JPH029453B2 - - Google Patents
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- JPH029453B2 JPH029453B2 JP54069090A JP6909079A JPH029453B2 JP H029453 B2 JPH029453 B2 JP H029453B2 JP 54069090 A JP54069090 A JP 54069090A JP 6909079 A JP6909079 A JP 6909079A JP H029453 B2 JPH029453 B2 JP H029453B2
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- thin film
- conductor
- circuit
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- integrated circuit
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/016—Thin-film circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に導体が卑金属から成る薄膜回路基
板を備えた薄膜集積回路に関するものである。
板を備えた薄膜集積回路に関するものである。
絶縁性基板例えばアルミナ基板上に薄膜回路を
形成する場合、抵抗体金属として窒化タンタルを
導体金属薄膜としてアルミニウム、銅、金、等を
それぞれ使用して順次堆積する。次に化学または
物理蝕刻により非回路部分を除去する、続いて前
記薄膜回路基板上にトランジスタ、ダイオード、
コンデンサ等の外付部品を取付固定して薄膜集積
回路を完成する。
形成する場合、抵抗体金属として窒化タンタルを
導体金属薄膜としてアルミニウム、銅、金、等を
それぞれ使用して順次堆積する。次に化学または
物理蝕刻により非回路部分を除去する、続いて前
記薄膜回路基板上にトランジスタ、ダイオード、
コンデンサ等の外付部品を取付固定して薄膜集積
回路を完成する。
しかし導体薄膜としてアルミニウム、銅、等を
使用した場合は導体薄膜の表面が腐食されやすく
加熱すると酸化されやすい。このような導体薄膜
を使用した薄膜基板を使用した薄膜基板を加熱し
てペレツトマウントやワイヤーボンデングをすれ
ば、導体薄膜の表面が酸化され、ペレツトやボン
デングワイヤが導体薄膜と付かなかつたり、たと
え付いても密着性が悪く、剥れやすいためにペレ
ツトマウントやワイヤボンデングを要する薄膜集
積回路基板の導体薄膜としては上述のような酸化
されやすいアルミニウムや銅などを用いず、腐食
されずボンデイング性のよい金の如き貴金属が用
いられるのが一般的であつた。
使用した場合は導体薄膜の表面が腐食されやすく
加熱すると酸化されやすい。このような導体薄膜
を使用した薄膜基板を使用した薄膜基板を加熱し
てペレツトマウントやワイヤーボンデングをすれ
ば、導体薄膜の表面が酸化され、ペレツトやボン
デングワイヤが導体薄膜と付かなかつたり、たと
え付いても密着性が悪く、剥れやすいためにペレ
ツトマウントやワイヤボンデングを要する薄膜集
積回路基板の導体薄膜としては上述のような酸化
されやすいアルミニウムや銅などを用いず、腐食
されずボンデイング性のよい金の如き貴金属が用
いられるのが一般的であつた。
導体薄膜として金のような貴金属を用いたとき
貴金属の厚さはペレツトのマウント性、ボンデイ
ング性のみからではなく回路特性からも決められ
なければならず時として非常に厚く付けることも
要請され、そのため貴金属を用いた薄膜集積回路
は必然的に高価になるという欠点があつた。
貴金属の厚さはペレツトのマウント性、ボンデイ
ング性のみからではなく回路特性からも決められ
なければならず時として非常に厚く付けることも
要請され、そのため貴金属を用いた薄膜集積回路
は必然的に高価になるという欠点があつた。
導体薄膜回路に用いた貴金属の量を減すため導
体薄膜をアルミニウム、銅等を使用し、その上に
酸化を防止し、マウント、ボンデイング性を良好
にする目的で薄く金等の貴金属を被着するといつ
た導体層を多層にする場合がある。
体薄膜をアルミニウム、銅等を使用し、その上に
酸化を防止し、マウント、ボンデイング性を良好
にする目的で薄く金等の貴金属を被着するといつ
た導体層を多層にする場合がある。
しかしこの場合も貴金属を導体回路全体に被着
しているためやはり、高価な薄膜集積回路となる
欠点があつた。
しているためやはり、高価な薄膜集積回路となる
欠点があつた。
本発明は上述の欠点を除去するかまたは、軽減
するために改善された薄膜回路を提供するもので
ある。
するために改善された薄膜回路を提供するもので
ある。
即ち本発明の薄膜集積回路は、絶縁性基板上に
形成された抵抗体、導体等の薄膜回路において前
記導体が卑金属から成り、前記導体上の所望の領
域に貴金属が被着され、前記導体の残の領域には
絶縁被膜が被着された薄膜回路基板を備えている
ことを特徴とする。
形成された抵抗体、導体等の薄膜回路において前
記導体が卑金属から成り、前記導体上の所望の領
域に貴金属が被着され、前記導体の残の領域には
絶縁被膜が被着された薄膜回路基板を備えている
ことを特徴とする。
以下にこの発明の詳細を実施例を挙げて具体的
に説明する。
に説明する。
第１図ａ，ｂは本発明の薄膜集積回路の実施例
でその正面図、断面図である。
でその正面図、断面図である。
アルミナ基板１上に抵抗体として窒化タンタル
薄膜２を、接着性金属としてクロム薄膜３を、導
体として卑金属、銅薄膜４を順次堆積し非回路部
分を除去してアルミナ基板１上に薄膜回路パター
ンを形成する。つづいて薄膜回路パターン上に絶
縁被膜としてガラス膜６を堆積し、リード端子接
続用導体電極または外付部品を搭載したり、接続
する電極となる導体領域上のガラス膜６の領域に
窓を設け次に窓の部分に酸化されにくく、ペレツ
トマウント性、ボンデイング性の良い貴金属とし
て金属膜５を付着する。この金属膜５上に外付部
品としてトランジスタ等の半導体チツプ７をマウ
ント、ボンデイングし、その他の電気部品および
リード端子を接続して薄膜集積回路を完成する。
薄膜２を、接着性金属としてクロム薄膜３を、導
体として卑金属、銅薄膜４を順次堆積し非回路部
分を除去してアルミナ基板１上に薄膜回路パター
ンを形成する。つづいて薄膜回路パターン上に絶
縁被膜としてガラス膜６を堆積し、リード端子接
続用導体電極または外付部品を搭載したり、接続
する電極となる導体領域上のガラス膜６の領域に
窓を設け次に窓の部分に酸化されにくく、ペレツ
トマウント性、ボンデイング性の良い貴金属とし
て金属膜５を付着する。この金属膜５上に外付部
品としてトランジスタ等の半導体チツプ７をマウ
ント、ボンデイングし、その他の電気部品および
リード端子を接続して薄膜集積回路を完成する。
本実施例によれば卑金属導体薄膜、銅４および
抵抗体薄膜２は、ガラス被膜６および金属膜５に
よりおおわれているので薄膜回路パターンの導体
部腐食や薄膜回路基板加熱による酸化がほとんど
なくなり、したがつて作業時の酸化防止の工夫も
ある程度緩和でき、また金の使用量も導体回路の
一部にしか使用しないので少なくて済み、コスト
的にも安価で信頼度もよい薄膜集積回路を得るこ
とができその効果も著しい。
抵抗体薄膜２は、ガラス被膜６および金属膜５に
よりおおわれているので薄膜回路パターンの導体
部腐食や薄膜回路基板加熱による酸化がほとんど
なくなり、したがつて作業時の酸化防止の工夫も
ある程度緩和でき、また金の使用量も導体回路の
一部にしか使用しないので少なくて済み、コスト
的にも安価で信頼度もよい薄膜集積回路を得るこ
とができその効果も著しい。
本実施例では卑金属導体を覆い、保護している
絶縁被膜としてガラスを用いているがポリイミド
の如き有機絶縁体被膜であつてもその他のいかな
る絶縁被膜であつても良く、また卑金属、貴金属
導体としては、それぞれ銅、金以外の他の材料で
あつても本発明の主旨は変らない。
絶縁被膜としてガラスを用いているがポリイミド
の如き有機絶縁体被膜であつてもその他のいかな
る絶縁被膜であつても良く、また卑金属、貴金属
導体としては、それぞれ銅、金以外の他の材料で
あつても本発明の主旨は変らない。
第１図ａ，ｂは、本発明の薄膜回路基板を用い
た薄膜回路の正面図、断面図である。 １……絶縁性アルミナ基板、２……抵抗体薄膜
（窒化タンタル薄膜）、３……接着性金属薄膜（ク
ロム薄膜）、４……卑金属導体薄膜（銅薄膜）、５
……酸化防止用貴金属導体薄膜（金薄膜）、６…
…酸化防止用絶縁膜（ガラス薄膜）、７……半導
体チツプ。
た薄膜回路の正面図、断面図である。 １……絶縁性アルミナ基板、２……抵抗体薄膜
（窒化タンタル薄膜）、３……接着性金属薄膜（ク
ロム薄膜）、４……卑金属導体薄膜（銅薄膜）、５
……酸化防止用貴金属導体薄膜（金薄膜）、６…
…酸化防止用絶縁膜（ガラス薄膜）、７……半導
体チツプ。
Claims (1)
- １ 絶縁性基板上に形成された抵抗体、導体等の
薄膜回路を備えた混成集積回路において、前記導
体が卑金属から成り、前記導体上の接続領域に貴
金属が被着され、前記導体上の残の領域には絶縁
被膜が被着された薄膜回路基板を備えていること
を特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6909079A JPS55160452A (en) | 1979-06-01 | 1979-06-01 | Hybrid integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6909079A JPS55160452A (en) | 1979-06-01 | 1979-06-01 | Hybrid integrated circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55160452A JPS55160452A (en) | 1980-12-13 |
| JPH029453B2 true JPH029453B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=13392540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6909079A Granted JPS55160452A (en) | 1979-06-01 | 1979-06-01 | Hybrid integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55160452A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685419B2 (ja) * | 1985-08-08 | 1994-10-26 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路の定電流源回路 |
| US20060180344A1 (en) | 2003-01-20 | 2006-08-17 | Shoji Ito | Multilayer printed wiring board and process for producing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4814766U (ja) * | 1971-07-02 | 1973-02-19 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5455268U (ja) * | 1977-09-27 | 1979-04-17 |
-
1979
- 1979-06-01 JP JP6909079A patent/JPS55160452A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4814766U (ja) * | 1971-07-02 | 1973-02-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55160452A (en) | 1980-12-13 |
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