JP2506556B2 - レ―ザエッチング方法及びその装置 - Google Patents

レ―ザエッチング方法及びその装置

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JP2506556B2
JP2506556B2 JP5241844A JP24184493A JP2506556B2 JP 2506556 B2 JP2506556 B2 JP 2506556B2 JP 5241844 A JP5241844 A JP 5241844A JP 24184493 A JP24184493 A JP 24184493A JP 2506556 B2 JP2506556 B2 JP 2506556B2
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    • B41C1/14Forme preparation for stencil-printing or silk-screen printing
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    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Lasers (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザエッチング加
工、特に円形テンプレートのレーザエッチング加工及び
この加工を実施する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】円形(円柱形状)テンプレートは、通
常、中空の金属シリンダとその外表面に薄くコーティン
グされた有機性のラッカとによって構成されている。中
空金属シリンダは、非常に板厚の薄い中空金属スクリー
ンであって、上記ラッカで塞がれ相互に密接した複数の
貫通した小さい開口部を有する。
【0003】パタンイメージを形成するためには、金
属スクリーン状の中空シリンダが完全に正確に回転する
ように、その両端を旋盤のような装置内でクランプす
る。中空シリンダの長軸に平行に案内されたレーザ光
は、中空シリンダの包絡面、すなわち中空シリンダの外
表面に垂直に入射するように、中空シリンダの軸と平行
方向に移動可能な偏向ミラーによって偏向される。
【0004】このレーザ光は、直径の非常に小さい焦点
がシリンダの包絡面(外表面)上に正確に来るように、
レンズ配置によって焦点が合わされる。レーザ光が照射
されると、有機性ラッカは、気化によって中空シリンダ
の包絡表面から浸食されてエッチングされ、所定のパタ
ンイメージが形成されるこの場合、レーザ光は中空
シリンダの軸方向に案内され、中空シリンダ自身は回転
する。浸食済ラッカ領域もパタン領域として指定で
き、中空シリンダの浸食済ラッカ領域にある貫通された
開口部は、フリーにされている。これにより、後工程で
その開口部内に、塗料などのプリント用ペースト( pri
nting paste )である粘性物質を押し込むことなどがで
きる。
【0005】レーザ光を発生させるには、通常ガスパワ
ーレーザが用いられる。ガスパワーレーザは、一般的に
レーザ媒体として炭酸ガスを含む。このようなガスレー
ザがオフされると、オフ時間の長さ(オフ期間)によっ
て、異なるレーザ放射線エネルギプログレッションが得
られる。ここで、オフ期間は、レーザ光のオフからレー
ザパワーが所定の低レベル(例えば、ラッカ層をエッチ
ングしない程度のパワーレベル)になるまでの時間であ
る。このオフ期間は、主にレーザガス配分に依存する。
間違ったオフ期間を選択すると、鋭利さにおいて、現行
の要件を満たさないエッジ構造のパタンイメージがで
きる可能性がかなり高くなる。
【0006】一方で、ラッカ層の浸食に消費されるレー
ザ放射エネルギは、常にラッカの気化エネルギ相当分よ
り少し大きい位に選択される。しかしこの場合、余分の
放射エネルギは、ラッカの下にある金属スクリーン表面
で反射される。これによって、確実にガスレーザのスイ
ッチ切替えができない状態になる。
【0007】殆どの場合、適切なパワーの炭酸ガスレー
ザは、エレクトロダイナミック一定電界(直流電界)
は交番電界によって励起される。直流電流による励起の
場合は、電極をガスの流れの中に配置すると、レーザ光
が、数kVの直流電圧の印加又はオフによって放出され
る。交番電界による励起の場合は、電極は、ガスが中を
流れるガラス管の外で、かつガスの流れに平行に配置さ
れ、電界はガラス管の壁を貫通して管の軸に垂直に延
び、周波数は特に数百kHzから50MHzである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】レーザ加工の必須条件
は、レーザガスがエネルギを準安定レベルで保存するこ
とができることである。ところが、これは一方で、電気
的励起のオフの後もレーザガス内に潜在的なエネルギが
保存されて残るという不利な点をもたらし、特にこの場
合は、金属シリンダの表面から反射された残留放射線
は、電気的オフ後も準安定レベルの放出を起こすことが
できる。その結果、レーザ光のオフが非常に不均一にな
り、この結果、非常に不正確なエッチングエッジが形成
される。
【0009】しかし、レーザの電気的オン期間、すなわ
レーザが電気的に励起されて照射されている間でも、
前記の後方への反射は、望ましくない程高くて非常に短
いレーザ放射線のパルスパワーを生じさせ、これが、金
属スクリーンの表面を破壊することがある。更に、合焦
したレーザ光によるエッチングライン幅が脈打って変化
しているのが観察される。これらの現象は、エッチング
の質を低下させるのみならず、基礎構造の強度も減少さ
せるため、それを防止することが試みられている。
【0010】本発明の目的は、品質においてより優れた
パタンイメージ、特により鋭利なエッチングエッジを
持ったパタンイメージが得られるように、最初に述べ
たタイプの円形テンプレートのエッチング方法を更に発
展させ、また、好適な加工装置を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るレーザエッチング方法及びその装置
は、以下のような特徴を有する。
【0012】即ち、加工方法に関しては、以下のような
特徴を有する。
【0013】中空シリンダ状の回転金属スクリーンの外
表面上に形成されたラッカ層に対してレーザ光を照射
し、前記ラッカ層を所定パターンにエッチングする方法
であって、前記パターン領域内の前記ラッカ層は、前記
レーザ光が連続的に照射されることでエッチングされ、
前記レーザ光は、前記各パターン領域の端において、1
2μsから30μsの期間内にオフされ、前記回転金属
スクリーンで反射されてレーザ経路に戻る放射線は、レ
ーザ経路から除去されることを特徴とする。
【0014】また、前記レーザ光をオフさせる前記期間
は、レーザガスの配合を変えることによってプリセット
されることを特徴とする。
【0015】更に、上述のエッチング方法において、前
記レーザ光は、前記各パターン領域の端に到達する時点
より、前記レーザ光のオフ期間に応じた時間だけ早くオ
フされることを特徴とする前記ラッカ層は、約1kwの
レーザパワーの使用により浸食されることを特徴とす
る。
【0016】前記レーザ光は、最初に直線偏光に偏光さ
れ、次に偏光フィルタを通過し、その後、前記ラッカ層
に当たる前に、相互に直角で互いに90度位相のずれた
同じ大きさの2つのビーム成分に分割されることを特徴
とする。
【0017】また、装置に関しては、以下のような特徴
を有する。
【0018】金属スクリーンの末端部分のベアリング用
に最低1つのベアリング装置を有する処理ステーション
と、シリンダ軸の回りで前記金属スクリーンを回転する
ための駆動装置と、第3ミラーを有し前記シリンダ軸に
平行に移動可能な処理台と、前記第3ミラーによって偏
向可能なレーザ光を発生させるためのガスレーザと、前
記駆動装置を制御する制御装置と、前記処理台及び前記
ガスレーザのトランスポートと、を有し、前記ガスレー
ザは直線偏光に偏光されたレーザ光を発し、第1偏光器
と前記第3ミラーの間のビーム経路にあって、前記金属
スクリーンで反射されて戻る放射線の振動面を、前記ガ
スレーザから放出される前記レーザ光の振動面に対して
90度回転させることを特徴とする。
【0019】前記ガスレーザは前記シリンダ軸に平行に
設けられ、第1ミラーと第2ミラーが、前記レーザ光を
前記第3ミラーへ導くために設けられ、振動面を回転さ
せる装置が、前記第1ミラーと前記第2ミラーとの間に
設けられることを特徴とする。
【0020】また、最初に前記レーザ光を受ける前記第
1ミラーは、薄い層を有する第1偏光器であり、前記振
動面を回転させる装置は、更に別の4つのミラーを有
し、前記4つのミラーはビーム経路中に連続して設けら
れ、そのうちの1つの前記ミラーは、λ/4位相装置で
あることを特徴とする。
【0021】前記振動面を回転させる装置は、ビーム経
路内に、ブルースタ角に設定された高い屈折率を有する
平面誘電プレートと、複屈折プレートと、を有すること
を特徴とする。
【0022】前記振動面を回転させる装置が、前記第1
ミラーと前記第2ミラーとを相互に接続しているキャリ
ア上に設けられていることを特徴とする。
【0023】前記制御装置は、前記ガスレーザのガス配
合の設定手段を有することを特徴とする。
【0024】
【作用】中空シリンダ状回転金属スクリーンの表面上の
ラッカ層が、所定のパタン領域で浸食していわゆる円
柱形状テンプレートをエッチングする方法では、パタ
ン領域内のラッカ層が、連続的に照射されたレーザ光で
浸食されてエッチングされ、レーザ光は、各パターン領
域の端において、12μsから30μsの期間内にオフ
され、金属スクリーンに反射してレーザ光経路内に戻る
放射線は、レーザ光経路から出る( couple out )とい
う優れた特徴を持っている。
【0025】もし回転金属スクリーンの表面速度が、2
m/s以上、12から13m/s以下の範囲で選択され
るなら、上記の方法を組み合わせることにより、非常に
鋭利なエッジ構造のパタンイメージ、もしくは、非常
に正確なエッチッングエッジが形成されることが明白で
ある。
【0026】こうして、レーザ光をパタン領域内で連
続的に照射させる結果、エネルギの完全な安定化が得ら
れ、パタン構造の境界部でレーザ光がオフされると、
エネルギは、常にその最大値から下がるこれにより、
エネルギ変化がより急速に行われ、そのためにエッジ構
造がより鋭利となる。
【0027】その一方で、上記レーザ光がオフされる期
間は、12μsから30μsと短いため、レーザ光のエ
ネルギが確実に急下降する。よって、悪影響を与える構
造上のブレは、中空シリンダ状金属スクリーンの選択さ
れた回転速度では発生しない。更に、金属シリンダで反
射されて戻る放射線が除去( couple out )される結
果、レーザが確実にオフされることが可能となる。この
ことは同様にエッジの端の改善に貢献する。
【0028】レーザ光をオフさせる期間は、レーザガス
配分を変えることにより、好適にプリセットされる。炭
酸ガスレーザの場合、このガス配分はCO2 、N2 、H
eである。例えば、これらが14%、18%、68%に
配分選択されたとすると、比較的オフの遅い混合ガスが
存在することになり、オフ期間の長さは、100%レー
ザパワーの場合には、25μsから30μsの範囲内と
なる。一方、65%レーザパワーで、CO2 が16%、
2 が4%、Heが80%のよりオフの速い混合ガスの
場合は、オフ期間の長さは、12μsから15μsの範
囲内となる。 って、レーザ光をオフするタイミングは
レーザガス配分を変えることによってプリセットするこ
とができる。
【0029】本発明の別の非常に優れた点は、レーザ光
は、前記レーザ光のオフ期間に応じた時間だけ早く、そ
して各パターン領域の端に到達する前にオフされること
である。オフ期間は、上述のようにレーザ光のオフ、即
ちレーザへの電力供給の停止からレーザパワーが実質的
なエッチングオフ状態となるまでの期間であり、このオ
フ期間に応じた時間だけだけ早く、レーザ光をオフ、例
えば電力供給停止状態とするのである。これは、エッチ
ングの端を多少引っ込めることが可能なことを意味し
特にオフ期間が比較的長い場合は有利である。こうする
ことによって、連続するパタン領域間に、所定のパタ
ンイメージに合致したスペースを維持できる。何故な
、一般的に、ガスレーザのオン期間(例えば、電力供
給からレーザ光の発生までの間隔)は、オフ期間の長さ
僅か一部分にしか相当しないからであり、またそうで
なければ、連続するパタン領域が、互いにより接近す
ることになる。これは、パタンイメージの質がかなり
改善されることも意味する。
【0030】本発明のまた別の優れた発明では、約1k
程度のパワーを示すレーザ光は、反射されて戻る放射
線を除去( couple out )するために、最初の瞬間に直
線に偏光され、その後、更に偏光フィルタを通過する。
その後、ラッカ層に当たる前に、相互に直角でかつ互い
に90度位相シフトされた、同じ大きさの例えば2つの
ビーム成分に分割される。
【0031】本発明によるエッチング方法では、レーザ
光が、直線偏光に偏光された状態で、ビーム案内(ガイ
ダンス)に入るレーザ装置を使用することが好ましい。
前記ビーム案内では、偏光器が付加的に提供される。前
記偏光器は、加工方向に向けられた直線偏光に偏光され
た放射線を、偏光器の構造タイプにより、加工位置まで
伝達し又はその位置に偏向する。加工位置で反射され戻
る放射線は、この偏光器(アナライザ)によって、再び
レーザ共振器に入ることが防止されることになるので、
次のレーザ光のプログレッションで、位相シフト装置が
提供される。
【0032】前記位相シフト装置は、直線偏光に偏光さ
れたレーザ放射線の2つのおよそ同じ大きさの互いに垂
直の成分を、互いに対して約1/4波長通過する度に、
位相シフトさせる。更に、偏光器は、ビーム方向に関し
て及びレーザから発して加工位置に向けられる放射線の
偏光面の位置に関して、この放射線が出来る限り減衰な
しで加工位置を通過するような空間位置にある。この最
後の条件は、更に、以降の装置の全てのコンポーネント
に適用されるつまり、これから先のレーザ放射線の伝
達又はトランスポートに参与する位相シフトユニットに
も適用される。これらの要件は、薄い誘電層からできて
いるコンポーネントが使用されているところでは、特に
良く満たすことができる。そのようなコンポーネント
は、偏光用と、伝達・反射用の両方に特定して製造する
ことができ、放射線の入射方向と偏光方向に関して正し
い空間位置にある環境においては、優れた伝達及び反射
が得られる利点を持っている。
【0033】偏光器の後ろにある位相シフト装置は、異
なった層構造を示す複数の偏向ミラーを備える。この位
相シフト装置の第1偏向ミラーは、ビーム方向と反射面
に垂直の方向から形成される入射面が、レーザ光の偏光
面と共に、45度になることが好ましい有限の方位角を
含む位置にある。こうして、レーザ光の偏光方向は、入
射角に平行の光波(p波)と、それに垂直の光波(s
波)に分割される。個々の薄層の厚さが異なるために、
偏向ミラーで反射される時に、p波とs波は、異なって
位相シフトされる。
【0034】実施態様では、λ/4ミラーが、3個のゼ
ロ度のミラーと組み合わせられる。λ/4ミラーで反射
される時に、p波が、s波に対して時間に関して90度
の位相角、つまり1/4の波長だけ位相シフトされる。
ゼロ度のミラーでは、p波とs波の間に全く位相シフト
が起こらないように反射される。ゼロ度のミラーとλ/
4ミラーの幾何学的又は構造的な位置順序には意味がな
い。λ/4ミラーの代わりに、2個のλ/8ミラーを置
くことができる。
【0035】前記ミラーは、各瞬間に、前記の波列を1
/8波長だけ相対的に位相シフトさせ、全体的には1/
4波長の位相シフトが可能となる。
【0036】位相シフト装置は、直線偏光に偏光された
レーザ光から、円形に又は可能なら楕円形に偏光された
レーザ光を発生させる。後者は、更に、選択可能な数だ
けいくつ提供されても良いゼロ度の反射鏡を介して、エ
ッチングをするテンプレートの表面に向けられ、そこで
光学システムにより焦点合わされる。金属面から垂直
に反射されて戻るであろうビームは、再び位相シフト装
置を通過して、そこで、位相シフト装置を通過し後方に
進む時に、更にs波に対してp波が、位相角度が再び9
0度、もしくは1/4波長だけ位相シフトする。これで
180度の位相シフトが行われたことになり、その結
果、後方に戻るビームは再び直線的に偏光され、その偏
光面は、加工位置に進むビームの偏光面に対して90度
回転される。この偏光方向のビームは、もう偏光器から
レーザには戻らないが、後者によって偏向されるため、
レーザ共振器に入ることが防止される。
【0037】本発明のもう1つの発明は、位相シフト装
置又は振動面を回転させる装置が、更に、ビーム経路に
おいて、ブルースタ角に設定された高い屈折率の平面誘
電プレート、その後ろに小さいクリスタル複屈折プレー
を有している。
【0038】
【実施例】本発明については、図面を参照して以下に更
に詳細に説明する。
【0039】図1は、パワーレーザ1の発明装置を示す
図である。
【0040】パワーレーザ1は、この場合、CO2 のレ
ーザである。パワーレーザ1は、出口開口部2からレー
ザ光4を放出する。前記レーザ光は、偏光器を兼ねる第
1ミラー3に当たって垂直方向に直線偏光に偏光され
る。第1ミラー3によってレーザ光4は90度偏向さ
れ、位相シフト装置を通過後、第2ミラー5に当たり、
再び90度偏向され、最初の方向の反対方向に進む。第
3ミラー6によってレーザ光4は再び90度偏向され、
具体的にはパワーレーザ1に向かって進む。
【0041】この場合、第3ミラー6に向かって進むレ
ーザ光4は、光学フォーカシングシステム−この場合は
レンズ7であるが−によって焦点が合わされ、その焦点
が中空シリンダ8の外側包絡面、すなわち外表面に来
る。
【0042】前記中空シリンダは有機ラッカ等で薄くコ
ーティングされている。中空シリンダ8は、一様に穴の
あけられた非常に薄い金属グリッドを有し、回転できる
ように取付られた2個の円錐形断端9、10の間に保持
されている。円錐形断端9は、駆動装置(図示されてい
ない)によって、ヘッドストック11内で回転できる。
円錐形の断端10も回転できるように取付られ、特に心
押し台12内で回転できる。
【0043】心押し台12は、ガイドトラック(案内
路)13上で、中空シリンダ8に対して、中空シリンダ
軸14の方向に押し付けられる。この場合、心押し台1
2は、中空シリンダ8を円錐形の断端9に押し付ける。
こうして発生した摩擦接触の結果、中空シリンダ8と円
錐形の断端10は、円錐形の断端9の回転の動きに従っ
て回転する。
【0044】摩擦抵抗については、心押し台12のボー
ルベアリング内で回転している円錐形の断端10が克服
しなければならないことであるが、摩擦抵抗が極端に小
さいために、又、円錐形の断端9の駆動回転速度が非常
に安定しているために、中空シリンダと断端9、10の
間にごく僅かな軸方向の張力があれば、中空シリンダ
は、スリップしないで、円錐形断端9の回転速度で駆動
される。
【0045】第3ミラー6及びレンズ7は、中空シリン
ダ14の軸方向に移動可能な加工台15(処理台、キャ
リッジ)上に取付られている。より正確に説明すると、
加工台15は、横送り台16を持ち、その上に第3ミラ
ー6とレンズ7が配置されている。そして、レンズ7に
よって中空シリンダ8の表面に合わせられる焦点が正確
に半径方向に調整が可能である。加工台15がガイドロ
ッド18に沿って、中空シリンダの軸14方向にスピン
ドル17によって動かされる時、そしてこの場合は、同
時に中空シリンダ8が回転する時、レンズ7の焦点、つ
まりフォーカシングされたレーザ光4は、中空シリンダ
8の表面に螺旋を描く。
【0046】スピンドル17はステッピングモータ19
によって駆動される。パワーレーザ1から放出されるレ
ーザ光4の発生及び消滅、ステッピングモータ19のス
テッピング制御には、常に、中空シリンダ8の正確な回
転位置が分かることが必要である。このために、回転位
置デコーダ20が、円錐形の断端9のシャフトに接続さ
れている。
【0047】前記デコーダ20は、中空シリンダ8が1
回転する間に数万のパルスを発生させて、回転位置を求
める。求められた中空シリンダ8の回転位置と、加工台
15の位置に助けられて、電子メモリがアドレス指定さ
れる。そのメモリには、所望のパタンイメージが記憶
されている。アドレス指定値は、対応する位置で、ラッ
カ層が中空シリンダ8上で浸食されるべきか、されるべ
きでないかを示す。つまり、レーザ1の照射が必要か、
必要でないかを示す。
【0048】電子メモリは制御装置21の中にあり、こ
れは、ライン22、23、24によりレーザ1、ステッ
ピングモータ19及び回転位置デコーダ20に接続され
ている。
【0049】既に説明されたように、第1ミラー3と第
2ミラー5の間に位相シフト装置25がある。前記位相
シフト装置は、横ビーム28の上に取付られており、前
記横ビームは2本のアップライト26、27を相互接続
させる。この場合、アップライト26、27は、第1ミ
ラー3と第2ミラー5を受ける。アップライト27の上
には、更に2個のビームコレクタ29、30が取付られ
ている。なお、前記ビームコレクタについては、以下で
更に詳細に説明されている。
【0050】更に、位相シフト装置25は、中に更に4
個のミラー32、33が位置しているハウジング31を
有しており、これらの詳細についても下記に説明されて
いる。ハウジング31の両端には、ビームの通過のため
に、開口部34が貫通形成されている。
【0051】図1と同様に、図2は円形テンプレートの
エッチングのための装置を示しているが、この場合は、
加工台15は、レーザ1に面する中空シリンダ8側で案
内されている。図1の要素と同様の要素には同じ番号が
付されており、説明は省略する。
【0052】図2によると、前記制御装置21は、設定
手段40、例えば適当な数個の押しボタン41を示す。
ボタン41は、レーザ光4の所望のオフ時間間隔により
適宜作動させて、パワーレーザを満たすための所望のガ
スの組合せをプリセットするためのものである。この場
合、適当な測定バルブ42、43、44は、CO2、N
2、Heを容器45、46、47からレーザ1にライン
システム48を通って供給するために、ボタン41を作
動させることによって直接制御することができる。この
ために、制御装置21は各測定バルブ42、43、44
に、電線49、50、51で接続されている。
【0053】図3は、金属シリンダ8で反射されて戻る
レーザ光の除去( coupling out )の原理を示してい
る。この場合、既に述べられたように、レーザ1は、レ
ーザ光4を発生させ、前記レーザ光4は垂直方向の直線
偏光に偏光される。この場合、図3では、垂直方向には
35の番号が付されている。
【0054】レーザ光4の偏光は、偏向ミラーシステム
36によってレーザ1の共振器の中に保存される。この
目的のために、これらのミラーの表面は、例えば金でで
きている。この場合、2個のそのようなミラーが、ビー
ムの方向45度に位置している。金はp波に対するより
s波に対する反射率が多少高い。この結果、レーザ共振
器内ではs波がより好まれる。これは、かなり垂直に偏
光された状態でレーザ光4を開口部2から出すのに充分
である。
【0055】次にレーザ光4は、薄い層の偏光器として
設計されている第1ミラー3に当たる。先程述べたよう
に、レーザ光4は本質的に垂直方向の偏光成分を有し、
従って、薄い層の偏光器である第1ミラー3への入射面
に関しては、レーザ光はs成分のみを備え、それは、こ
の偏光器によって、大変高い率で反射されほどんど透過
されない。パワーレーザが、多少でもp放射線成分を伝
達する可能性があるために、安全のためにビームコレク
タ30が備えられている。
【0056】薄い層の偏光器である第1ミラー3は、7
層から9層の誘電層を有し、前記誘電層は、より低い屈
折率(例えばn=1.5)の材料と、高い屈折率(例え
ばn=2.4)の材料が交互に重なってできている。各
層の厚さは、層の中を斜めに通過する波の有効光学経路
の長さが、1/4波長になるように選択される。レーザ
の波長が10.6μmで、この偏光器(第1ミラー)3
の表面へのレーザ光の入射方向が45度の場合は、屈折
率が2.4の材料では、厚さ1.06μmに相当し、屈
折率が1.5の材料では厚さ1.56μmに相当する。
このような層構造では、偏光された放射線のs成分は、
約99.8%程度反射され、一方この放射線のp成分は
ほぼ同じ率だけ透過する。
【0057】偏光装置の位置で、レーザから放射される
レーザ放射線は、偏光器3の入射面に関しては、殆どs
成分のみを有することに注意する。
【0058】従って、この放射線は、殆ど全部が反射さ
れ、丁度充分なだけ、位相シフト装置25に向けられ
る。
【0059】位相シフト装置25では、放射線(レーザ
光)は、第1の偏向ミラー32に当たる。前記ミラ32
ーは、レーザ光4の偏光方向が、今存在するビームの入
射面に関して、同様な大きさのp成分とs成分を示すよ
うな空間位置にある。しかし、そうでないとしても、こ
ミラー32は、p波とs波の間の相対的な時間の遅れ
がないような性質を持っている。同様なことが、位相シ
フト装置25に位置する他の2つのミラー32にも当て
はまる。これらのミラー32は、偏光器3に関連してす
でに説明されたように、高い反射率を示す。この場合で
も、正確に決められた厚さの薄い誘電多層を使用して、
高い反射率、及びレーザ光放射線のp成分とs成分間に
位相シフトがないことが達成される。
【0060】また、第2の偏向ミラー33の誘電多層の
厚さに関しては、レーザ光4のp成分とs成分の間の相
対的位相シフトが、90度の大きさつまり1/4波長で
発生するように、このミラー33が設計されている。層
の数は、各層により反射され伝達されたそれぞれの波を
重合わせた結果、反射率が全体的に高くなるように、一
定して選択される。両方のミラー32、33の場合は、
最後の反射面として、特に金属層を選択することが可能
である。このことは、ミラーの基礎の本体が金属ででき
ている時にも当てはまる。金属には、更に、熱をよく取
り除く利点もある。
【0061】レーザ光4は、円偏光に偏光されたビーム
として位相シフト装置25から出て、次に、光学フォー
カシングシステム即ちレンズ7を通じて、エッチングさ
れるテンプレートに当たる。既に説明されたように、こ
のテンプレートは、薄いラッカ層8aが塗られた薄い金
属製シリンダ8を備えている。ラッカ層8aは、レーザ
光4により気化され、放射エネルギが消費される。しか
し、ラッカ層8aが充分浸食されるためには、浸食に絶
対的に必要な量より多い放射エネルギが必ずなければな
らない。
【0062】従って、レーザ放射線の一部は金属面に当
たって、その大部分は、金属面の反射率が高いため、金
属面によって後方反射される。この放射線は、元のビー
ムの方向と同一線上で一致しない程度に多少バラついて
おり、この加工を完全に実施することに対しては、この
バラつきは重要ではない。
【0063】しかし、元のビームの方向と完全に一致す
るビームの成分は、再び位相シフト装置25を通過す
る。先ず述べなければならないことは、金属面から正確
に垂直に反射される放射線は、最初のp成分とs成分の
間で全く位相シフトをしていないことである。このこと
は、残留放射線が位相シフト装置25内の第1ミラー3
2に戻ってくる場合でも、最初の90度の位相シフトが
保存されていることを意味する。この場合、再び、同じ
時間的方向と大きさの位相シフト、つまり90度の位相
シフトが、今度はミラー33によって強制的に行われ
る。
【0064】これより先に戻るレーザ放射線は、次に、
p成分とs成分の間で計180度の位相シフトを示す。
これは、放射線が再び直線に偏光され、偏光面が元の位
置に対して90度回転していることを意味する。位相シ
フト装置25を出る戻りのビームは今、最初にレーザに
よって放出された放射線の偏光面に対して直角である。
このために、戻りの放射線は、薄い層の偏光器3の入射
面に対してp波である。この場合、このp波は反射され
ず、薄い層の偏光器3を透過する。
【0065】前記p波は、次に冷却されたビームコレク
タ29に当たり、前記ビームコレクタは、放射線エネル
ギを吸収して、前記放射線エネルギを廃熱に変換する。
ビームコレクタ29は、できる限り反射しない、もしく
は黒の表面を備えており、水等で冷却されると好都合で
ある。
【0066】図4は、反射されて戻る放射線の除去( c
oupling out )のための、更にもう1つ装置の実施態様
を示す。なお、図3と同様のコンポーネントには、この
場合、同じ参照番号を付している。
【0067】レーザ光4の偏光は、この場合レーザ共振
器の中にある2個のブルースタウィンド37によって発
生する。除去( coupling out )ウィンド2を通してレ
ーザ1からレーザ放射線が放出された後、レーザ光4は
第1ミラー3によって案内される。前記第1ミラー3
は、直線に偏光された放射線の成分間に位相シフトを全
く起こさせない。
【0068】そして、更に、レーザ光は、ブルースタ角
に設定された平面誘電プレート38を高い屈折率で通過
する。レーザ光4は次に小さい複屈折クリスタルプレー
ト39を通過する。前記クリスタルプレート39は、互
いに直角になっている2つの同様な大きさの成分に対
し、90度の相対的な位相シフトつまり1/4の波長の
位相シフトを起こさせる。これらの成分は、常光ビーム
及び異常光ビームの成分である。これらの成分は、レー
ザ光4の偏光方向に対してクリスタルが正しい回転位置
を示すところで、同じ大きさになるように選択できる
つのビームの成分の相対的位相シフトは、クリスタル
39を通る光学的経路の長さとクリスタルの性質に依存
する。従って、クリスタル39の長さは、所望の位相シ
フトが発生するような大きさになるように選択される。
レーザ光4は、クリスタル39を最初に通過した後に円
偏光に偏光され、クリスタル39を2回目に通過した後
つまり、反射されて戻ってきた後に、同じ大きさで同じ
方向への2回目の位相シフトの結果、再び直線に偏光さ
れる。これで、偏光方向は、最初の透過コースにおける
偏光方向に垂直となる。
【0069】レーザ光4が進むに従って、それは再び平
面誘電プレート38に当たる。前記プレート38は、ブ
ルースタ角に設定される。そして、偏光方向が異なる結
果、今や戻ってきた放射線の大部分がビームコレクタ2
9内へと反射されるために、放射線の小さい成分のみが
レーザ共振器を通過する。レーザ共振器内では、更に2
個のブルースタウィンド37が設けられている。そして
その偏光方向のために、いかなるレーザ発生活動も起こ
すことができない。
【0070】なお、平面プレート38の反射率を上げる
ために、後者に薄い層又は複数の薄い層を備えるシステ
ムをコーティングすることができる。
【0071】更に指摘する必要があるのは、示されてい
る薄い層の偏光器3、又は偏光に使用されているブルー
スタウィンド37の代わりに、ダイクロイック偏光器、
もしくは比較的波長の長いレーザ放射線の場合は、ワイ
ヤグリッド偏光器を使用することが可能なことである。
又、位相シフト装置25として、フレネルの平行6面体
とも呼ばれるフレネルのひし形を使用することも可能で
ある。
【0072】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るレー
ザエッチング方法及び装置によれば、レーザ光をパター
ン領域内で連続的に照射するため、レーザ光がオフされ
ると、エネルギは常にその最大値から下がる。また、各
パターン領域の端において、レーザ光を12μsから3
0μsの期間内でオフさせる。更に、金属スクリーンに
反射されて、レーザ経路に戻ってくる放射線が、ビーム
コレクタに集められてレーザ経路から除去されレーザ
光が短時間で消滅する。従って、得られる金属スクリー
ン上のパタン領域はそのエッジを鋭利とでき、ラッカ
層を所望の形状に正確にエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】レーザエッチング装置全体の斜視図である。
【図2】図1と同様の装置の平面図である。
【図3】第1の実施例に係る位相シフト装置を有する装
置である。
【図4】第2の実施例に係る位相シフト装置を有する装
置である。
【符号の説明】
2 カップリングアウトウィンド 3 第1ミラー 4 レーザ光 5 第2ミラー 6 第3ミラー 7 レンズ 8 中空シリンダ 8a ラッカー層 9、10 円錐形断端 11 主軸台 12 心押し台 13 ガイドトラック 14 中空シリンダ軸 15 キャリッジ(加工台) 16 横送り台 17 スピンドル 18 ガイドロッド 19 ステッピングモータ 20 回転位置デコーダ 21 制御装置 22、23 ライン 25 位相シフト装置 26、27 アップライト 29、30 ビームコレクタ 31 ハウジング 32 第1ミラー 33 第2ミラー 34 開口部 36 ミラーシステム 37 ブルースタウィンド 38 平面誘電プレート 39 複屈折クリスタルプレート

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 中空シリンダ状の回転金属スクリーンの
    外表面上に形成されたラッカ層に対してレーザ光を照射
    し、前記ラッカ層を所定パターンにエッチングする方法
    であって 前記パタン領域内の前記ラッカ層は、前記レーザ光が
    連続的に照射されることでエッチングされ、 前記レーザ光は、前記各パターン領域の端において、1
    2μsから30μsの期間内にオフされ、 前記回転金属スクリーンで反射されてレーザ経路に戻る
    放射線は、レーザ経路から除去されることを特徴とする
    レーザエッチング方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のレーザエッチング方法
    であって、前記レーザ光をオフさせる前記期間は 、レーザガスの配
    合を変えることによってプリセットされることを特徴と
    するレーザエッチング方法。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2記載レーザエ
    ッチング方法であって、 前記レーザ光は、前記各パターン領域の端に到達する時
    点より、前記レーザ光のオフ期間に応じた時間だけ早く
    オフされることを特徴とするレーザエッチング方法。
  4. 【請求項4】 請求項1請求項3のいずれか一つに記
    載されたレーザエッチング方法であって、 前記ラッカ層は、約1kwのレーザパワーの使用により
    浸食されることを特徴とするレーザエッチング方法。
  5. 【請求項5】 請求項1請求項4のいずれか一つに記
    載されたレーザエッチング方法であって、 前記レーザ光は、最初に直線偏光に偏光され、 次に偏光フィルタを通過し、 その後、前記ラッカ層に当たる前に、相互に直角で互い
    に90度位相のずれた同じ大きさの2つのビーム成分に
    分割されることを特徴とするレーザエッチング方法。
  6. 【請求項6】 請求項1請求項5いずれか1つに記
    載されたレーザエッチング方法を実行するためのレーザ
    エッチング装置であって、 金属スクリーンの末端部分のベアリング用に最低1つの
    ベアリング装置を有する処理ステーションと、 シリンダ軸の回りで前記金属スクリーンを回転するため
    の駆動装置と、 第3ミラーを有し前記シリンダ軸に平行に移動可能な処
    理台と、 前記第3ミラーによって偏向可能なレーザ光を発生させ
    るためのガスレーザと、 前記駆動装置を制御する制御装置と、 前記処理台及び前記ガスレーザのトランスポートと、 を有し、 前記ガスレーザは直線偏光に偏光されたレーザ光を発
    し、 第1偏光器と前記第3ミラーの間のビーム経路、前記
    金属スクリーンで反射されて戻る放射線の振動面前記
    ガスレーザから放出される前記レーザ光の振動面に対し
    て90度回転されることを特徴とするレーザエッチング
    装置。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載のレーザエッチング装置
    であって、 前記ガスレーザは前記シリンダ軸に平行に設けられ、 第1ミラーと第2ミラーとが、前記レーザ光を前記第3
    ミラーへ導くために設けられ、 振動面を回転させる装置が、前記第1ミラーと前記第2
    ミラーとの間に設けられることを特徴とするレーザエッ
    チング装置。
  8. 【請求項8】 請求項6に記載のレーザエッチング装置
    であって、 最初に前記レーザ光を受ける前記第1ミラーは、薄い層
    を有する第1偏光器であり、 前記振動面を回転させる装置は、更に別の4つのミラー
    を有し、 前記4つのミラーはビーム経路中に連続して設けられ、
    そのうちの1つの前記ミラーは、λ/4位相装置である
    ことを特徴とするレーザエッチング装置。
  9. 【請求項9】 請求項6に記載のレーザエッチング装置
    であって、 前記振動面を回転させる装置は、ビーム経路内に、ブル
    ースタ角に設定された平面誘電プレートと、複屈折プレ
    ートと、を有することを特徴とするレーザエッチング装
    置。
  10. 【請求項10】 請求項6から請求項8のうちのいずれ
    か1つに記載のレーザエッチング装置であって、 前記振動面を回転させる装置が、前記第1ミラーと前記
    第2ミラーとを相互に接続しているキャリア上に設けら
    れていることを特徴とするレーザエッチング装置。
  11. 【請求項11】 請求項6から請求項9のうちのいずれ
    か1つに記載のレーザエッチング装置であって、 前記制御装置は、前記ガスレーザのガス配合の設定手段
    を有することを特徴とするレーザエッチング装置。
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