図（
ｄ））。
発明が解決しようとする課題
ところが、パター ：ｙ ２ Ｂは、０．６−０．７
／ｊｍのラインアンドスペースではあったが、光の回折
により１６％程度の膜減り、とテーパー角度が大きいパ
ターンであった。このようなパターンは後工程であるエ
ツチングなどにおいて寸法変動の原因となり、半導体素
子製造の歩留まり低下の要因となることから危惧すべき
問題であった。
／ｊｍのラインアンドスペースではあったが、光の回折
により１６％程度の膜減り、とテーパー角度が大きいパ
ターンであった。このようなパターンは後工程であるエ
ツチングなどにおいて寸法変動の原因となり、半導体素
子製造の歩留まり低下の要因となることから危惧すべき
問題であった。
本発明は従来のパターン形成方法におけるパターン形状
の劣化を容易に解決することを目的とする。
の劣化を容易に解決することを目的とする。
課題を解決するだめの手段
本発明は、従来の問題点を解決するために、レジスト塗
布後、露光し、さらに低温加熱を加えた後、現像するこ
とによって膜減りの少ない垂直なパターンを形成する方
法である。
布後、露光し、さらに低温加熱を加えた後、現像するこ
とによって膜減りの少ない垂直なパターンを形成する方
法である。
作 用
本発明による露光後、低温加熱を加えることによって感
度が上がり、テーパー角がなくなるという現像が生じる
。これは低温加熱によって基板付近のレジストの感光基
が壊われ、レジストのアルカリ溶解阻止剤としての役割
がなくなり、レジスト上部に比べて溶けやすくなったと
考えられる。
度が上がり、テーパー角がなくなるという現像が生じる
。これは低温加熱によって基板付近のレジストの感光基
が壊われ、レジストのアルカリ溶解阻止剤としての役割
がなくなり、レジスト上部に比べて溶けやすくなったと
考えられる。
よって全体として感度が上がりレジストの特性として用
いられるγ値も上昇し、結局テーパーも少なくなる。
いられるγ値も上昇し、結局テーパーも少なくなる。
実施例
第３図はレジスト〔ＭＰＳ１４００Ｄ２（ジノプレー）
〕のアルミ上のエネルギー特性である。
〕のアルミ上のエネルギー特性である。
露光後の低温加熱時間を長くすればするほど、感度が上
がり、曲線の傾きが大きくなる（レジストのコントラス
トが向上する）ことがわかる。また低温で加熱する利点
として長時間加熱しても膜厚の変動が少ないこと、マス
クリニアリティ、焦点深度が高温の加熱よりも良くなる
ことがあげられる。これは、高温の加熱によりレジスト
中での架橋が生じるための悪作用であると考えられる。
がり、曲線の傾きが大きくなる（レジストのコントラス
トが向上する）ことがわかる。また低温で加熱する利点
として長時間加熱しても膜厚の変動が少ないこと、マス
クリニアリティ、焦点深度が高温の加熱よりも良くなる
ことがあげられる。これは、高温の加熱によりレジスト
中での架橋が生じるための悪作用であると考えられる。
なお、本発明における露光後加熱は、繕先前に行う最初
の加熱よυも低温で行えば、いずれの温度でも良く、た
とえば６℃から２６℃程度低いことが望ましい。加熱時
間に関しては、特に制限はなく、いずれの時間によって
も良好な結果が得られるが、たとえば、ホットプレート
加熱であれば、１０秒から１０分程度の間、オーブン加
熱であれば、１分から２時間程度の間が望ましい。もち
ろん、本発明は、これらの温度・時間に限定されるもの
ではない。
の加熱よυも低温で行えば、いずれの温度でも良く、た
とえば６℃から２６℃程度低いことが望ましい。加熱時
間に関しては、特に制限はなく、いずれの時間によって
も良好な結果が得られるが、たとえば、ホットプレート
加熱であれば、１０秒から１０分程度の間、オーブン加
熱であれば、１分から２時間程度の間が望ましい。もち
ろん、本発明は、これらの温度・時間に限定されるもの
ではない。
本発明の露光後加熱の方法としては、ホットプレート、
オーブン、熱風、熱接触など、又は、これらの混合によ
ることが挙げられるが、これらに限定されない。
オーブン、熱風、熱接触など、又は、これらの混合によ
ることが挙げられるが、これらに限定されない。
第１図を用いて本発明のパターン形成方法の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
表面にアルミ配線が形成された半導体等の基板１上にレ
ジｙ、） （ＭＰＳ １４００−Ｄ２）２を塗布し〔第
１図（ａ）〕、ホホットプレートで有機溶剤を蒸発させ
る（ １ｏｏｃ／ｙｙｒｉｎ）ＣＫ１図（ｂ） ）。次
にｑ砿ステッパー（ＮＡｏ、４５） を用いてマスク６
を介して紫外線（ｑ線光４３６ｎｍ）５で露光し〔第１
図（Ｃ）〕、ホットプレート４で１ｏｏ℃以下すなわち
９０℃、５Ｍ、加熱処理後〔第１図（ｄ）〕、現像液（
ＭＰＳ１９） でｅｏｓｅｃのレジスト２ ノ／＜ ）
’ ＃現像を行ってレジスト２の露光部を除去した〔第
１図（ｆｉ） ）、この結果ｏ、ｅ〜０．７μｍライン
・アンド・スペースで膜減りの少ない垂直なレジストパ
ターン形成が形成された。
ジｙ、） （ＭＰＳ １４００−Ｄ２）２を塗布し〔第
１図（ａ）〕、ホホットプレートで有機溶剤を蒸発させ
る（ １ｏｏｃ／ｙｙｒｉｎ）ＣＫ１図（ｂ） ）。次
にｑ砿ステッパー（ＮＡｏ、４５） を用いてマスク６
を介して紫外線（ｑ線光４３６ｎｍ）５で露光し〔第１
図（Ｃ）〕、ホットプレート４で１ｏｏ℃以下すなわち
９０℃、５Ｍ、加熱処理後〔第１図（ｄ）〕、現像液（
ＭＰＳ１９） でｅｏｓｅｃのレジスト２ ノ／＜ ）
’ ＃現像を行ってレジスト２の露光部を除去した〔第
１図（ｆｉ） ）、この結果ｏ、ｅ〜０．７μｍライン
・アンド・スペースで膜減りの少ない垂直なレジストパ
ターン形成が形成された。
発明の効果
本発明の方法によりリングラフィ工程におけるレジスト
パターン形成を良好な形状で得ることができ、またスル
ーグツトもさほど変わらず、容易に生産ラインに組み込
むことができ工業的価鍍が高い。
パターン形成を良好な形状で得ることができ、またスル
ーグツトもさほど変わらず、容易に生産ラインに組み込
むことができ工業的価鍍が高い。
第１図（４）〜（ｅ）は本発明の方法によるパターン形
成方法の一実施例の工程断面図、第２図（、）〜（ｄ）
は従来のパターン形成方法の工程断面図、第３図はレジ
ストのエネルギー特性と低温加熱の処理時間の関係を表
すグラフである。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ポジレジスト（Ｍ
ＰＳ１４００Ｄ２）、３−−−−−− ＊ ットグレー
ト（１００Ｃ）、４・・・・・・ホットグレート（９０
Ｃ）、６・・・・・紫外線ＣｑｌｉＡ光＝４３６ｎｍ）
、８・・・・・・マスク、２Ａ・・・・・・レジストパ
ターン。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 （＋００’Ｃ） ｌｌｌ命目シＵ シ”、）Ｋ工恒動
成方法の一実施例の工程断面図、第２図（、）〜（ｄ）
は従来のパターン形成方法の工程断面図、第３図はレジ
ストのエネルギー特性と低温加熱の処理時間の関係を表
すグラフである。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ポジレジスト（Ｍ
ＰＳ１４００Ｄ２）、３−−−−−− ＊ ットグレー
ト（１００Ｃ）、４・・・・・・ホットグレート（９０
Ｃ）、６・・・・・紫外線ＣｑｌｉＡ光＝４３６ｎｍ）
、８・・・・・・マスク、２Ａ・・・・・・レジストパ
ターン。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 （＋００’Ｃ） ｌｌｌ命目シＵ シ”、）Ｋ工恒動
Claims (3)
- （１）基板上にレジストを塗布し加熱する工程と、前記
レジストを露光する工程と、前記加熱よりも低温で加熱
処理する工程と、現像して前記レジストのパターンを形
成することを特徴とするパターン形成方法。 - （２）露光後、加熱処理する温度条件はプレベーク温度
よりも２６℃〜６℃低い範囲で１０秒以上加熱処理をす
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパタ
ーン形成方法。 - （３）露光後の加熱がホットプレート、オープン、熱風
、熱接触のいずれか又はこれらの混合により行われるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25021488A JPH0296764A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25021488A JPH0296764A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0296764A true JPH0296764A (ja) | 1990-04-09 |
Family
ID=17204524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25021488A Pending JPH0296764A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0296764A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153633A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-12 | レーム・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | Ｘ線レジストの製法 |
| JPS6381820A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP25021488A patent/JPH0296764A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153633A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-12 | レーム・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | Ｘ線レジストの製法 |
| JPS6381820A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
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