JPH0293062A - レーザ光による膜形成装置 - Google Patents

レーザ光による膜形成装置

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JPH0293062A
JPH0293062A JP63244811A JP24481188A JPH0293062A JP H0293062 A JPH0293062 A JP H0293062A JP 63244811 A JP63244811 A JP 63244811A JP 24481188 A JP24481188 A JP 24481188A JP H0293062 A JPH0293062 A JP H0293062A
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laser light
powder material
laser beam
vacuum container
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JP63244811A
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Suguru Nakamura
英 中村
Mitsuo Sasaki
光夫 佐々木
Junichi Kinoshita
純一 木下
Minoru Yamada
穣 山田
Akira Murase
村瀬 暁
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Toshiba Corp
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/121Coherent waves, e.g. laser beams
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は真空容器内に配置された基板等の被処理体表面
にレーザ光を使用して膜を形成するレーザ光による膜形
成装置に関する。
(従来の技術) 第8図はレーザ光による膜形成装置の構成図であって、
矩形箱状に形成された真空容器1内には基板2が配置さ
れている。また、この真空容器1の上部における基板2
と対向する位置にはノズル3が内部に突出する如く設け
られている。このノズル3は外筒4および内筒5を同軸
状に配置し、Rつその先端部に電極6を設けたものとな
っている。そして、この電極6と基板2との間に直流高
電圧電源7が接続されて、基板2との間に直流高電圧電
源7が接続されて、基板2に負の高電圧が加わるように
なっている。一方、ノズル3には0□ガス等の反応ガス
を供給する反応ガス供給装置8および金属または金属化
合物等の粉末材料を供給する粉末材料供給装置9が設け
られている。
なお、反応ガス供給装置8はボンベ10から反応ガスを
ノズル3内に供給するものとなっており、また粉末材料
供給装置9はホッパ11に蓄えられている粉末材料を外
筒4と内筒5とで形成される供給路12に供給するもの
となっている。またしザ光源13か備えられ、このレー
ザ光源13から出力されたレーザ光13aが光ファイバ
14で伝達されてノズル3内に照射されるようになって
いる。なお、16は真空容器1の真空排出系である。
かかる装置においては基板2に負の高電圧が印加され、
これと同時にボンベ10から反応ガスがノズル3内に供
給されるとともに粉末材料が供給路12に供給される。
これにより、基板2と電極6の間にグロー族7uが発生
して反応ガスが活性化する。この状態においてレーザ光
13aをノズル3内を通して真空容器1内に照射すると
、粉末材料は溶解蒸気化し、かつ反応ガスと反応して金
属化合物を発生する。この金属化合物は基板2と電極6
との間の電圧勾配によって基板2に吸引されて堆積する
。そして、基板2の表面上には金属化合物の膜が形成さ
れる。
ところで、レーザ光13aは粉末材料の溶解と基板2上
における金属化合物の堆積の助長との各作用を生しさせ
る。ところが上記装置ではレーザ光13aを粉末材料の
供給経路と同一でかつ直接基板2の上面に照射する構成
として上記各作用を実現しているが、このような構成で
はレーザ光13aの出力を小さくする粉末材料が溶解せ
ず、また反対に出力を大きくすると基板2ヘダメージを
与えることになる。従って、上記各作用を実現するため
にレーザ光13aの出力をコントロールすることが非常
に難しくなっている。また、レザ光13aを粉末材料の
供給経路と同一としているので、レーザ光13aのエネ
ルギーか粉末材料に吸収されてエネルギー密度が不均一
となる。また、この供給機構では粉末の供給量をコント
ロルすることが難しい。さらに、同構成のために反応ガ
スの流量か小さいと、溶解しガス化した粉末材料がノズ
ル3内に飛散して光学系15に付盾゛シ、この光学系1
5を汚したり、最悪の場合損傷させたりしてしまう。
(発明が解決しようとする課題) 以上のように粉末材料の溶解と基板上における金属化合
物の堆積の助長との各作用を最適に行なうためにレーザ
光の出力をコントロールすることかできず、その上レー
ザ光のエネルギー密度が不均一となり、さらに光学系を
破損させることもある。
そこで、本発明は、粉末材料の溶解蒸気化と、基板上に
おける金属化合物の堆積の助長との各作用を最適に行な
うことができ、そのうえレーザ光のエネルギー密度を均
一化できるとともに光学系に影ツを与えないレーザ光に
よる膜形成装置を提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 本発明は、内部に被処理体を配置した真空容器にレーザ
照射手段からのレーザ光を透過する透過窓を設け、この
真空容器の透過窓に対向する内壁に上記透過窓から入射
し上記被処理体の上部を通過したレーザ光を吸収するレ
ーザ光吸収体を設け、上記透過窓近傍から反応ガスを供
給する反応ガス供給手段を設け、上記被処理体と対向す
る方向から粉末材料を供給する粉末供給手段を設け、上
記被処理体近傍にプラズマを発生する放電手段を設けた
レーザ光による膜形成装置にある。
(作用) 粉末供給手段により真空容器内の被処理体とλ・1向す
る方向から金属等の粉末が供給され、レーザ光照射手段
および反応ガス供給手段とにより上記粉末の供給方向に
交差するようにレーザ光および反応ガスが供給され、こ
れと同時に被処理物と対をなす電極間に電圧印加手段に
より電圧が印加されて、被処理体近傍にプラズマが発生
する。
(実施例) この発明の一実施例について図面を参照して説明する。
第1図はレーザ光による膜形成装置の構成図であり、同
図において20は真空容器である。この真空容器20の
内部には保持台21が設けられ、この保持台21上に例
えばAg(銀)からなる基板22が載置されている。こ
の保持台21の内部にはヒータ23が配置されてヒータ
電源24からの電力供給を受けて基板22を例えば40
0’Cに加熱するものとなっている。また保持合21は
回転機構25と連結されて回転駆動されるようになって
いる。そして、真空容器20の下部の壁側には排気系2
6が設けられて膜形成作用に使用される金属化合物蒸気
等が排出されるようになっている。さらに冷却媒質の供
給路27が設けられ、冷却媒体28が真空容器20の外
壁、ヒータ23周りおよび光学系層りに下部からその内
部に供給されて循環し各部を冷却して排出されるように
なっている。
また、上記保持台21の上側に位置する真空容器20の
側壁には例えばC02レーザ光源(以下レーザ光源)2
9からのレーザ光を透過する透過窓30が設けられてお
り、この透過窓30は第2図および第3図に示されるよ
うに構成されている。
図中に示されるように上記真空容器20の側壁に形成さ
れたフランジ部31に対してフレーム32が図示しない
複数本のボルトにより結合されており、このフレーム3
2と上記フランジ部31との間にはシール構造が設けら
れている。そして、上記フレーム32の中央には円形状
の貫通孔33が形成されており、この貫通孔33にはK
CI(塩化カリウム)またはZnC1(塩化亜鉛)等の
物′質で形成された透過体34が挿着されレーザ光を透
過できるようになっている。さらに、この透過体34の
外側からは管状に形成され基端部に係合縁が形成された
締付は枠35が図示しないボルトにより締付は固定され
ている。また、上記フレーム32の上部には反応ガスを
供給する反応ガス供給手段としての02ボンベ36から
の供給管37が接続されている。この供給管37の接続
されたフレーム32とフランジ部31との間には上記貫
通孔33を包囲するように連通した環状の流通孔38が
形成されており、この流通孔38は真空容器20内に連
通ずる噴出溝39に接続されている。
この噴出溝39は上記透過体34の周囲に亘って開口さ
れており、透過体34の全周から反応ガスが噴出される
ようになっている。上記供給管37を通って流通孔38
に流入した反応ガスは上記噴出溝39から矢印A方向に
噴射されることで、上記透過体34の周囲から真空容器
20の内側に向かって反応ガスの流れを作り、金属等の
蒸気が透過体34に付着することを防止できる。
また、上記フレーム32の外側面には上記貫通孔33の
外周部分に沿って挿着溝40が形成されており、この挿
着溝40には冷却水供給管41が熱伝達状態に挿着され
ている。この冷却水供給管41の両端部には図示しない
水の循環装置が接続されている。
そして、このように形成された透過窓30に対向する真
空容器20の内側面にはレーザ光を吸収するレーザ光吸
収体42が設けられている。このレーザ光吸収体42は
第4図に示されるように構成されており、アルミニウム
等によって形成された円筒状の中空体43と、この中空
体43の底面の内側に形成された円錐状の反射体44と
、上記中空体43の内部に冷却水を例えば矢印B方向に
循環する図示しない冷却水循環装置とを有している。そ
して、上記円錐状の反射体44の軸心は矢印Cで示され
るレーザ光の光軸に一致するように配設されており、こ
の反射体44に反射されたレーザ光は上記中空体43の
内周面45に照射される。ここで、この中空体43の内
周面45には黒色アルマイト処理が施されており、上記
レーザ光を吸収するようになっている。つまり、上記レ
ーザ光吸収体42に入射したレーザ光は上記反射体44
に反射して中空体43の内周面45に照射される。この
内周面45は黒色アルマイト処理されているので、レー
ザ光を高い効率で吸収する。そして、このレーザ光を吸
収したことによって発生する熱を上記中空体43内を循
環する冷却水が外部に持ち去るようになっている。
さらに、上記真空容器20の上部には第5図に示される
ような粉末供給手段が設けられている。
この粉末供給手段には振動式駆動源46と、この振動式
駆動源46に連結された容器47が設けられている。上
記振動式駆動源46は例えばパルスモータであり、矩形
箱状の固定枠48に対して回動軸49が水平に貫通状態
になるように支持されている。そして、回動軸49はシ
ール装置50を介し−て上記固定枠48に貫通され、先
端部には固足金具51により容器47の上端が結合され
ている。この容器47は管状に形成されており、上端部
が結合された固定金具51には、容器47に連通して金
属粉末等を供給するための供給口52が穿設されている
。そして、上記容器47の下端部には金網(1”lの粗
さが#300のメツシュ)が設けられており、振動式駆
動源46の回転軸の正逆回動により図面の奥行き方向に
揺動状態に振動することで徐々に金属粉末が落下供給さ
れるようになっている。ここで上記容器47内にはCu
0(酸化銅)Y2O(’酸化イツトリウム)BaCO3
(炭酸バリウム)の金属化合物の直径2μm以下の粉末
材料が供給されている。なお、金属等の粉末は市販され
ているVC(炭化バナジウム)1.4μm1または、M
o(モリブデン)4μm等も使用できる。
上述のように構成された容器47の下側には落語管53
が設けられており、この落語管53は真下に延長される
ことで、先端が上記基板22に対応するように配置され
ている。ここで、上記落語管53の下端は上記基板22
から所定距離上方に離れて位置されており、この落語管
53と基板22との間をレーザ光が通過するようになっ
ている。そして、落語管53と容器47との間には粉末
量54が設けられている。この粉末量54は固定枠48
の上下に亘って軸体55が回動自在に支持されており、
上端部には上記固定枠48の上部に突出する回動摘み5
6が設けられている。上記粉末量54はこの軸体55の
下側中途部に基端が支持されており、上記回動摘み56
を回動操作することで容器47の真下に位置させること
ができるようになっている。つまり、蒸着作用をしない
時には、例えば、上記回動摘み56を一方向に回動する
ことで図示しないストッパに当接させると、容器47の
真下に位置させ、粉末材を受取るように構成することで
粉末材が落語管53側に落下することを防止できる。ま
た、蒸着作用を行なう時には上記回動摘み56を他方に
回動させることにより容器47の真下から移動させ容器
47からの粉末材が落語管53側に落下するようにでき
る。
また、上記落語管53の先端側には電極57が設けられ
ている。この電極57は上記保持台21上に載置された
基板22と対向するように設けられており、これら保持
台21と電極57との間に図示しない直流高電圧電源が
接続されており基板22に負の高電圧、例えば1〜2K
Vが印加されることでグロー放電を発生するようになっ
ている。
このように構成されることでレーザ光源29で発振され
たレーザ光は、光学系58.59に反射されることで、
透過窓30を透過して真空容器20の内部へ入射される
ようになっている。そして、レーザ光は上記落語管43
から落下される粉末材料の落下方向および基板22と電
極57との間に発生するグロー放電の放電方向に対して
直交する方向に照射されるようになっており、上記光学
系58.59によって落下して(る粉末との接点位置で
レーザ光が集光されるように調整されている。
以下、上述のごとく構成された装置の作用について説明
する。基板22と電極57との間に直流高電圧が印加さ
れ、これと同時に02ボンベ36から反応ガス02が供
給管37を通じて真空容器20内に供給されるとともに
振動式駆動源46が駆動することで容器47から粉末材
料が落語管53を通じて真空容器20内に供給される。
このとき基板22と電極57の間に生じたグロー放電に
より基板22の近傍にプラズマが発生しており、これに
より反応ガス02は活性化される。また、ヒータ23に
ヒータ電源24から電力が供給されて加熱し、保持台2
1に載置されている基板22は加熱された状態にある。
このような状態においてレーザ光源29からレーザ光を
出力すると、このレーザ光は光学系58.59に反射さ
れ透過窓30を透過して真空容器20内に照射される。
そして、真空容器20内に照射されたレーザ光は落語管
53から落下された粉末材料に照射され溶解蒸気化し、
かつ反応ガスと反応して化合物を生成する。そして、こ
の化合物は基板22と電極34との間の電圧勾配によっ
て基板22に吸引されて堆積する。さらに、基板22上
を通過したしザ光は上記レーザ光吸収体42に入射し吸
収される。
この結果、基板22の上面にはY −B a −Cu−
0(イツトリウム−バリウム−銅−酸素)系の酸素欠損
層状ペロブスカイト型超伝導の膜が形成される。なお、
膜形成時に保持台21が回転機構25によって回転され
る。
上述のように振動式駆動源46により容器47が上端部
を支点として揺動されることで粉末材料を真空容器20
内に供給するように構成されているので、上記振動式駆
動源46であるモータの正逆回動の早さを切換えること
で、粉末材料の落下する量を制御できる。
また、透過窓30の周囲に設けられた流通孔38から反
応ガス02を供給することで、粉末材料の溶解蒸気化成
分が透過窓30に付着することを防止できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものではない
。例えば、基板22の材料として1.OU厚の軟鋼を使
用するとともに粉末材料とじてZr(ジルコニウム)を
使用した場合、基板22の上面には金属化合物ZrO□
 (ジルコニア)の膜が成長速度か数百入/ll1in
で形成できる。また基板22としてAI(アルミニウム
)を使用した場合、基板22の上面には金属化合物A1
203(アルミナ)の膜が成長速度が数百人/ win
で形成できる。なお、これらの場合他の反応ガス02や
レーザ光の出力条件等は上記一実施例と同一としている
また被処理体が第6図に示すように帯状の場合は、真空
容器20の内部に帯状の被処理体60の巻取機構61を
備えることによって被処理体60の上面に膜を形成でき
る。この場合、Ag(銀)またはSrTiO3(チタン
酸ストロンチウム)からなる被処理体を使用して粉末材
料としてCu Os Y 20、BaCO3の化合物を
使用することで被処理体の上面にはY−Ba−Cu−0
系の酸素欠損層状ペロブスカイト型超伝導の膜が成長速
度が数百人/ll1inで形成できる。そして、この形
成された膜は超伝導体としてのマイスナー効果を表わし
た。
さらに、第7図に示すように歯車62の歯面に膜を形成
する場合は、真空容器20の内部で歯車62を回転させ
る駆動機構63を設ける。この場合粉末材料をAI粉末
として反応ガス02を使用すれば、歯車62の歯面にA
l2O3のセラミックの膜が成長速度数百人/akin
で形成できる。
また、基板と電極と、の間に印加する電圧は粉末材料が
絶縁体であれば高周波電流を印加してもよい。また、粉
末材料の供給供給手段としては振動式のものが使用され
ているが、これに限定されずニードル弁を使用したもの
や、スクリュー式の供給手段によるものでもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように構成されることで、粉末材料の溶解
蒸気と基板上における金属化等合物の堆積の助長との各
作用を最適に行なうことができ、そのうえレーザ光のエ
ネルギ密度を均一化できるとともに透過窓に悪影響を与
えることを防止できる。また、真空容器内に入射された
レーザ光出力はレーザ光吸収体に吸収されるので、従来
は別装置として必要てあったレーザ出力の吸収装置が不
要となり、装置の簡素化ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第5図は本発明における一実施例であり、第
1図はレーザ光による膜形成装置の構成図、第2図は透
過窓の正面図、第3図は第2図中における■−■線部分
の断面図、第4図はレーザ光吸収体の斜視図、第5図は
粉末供給手段としての振動式駆動源とこれによって振動
される容器の構造を示す側断面図、第6図は帯状の基板
に膜形成をするための巻取機構を備えたレーザ光による
膜形成装置の概略的正面図、第7図は歯車に膜を形成す
るレーザ光による膜形成装置の概略的正面図、第8図は
従来方法によるレーザ光を用いた膜形成装置の正断面図
である。 20・・・真空容器、21・・・保持台(電圧印加手段
) 29・・・CO2レーザ光源(レーザ照射手段)、
30・・・透過窓、36・・・02ボンベ(反応ガス洪
−飴手段)、42・・・レーザ光吸収体、46・・・振
動式駆動源 (粉末供給手段) 7・・・電極 (電圧 印加手段)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ照射手段から照射されたレーザ光を透過する透過
    窓を有し内部に被処理体を配置した真空容器と、この真
    空容器の透過窓に対向する内壁に設けられて上記透過窓
    から入射し上記被処理体の上部を通過したレーザ光を吸
    収するレーザ吸収体と、上記透過窓近傍から反応ガスを
    供給する反応ガス供給手段と、上記被処理体の上方向か
    ら粉末材料を供給する粉末供給手段と、上記被処理体近
    傍にプラズマを発生させる放電手段とを具備することを
    特徴とするレーザ光による膜形成装置。
JP63244811A 1988-09-29 1988-09-29 レーザ光による膜形成装置 Pending JPH0293062A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007224417A (ja) * 2006-01-27 2007-09-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜方法および成膜装置
US7727335B2 (en) * 2002-11-05 2010-06-01 Theva Dunnschichttechnik Gmbh Device and method for the evaporative deposition of a coating material

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