JPH0291955A - 半導体ペレットのマウント方法 - Google Patents

半導体ペレットのマウント方法

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JPH0291955A
JPH0291955A JP63245348A JP24534888A JPH0291955A JP H0291955 A JPH0291955 A JP H0291955A JP 63245348 A JP63245348 A JP 63245348A JP 24534888 A JP24534888 A JP 24534888A JP H0291955 A JPH0291955 A JP H0291955A
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JP
Japan
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semiconductor
pellet
pellets
wafer
semiconductor pellet
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Pending
Application number
JP63245348A
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English (en)
Inventor
Naomi Suyama
須山　直美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体ペレットのマウント方法に関する。
［従来の技術］ 半導体ウェハより分割された個々の半導体ペレットをリ
ードフレーム上の所定のペレットマウント部にマウント
する方法には次のようなものがある。即ち、第３図（ａ
）に示すように、粘着シート１０１に半導体ウェハ１０
０を貼着してからダイシングブレード１０３によってス
クライブ溝ｌ・０４・・・を形成し、該スクライブ溝１
０４・・・に沿って個々の半導体ペレット１０２・・・
に分割する０分割された半導体ペレット１０２・・・は
、第３図（ｂ）に示すように、粘着シート１０１を引き
延ばして間隔が広げられ、個々の半導体ペレット１０２
・・・表面を吸着コレラ）１０５によって真空吸着され
る。この吸着コレット１０５の吸引力はそれほど強くな
いので、貼着された粘着テープ１０１から半導体ペレッ
ト１０２を離反させる場合には、第４図に示すように、
半導体ペレット１０２を吸着コレラ）１０５で真空吸着
後、半導体バレント１０２下方の粘着シー）１０１を突
上ピン１０６で上方に押圧して、半導体ペレット１０２
下端周縁部を粘着シート１０１より先ず離反させて離反
力を弱めてから吸着コレット１０５で真空吸着させてい
る。そして、リードフレーム１０７上の所定のペレット
マウント部１０８の半田１０９上にマウントしている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら半導体ベレン）１０２を吸着コレット１０
５で真空吸着するとき、粘着シート１０１との貼着状態
によっては、突上げピン１０６で粘着シート１０１を押
圧して離反力を弱めても一回の吸着動作で半導体ペレッ
ト１０２を離反できないことがあり、上記動作が数度繰
り返えされる場合がある。このとき、吸着コレット１０
５の吸着面に異物等が付着して、真空吸着時に正常な半
導体ペレット１０２表面の導電パターンを傷つけて断線
等を生じさせ、この半導体ペレット１０２を不良品にす
るといった問題があった。
［課題を解決するための手段］ 上記問題を解決するために、本発明の半導体ペレットの
マウント方法は、刃先に段差が形成されたダイシングブ
レードによって半導体ウェハを鍔部を有した個々の半導
体ペレットに分割し、該半導体ペレットの鍔部をクラン
パによって挟持してリードフレーム上の所定のペレット
マウント部にマウントすることを特徴とする。
［作用］ 本発明の半導体ペレットのマウント方法では、ダイシン
グブレードの刃先の段差により、個々の半導体ペレット
は鍔部が形成された状態で分割される。この鍔部をクラ
ンパによって挟持すれば、半導体ペレフトは確実に支持
され、さらに、半導体ペレット表面と接触することなく
リードフレーム上の所定のペレットマウント部に半導体
ペレットをマウントできる。
［実施例］ 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第１図（ａ）から（Ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例に
かかる半導体ペレットのマウント方法を順を追って示す
概略説明図である。即ち、本発明のマウント方法は、先
ず第１図（ａ）に示すように、半導体ウェハ１の表面側
ｌａを例えば紫外線硬化型の粘着シート２上に貼着し、
半導体ウェハ１の裏面側１ｂにダイシングブレード３に
よってスクライプ溝４・・・を形成する。上記ダイシン
グブレード３は刃先３ａか細くなって段差が形成されて
おり、半導体ウェハｌの裏面側１ｂのスクライブａ４が
広く、半導体ウェハｌの表面側１ａが狭くなって切り込
まれる。
段差を有したスクライプ溝４・・・が切り込まれると、
半導体ウェハ１の裏面側１ｂに別の粘着シート５を貼着
し、第１図（ｂ）に示すように、該半導体ウェハｌを上
記粘着シート２，５と一体で反転させ、粘着シート２上
にローラ（図示せず）等を押圧させて個々の半導体ペレ
ット６・・・に分割すると共に、上記粘着シート２に紫
外線を照射して該粘着シート２の粘着力を低下させ、分
割された半導体ペレット６表面側６ａから剥離する。そ
して、半導体ペレット６の裏面側６ｂに貼着された粘着
シート５を引き延ばして個々の半導体ペレット６・・・
の間隔を広げる。この半導体ペレット６・・・は、表面
側６ａに上記ダイシングブレード３の刃先３ａの段差に
よって鍔部６１が形成された半導体ペレット６となって
分割される。
粘着シート５を引き延ばして間隔が広げられた各半導体
ペレット６・・・は、第１図（Ｃ）に示すように、クラ
ンパ８によって上記半導体ペレット６に形成された鍔部
６１が挟持され、間歇的に移動するリードフレーム９の
所定のペレットマウント部１０上に盛られた半田１１上
にマウントされる。
上記クランパ８は、２本の腕部８１．８１が下方に延設
され、該腕部８１．８１の先端係止部８１ａ、ｌｌａを
前記半導体ペレット６表面周縁に形成された対向する鍔
部６１．６１に係止される。
このクランパ８の腕部８１，８１で半導体ペレット６の
鍔部６１，６１を挟持すれば、粘着シート５から離反さ
せる場合にも強い離反力が得られるので、従来のように
粘着シート５を突上げピン等で押圧して半導体ペレット
６下端周縁を粘着シート５から離反させて半導体ペレッ
ト６の離反力を弱める必要がなくなる。また、クランパ
８の腕部８１．８１で半導体ペレット６の鍔部６１．６
１を挟持すれば、従来の吸着コレットのように半導体ペ
レット６表面に接触することなくリードフレーム９のペ
レットマウント部１０上に半導体ペレフト６をマウント
することができる。従って、半導体ペレット６表面側６
ａを塵等によって傷を付け、形成された導電パターン等
を切断し、この半導体ペレット６を不良品にするという
ことは全くなくなる。
ここで、分割された半導体ペレット６の形状としては、
第２図に示すように、例えば、半導体ペレット６の厚み
Ｔ１を約３００μｍ程度とすれば、鍔部６１の厚みＴ２
は、クランパ８によって挟持された状態で粘着テープ５
からの離反力に対して充分耐えられるように、上記厚み
ＴＩに対して約１／３の１００μｍ程度とし、クランパ
８の腕部８１．８１の先端係止部８１ａ、８１ａを係止
させ易いように突出長さしを約数十μｍ程度とするのが
よい。
本発明の半導体ペレットのマウント方法では、半導体ペ
レット６の表面側６ａｌｉｌａに形成された鍔部６１．
６１を、クランパ８の腕部８１．８１の先端係止部９１
ａ、８１ａで係止して挟持するため、粘着シート５から
離反させる場合の離反力が充分得られるので一回のクラ
ンプ動作によって半導体ペレット６を粘着シート５より
離反させることが可能となる。また、半導体ペレット６
表面側６ａには接触しないので、半導体ウェハｌの表面
側１ａを粘着シート２に貼着するときに塵等を両者間に
挟み込まない限り、半導体ペレット６に形成された導電
パターン等に傷を付けて不良品にするといったことはな
い。
〔発明の効果〕
以上の説明から明かなように、本発明の半導体ペレット
のマウント方法では、半導体ペレットに形成された鍔部
をクランパで挟持するため確実に支持され、且つ、半導
体ペレット表面に接触しないので半導体ペレット表面に
傷等を付けることなく確実にリードフレーム上の所定の
ペレットマウント部にマウントできるといった効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）から（Ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例に
かかる半導体ペレットのマウント方法を順を追って示す
概略説明図、第２図は同実施例における半導体ペレット
の形状を示す側面図、第３図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ
従来の半導体ペレットのマウント方法を示す概略説明図
、第５図は従来の半導体ペレットの真空吸着の説明図で
ある。 ３・・・ダイシングブレード、 ３ａ・・・刃先、 ６１・・・鰐部、 ６・・・半導体ペレット、 ８・・・クランパ、 ９・・・リードフレーム、 １０・・・ペレットマウント部、 （ｃ） 第１図 第２図 第 図 （特許庁審査官 殿 ！、事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第２４５３°４８号 ２、発明の名称 半導体ペレットのマウント方法 ３゜ 補正をする者 事件との関係　特許出願人 〒５２０滋賀県大津市晴嵐２丁目９番１号４゜ 補正命令の日付 昭和６３年１２月２０日 ５゜ 補正の対象

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）刃先に段差が形成されたダイシングブレードによ
    って半導体ウェハを鍔部を有した個々の半導体ペレット
    に分割し、該半導体ペレットの鍔部をクランパによって
    挟持してリードフレーム上の所定のペレットマウント部
    にマウントすることを特徴とする半導体ペレットのマウ
    ント方法。
JP63245348A 1988-09-29 1988-09-29 半導体ペレットのマウント方法 Pending JPH0291955A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11447441B2 (en) 2015-11-23 2022-09-20 Retrotope, Inc. Site-specific isotopic labeling of 1,4-diene systems

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11447441B2 (en) 2015-11-23 2022-09-20 Retrotope, Inc. Site-specific isotopic labeling of 1,4-diene systems
US12060324B2 (en) 2015-11-23 2024-08-13 Biojiva Llc Site-specific isotopic labeling of 1,4-diene systems

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