JPH0289351A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0289351A JPH0289351A JP24200988A JP24200988A JPH0289351A JP H0289351 A JPH0289351 A JP H0289351A JP 24200988 A JP24200988 A JP 24200988A JP 24200988 A JP24200988 A JP 24200988A JP H0289351 A JPH0289351 A JP H0289351A
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- guide
- cathode conductor
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Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 53
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、ガイドリングによって半導体エレメントの
位置決め、固定を行なうように構成された半導体装置に
関するものである。
位置決め、固定を行なうように構成された半導体装置に
関するものである。
（従来の技術〕
第２図は、この種の半導体装置の従来例の１つを示すＵ
断面図である。図において、半導体エレメント１は円板
状をなし、導電材料からなり陰極電極を兼ねる補強板１
ａの上に半導体基板１ｂを適当なろう材で接着して構成
されている。半導体基板１ｂの上面は適当な金属によっ
て図示しないゲート電極と陰極電極とを外周域と内周域
とに分割して形成した陰極面とされ、補強板１ａの下面
は半導体エレメント７のｌ！Ｉ３極血とされている。こ
の半導体エレメントの陰極面側には、金属からなり概形
が円板状の陰８ｉｓ電体２が上記した陰極電極にのみ電
気的に接触するように押し付けられている。また半導体
エレメント１の陽極面側には、導電材料からなり概形が
円板状の陽極導電体３が上記した陽極電極に電気的に接
触するように押し付けられている。陰極導電体２の外周
には陰極フランジ４が設けられる一方、陰極導電体３の
外周にも陽極フランジ５が設けられ、この陰極フランジ
４と陽極フランジ５とを絶縁筒体６で結合することによ
って、陰極導電体２と陽極Ｓ電体３とは電気的な絶縁状
態を保った状態で一体に連結されている。陰極導電体２
の下半部外周には絶縁部材７を介して導電材料からなる
ゲートリング８が外嵌めされている。このゲートリング
８は陰極導電体２の外周に設けられた平座金９，１０で
支持されているばね１１によって半導体エレメント１の
陰極面に押し付けられ、これによって陰極面のゲート電
極に対してゲートリング８が電気的接触を保つように構
成されている。平座金１０とゲートリング８との間には
絶縁部材１２が介挿されており、この絶縁部材１２と上
記した絶縁部材７とによってゲートリング８と陰極導電
体２との間が電気的に絶縁されている。またゲートリン
グ８は、ゲートリード線１３を介して外部のゲート端子
１４に電気的に接続され、ゲート端子１４に与えられる
制御信号を、ゲートリード線１３．ゲートリング８を通
して半導体エレメント１のゲート電極に伝達するように
構成されている。さらに、陰極導電体２の外周には絶縁
材料からなるガイドリング１５が外嵌めされ、これによ
って半導体ニレメン・ト１を位置決めするように構成さ
れている。このガイドリング１５の材質は絶縁材料であ
ればよいが、例えばセラミックのように剛性の高い材料
を使用した場合、半導体エレメント１．陰極導電体２お
よびガイドリング１５のそれぞれの製作公差を考慮する
と、それぞれのはめ合いにかなりの裕度をもたせなけれ
ばならない。そこで、より精度よい位置合せを可能とす
るため、通常はガイドリング１５の材料として、例えば
シリコーンゴムのような弾性のある材料を使用し、かつ
そのガイドリング１５の内径を半導体エレメント１及び
陰極導電体２の外径より些かに小さく寸法設定している
。
断面図である。図において、半導体エレメント１は円板
状をなし、導電材料からなり陰極電極を兼ねる補強板１
ａの上に半導体基板１ｂを適当なろう材で接着して構成
されている。半導体基板１ｂの上面は適当な金属によっ
て図示しないゲート電極と陰極電極とを外周域と内周域
とに分割して形成した陰極面とされ、補強板１ａの下面
は半導体エレメント７のｌ！Ｉ３極血とされている。こ
の半導体エレメントの陰極面側には、金属からなり概形
が円板状の陰８ｉｓ電体２が上記した陰極電極にのみ電
気的に接触するように押し付けられている。また半導体
エレメント１の陽極面側には、導電材料からなり概形が
円板状の陽極導電体３が上記した陽極電極に電気的に接
触するように押し付けられている。陰極導電体２の外周
には陰極フランジ４が設けられる一方、陰極導電体３の
外周にも陽極フランジ５が設けられ、この陰極フランジ
４と陽極フランジ５とを絶縁筒体６で結合することによ
って、陰極導電体２と陽極Ｓ電体３とは電気的な絶縁状
態を保った状態で一体に連結されている。陰極導電体２
の下半部外周には絶縁部材７を介して導電材料からなる
ゲートリング８が外嵌めされている。このゲートリング
８は陰極導電体２の外周に設けられた平座金９，１０で
支持されているばね１１によって半導体エレメント１の
陰極面に押し付けられ、これによって陰極面のゲート電
極に対してゲートリング８が電気的接触を保つように構
成されている。平座金１０とゲートリング８との間には
絶縁部材１２が介挿されており、この絶縁部材１２と上
記した絶縁部材７とによってゲートリング８と陰極導電
体２との間が電気的に絶縁されている。またゲートリン
グ８は、ゲートリード線１３を介して外部のゲート端子
１４に電気的に接続され、ゲート端子１４に与えられる
制御信号を、ゲートリード線１３．ゲートリング８を通
して半導体エレメント１のゲート電極に伝達するように
構成されている。さらに、陰極導電体２の外周には絶縁
材料からなるガイドリング１５が外嵌めされ、これによ
って半導体ニレメン・ト１を位置決めするように構成さ
れている。このガイドリング１５の材質は絶縁材料であ
ればよいが、例えばセラミックのように剛性の高い材料
を使用した場合、半導体エレメント１．陰極導電体２お
よびガイドリング１５のそれぞれの製作公差を考慮する
と、それぞれのはめ合いにかなりの裕度をもたせなけれ
ばならない。そこで、より精度よい位置合せを可能とす
るため、通常はガイドリング１５の材料として、例えば
シリコーンゴムのような弾性のある材料を使用し、かつ
そのガイドリング１５の内径を半導体エレメント１及び
陰極導電体２の外径より些かに小さく寸法設定している
。
従来の半導体装置は上記のように構成され、陰極導電体
２を半導体エレメント１の陰極面に、また陽極導電体３
を半導体エレメント１の陽極面に所定の圧力で押し当て
て半導体エレメント１と電気的接触を保ち、陰極導電体
２と陽極導電体３の間に適当な電圧を印加した状態で、
ゲート端子１４からゲーｉ・リード線１３．ゲートリン
グ８を介して半導体エレメント１のゲート電極に制御信
号として制ｔｉｌｌ電流を流すことによって、陰極導電
体２と陽極導電体３の間に流れる電流が制御される。
２を半導体エレメント１の陰極面に、また陽極導電体３
を半導体エレメント１の陽極面に所定の圧力で押し当て
て半導体エレメント１と電気的接触を保ち、陰極導電体
２と陽極導電体３の間に適当な電圧を印加した状態で、
ゲート端子１４からゲーｉ・リード線１３．ゲートリン
グ８を介して半導体エレメント１のゲート電極に制御信
号として制ｔｉｌｌ電流を流すことによって、陰極導電
体２と陽極導電体３の間に流れる電流が制御される。
この動作が行なわれるためには、ゲートリング８が半導
体エレメント１のゲート ｉに正しく接触していな（プ
ればならない。例えば半導体エレメント１が位置ずれし
て、ゲートリング８が半導体エレメント１の陰（触セ極
に接触しているものとすると、ゲート端子１４から与え
られる制御電流はゲートリング８から半導体エレメント
１内に伝達されないで、半導体エレメント１の陰極電極
を通して陰極導電体２に伝わりゲート電極・陰極電極間
短絡（以下ＧＫショートと呼ぶ）を引き起こし半導体装
置は制御不能におちいる。この半導体装置では、陰極導
電体２に対する半導体エレメント１の位置関係はガイド
リング１５によって固定される一方、ゲートリング８は
陰極導゛市体２の外周に絶縁部材７を介して外嵌めされ
ていることから、ゲートリング８とゲート電極の間が正
しい位置関係に固定されることになる。
体エレメント１のゲート ｉに正しく接触していな（プ
ればならない。例えば半導体エレメント１が位置ずれし
て、ゲートリング８が半導体エレメント１の陰（触セ極
に接触しているものとすると、ゲート端子１４から与え
られる制御電流はゲートリング８から半導体エレメント
１内に伝達されないで、半導体エレメント１の陰極電極
を通して陰極導電体２に伝わりゲート電極・陰極電極間
短絡（以下ＧＫショートと呼ぶ）を引き起こし半導体装
置は制御不能におちいる。この半導体装置では、陰極導
電体２に対する半導体エレメント１の位置関係はガイド
リング１５によって固定される一方、ゲートリング８は
陰極導゛市体２の外周に絶縁部材７を介して外嵌めされ
ていることから、ゲートリング８とゲート電極の間が正
しい位置関係に固定されることになる。
第３図は、上記した半導体装置と基本的な構造が同じ他
の従来例（特開昭６２−１０１０７２号公報）を示す縦
断面図である。この半導体装置の場合、ゲートリング８
とゲート電極の接触を半導体エレメント１の陰極面の中
心と外周域の中間の領域で行なわせている点が上記した
半導体装置と異なるのみで、その他の構成及び動作につ
いては同様であるのでその説明は省略する。
の従来例（特開昭６２−１０１０７２号公報）を示す縦
断面図である。この半導体装置の場合、ゲートリング８
とゲート電極の接触を半導体エレメント１の陰極面の中
心と外周域の中間の領域で行なわせている点が上記した
半導体装置と異なるのみで、その他の構成及び動作につ
いては同様であるのでその説明は省略する。
しかしながら、上記した従来の半導体装置では、ガイド
リング１５の外周囲は空間となっているため、半導体エ
レメント１はもっばらガイドリング１５の剛性によって
固定されていた。これに対し、ガイドリンク１５は、既
述したように、通常はシリコーンゴム等の弾性体で構成
されているため、ガイドリング１５の剛性が不足して半
導体エレメント１の位置ずれが生ずるおそれがあり、場
合によってはＧ−にショートを引き起こすおそれがあっ
た。
リング１５の外周囲は空間となっているため、半導体エ
レメント１はもっばらガイドリング１５の剛性によって
固定されていた。これに対し、ガイドリンク１５は、既
述したように、通常はシリコーンゴム等の弾性体で構成
されているため、ガイドリング１５の剛性が不足して半
導体エレメント１の位置ずれが生ずるおそれがあり、場
合によってはＧ−にショートを引き起こすおそれがあっ
た。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、確実にＧ−にショートを防止できる半導体装
置を得ることを目的とする。
たもので、確実にＧ−にショートを防止できる半導体装
置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、片面がゲート電極と陰極
電極を有する陰極面とされ、他の片面が陽極電極を有す
る陽極面とされた半導体エレメントと、この半導体エレ
メントの陰極面側にその陰極電極にのみ接触するように
押し当てられる陰極導電体と、この陰極導電体と絶縁体
を介して一体化され、前記半導体エレメントの陽極面側
にその陽極電極に接触するように押し当てられる陽極導
電体と、前記陰極導電体に対して電気的に絶縁した状態
で外嵌めされ、前記半導体エレメントの陰極面側にその
ゲート電極にのみ接触するように押し当てられるゲート
部材と、このゲート部材を介して前記半導体エレメント
のゲート電極に制御信号を伝達する制御信号伝達部材と
、前記半導体エレメントに外嵌めされて半導体エレメン
トを位置決めするガイドリンクとを備えた半導体装置で
あって、前記陰極ｌｆｆ１体の外縁を延長してガイドリ
ングの外周囲を取囲むようにガイド部を設け、このガイ
ド部で前記ガイドリングを内嵌め固定している。
電極を有する陰極面とされ、他の片面が陽極電極を有す
る陽極面とされた半導体エレメントと、この半導体エレ
メントの陰極面側にその陰極電極にのみ接触するように
押し当てられる陰極導電体と、この陰極導電体と絶縁体
を介して一体化され、前記半導体エレメントの陽極面側
にその陽極電極に接触するように押し当てられる陽極導
電体と、前記陰極導電体に対して電気的に絶縁した状態
で外嵌めされ、前記半導体エレメントの陰極面側にその
ゲート電極にのみ接触するように押し当てられるゲート
部材と、このゲート部材を介して前記半導体エレメント
のゲート電極に制御信号を伝達する制御信号伝達部材と
、前記半導体エレメントに外嵌めされて半導体エレメン
トを位置決めするガイドリンクとを備えた半導体装置で
あって、前記陰極ｌｆｆ１体の外縁を延長してガイドリ
ングの外周囲を取囲むようにガイド部を設け、このガイ
ド部で前記ガイドリングを内嵌め固定している。
この発明においては、半導体ニレメン１−を位置決めす
るガイドリングの外周囲が、陰極導電体より延長された
ガイド部により補強されるので、ガイドリングの剛性不
足が補なわれる。また前記ガイド部は、陰極導電体と一
体になっているので、陰ｗＡ導電体の加工と同時に加工
することが可能であり、したがってガイド部の陰極導電
体に対する同軸度が高く、精度のよい加工が可能となる
。これによりゲートリングと半導体エレメントの間の位
置関係に生じるずれが小さく抑えられる。
るガイドリングの外周囲が、陰極導電体より延長された
ガイド部により補強されるので、ガイドリングの剛性不
足が補なわれる。また前記ガイド部は、陰極導電体と一
体になっているので、陰ｗＡ導電体の加工と同時に加工
することが可能であり、したがってガイド部の陰極導電
体に対する同軸度が高く、精度のよい加工が可能となる
。これによりゲートリングと半導体エレメントの間の位
置関係に生じるずれが小さく抑えられる。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す縦
断面図であり、１〜１５は上記従来装置と全く同一のも
のである。この半導体装置では、陰極導電体２１の外縁
を延長してガイドリング１５の外周囲を取囲むようにガ
イド部２ａを設け、このガイド部２ａでガイドリング１
５を内嵌め固定している。
断面図であり、１〜１５は上記従来装置と全く同一のも
のである。この半導体装置では、陰極導電体２１の外縁
を延長してガイドリング１５の外周囲を取囲むようにガ
イド部２ａを設け、このガイド部２ａでガイドリング１
５を内嵌め固定している。
この半導体装置によれば、陰極導電体２とそのガイド部
２ａとが一体となっており、ガイド部２ａを陰極導電体
２と同時に加工することが可能である。したがって陰Ｆ
Ｍ導電体２の下半部の外径とガイド部２ａの内径との同
軸度を良好に成型することができる。また、ガイドリン
グ１５は、陰極導電体２のガイド部２ａの内壁にそって
挿入され、ガイドリング１５の内壁にそって半導体エレ
メント１が挿入される。このとぎ、ガイドリング１５は
、通常、シリコーンゴム等の弾性材料で構成されるため
、陰極導電体２のガイド部２ａとガイドリング１５の間
あるいはガイドリング１５と半導体エレメント１との間
に適度のすきまを設ける必要がないため、半導体エレメ
ント１と陰極導電体２との同軸度を良好（固定させるこ
とが可能となり、半導体エレメント１とゲートリング１
５との同軸度もまた良好に固定させることが可能となる
。
２ａとが一体となっており、ガイド部２ａを陰極導電体
２と同時に加工することが可能である。したがって陰Ｆ
Ｍ導電体２の下半部の外径とガイド部２ａの内径との同
軸度を良好に成型することができる。また、ガイドリン
グ１５は、陰極導電体２のガイド部２ａの内壁にそって
挿入され、ガイドリング１５の内壁にそって半導体エレ
メント１が挿入される。このとぎ、ガイドリング１５は
、通常、シリコーンゴム等の弾性材料で構成されるため
、陰極導電体２のガイド部２ａとガイドリング１５の間
あるいはガイドリング１５と半導体エレメント１との間
に適度のすきまを設ける必要がないため、半導体エレメ
ント１と陰極導電体２との同軸度を良好（固定させるこ
とが可能となり、半導体エレメント１とゲートリング１
５との同軸度もまた良好に固定させることが可能となる
。
また、ガイドリング１５は、その外周囲が金属からなる
陰極導電体２のガイド部２ａにより補強されているため
、ガイドリング１５の剛性の不足によるガイドリング１
５の変形およびそれによる半導体エレメント１の位置ず
れの防止が可能となる。
陰極導電体２のガイド部２ａにより補強されているため
、ガイドリング１５の剛性の不足によるガイドリング１
５の変形およびそれによる半導体エレメント１の位置ず
れの防止が可能となる。
なお、この実施例の半導体装置の動作は従来装置と同様
であるので、ここではその説明は省略する。
であるので、ここではその説明は省略する。
以上のように、この発明によれば、陰極導電体にガイド
部を設けることにより、半導体エレメントとゲートリン
グとの同軸度の良好な位置決めが可能となり、確実にＧ
−にショーＩ・を防止できる効果がある。
部を設けることにより、半導体エレメントとゲートリン
グとの同軸度の良好な位置決めが可能となり、確実にＧ
−にショーＩ・を防止できる効果がある。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す縦
断面図、第２図は従来の半導体装置の一例を示す縦断面
図、第３図は従来の半導体装置の他の例を示す縦断面図
である。 図において、１は半導体エレメント、２は陰極導電体、
２ａはガイド部、３は陽極導電体、６は絶縁筒体、７は
絶縁部材、８はゲートリング、１３はゲートリード線、
１５はガイドリングである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
断面図、第２図は従来の半導体装置の一例を示す縦断面
図、第３図は従来の半導体装置の他の例を示す縦断面図
である。 図において、１は半導体エレメント、２は陰極導電体、
２ａはガイド部、３は陽極導電体、６は絶縁筒体、７は
絶縁部材、８はゲートリング、１３はゲートリード線、
１５はガイドリングである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）片面がゲート電極と陰極電極を有する陰極面とさ
れ、他の片面が陽極電極を有する陽極面とされた半導体
エレメントと、この半導体エレメントの陰極面側にその
陰極電極にのみ接触するように押し当てられる陰極導電
体と、この陰極導電体と絶縁体を介して一体化され、前
記半導体エレメントの陽極面側にその陽極電極に接触す
るように押し当てられる陽極導電体と、前記陰極導電体
に対して電気的に絶縁した状態で外嵌めされ、前記半導
体エレメントの陰極面側にそのゲート電極にのみ接触す
るように押し当てられるゲート部材と、このゲート部材
を介して前記半導体エレメントのゲート電極に制御信号
を伝達する制御信号伝達部材と、前記半導体エレメント
に外嵌めされて半導体エレメントを位置決めするガイド
リングとを備えた半導体装置において、 前記陰極導電体の外縁を延長してガイドリングの外周囲
を取囲むようにガイド部を設け、このガイド部で前記ガ
イドリングを内嵌め固定したことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24200988A JPH0289351A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24200988A JPH0289351A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289351A true JPH0289351A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17082904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24200988A Pending JPH0289351A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0289351A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644341A (en) * | 1993-07-14 | 1997-07-01 | Seiko Epson Corporation | Ink jet head drive apparatus and drive method, and a printer using these |
| US5668579A (en) * | 1993-06-16 | 1997-09-16 | Seiko Epson Corporation | Apparatus for and a method of driving an ink jet head having an electrostatic actuator |
| US5818473A (en) * | 1993-07-14 | 1998-10-06 | Seiko Epson Corporation | Drive method for an electrostatic ink jet head for eliminating residual charge in the diaphragm |
| US5821951A (en) * | 1993-06-16 | 1998-10-13 | Seiko Epson Corporation | Ink jet printer having an electrostatic activator and its control method |
| US5912684A (en) * | 1990-09-21 | 1999-06-15 | Seiko Epson Corporation | Inkjet recording apparatus |
| US6168263B1 (en) | 1990-09-21 | 2001-01-02 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording apparatus |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP24200988A patent/JPH0289351A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5975668A (en) * | 1993-06-16 | 1999-11-02 | Seiko Epson Corporation | Ink jet printer and its control method for detecting a recording condition |
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