JPH029327B2 - - Google Patents
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- JPH029327B2 JPH029327B2 JP55176349A JP17634980A JPH029327B2 JP H029327 B2 JPH029327 B2 JP H029327B2 JP 55176349 A JP55176349 A JP 55176349A JP 17634980 A JP17634980 A JP 17634980A JP H029327 B2 JPH029327 B2 JP H029327B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 14
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013063 LiBF 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004698 iron complex Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気化学的発色現象を利用したエレ
クトロクロミツク表示装置（以下ECDと称す）
の製造方法に関し、特に応答特性のすぐれたエレ
クトロクロミツク表示セル（以下ECセルと称す）
を再現性よく均一的に製造できるECセルの製造
方法に関するものである。
クトロクロミツク表示装置（以下ECDと称す）
の製造方法に関し、特に応答特性のすぐれたエレ
クトロクロミツク表示セル（以下ECセルと称す）
を再現性よく均一的に製造できるECセルの製造
方法に関するものである。
従来のECDは、例えば第１図に示すようなサ
ンドウイツチ型構造のものが用いられている。図
において、透明基板１上に酸化インジウム、酸化
スズなどの透明導電膜（表示電極）２を設け、こ
の上にWO3、MoO3などのエレクトロクロミツク
物質層３（以下EC物質層と称す）を蒸着法等に
よつて設けて表示極としている。透明基板１に対
設される背面基板４で囲まれる表示セルの内部
に、前記表示極に対向して対極５を平行配置し、
表示極と対極５との間に、表示像の視認性を高め
るために光散乱板６を介在し、注入口７から電解
液８を充填している。９は表示セルのシール剤、
１０，１１は電圧印加端子である。
ンドウイツチ型構造のものが用いられている。図
において、透明基板１上に酸化インジウム、酸化
スズなどの透明導電膜（表示電極）２を設け、こ
の上にWO3、MoO3などのエレクトロクロミツク
物質層３（以下EC物質層と称す）を蒸着法等に
よつて設けて表示極としている。透明基板１に対
設される背面基板４で囲まれる表示セルの内部
に、前記表示極に対向して対極５を平行配置し、
表示極と対極５との間に、表示像の視認性を高め
るために光散乱板６を介在し、注入口７から電解
液８を充填している。９は表示セルのシール剤、
１０，１１は電圧印加端子である。
以上で述べた構造のECDにおいて、表示電極
２を対極５に対し負電位にするとEC物質層３は
発色する。電位の極性を逆にすれば、エレクトロ
クロミツク層３は消色する。
２を対極５に対し負電位にするとEC物質層３は
発色する。電位の極性を逆にすれば、エレクトロ
クロミツク層３は消色する。
発色機構は、EC物質層３に表示極２から電子
が、又、電解液８からカチオン（M+）が注入さ
れて、EC物質がWO3の場合であればタングステ
ンブロンズを作つて発色すると説明されている。
この反応は下記(1)式のように示される。
が、又、電解液８からカチオン（M+）が注入さ
れて、EC物質がWO3の場合であればタングステ
ンブロンズを作つて発色すると説明されている。
この反応は下記(1)式のように示される。
xM+＋WO3＋xeＭ×WO3 (1)
（消色） （発色）
又、発色時の応答速度は、エレクトロクロミツ
ク層３の蒸着条件のちがいや、その後のECセル
製造のシーリング等の組立工程によるエレクトロ
クロミツク層の特性におよぼす影響等により非常
にばらつき、再現性よく応答特性を均一化するこ
とが難かしいものであつた。
ク層３の蒸着条件のちがいや、その後のECセル
製造のシーリング等の組立工程によるエレクトロ
クロミツク層の特性におよぼす影響等により非常
にばらつき、再現性よく応答特性を均一化するこ
とが難かしいものであつた。
特に、表示材料である酸化タングステン蒸着膜
は、湿度の影響により特性が変化することが知ら
れており、高湿度のものでは特性が向上されると
報告されている。（参考文献、
（ForschungsperichtKLR.77−19C、Feb.1977）
（特開昭55−81324）） 本発明は、EC表示セル製造時の湿度とEC表示
特性の関係を調べた結果、表示応答特性は、EC
物質層３の製造時の履歴により大きく左右され、
特にEC物質層３が高湿度雰囲気中で加熱される
と特性が劣化するという従来報告されていた挙動
とは全く逆であることを見い出したことに基づく
ものであり、EC表示セルを、低湿度雰囲気中で
製造することにより、応答の速いECDを再現性
よく製造するECDの製造方法を提供するもので
ある。
は、湿度の影響により特性が変化することが知ら
れており、高湿度のものでは特性が向上されると
報告されている。（参考文献、
（ForschungsperichtKLR.77−19C、Feb.1977）
（特開昭55−81324）） 本発明は、EC表示セル製造時の湿度とEC表示
特性の関係を調べた結果、表示応答特性は、EC
物質層３の製造時の履歴により大きく左右され、
特にEC物質層３が高湿度雰囲気中で加熱される
と特性が劣化するという従来報告されていた挙動
とは全く逆であることを見い出したことに基づく
ものであり、EC表示セルを、低湿度雰囲気中で
製造することにより、応答の速いECDを再現性
よく製造するECDの製造方法を提供するもので
ある。
以下実施例により本発明を詳述する。
実施例 １
添付図面第１図に示す構造のECDにおいて、
酸化タングステンを２×10-5Torrの真空中、基
板温度110℃、蒸着速度５Å／secで約3000Åの厚
さになるよに、透明表示極（In2O3）２上に電子
ビーム蒸着し、エレクトロクロミツク層３を形成
した。対極５はチタンネツトを集電体とし、カー
ボン、鉄錯体、バインダーを５：５：２の比で混
合プレスして形成した。光散乱板６はAl2O3の焼
結体を用いた。背面板４は皿形のガラスを用い、
表示極用ガラス基板１との内部に光散乱板６と対
極５を入れて、接着剤９を用いてシールし、電極
間に0.75MのLiBF4と、1MのH2Oを添加したプ
ロピレンカーボネート電解液を注入し、ECセル
を製造した。以上のECセル製造工程を一定の湿
度条件下で各種行なつた結果、ECセル製造工程
時の絶対湿度と応答特性との関係につき第２図に
示す結果が得られた。湿度のコントロールは、完
全体を除湿機及び加湿機を用いてコントロールす
ると共に、特に低湿度条件は、低温下で、乾燥空
気を充満させることで行つた。絶対湿度は、相対
湿度と温度及び水蒸気圧から算出した。応答特性
は、−1.0V、1sec電圧印加時の書き込み電気量
Qw（Qwは光学密度変化△ODに比例する）を用
いて表示速度を評価し、又、消去速度は、5mc／
cm2書き込み１時間メモリーした後、1.0Vの消去
電圧を印加し、光反射率が90％回復するまでの時
間τe90％を用いて評価した。製造時の雰囲気の湿
度が高いものほど、書き込み速度が遅く、かつ消
去速度が遅かつた。特に絶対湿度22ｇ／m3以下で
は、Qwが4mc／cm2以上でτe90％が5sec以下のす
ぐれた特性をもつECセルが製造できることが判
明した。
酸化タングステンを２×10-5Torrの真空中、基
板温度110℃、蒸着速度５Å／secで約3000Åの厚
さになるよに、透明表示極（In2O3）２上に電子
ビーム蒸着し、エレクトロクロミツク層３を形成
した。対極５はチタンネツトを集電体とし、カー
ボン、鉄錯体、バインダーを５：５：２の比で混
合プレスして形成した。光散乱板６はAl2O3の焼
結体を用いた。背面板４は皿形のガラスを用い、
表示極用ガラス基板１との内部に光散乱板６と対
極５を入れて、接着剤９を用いてシールし、電極
間に0.75MのLiBF4と、1MのH2Oを添加したプ
ロピレンカーボネート電解液を注入し、ECセル
を製造した。以上のECセル製造工程を一定の湿
度条件下で各種行なつた結果、ECセル製造工程
時の絶対湿度と応答特性との関係につき第２図に
示す結果が得られた。湿度のコントロールは、完
全体を除湿機及び加湿機を用いてコントロールす
ると共に、特に低湿度条件は、低温下で、乾燥空
気を充満させることで行つた。絶対湿度は、相対
湿度と温度及び水蒸気圧から算出した。応答特性
は、−1.0V、1sec電圧印加時の書き込み電気量
Qw（Qwは光学密度変化△ODに比例する）を用
いて表示速度を評価し、又、消去速度は、5mc／
cm2書き込み１時間メモリーした後、1.0Vの消去
電圧を印加し、光反射率が90％回復するまでの時
間τe90％を用いて評価した。製造時の雰囲気の湿
度が高いものほど、書き込み速度が遅く、かつ消
去速度が遅かつた。特に絶対湿度22ｇ／m3以下で
は、Qwが4mc／cm2以上でτe90％が5sec以下のす
ぐれた特性をもつECセルが製造できることが判
明した。
さらに、実施例１と同様の各ECセル構成材料
であるWO3表示極、鉄鎖体カーボン対極、アル
ミナ光散乱板及び皿形ガラス背面板を準備し、予
め各種の一定湿度中に12時間、保存し、その後こ
れらを取り出して絶対湿度８ｇ／m3の湿度雰囲気
中ですばやく組み立て、ECセルを製造した。一
定湿度はたとえば、NH4Cl固相ー液相湿度溶液
等を入れたデシケータを利用して所望の湿度条件
を得た。実施例１と同様に応答特性を、測定し、
第３図に示した。保存湿度が高いものは、書き込
み特性及び消去特性が悪くなり、特に保存時の絶
対湿度が、16ｇ／m3以上の条件のECセルは顕著
に特性が悪いことが判明した。
であるWO3表示極、鉄鎖体カーボン対極、アル
ミナ光散乱板及び皿形ガラス背面板を準備し、予
め各種の一定湿度中に12時間、保存し、その後こ
れらを取り出して絶対湿度８ｇ／m3の湿度雰囲気
中ですばやく組み立て、ECセルを製造した。一
定湿度はたとえば、NH4Cl固相ー液相湿度溶液
等を入れたデシケータを利用して所望の湿度条件
を得た。実施例１と同様に応答特性を、測定し、
第３図に示した。保存湿度が高いものは、書き込
み特性及び消去特性が悪くなり、特に保存時の絶
対湿度が、16ｇ／m3以上の条件のECセルは顕著
に特性が悪いことが判明した。
実施例 ２
実施例１と同様の各ECセル構成材料（表示極、
対極、光散乱板及び皿形ガラス背面板）を準備し
表示極のみを予め各種の一定湿度中に12時間保存
し、絶対湿度４ｇ／m3中に保存された他の材料と
共に、絶対湿度８ｇ／m3中ですばやく組み立て
ECセルを製造した。応答特性は、第３図と同様
の傾斜を有し、表示極の保存雰囲気の絶対湿度が
15ｇ／m3以下のものは書き込み電気量である。
Qwが5mc／cm2以上で、消去速度τe90％が3sec以
下の好特性が得られた。
対極、光散乱板及び皿形ガラス背面板）を準備し
表示極のみを予め各種の一定湿度中に12時間保存
し、絶対湿度４ｇ／m3中に保存された他の材料と
共に、絶対湿度８ｇ／m3中ですばやく組み立て
ECセルを製造した。応答特性は、第３図と同様
の傾斜を有し、表示極の保存雰囲気の絶対湿度が
15ｇ／m3以下のものは書き込み電気量である。
Qwが5mc／cm2以上で、消去速度τe90％が3sec以
下の好特性が得られた。
さらに、前述の実施例１〜３において表示用
EC物質として、WO3のかわりに、MoO3、TiO2、
酸化イリジウム等の遷移金属酸化物を使用した場
合においても、低湿度雰囲気中で製造したもの
は、同様に好特性が得られた。
EC物質として、WO3のかわりに、MoO3、TiO2、
酸化イリジウム等の遷移金属酸化物を使用した場
合においても、低湿度雰囲気中で製造したもの
は、同様に好特性が得られた。
実施例 ３
実施例１において、一定の絶対湿度を得る条件
を各種かえて行つた。例えば、絶対湿度13ｇ／m3
については、15℃相対湿度97％、20℃相対湿
度70％、25℃相対湿度52％、30℃相対湿度39
％、40℃相対湿度22％の各条件下でECセルを
製造したがほぼ同一の応答特性が得られた。
を各種かえて行つた。例えば、絶対湿度13ｇ／m3
については、15℃相対湿度97％、20℃相対湿
度70％、25℃相対湿度52％、30℃相対湿度39
％、40℃相対湿度22％の各条件下でECセルを
製造したがほぼ同一の応答特性が得られた。
以上詳述したように、本発明はECDの応答特
性が、ECセル製造中の雰囲気の絶対湿度に大き
く左右される事実に基づき雰囲気の絶対湿度を一
定値以下に調整してEC表示装置を製造するとい
う新規な方法により応答特性の優れたECDを可
能としたものである。
性が、ECセル製造中の雰囲気の絶対湿度に大き
く左右される事実に基づき雰囲気の絶対湿度を一
定値以下に調整してEC表示装置を製造するとい
う新規な方法により応答特性の優れたECDを可
能としたものである。
第１図は本発明の説明に必要なECDの断面図、
第２図はECセル製造時の絶対湿度と応答特性の
関係図、第３図はECセル材料保存時の絶対湿度
と応答特性の関係図である。 ２……透明導電膜（表示電極）、３……EC物質
層、５……対極、８……電解液。
第２図はECセル製造時の絶対湿度と応答特性の
関係図、第３図はECセル材料保存時の絶対湿度
と応答特性の関係図である。 ２……透明導電膜（表示電極）、３……EC物質
層、５……対極、８……電解液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板上に形成された表示電極と、対向
電極とが電解質に接触して構成されるエレクトロ
クロミツク表示装置において、エレクトロクロミ
ツク表示セル製造前の各構成材料を低湿度中に保
存し、かつ低湿度雰囲気でエレクトロクロミツク
表示セルを製造することを特徴とするエレクトロ
クロミツク表示装置の製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、絶対湿度が
15ｇ／m3以下であることを特徴とするエレクトロ
クロミツク表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55176349A JPS5799621A (en) | 1980-12-12 | 1980-12-12 | Production of electrochromic display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55176349A JPS5799621A (en) | 1980-12-12 | 1980-12-12 | Production of electrochromic display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5799621A JPS5799621A (en) | 1982-06-21 |
| JPH029327B2 true JPH029327B2 (ja) | 1990-03-01 |
Family
ID=16012039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55176349A Granted JPS5799621A (en) | 1980-12-12 | 1980-12-12 | Production of electrochromic display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5799621A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115421A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Seiko Epson Corp | エレクトロクロミツク表示体の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111468A (ja) * | 1974-07-18 | 1976-01-29 | Komatsu Mfg Co Ltd | Sotsukyosochi |
| JPS5510415A (en) * | 1978-07-06 | 1980-01-24 | Asahi Glass Co Ltd | Light modulation multilayer glass |
-
1980
- 1980-12-12 JP JP55176349A patent/JPS5799621A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111468A (ja) * | 1974-07-18 | 1976-01-29 | Komatsu Mfg Co Ltd | Sotsukyosochi |
| JPS5510415A (en) * | 1978-07-06 | 1980-01-24 | Asahi Glass Co Ltd | Light modulation multilayer glass |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5799621A (en) | 1982-06-21 |
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