JPH0288764A - 薄膜磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気デイスクの製造方法Info
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- JPH0288764A JPH0288764A JP17577289A JP17577289A JPH0288764A JP H0288764 A JPH0288764 A JP H0288764A JP 17577289 A JP17577289 A JP 17577289A JP 17577289 A JP17577289 A JP 17577289A JP H0288764 A JPH0288764 A JP H0288764A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、薄膜金属合金の磁気記録ディスクの製造に関
し、特に、このようなディスクを所定の保磁力が得られ
るよう製造する工程に関するものである。
し、特に、このようなディスクを所定の保磁力が得られ
るよう製造する工程に関するものである。
Ｂ、従来技術
代表的な薄膜金属合金の磁気記録ディスクは。
アルミニウム・マグネシウム（Ａ２Ｍｇ）合金にニッケ
ル・リン（Ｌｉｎ）を塗布したものなどの基板、コバル
ト合金を前記基板上にスパッタ蒸着した磁性層、右よび
、スパッタ蒸着した無定形（アモルファス）炭素膜など
を前記磁性層上に重ねた保護膜からなる。このような薄
膜ディスクの構造については、オブファ（０ｐｆｅｒ）
他による米国特許筒４６１０９０１号、リン（Ｌｉｎ１
他による同第４５５２８２０号に一般的な説明がある。
ル・リン（Ｌｉｎ）を塗布したものなどの基板、コバル
ト合金を前記基板上にスパッタ蒸着した磁性層、右よび
、スパッタ蒸着した無定形（アモルファス）炭素膜など
を前記磁性層上に重ねた保護膜からなる。このような薄
膜ディスクの構造については、オブファ（０ｐｆｅｒ）
他による米国特許筒４６１０９０１号、リン（Ｌｉｎ１
他による同第４５５２８２０号に一般的な説明がある。
このようなディスクの設計で重要な２つの要因は、保磁
力（Ｈｃ）と、残留磁気と厚みの積（Ｍ、”ｔ）である
。高密度の磁気記録が求められる場合、記録ヘッドの書
き込み機能だけでしか制限されないような高い保磁力が
望まれる。さらに、記録密度は一般には、残留磁気と厚
みの積と、保磁力との比率（Ｍｒ″ｔ／Ｈｃ）に反比例
する。したがって、所定の値のこれらの磁気特性、なか
でも保磁力に従ってそのようなディスクを製造すること
が望ましい。
力（Ｈｃ）と、残留磁気と厚みの積（Ｍ、”ｔ）である
。高密度の磁気記録が求められる場合、記録ヘッドの書
き込み機能だけでしか制限されないような高い保磁力が
望まれる。さらに、記録密度は一般には、残留磁気と厚
みの積と、保磁力との比率（Ｍｒ″ｔ／Ｈｃ）に反比例
する。したがって、所定の値のこれらの磁気特性、なか
でも保磁力に従ってそのようなディスクを製造すること
が望ましい。
Ｃ１発明が解決しようとする問題点
このようなディスクを製造するときの問題点としては、
所定の値の保磁力を得るため保磁力を変えることは以前
は容易でなかったことが挙げられる。所定の保磁力を持
つディスクを製造するとき、従来法には、スパッタリン
グのターゲットの成分を変化させるものがある。たとえ
ば、オブフｙ （０ｐｆｅｒｌ他による米国特許第４６
１０９１１号では、コバルト・プラチナ（ＣｏＰｔ）合
金のプラチナ成分を変えて、保磁力を変化させる。しか
し、この方法には欠点がある。それは、新しいスパッタ
リングのターゲットをスパッタリング装置に挿入するた
め、製造ラインを停止しなければならないという点であ
る。他に、保磁力の値を選択的に変化させる方法として
、ディスク基板と磁性層の間の下層が用いられる。これ
により、その後に蒸着される磁性層の保磁力その他の磁
気特性が向上する。この方法は、米国特許第４６５４２
７６号と同４６５２４９９号に述べられている。
所定の値の保磁力を得るため保磁力を変えることは以前
は容易でなかったことが挙げられる。所定の保磁力を持
つディスクを製造するとき、従来法には、スパッタリン
グのターゲットの成分を変化させるものがある。たとえ
ば、オブフｙ （０ｐｆｅｒｌ他による米国特許第４６
１０９１１号では、コバルト・プラチナ（ＣｏＰｔ）合
金のプラチナ成分を変えて、保磁力を変化させる。しか
し、この方法には欠点がある。それは、新しいスパッタ
リングのターゲットをスパッタリング装置に挿入するた
め、製造ラインを停止しなければならないという点であ
る。他に、保磁力の値を選択的に変化させる方法として
、ディスク基板と磁性層の間の下層が用いられる。これ
により、その後に蒸着される磁性層の保磁力その他の磁
気特性が向上する。この方法は、米国特許第４６５４２
７６号と同４６５２４９９号に述べられている。
ここで改良材すなわちディスクの保磁力を改良する核生
成層として、タングステン（Ｗ）と、クロム・バナジウ
ム合金（ＣｒＶ）が提案されている。
成層として、タングステン（Ｗ）と、クロム・バナジウ
ム合金（ＣｒＶ）が提案されている。
Ｄ６問題点を解決するための手段
本発明は、薄膜コバルト合金ディスクの保磁力を、ター
ゲットの成分を変えずに、また改良材としての下地層を
使わずに、選択的に変化させる方法である。この方法で
は、コバルト合金の磁性層がスパッタ蒸着されるとき、
アルゴン（Ａｒ）のスパッタリング雰囲気に一酸化炭素
（ＣＯ）ガスが導入される。厚みとコバルト合金の成分
を同一にしたとき、ディスクの保磁力は、スパッタリン
グ雰囲気に加えられるＣＯの量と逆比例の関係にあるこ
とが知られている。この方法は、下層が必要とされる薄
膜金属合金のディスクの製造に採用することもできる。
ゲットの成分を変えずに、また改良材としての下地層を
使わずに、選択的に変化させる方法である。この方法で
は、コバルト合金の磁性層がスパッタ蒸着されるとき、
アルゴン（Ａｒ）のスパッタリング雰囲気に一酸化炭素
（ＣＯ）ガスが導入される。厚みとコバルト合金の成分
を同一にしたとき、ディスクの保磁力は、スパッタリン
グ雰囲気に加えられるＣＯの量と逆比例の関係にあるこ
とが知られている。この方法は、下層が必要とされる薄
膜金属合金のディスクの製造に採用することもできる。
ただし、保磁力を変えるのに必要な一酸化炭素の量は、
下層を持たないディスクの保磁力を変える場合よりも多
い。この工程は、連続生産を行う連続（インライン）ス
パッタリング装置で充分に適用可能である。この装置で
はディスクの層はすべて単一のスパッタリング装置内で
被着される。一酸化炭素は、製造後のディスクの保磁力
を決定し、ディスクを構成する他の層のいずれの形成に
も悪影響を与えず、ディスクの他の磁性特性にも悪影響
を与えることがない。
下層を持たないディスクの保磁力を変える場合よりも多
い。この工程は、連続生産を行う連続（インライン）ス
パッタリング装置で充分に適用可能である。この装置で
はディスクの層はすべて単一のスパッタリング装置内で
被着される。一酸化炭素は、製造後のディスクの保磁力
を決定し、ディスクを構成する他の層のいずれの形成に
も悪影響を与えず、ディスクの他の磁性特性にも悪影響
を与えることがない。
Ｅ、実施例
本発明によるディスク製造用スパッタリング装置の概略
を第１図に示す。スパッタリング装置ＩＯは断面図とし
て示され、インライン・スパッタリング装置である。第
１図に端部を示したディスク基板２０は、可動キャリア
２２に支持され、スパッタリング装置ｌＯ内を直線移動
する。磁気記録ディスクの磁性層は、基板２０の両面に
被着されるため、基板２０の両側に間隔をあけてコバル
ト合金の２つのスパッタリングのターゲット１２．１４
がある。加圧された供給タンク３０．３２から送られる
スパッタリング・ガスは、フロー制御装置３４．３６に
よって導管を経由し、スパッタリング装置ＩＯに入る。
を第１図に示す。スパッタリング装置ＩＯは断面図とし
て示され、インライン・スパッタリング装置である。第
１図に端部を示したディスク基板２０は、可動キャリア
２２に支持され、スパッタリング装置ｌＯ内を直線移動
する。磁気記録ディスクの磁性層は、基板２０の両面に
被着されるため、基板２０の両側に間隔をあけてコバル
ト合金の２つのスパッタリングのターゲット１２．１４
がある。加圧された供給タンク３０．３２から送られる
スパッタリング・ガスは、フロー制御装置３４．３６に
よって導管を経由し、スパッタリング装置ＩＯに入る。
スパッタリング・ガスはマニホールド４０．４２を介し
てスパッタリング装置に入る。各マニホールドに孔があ
り、ガスはこれによって基板２０とスパッタリングのタ
ーゲット１２．１４の間の空間に入る。ＡｒとＣＯが混
合した個別のガス供給タンク３０とそのフロー制御装置
を除き、第１図のスパッタリング装置は従来の製造用ス
パッタリング装置の概略である。
てスパッタリング装置に入る。各マニホールドに孔があ
り、ガスはこれによって基板２０とスパッタリングのタ
ーゲット１２．１４の間の空間に入る。ＡｒとＣＯが混
合した個別のガス供給タンク３０とそのフロー制御装置
を除き、第１図のスパッタリング装置は従来の製造用ス
パッタリング装置の概略である。
第１図の装置は、基本的にはインライン製造装置内の１
ステーシヨンを示し、ターゲット１２．１４は、磁性層
として基板２０に形成されるものと同じ成分のコバルト
合金からなる。しかし、基板２０上に、磁性層の形成前
に下地層が形成される場合、下地層は、可動キャリア２
２がキャリアをターゲット１２．１４の近くまで移動さ
せる前に、インライン装置１０の中で形成される。同様
に、保護膜が装置内で形成される場合、キャリア２２は
基板２０を次のステーションまで移動させ、ここで別の
ターゲットが活性化され、磁性層に保護膜が形成される
。 本発明により、あらかじめタンク３０でＡｒと混合
した一酸化炭素は、フロー制御装置３４によってスパッ
タリング装置ｌＯに送られる。一酸化炭素とアルゴン（
これもタンク３２から装置ｌＯに送られる）の相対流量
は、スパックリングのターゲット１２．１４から基板２
０土で形成される磁性層の保磁力を制御するように制御
される。
ステーシヨンを示し、ターゲット１２．１４は、磁性層
として基板２０に形成されるものと同じ成分のコバルト
合金からなる。しかし、基板２０上に、磁性層の形成前
に下地層が形成される場合、下地層は、可動キャリア２
２がキャリアをターゲット１２．１４の近くまで移動さ
せる前に、インライン装置１０の中で形成される。同様
に、保護膜が装置内で形成される場合、キャリア２２は
基板２０を次のステーションまで移動させ、ここで別の
ターゲットが活性化され、磁性層に保護膜が形成される
。 本発明により、あらかじめタンク３０でＡｒと混合
した一酸化炭素は、フロー制御装置３４によってスパッ
タリング装置ｌＯに送られる。一酸化炭素とアルゴン（
これもタンク３２から装置ｌＯに送られる）の相対流量
は、スパックリングのターゲット１２．１４から基板２
０土で形成される磁性層の保磁力を制御するように制御
される。
スパッタリング装置に送られる一酸化炭素の量により、
ディスクの保磁力を選択的に変化させる方法を実証する
ため、スパッタリング装置へ送られる一酸化炭素の量を
変え、それぞれ異なるディスクが形成された。各ディス
クは、一酸化炭素ガスを所定量にしたスパッタリング環
境で製造されたものに対応する。これらのディスクの製
造中。
ディスクの保磁力を選択的に変化させる方法を実証する
ため、スパッタリング装置へ送られる一酸化炭素の量を
変え、それぞれ異なるディスクが形成された。各ディス
クは、一酸化炭素ガスを所定量にしたスパッタリング環
境で製造されたものに対応する。これらのディスクの製
造中。
ターゲット１２．１４に供給された直流電源は同じレベ
ルに保たれ、キャリア２２は同じ速度で移動させ、装置
ｌＯ内の温度と圧力も同じレベルに保たれた。装置ｌＯ
の圧力は、６ｍＴｏｒｒに維持され、供給タンク３２か
らのＡｒガスの流量は４１０標準毎分立方センチメート
ル（ｓｃｃｍ）に維持された。供給タンク３０内の混合
ガスは５ＴＰ（標準気温・気圧）では体積比でＣＯ２％
、Ａｒ９８％であった。タンク３ｏからの流量はフロー
制御装置３４によって制御され、０ないし１１．２ｓｅ
ｃｍの範囲で様々に変更された。この後、ディスクの保
磁力と他の磁気特性が測定・比較された。第２図は、異
なるディスクの測定保磁力を、タンク３０からの２％
Ｃｏ／９８％Ａｒガスの流量およびこの流量によるスパ
ッタリング装置ｌＯ内の体積比でのＣＯ濃度の関数とし
て示す、第２図のデータかられかるとおり、装置ｌＯに
送られるＣｏ量と得られた磁気記録ディスクの保磁力に
は直接的な相関がある。
ルに保たれ、キャリア２２は同じ速度で移動させ、装置
ｌＯ内の温度と圧力も同じレベルに保たれた。装置ｌＯ
の圧力は、６ｍＴｏｒｒに維持され、供給タンク３２か
らのＡｒガスの流量は４１０標準毎分立方センチメート
ル（ｓｃｃｍ）に維持された。供給タンク３０内の混合
ガスは５ＴＰ（標準気温・気圧）では体積比でＣＯ２％
、Ａｒ９８％であった。タンク３ｏからの流量はフロー
制御装置３４によって制御され、０ないし１１．２ｓｅ
ｃｍの範囲で様々に変更された。この後、ディスクの保
磁力と他の磁気特性が測定・比較された。第２図は、異
なるディスクの測定保磁力を、タンク３０からの２％
Ｃｏ／９８％Ａｒガスの流量およびこの流量によるスパ
ッタリング装置ｌＯ内の体積比でのＣＯ濃度の関数とし
て示す、第２図のデータかられかるとおり、装置ｌＯに
送られるＣｏ量と得られた磁気記録ディスクの保磁力に
は直接的な相関がある。
上記の工程によって作られたディスクには、従来のＡβ
Ｍｇ基板とＮｉＰの表面膜を使用した。
Ｍｇ基板とＮｉＰの表面膜を使用した。
磁性層は、成分がＣＯｙｓＰ ｔ １２ｃ ｒ ＋ａの
ターゲット１２．１４によって形成され、膜厚が約３０
０オングストロームになるまでＮｉＰ膜に直接被着され
た。その後、厚みが約２５０オングストロームの水素添
加した炭素の保護膜が磁性層上に形成された。各ディス
クの保磁力は、第２図に示すように、Ｃｏ量によって異
なったが、Ｍ、”ｔの測定値ではディスク間にわずかな
がら差があり、保磁力の角形比（Ｓｏ）では大きな変化
はみられなかった。 この工程は、ＣｏＰｔＣｒディス
クでも良好な結果を示した。このディスクでは、Ｎｉｐ
とＣｏＰｔＣｒの磁性層の間のＣｒまたはＣｒ ｌｌ０
Ｖ ２０の下層は厚みが５００ないし３０００オングス
トロームの範囲である。保磁力も同じように制御した。
ターゲット１２．１４によって形成され、膜厚が約３０
０オングストロームになるまでＮｉＰ膜に直接被着され
た。その後、厚みが約２５０オングストロームの水素添
加した炭素の保護膜が磁性層上に形成された。各ディス
クの保磁力は、第２図に示すように、Ｃｏ量によって異
なったが、Ｍ、”ｔの測定値ではディスク間にわずかな
がら差があり、保磁力の角形比（Ｓｏ）では大きな変化
はみられなかった。 この工程は、ＣｏＰｔＣｒディス
クでも良好な結果を示した。このディスクでは、Ｎｉｐ
とＣｏＰｔＣｒの磁性層の間のＣｒまたはＣｒ ｌｌ０
Ｖ ２０の下層は厚みが５００ないし３０００オングス
トロームの範囲である。保磁力も同じように制御した。
ただし、同じ結果を得るため。
Ｃｏ量をいくらか多くする必要があった。
Ｆ９発明の効果
このように、本発明による方法によって、磁性層に所要
の成分と厚みを持たせた薄膜コバルト合金の磁気記録デ
ィスクを、特別に選択された保磁力に応じて製造するこ
とができる。保磁力の選択に、下層は必要なく、スパッ
タリングのターゲットを変える必要もない。さらに、ス
パッタリング装置の中の一酸化炭素は、保護膜または下
層の形成に大きな影響を与えないことがわかった。した
がって、先に述べたように保磁力を選択的に変化させる
方法は、同じスバ・ツタリング雰囲気で磁気記録ディス
クのすべての層が形成されるインライン製造装置に採用
できる。
の成分と厚みを持たせた薄膜コバルト合金の磁気記録デ
ィスクを、特別に選択された保磁力に応じて製造するこ
とができる。保磁力の選択に、下層は必要なく、スパッ
タリングのターゲットを変える必要もない。さらに、ス
パッタリング装置の中の一酸化炭素は、保護膜または下
層の形成に大きな影響を与えないことがわかった。した
がって、先に述べたように保磁力を選択的に変化させる
方法は、同じスバ・ツタリング雰囲気で磁気記録ディス
クのすべての層が形成されるインライン製造装置に採用
できる。
第１図は、本発明の方法が適用されるスパッタリング装
置の一例を示す断面図である。 第２図は、ＣｏＰｔ合金の保磁力を、スパッタリング装
置への一酸化炭素の流量の関数として表したグラフであ
る。 ｌＯ・・・スパッタリング装置、１２．１４・・ターゲ
ット、２０・・・ディスク、２２・・可動キャリア、３
０．３２・・・供給タンク。 ３４．３６・・・フロー制御装置、４０．４２・・マニ
ホールド
置の一例を示す断面図である。 第２図は、ＣｏＰｔ合金の保磁力を、スパッタリング装
置への一酸化炭素の流量の関数として表したグラフであ
る。 ｌＯ・・・スパッタリング装置、１２．１４・・ターゲ
ット、２０・・・ディスク、２２・・可動キャリア、３
０．３２・・・供給タンク。 ３４．３６・・・フロー制御装置、４０．４２・・マニ
ホールド
Claims (3)
- （１）スパッタリング装置内でコバルト合金磁性層のス
パッタ蒸着を行う工程を含む、薄膜磁気記録ディスクの
製造方法において、前記スパッタリング装置内に一酸化
炭素ガスを導入する工程を含んでいる、薄膜磁気記録デ
ィスクの製造方法。 - （２）一酸化炭素ガスを導入する工程は、アルゴン・ガ
スに一酸化炭素ガスを混合する工程と、その後に混合ガ
スを前記スパッタリング装置内に導入する工程と、を含
んでいる、請求項（１）に記載の製造方法。 - （３）一酸化炭素ガスを導入する工程は、一定の流量で
ガスを導入する工程を含んでいる、請求項（１）に記載
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US24547188A | 1988-09-16 | 1988-09-16 | |
| US245471 | 1999-02-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288764A true JPH0288764A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=22926790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17577289A Pending JPH0288764A (ja) | 1988-09-16 | 1989-07-10 | 薄膜磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0288764A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100232A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6180527A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-24 | バ−バテイム コ−ポレ−シヨン | 磁気記録媒体用耐摩耗・耐腐蝕性膜の作成方法 |
| JPS62114124A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Sony Corp | 磁気デイスクの製造方法 |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP17577289A patent/JPH0288764A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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