JPH0290054U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0290054U JPH0290054U JP16850588U JP16850588U JPH0290054U JP H0290054 U JPH0290054 U JP H0290054U JP 16850588 U JP16850588 U JP 16850588U JP 16850588 U JP16850588 U JP 16850588U JP H0290054 U JPH0290054 U JP H0290054U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- plate
- semiconductor wafer
- view
- plate portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims 2
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- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 1
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Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Description
第1図は研磨プレートに半導体ウエハをワツク
スで貼り付けた従来例の構造を示す断面図。aは
研磨前、bが研磨後を示す。第2図はワツクスを
盛り上げて貼り付けた従来例の貼り付け構造を示
す断面図。aが研磨前、bが研磨後を示す。第3
図はウエハと同じ材料である補充片によつてオリ
エンテーシヨンフラツトを保護した従来例の貼り
付け構造を示す断面図。aが研磨前、bが研磨後
の状態を表す。第4図はウエハと同じ材料で研磨
後のウエハより低い補充片によつてオリエンテー
シヨンフラツトを保護した従来例の貼り付け構造
を示す断面図。aは研磨前、bが研磨後を示す。
第5図は本考案の実施例に係る内側に細長い当て
板部を設けた研磨プレートの斜視図。第6図は本
考案の第2の実施例に係る外側に長細い当て板部
を設けた研磨プレートの斜視図。第7図は本考案
の第3の実施例に係る中央部に広い当て板部を設
けた研磨プレートの斜視図。第8図は本考案の第
4の実施例に係る外側部に広い当て板部を設けた
研磨プレートの斜視図。第9図は本考案の第5の
実施例に係る矩形ウエハのために中央部に十字型
の当て板部を設けた研磨プレートの斜視図。第1
0図は本考案の研磨プレートに於いてウエハのオ
リエンテーシヨンフラツトを当て板部に当てて貼
り付けた状態を示す断面図。aが研磨前、bが研
磨後の状態を示す。第11図は本考案の第6の実
施例に係る着脱可能な当て板部をワツクスで貼り
付けるものの斜視図。aは当て板部を除去する手
順を示し、bは断面を示す。第12図aは本考案
の他の実施例に係り、中央部が低く周辺部が高く
なつた当て板部を中心に設けた研磨プレートの斜
視図。bは断面図。第13図bは本考案の他の実
施例に係り、周縁へゆくに従い低くなる当て板部
を周辺部に設けた研磨プレートの斜視図。bは断
面図。 1……半導体ウエハ、2……ワツクス、3……
研磨プレート、4……オリエンテーシヨンフラツ
ト、A〜H……当て板部。
スで貼り付けた従来例の構造を示す断面図。aは
研磨前、bが研磨後を示す。第2図はワツクスを
盛り上げて貼り付けた従来例の貼り付け構造を示
す断面図。aが研磨前、bが研磨後を示す。第3
図はウエハと同じ材料である補充片によつてオリ
エンテーシヨンフラツトを保護した従来例の貼り
付け構造を示す断面図。aが研磨前、bが研磨後
の状態を表す。第4図はウエハと同じ材料で研磨
後のウエハより低い補充片によつてオリエンテー
シヨンフラツトを保護した従来例の貼り付け構造
を示す断面図。aは研磨前、bが研磨後を示す。
第5図は本考案の実施例に係る内側に細長い当て
板部を設けた研磨プレートの斜視図。第6図は本
考案の第2の実施例に係る外側に長細い当て板部
を設けた研磨プレートの斜視図。第7図は本考案
の第3の実施例に係る中央部に広い当て板部を設
けた研磨プレートの斜視図。第8図は本考案の第
4の実施例に係る外側部に広い当て板部を設けた
研磨プレートの斜視図。第9図は本考案の第5の
実施例に係る矩形ウエハのために中央部に十字型
の当て板部を設けた研磨プレートの斜視図。第1
0図は本考案の研磨プレートに於いてウエハのオ
リエンテーシヨンフラツトを当て板部に当てて貼
り付けた状態を示す断面図。aが研磨前、bが研
磨後の状態を示す。第11図は本考案の第6の実
施例に係る着脱可能な当て板部をワツクスで貼り
付けるものの斜視図。aは当て板部を除去する手
順を示し、bは断面を示す。第12図aは本考案
の他の実施例に係り、中央部が低く周辺部が高く
なつた当て板部を中心に設けた研磨プレートの斜
視図。bは断面図。第13図bは本考案の他の実
施例に係り、周縁へゆくに従い低くなる当て板部
を周辺部に設けた研磨プレートの斜視図。bは断
面図。 1……半導体ウエハ、2……ワツクス、3……
研磨プレート、4……オリエンテーシヨンフラツ
ト、A〜H……当て板部。
補正 平1.3.30
図面の簡単な説明を次のように補正する。
明細書第21頁7行目「13図b」とあるを「
第13図aと訂正する。
第13図aと訂正する。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体ウエハを下面に貼り付け、研磨布を
貼つた回転する定盤の上に押し付け、研磨液を供
給しながら半導体ウエハを研磨する事とした研磨
プレートであつて、半導体ウエハの研磨後の厚み
より低い高さの当て板部を永久的或は着脱可能に
研磨プレートの下面に設けてあり、半導体ウエハ
のオリエンテーシヨンフラツト又はその他の劈開
面を当て板部に当ててワツクスで貼り付けるよう
にし、研磨液による劈開面の腐蝕を防ぐようにし
た事を特徴とする研磨プレート。 (2) 当て板部の高さが0.2〜0.6mmである
事を特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)項
記載の研磨プレート。 (3) 当て板部は、オリエンテーシヨンフラツト
又はその他の劈開面に当たる部分が最も高く、そ
れ以外の部分は低くなつている事を特徴とする実
用新案登録請求の範囲第(1)項記載の研磨プレー
ト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16850588U JPH0290054U (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16850588U JPH0290054U (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0290054U true JPH0290054U (ja) | 1990-07-17 |
Family
ID=31457740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16850588U Pending JPH0290054U (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0290054U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222785A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体ウエハおよびその研磨方法 |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP16850588U patent/JPH0290054U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222785A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体ウエハおよびその研磨方法 |