CN101256779A - 垂直磁记录介质和磁记录/再现装置 - Google Patents

垂直磁记录介质和磁记录/再现装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。在该垂直磁记录介质中，软磁性层(2)，具有精细晶体结构并且由Pd或Pd合金构成的第一非磁性衬层(3)，由Ru和Ru合金构成的第二非磁性衬层(4)，和垂直磁记录层(5)层叠在非磁性衬底(1)上。

Description

垂直磁记录介质和磁记录/再现装置
技术领域
本发明涉及一种垂直磁记录介质和磁记录/再现装置，该装置用在例如使用磁记录技术的硬盘驱动器中。
背景技术
最近，对于增加硬盘驱动器容量的需求已经出现，并且随着记录密度的增加记录位的尺寸越来越快地减小。为了形成大容量硬盘介质，不仅需要减小记录位尺寸，还需要改善记录/再现特性，即，减小来自介质的噪音。导致介质噪音的主要原因被认为是在位的边界部分的大概呈之字形移动的磁畴壁。减小来自位边界部分噪音的一种方法是形成一个较清晰的记录位边界。这将使减小记录位之间的磁相互作用成为可能，并且在每个单独的位上精确地执行记录/再现。
日本专利申请KOKAI公开号为2003-77122公开了一种用于改善记录/再现特性的方法的例子，该方法是一种通过在非磁性衬底上顺序层叠至少一层非磁性衬层、磁性层和保护层来形成垂直记录介质的技术，磁性层由铁磁晶粒和主要包括氧化物的非磁性颗粒边界组成，非磁性衬层由具有六角密堆积晶体结构的金属或合金组成，以及籽晶层由金属或具有面心立方晶体结构的合金组成，其形成在非磁性衬层和非磁性衬底之间。该技术的显著特征在于籽晶层由选自Cu、Au、Pd、Pt和Ir的金属，包含Cu，Au，Pd，Pt和Ir的至少一种的合金，或包含Ni和Fe的合金组成。该技术能使像籽晶层一样的面心立方结构的密堆积面(closest packed face)沿(111)面取向，并且能使形成在籽晶层上并具有六角密堆积结构的非磁性衬层定向在沿(002)面上。这能够改善具有和非磁性衬层同样六角密堆积结构的记录层的晶体取向，并且能够获得具有良好磁特性的垂直磁记录介质。
然而，当使用具有面心立方结构的结晶的籽晶层时，虽然晶体取向得以改善，但晶粒尺寸变得难以减小，因为籽晶层的颗粒尺寸被反映在非磁性层上。
日本专利申请KOKAI公开号为2004-327006公开了，例如，一种具有尝试性改善记录/再现特性并且通过使用垂直磁记录介质增加抗热衰减性的技术，其中垂直磁记录介质至少包括形成在非磁性衬底上的一层软磁性衬层，第一非磁性衬层，第二非磁性衬层，垂直磁记录膜和保护膜，该第一衬层由Pt，Pd，或至少Pt和Pd中的一种的合金组成，并且第二非磁性衬层由Ru或Ru的合金组成。具体地，通过给Pt或Pd添加另外的元素而获得的Pt合金或Pd合金能被用在第一衬层中以减小晶粒尺寸。所添加元素的优选例子为B，C，P，Si，Al，Cr，Co，Ta，W，Pr，Nd和Sm。该技术特别地通过添加C尝试性地改善第二磁性衬层和磁记录层的结晶。
遗憾的是，尽管晶体取向和记录/再现特性通过在Pt或Pd中添加添加物得以改善，但颗粒在第一非磁性衬层中被观察到，即，如实施例所述，该层保持了晶粒的形状。在这种情况下，在第一非磁性衬层中颗粒的尺寸强加限制并且使得在磁记录层中进一步减小颗粒尺寸变得很困难。
发明内容
本发明是在考虑到上述情形的情况下做出的，并且其目的在于获得一种垂直磁记录介质，其中通过改善垂直磁记录层中的磁性颗粒的取向以及减小磁性颗粒的尺寸以改善记录/再现特性。
本发明的一种垂直磁记录介质包括：
非磁性衬底；
在非磁性衬底上形成至少一层软磁性层；
在软磁性层上形成第一非磁性衬层，其具有精细晶体结构，并且由钯和钯合金的一种组成；
在第一非磁性衬层上形成第二非磁性衬层，并且由钌和钌合金的一种组成；以及
在第二非磁性衬层上形成垂直磁记录层。
另外，本发明的一种磁记录/再现装置包括：
一种垂直磁记录介质，其包括
非磁性衬底，
在非磁性衬底上形成至少一层软磁性层，
在软磁性层上形成第一非磁性衬层，其具有精细晶体结构，并且由钯和钯合金中的一种组成，
在第一非磁性衬层上形成第二非磁性衬层，并且由钌和钌合金的一种组成，以及
在第二非磁性衬层上形成垂直磁记录层；
支持和旋转该垂直磁记录介质的机构；
磁头，具有用于在该垂直磁记录介质上记录信息的元件，和用于再现记录在该垂直磁记录介质上信息的元件；以及
可相对于该垂直磁记录介质可移动地支持磁头的输运组件。
本发明提供一种垂直磁记录介质，其中通过改善垂直磁记录层中的磁性颗粒的取向以及减小磁性颗粒的尺寸以改善记录/再现特性。
本发明另外的目的和优点将在下面的描述中被阐明，并且基于该描述而部分地变得清楚明显，或可以通过实施本发明而知晓。本发明的目的和优点可以通过下面所特别指出的手段及其结合取得并实现。
附图说明
被结合并构成说明书的一部分的附图展示了本发明的具体实施例，并与上述所给出的一般说明和下面实施例的具体说明一起用于解释本发明的原理。
图1为示出根据本发明一个实施例的垂直磁记录介质的布置的示意性截面图；
图2为示出根据本发明另一实施例的垂直磁记录介质的布置的示意性截面图；
图3为示出根据本发明的磁记录/再现装置的例子的部分分解透视图；
图4为示出根据本发明再另一实施例的垂直磁记录介质的布置的示意性截面图。
具体实施方式
本发明的垂直磁记录介质包括非磁性衬底，形成在非磁性衬底上的一个或多个软磁性层，形成在软磁性层上的第一非磁性衬层，形成在第一非磁性衬层上的第二非磁性衬层，以及形成在第二非磁性衬层上的垂直磁记录层。
第一非磁性衬层具有精细晶体结构并由Pd或Pd合金组成。
第二非磁性衬层由Ru或Ru合金组成。
用在本发明的精细晶体结构是一种介于多晶结构和无定形结构之间的中间结构。当多晶结构更加精细地分裂并且大小例如约1至3nm的精细的晶粒聚集在一起时得到该结构。
当上述具有精细晶体结构的第一非磁性衬层形成时，形成在第一非磁性衬层上并具有晶体结构的第二非磁性衬层和垂直磁记录层中的晶粒能够形成得更加精细而不受第一非磁性衬层颗粒大小的限制。而且，因为第一非磁性衬层不是保持在无定形态而是精细晶体态，所以第二非磁性衬层的晶体取向能够得到改善。另外，改善形成在第二非磁性衬层上的垂直磁记录层的取向成为可能。
如上所述，本发明用具有精细晶体结构的第一非磁性衬层。这样能够改善所述取向和减小垂直磁记录层的颗粒尺寸，因此大大改善了记录/再现特性。从而，能够获得能以高密度记录的垂直磁记录介质。
下面将参照附图更加具体地描述本发明。
图1为根据本发明一个实施例的垂直磁记录介质的设置的示意性截面图。
参照图1，垂直磁记录介质10通过在非磁性衬底1上顺序层叠软磁性衬背层2，第一非磁性衬层3，第二非磁性衬层4，垂直磁记录层5和保护膜6而形成。保护层6的表面还可以通过浸渍等涂敷润滑剂，例如全氟乙醚，从而形成润滑层(未示出)。
在本发明中，首先在非磁性衬底上形成软磁性衬背层。因为形成了具有高磁导率的该软磁性衬背层，所以在该软磁性衬背层上获得具有垂直磁记录层的所谓的双层垂直磁记录介质。在该双层垂直磁记录介质中，软磁性衬背层水平穿过由磁头，例如用于磁化垂直磁记录层的单极头，产生的记录磁场，并将记录磁场返回磁头，由此执行了磁头的部分功能。该软磁性衬背层能够向磁记录层施加充分陡峭的垂直磁场，并提高记录/再现效率。
用作软磁性衬背层的软磁性材料是一种具有高饱和磁通密度和好的软磁特性的材料，例如CoZrNb，CoTaZr，FeCoB，FeCoN，FeTaC，FeTaN，FeNi，CoB和FeAlSi。
用在本发明中的软磁性衬背层是单层或具有两层或多层的层叠结构。在该层叠结构中，指定的非磁中间层可以形成在各软磁性层之间。
然后，在软磁性衬背层上形成用作第一非磁性衬层的膜。形成第一非磁性衬层用于减小形成在该第一非磁性衬层上的第二非磁性衬层的晶粒的尺寸，以及改善晶粒的晶体取向。第一非磁性衬层由Pd或Pd合金组成。当使用Pd合金时，可以使用Pd和从B，Hf，Si，Ti，Zr，Ge，Al，Cr，Mg和V中选择的至少一种元素的合金。
Pd和Si的合金也被用作第一非磁性衬层。
注意Pd和Si的混合材料也是Pd的合金。
第一非磁性衬层必须具有精细晶体结构。
术语“精细晶体结构”表示在多晶结构和无定形结构之间的较宽范围内的结构。然而，在本申请中所用的精细晶体结构是指通过更加精细地分裂多晶结构形成约1至3nm的精细结晶颗粒的集合体，并且不包括所谓的颗粒结构(偏析的(segregated)精细颗粒晶体)，其中无定形部分在精细颗粒周围偏析。而且，当通过X-射线衍射测量时，本申请的精细晶体结构不被检测到任何清晰的峰结构，而在断面TEM结构等中，晶格条纹被清晰地观察到。通过电子束衍射或类似方法有时可能观察到本申请的精细晶体结构为多个点而不同于无定形环。
通过使用具有不是晶粒结构而是精细晶体结构并且由Pd或Pd合金组成的第一非磁性衬层，本发明能够减小被第一非磁性衬层的颗粒尺寸而强加的限制，因此减小了第二非磁性衬层和垂直磁记录层中的晶粒尺寸。不具有颗粒结构的无定形材料还能够消除被第一非磁性衬层的颗粒尺寸所强加的限制。然而，这种无定形结构不能同时改善第二非磁性衬层的取向。偏析的(segregated)精细颗粒晶体也使尺寸的减小成为可能，因为精细颗粒晶体的颗粒尺寸是小的，但不能消除由第一非磁性衬层所强加的限制。因此，偏析精细颗粒晶体不同于本发明的方法。然而，在这种情况下，取向性改善的程度与当使用具有面心立方结构的Pd多晶衬层时相当。另一方面，当如在本发明中那样使用具有精细结构的第一非磁性衬层时，与使用具有Pd多晶结构的陈层的情况相比，第二非磁性衬层的取向能够被进一步地改善。当在具有Pd多晶结构的第一非磁性衬层上形成由Ru或Ru合金组成的第二非磁性衬层时，在从第一非磁性衬层到第二非磁性衬层的外延生长期间形成用于晶格配位的晶格松弛层(lattice relaxing layer)(初始层)，因为这两个衬层的晶格常数有差异。这一晶格松弛层很容易形成，特别在由Ru或Ru合金构成的第二非磁性衬层中。另一方面，在用于本发明的具有精细晶体结构的第一非磁性衬层中，精细晶体的量很小，并且在具有小应力的精细晶体中形成了晶格应变，因此晶格松弛层形成在第一非磁性衬层的侧面上。因此，与使用Pd多晶结构的情况相比，能够进一步改善第二非磁性衬层的取向。这种效果不能通过精细颗粒晶体获得。
通过例如对一部分Pd膜进行硅化能够获得这种情细晶体Pd或Pd合金膜。可以通过形成与由Si或Si化合物组成的非磁性籽晶层接触的Pd或Pd合金膜执行这种硅化。当Pd或Pd合金层如此形成时，一部分在衬底一侧Pd或Pd合金层被硅化。因为在记录层一侧上的Pd或Pd合金层部分不能再保持晶粒尺寸，所以形成精细晶体。
当使用Pd-Si合金作为第一非磁性衬层时，可使用层叠结构，该结构包括第一Pd-Si层和具有Pd/Si成分比不同于第一Pd-Si合金层的第二Pd-Si层。如果需要，还可以层叠另一Pd-Si层。在这样的结构中，在软磁性层侧上的第一Pd-Si层用作Si供给层。因此，在第一Pd-Si层中Si的含量比形成在垂直磁记录层侧的第二Pd-Si层的Si的含量要大。如果在垂直磁记录层侧的Pd-Si膜中的Si含量增加，那么Pd-Si膜就变成无定形膜或偏析精细颗粒晶体膜。这通常难以获得改善晶体结构的效果。
在垂直磁记录层侧的第二Pd-Si层中Si的含量可以被设置为小于10at％，并还可以被设置为从3-10at％。如果该Si含量超过10％，Pd-Si膜很容易地变成无定形膜或偏析精细颗粒晶体膜，因此难以取得晶体取向改善的效果。当Si含量为3at％或更多时，可以很容易在Pd-Si膜中获得精细晶体的效果。
另一方面，在软磁性层侧的第一Pd-Si层中Si的含量被设置为10at％或更多，并且也可被设置为10-100at％。如果该Si的含量小于10at％，那么Si供给量减少，并且这使得很难在垂直磁记录层侧的Pd-Si膜中获得精细晶体。与在常规条件下形成的膜相比，硅化反应的应用具有能使膜更加平整并且更能改善取向的优点。这是硅化反应所特有的特征。如果形成所含成分比没有变化的均匀的单层Pd-Si膜作为Pd-Si层，通常会形成无定形结构，因为Si在Pd颗粒周围偏析的精细颗粒晶体结构，作为Pd-Si膜最初结构的正交结构，或晶体结构很难形成。也不可能获得硅化反应所独有的平坦化效应。这通常使改善第二非磁性衬层的取向变得困难。另一方面，在本发明中通过层叠具有不同成分比的Pd-Si层可以形成精细晶体Pd-Si膜。为了促进硅化，当形成包含Pd和Si的膜时，压强被设置在0.5Pa或更小。膜还可以在约0.3-0.05Pa的低压下形成。因为这样防止了由杂质而导致的Si的氧化，取得更多的活性Si，并且硅化反应被加速。如果膜在通常所使用的约0.7Pa的压强下形成，将抑制硅化反应，因为Si部分地被氧化。因此，Pd膜或Pd合金膜通常未能形成精细晶体，或偏析颗粒Pd合金膜通常被形成。注意此处所描述的压强是通过测量在膜形成中用的整个真空室而获得的，但每一个压强实际上表示衬底附近的真空度。也就是说，溅射一般很难发生在0.5Pa或更小的低压下。当不同的排气方法用于仅降低衬底附近的压强同时所述真空室或靶附近的保持高的压强以防止上述不便时，衬底附近的压强就是上面所提到的所希望的真空度。
以上描述的效用是Pd或Pd合金独有的；甚至当使用另一种材料例如同样为铂族的Pt时，几乎不能取得晶体取向改善效果。本发明通过在规定的第一非磁性衬层上形成规定的第二非磁性衬层和垂直磁记录层，能购获得具有良好记录/再现特性并且能够高密度记录的垂直磁记录介质。
第二非磁性衬层具有将层叠的衬层的颗粒尺寸和取向传送给磁记录层的作用。重要的是第二非磁性衬层具有与第一非磁性衬层相匹配的合适的晶体，并且具有允许磁记录层外延生长的晶面。像这样的材料，具有六角密堆积结构的Ru或Ru合金可以被用在第二非磁性衬层的表面。这种材料具有使磁记录层能被容易地外延生长在该材料上的优点。当使用Ru合金时，Ru合金可以是Ru和从Cr，Co，Rh，C，SiO2，TiO2和Cr2O3中选择的至少一种物质的合金。特别地可以使用Ru和Cr的合金。
注意此处所提到的Ru合金包括Ru和例如C，SiO2，TiO2或Cr2O3的混合物材料。
当垂直磁记录层外延生长在第二非磁性衬层时，在该衬层上获得的精细的、良好取向的晶体结构可以被引入到垂直磁记录层。用于本发明中的垂直磁记录层优选地含有Co和Pt作为主要成分。该垂直磁记录层具有相对好的晶体取向，并且还具有高的抗热衰减性。该垂直磁记录介质也可以通过层叠两层或多层具有不同成分的磁记录层而形成。还可以在膜形成前后插入加热/冷却处理。
作为形成垂直磁记录介质的材料，可以使用，例如，CoPt合金，CoCr合金，CoCrPt合金，CoCrPtB合金，CoCrPtTa合金，CoCrPt-SiO2合金，CoCrPtO合金，或CoCrPt-TiO2合金。特别地可使用CoCrPt-SiO2合金，CoCrPtO合金，或CoCrPt-TiO2合金。这些合金中任一种都具有有利的晶体取向，大的磁各向异性，和高的抗热衰减性。包含氧的磁记录层能够使颗粒边界相更加清晰，并更能够破坏磁相互作用。
可以在垂直磁记录层上至少形成一层保护膜。保护层的例子为C，类金刚石碳(DLC)，SiNx，SiOx，CNx，和CHx。
任何一种软磁性衬背层，籽晶层，衬层，第二非磁性衬层，垂直磁记录层，和保护膜可以通过通常用于磁记录介质领域的各种沉积技术形成。注意各种溅射方法在这里以及下文将被认为是沉积技术。在这些沉积技术中，可以使用，例如，DC磁控溅射(magnetron sputterin)，RF磁控溅射和真空蒸镀。
当混合两种或多种材料时，也可以使用复合靶(composite target)进行单靶溅射，或使用各具有一种材料的多个靶同时进行多靶溅射。
通过在表面上涂敷润滑剂例如通过浸渍、旋涂或类似方法的全氟聚醚(perfluoroether)，可以将润滑层形成在垂直磁记录介质的表面上，例如磁记录层或保护层的表面。
图2为根据本发明另一实施例的垂直磁记录介质的布置的示意性截面图。
除了偏置层(bias application layer)7和非磁性籽晶层8，图2所示的垂直磁记录介质20具有与图1所示相同的布置，该偏置施加层7为形成在软磁性衬背层2和非磁性衬底1之间的例如纵向硬磁性膜或反铁磁层，并且非磁性籽晶层8形成在软磁性衬背层2和第一非磁性衬层3之间。
软磁性衬背层2很容易形成磁畴，并且该磁畴产生尖峰脉冲噪声。因此，通过形成偏置层7并且沿着偏置层7的半径方向施加磁场，从而施加偏置磁场到在该偏置层7上形成的软磁性衬背层2，由此可以阻止磁畴壁的产生。通过提供偏置层7层叠结构还能够细微地分散各向异性和防止大磁畴很容易的形成。
偏置层7的偏置层材料例如是CoCrPt，CoCrPtB，CoCrPtTa，CoCrPtC，CoCrPtCuB，CoCrRuB，CoCrPtWC，CoCrPtWB，CoCrPtTaNd，CoSm，CoPt，CoPtO，CoCrPtO，CoPt-SiO2，和CoCrPtO-SiO2。
这些偏置层中的任一种可以通过膜形成方法例如溅射法形成。注意为了改善偏置层的结晶和减小其厚度，在所述衬底和偏置层之间也可以形成多个非磁性层。
非磁性籽晶层8由Si或Si合金组成，该非磁性籽晶层8能够形成在软磁性衬背层2和第一非磁性衬层3之间。当由Si合金组成的非磁性籽晶层8形成为与由Pd或Pd合金组成的第一非磁性衬层相接触时，硅化反应在Pd或Pd合金与Si或Si合金之间的界面上发生并形成Pd-Si化合相。因为Pd-Si化合相在Pd或Pd合金层下面形成，因此Pd或Pd合金层很容易地形成精细晶体。
用于非磁性籽晶层8的Si合金的合适的金属是从Zr，Hf，Ta，和Pd中选择的至少一种。这些金属中的任何一种都容易地与Si形成金属硅化物，从而在非磁性籽晶层和第一非磁性衬层之间形成强的Pd-Si化合相。
非磁性籽晶层的厚度可以被设置为1至10nm。如果非磁性籽晶层的膜厚小于1nm，沿非磁性籽晶层膜表面方向的成分的一致性将变得不充分。这将经常使利用第一非磁性衬层形成的Pd-Si化合相不充分。如果所述膜厚大于10nm，从磁头到软磁性衬背层之间的距离就增加。这种间距的损失将劣化磁记录介质的记录/再现特性。还可以执行退火例如后退火(post annealing)来促进金属硅化物层的形成。
作为用于本发明的非磁性衬底，可能使用，例如，铝硅酸盐玻璃，化学强化玻璃，Al基合金衬底例如AlMg衬底，或具有更高耐热性的非磁性衬底，例如，晶化玻璃衬底，Si衬底，C衬底，Ti衬底，具有氧化表面的Si衬底，陶瓷，或塑料。甚至当这些非磁性衬底中的任一种的表面被电镀NiP合金或类似物时，可预期能实现同样的效果。
图3为根据本发明的磁记录/再现装置的部分分解透视图。
如图3所示，本发明的垂直磁记录装置30具有矩形盒状外壳31，其具有上端开口，以及顶盖(未示出)，该顶盖通过螺丝固定在外壳31上并封闭外壳上端开口。
外壳31容纳，例如，根据本发明的垂直磁记录介质32，主轴马达33，磁头34，磁头致动器35，旋转轴36，音圈马达37，和磁头放大电路38。主轴马达33是用于支持和旋转垂直磁记录介质32的驱动装置。磁头34对磁记录介质32执行磁信号的记录和再现。磁头致动器35具有悬臂，在该悬臂的远端安装有磁头34，并且磁头致动器35相对于垂直磁记录介质32可移动地支撑磁头34。旋转轴36可旋转地支撑磁头致动器35。音圈马达37通过旋转轴36旋转并定位磁头致动器35。
下面通过实施例的方式更详细地描述本发明。
实施例
实施例1
制备由玻璃衬底组成的用于2.5英寸磁盘的非磁性衬底。
该非磁性衬底置于具有1×10-5Pa真空度的真空室内，并且在Ar气氛中在0.7Pa的气压下，依下面步骤执行DC磁控溅射。
首先，将非磁性衬底设置为与靶相对，并且通过对CoCrPt靶进行DC 500W放电来形成25nm厚的CoCrPt铁磁层作为偏置层。
在获得的CoCrPt铁磁层上形成120nm厚的CoZrNb软磁性衬背层。
之后，在低于正常气压的0.1Pa的Ar气氛下，通过对Si靶进行DC 500W放电，在CoZrNb软磁性衬背层上形成5nm厚的Si层作为非磁性籽晶层。
然后，在低于正常气压的0.1Pa的Ar气氛下，通过对Pd靶进行DC 500W放电，从而在Si籽晶层上形成5nm厚的Pd层作为第一非磁性衬层。
在这种状态下，在膜形成的过程中气压回到正常的0.7Pa的Ar气氛。
随后，通过对Ru靶进行DC 500W放电，在Pd第一非磁性衬层上形成20nm厚的Ru层作为第二非磁性衬层。
之后，通过准备(Co-16at％Pt-10at％Cr)-8mol％SiO2合成物靶，在Ru第二非磁性衬层上形成15nm厚的CoPtCr-SiO2垂直磁记录层。
最后，形成7nm厚的C保护膜。在真空容器中在其上如上所述相继地形成各个膜的衬底被取出放在大气中，并且通过浸渍形成1.5nm厚的基于全氟聚醚的润滑层，从而获得垂直磁记录介质。
所获得的垂直磁记录介质具有和图2所示垂直磁记录介质相同的断面结构。
对所获得的垂直磁记录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)峰和CoCrPt(00.2)峰，但没有观察到Pd(111)峰。
当在这些峰上进行摇摆曲线测量时，该峰的半宽为2.5°(Ru)和3.0°(CoCrPt)。
这表明垂直磁记录层具有好的结晶性。
另外，对所获得的垂直磁记介质在截面方向进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测本发明的介质的晶体结构。结果表明，Si籽晶层是无定形的，因为没有观察到晶格条纹。另一方面，在Pd第一非磁性衬层中清晰观察到晶格条纹。然而，这些条纹的方向不是一致的，这表明第一非磁性衬层具有精细晶体结构。
在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-SiO2记录层中，晶格条纹规则地在垂直于膜面的方向排列。这表明从第二非磁性衬层到记录层发生了外延生长。
然后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测本发明的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果显示，组成垂直磁记录层的晶粒具有约4至6nm的平均颗粒尺寸。
带有电磁铁的磁化设备被用于沿盘状衬底的半径方向向外对所获得的垂直磁记录介质施加1185A/m(15000Oe)的磁场，从而在表面的半径方向上磁化作为偏置层的铁磁层。使用美国GUZIK制造的Read-write analyzer 1632和Spinstand S1701MP评估了这种被磁化的垂直磁记录介质的记录/再现特性。
记录/再现磁头具有作为记录元件的单极头，和利用磁阻效应并具有0.25μm记录磁道宽度和0.15μm再现磁道宽度的磁头作为再现元件。该测量在离磁盘中心22.2mm的预定半径位置在磁盘转速4200rpm的情况下进行。结果，介质的SNRm(再现信号输出S：在119kFCI的线性记录密度的输出，Nm：当在716kFCI下记录数据时所测量的噪音的rms(方均根)值)为27.0dB，这表明获得了一个好的介质。
比较例1
除了不形成Si籽晶层，Pd第一非磁性衬层在正常的0.7Pa的Ar气氛下形成外，其按照与实施例1的垂直磁记录介质相同的步骤来的到一种垂直磁记录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。
除了没有形成Si籽晶层，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。
然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)峰，CoCrPt(00.2)峰，和Pd(111)峰。
当对Ru和CoCrPt峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为4.2°(Ru)和5.1°(CoCrPt)。
通过对所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量而来检测用于比较的介质的晶体结构。结果，在Pd第一非磁性衬层清晰地观察到晶格条纹，并且各所述条纹的方向几乎与垂直于膜面方向一致。
另外，在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-SiO2记录层中，晶格条纹在垂直于膜面的方向规则地排列。
这些结果表明从Pd第一非磁性衬层到记录层发生了外延生长。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测用于比较的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成该垂直磁记录层的晶粒具有约8至14nm的平均颗粒尺寸。
当以实施例1同样的方法评估记录/再现特性时，SNRm为17.5dB。
因此，在垂直磁记录层中的晶粒精细度和结晶性以及记录/再现特性方面，实施例1中在低Ar气压下形成了Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层的本发明的介质都要优于比较例1的传统介质。
比较例2
除了没有形成Si籽晶层并且用Pt代替Pd作为第一非磁性衬层外，按照与实施例1的垂直磁记录介质相同的步骤被获得一种垂直磁记录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。除了没有形成Si籽晶层和形成Pt第一非磁性衬层代替Pd第一非磁性衬层，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。
然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)峰，CoCrPt(00.2)峰，和Pt(111)峰。
当对Ru和CoCrPt峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为4.5°(Ru)和5.5°(CoCrPt)。
通过在所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量来检测用于比较的介质的晶体结构。结果，在Pt第一非磁性衬层清晰地观察到晶格条纹，并且各所述条纹的方向几乎与垂直于膜面的方向一致。
另外，在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-SiO2记录层中，晶格条纹在垂直于膜面的方向规则地排列。这些结果表明从Pt第一非磁性衬层到垂直磁记录层发生了外延生长。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测用于比较的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成垂直磁记录层的晶粒具有约9至16nm的平均颗粒尺寸。
当以和实施例1同样的方法评估记录/再现特性时，SNRm为15.5dB。
因此，在垂直磁记录层中的晶粒精细度和结晶性以及记录/再现特性上，实施例1中在低Ar气压下形成Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层的本发明的介质都要优于比较例2的传统介质。
比较例3
除了Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层在正常的0.7Pa的Ar气压下形成外，按照与实施例1的垂直磁记录介质相同的步骤来获得垂直磁记录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。
所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。
然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)峰，CoCrPt(00.2)峰，和Pd(111)峰。
当对Ru和CoCrPt峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为4.0°(Ru)和5.0°(CoCrPt)。
通过对所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量来检测用于比较的介质的晶体结构。结果，在Si籽晶层是无定形的，因为没有观察到晶格条纹。
在Pd第一非磁性衬层中，清晰地观察到晶格条纹，并且各条纹的方向几乎与垂直于膜面的方向一致。
另外，在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-SiO2记录层中，晶格条纹在垂直于膜面的方向规则地排列。
这些结果表明从Pd第一非磁性衬层到记录层发生了外延生长。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测用于比较的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成垂直磁记录层的晶粒具有约8至14nm的平均颗粒尺寸。
当以与实施例1同样的方法评估记录/再现特性时，SNRm为18.3dB。
因此，在垂直磁记录层中的晶粒精细度和结晶性以及记录/再现特性上，实施例1中的在低Ar气压下形成Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层的本发明的介质都要优于比较例3的传统介质。
比较例4
除了Si籽晶层和代替Pd第一非磁性衬层的Pt第一非磁性衬层在正常的0.7Pa的Ar气压下形成，按照与实施例1的垂直磁记录介质相同的步骤获得垂直磁记录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。
除了形成Pt第一非磁性衬层代替Pd第一非磁性衬层，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。
然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)峰，CoCrPt(00.2)峰，和Pt(111)峰。
当对Ru和CoCrPt峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为4.7°(Ru)和5.9°(CoCrPt)。
通过对所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量来检测用于比较的介质的晶体结构。结果，Si籽晶层是无定形的，因为没有观察到晶格条纹。
在Pt第一非磁性衬层中，清晰地观察到晶格条纹，并且该条纹的方向几乎与垂直于膜面的方向一致。
另外，在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-SiO2记录层中，晶格条纹在垂直于膜面的方向规则地排列。这些结果表明从Pt第一非磁性衬层到记录层发生了外延生长。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测用于比较的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成的垂直磁记录层的晶粒具有约10至15nm的平均颗粒尺寸。
当以与实施例1同样的方法评估记录/再现特性时，SNRm为14.9dB。
因此，在垂直磁记录层中的晶粒精细度和结晶性以及记录/再现特性上，实施例1中的在低Ar气压下形成Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层的本发明的介质都要优于比较例4的传统介质。
比较例5
除了Si籽晶层和代替Pd第一非磁性衬层的Pt第一非磁性衬层在比正常气压低的0.1Pa的Ar气氛围下形成，按照与实施例1的垂直磁记录介质相同的步骤获得垂直磁记录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。
除了形成Pt第一非磁性衬层代替Pd第一非磁性衬层，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。
然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)峰，CoCrPt(00.2)峰，和Pt(111)峰。
当对Ru和CoCrPt峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为3.7°(Ru)和3.9°(CoCrPt)。
通过对所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量来检测用于比较的介质的晶体结构。
结果，Si籽晶层是无定形的，因为没有观察到晶格条纹。
在Pt第一非磁性衬层中，清晰地观察到晶格条纹，但是各条纹的方向不一致。这表明该层具有精细晶体结构。
另外，在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-SiO2记录层中，晶格条纹在垂直于膜面的方向规则地排列。
这些结果表明从第二非磁性衬层到记录层发生了外延生长。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测用于比较的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。
结果，组成的垂直磁记录层的晶粒具有约7至11nm的平均颗粒尺寸。
当以与实施例1同样的方法评估记录/再现特性时，SNRm为19.1dB。
尽管颗粒尺寸比其他比较例的颗粒尺寸小，但取向的改善仍然不能令人满意。
因此，在垂直磁记录层中的晶粒的精细度和结晶性以及记录/再现特性上，实施例1中的在低Ar气压下形成Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层的本发明的介质都要优于比较例5的传统介质。
实施例2
作为本发明介质的第一非磁性衬层，准备两种具有不同成分含量的靶，即，一个Pd-34at％Si靶(软磁性层一侧)和一个Pd-5at％Si靶(垂直磁记录层一侧)。
除了使用上述两种Pd-Si靶，即Pd-34at％Si靶和Pd-5at％Si靶来替代Pd靶作为第一非磁性衬层以及没有形成Si籽晶层外，按照与实施例1中相同的步骤制造垂直磁记录介质。
除了没有形成Si籽晶层以及形成两层具有不同成分的Pd-Si层作为第一非磁性衬层外，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。
图4为所获得的垂直磁记录介质的布置的示意性截面图。如图4所示，垂直磁记录介质50具有在非磁性衬底11上顺序层叠CoCrPt铁磁层17，CoZrNb软磁性衬背层12，第一非磁性衬层13(其中Pd-34at％Si层19和Pd-5at％Si层21层叠在一起)，Ru第二非磁性衬层14，CoPtCr-SiO2垂直磁记录层15，C保护膜16和的润滑层(未示出)而形成的结构。
对本发明的介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)峰和CoCrPt(00.2)峰，但没有观察到Pd(111)峰。
当对这些峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为2.6°(Ru)和3.2°(CoCrPt)。
这表明该垂直磁记录层具有好的结晶性。
通过对所获得的垂直磁记录介质沿断面方向进行透射分析电子显微镜(TEM)测量来检测本发明的介质的晶体结构。结果，在软磁性层一侧的Pd-Si第一非磁性衬层是无定形的，因为没有观察到清晰的晶格条纹。
在垂直磁性层一侧上的Pd-Si第一非磁性衬层中，清晰地观察到晶格条纹，但是各条纹的方向不一致。这表明该层具有精细晶体结构。
在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-SiO2记录层中，晶格条纹规则地排列在垂直于膜面的方向。这表明从第二非磁性衬层到记录层发生了外延生长。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测本发明的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。
结果，组成垂直磁记录层的晶粒具有约5至7nm的平均颗粒尺寸。
另外，当以与实施例1同样的方法评估记录/再现特性时，SNRm为26.0dB，这表明该介质具有有利的特性。
比较例6
除了没有形成Si籽晶层和用Pd-5at％Si代替Pd作为第一非磁性衬层外，按照与实施例1中制造垂直磁记录介质相同的步骤来获得垂直磁记录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。除了形成Pd-Si第一非磁性衬层代替Pd第一非磁性衬层和没有形成Si籽晶层外，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。
然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)峰和CoCrPt(00.2)峰，但没有观察到Pd(111)峰。当对Ru和CoCrPt峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为5.0°(Ru)和6.2°(CoCrPt)。
通过对所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量来检测所述用于比较的介质的晶体结构。结果，Pd-Si第一非磁性衬层处于精细晶体状态，因为观察到了晶格条纹，但是精细晶体的取向是随即的。另外，所述膜具有凸起和凹陷，并不是平整。另一方面，晶格条纹沿垂直于从Ru第二非磁性衬层到CoCrPt-SiO2记录层的膜面的方向排列，这表明发生了外延生长。然而，从Pd-Si第一非磁性衬层到Ru第二非磁性衬层没有特定的外延生长发生。因此，在Ru第二非磁性衬层的初始层部分可以观察到生长方向和颗粒大小的变同。因此，在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-SiO2记录层观察到大的颗粒尺寸变化。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测用于比较的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成该垂直磁记录层的晶粒具有约7至17nm的平均颗粒尺寸。
当以与实施例1同样的方法评估记录/再现特性时，SNRm为17.5dB。
因此，在垂直磁记录层中的晶粒的精细度和结晶性以及记录/再现特性上，实施例2中本发明的介质都要优于比较例6的传统介质。
比较例7
除了没有形成Si籽晶层和用Pd-26at％Si代替Pd作为第一非磁性衬层，按照与实施例1中制造垂直磁记录介质的相同的步骤被获得垂直磁记录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。除了形成Pd-Si第一非磁性衬层代替Pd第一非磁性衬层和没有形成Si籽晶层，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。
然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)峰和CoCrPt(00.2)峰，但没有观察到Pd(111)峰。当对Ru和CoCrPt峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为4.1°(Ru)和5.1°(CoCrPt)。
通过对所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量来检测该用于比较的介质的晶体结构。结果，Pd-Si第一非磁性衬层具有偏析为Pd颗粒和Si颗粒边界的偏析颗粒结构。
从Pd-Si第一非磁性衬层到CoCrPt-SiO2记录层晶格条纹规则地排列，这表明发生了外延生长。然而，膜的界面具有凸起和凹陷，并不是平整的。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测用于比较的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成垂直磁记录层的晶粒具有约7至10nm的平均颗粒尺寸。
当以与实施例1同样的方法评估记录/再现特性时，SNRm为19.5dB。
因此，在垂直磁记录层中的晶粒的精细度和结晶性以及记录/再现特性上，实施例2中本发明的介质都要优于比较例7的传统介质。
比较例8
除了既没有形成Si籽晶层也没有形成Ru第二非磁性衬层以及用Pd-26at％Si代替Pd作为第一非磁性衬层外，按照与实施例1中制造垂直磁记录介质相同的步骤获得一种垂直磁记录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。
除了形成了Pd-Si第一非磁性衬层代替Pd第一非磁性衬层以及既没有形成Si籽晶层也没有形成Ru第二非磁性衬层外，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到弱的CoCrPt(00.2)峰。
当对CoCrPt峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为10.1°(CoCrPt)。
通过对所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量来检测用于比较的介质的晶体结构。结果，Pd-Si第一非磁性衬层具有偏析为Pd颗粒和Si颗粒边界的偏析颗粒结构。
从Pd-Si第一非磁性衬层到CoCrPt-SiO2记录层晶格条纹规则地排列，这表明发生了外延生长。然而，膜的界面具有凸起和凹陷，不是平整的。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测用于比较的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成垂直磁记录层的晶粒具有约14至20nm的平均颗粒尺寸。
另外，当以与实施例1同样的方法评估记录/再现特性时，SNRm为3.8dB。
因此，在垂直磁记录层中的晶粒的精细度和结晶性以及记录/再现特性上，实施例2中本发明的介质都要优于比较例8的传统介质。
比较例9
除了用Pd-26at％Si代替Pd作为第一非磁性衬层，按照与实施例1中制造垂直磁记录介质相同的步骤获得一种垂直磁记录介质作为用于比较的垂直磁记录介质。
除了形成了Pd-Si第一非磁性衬层代替Pd第一非磁性衬层外，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。然后，对所获得的垂直磁记录介质进行X-射线衍射测量。结果，观察到Ru(00.2)峰和CoCrPt(00.2)峰，但没有观察到Pd(111)峰。
当对Ru和CoCrPt峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为4.2°(Ru)和5.7°(CoCrPt)。
通过对所获得的垂直磁记录介质进行断面TEM测量检测了这种用于比较的介质的晶体结构。结果，Pd-Si第一非磁性衬层几乎是无定形的，因为没有观察到晶格条纹。
另一方面，从Ru第二非磁性衬层到CoCrPt-SiO2记录层晶格条纹规则地排列，这表明发生了外延生长。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测用于比较的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。结果，组成该垂直磁记录层的晶粒具有约8至13nm的平均颗粒尺寸。
当以与实施例1同样的方法评估记录/再再特性时，SNRm为18.1dB。
因此，在垂直磁记录层中的晶粒的精细度和结晶性以及记录/再现特性上，实施例2中本发明的介质都要优于比较例9的传统介质。
实施例3
除了用Al-45at％Si靶代替Si靶形成非磁性籽晶层外，垂直磁记录介质按照与实施例1中相同的步骤被制造。
除了代替Si籽晶层形成AlSi籽晶层，所获得的垂直磁记录介质具有与图2所示的垂直磁记录介质相同的层的排列。
对本发明的介质进行X-射线衍射测量。
结果，观察到Ru(00.2)峰和CoCrPt(00.2)峰，但没有观察到Pd(111)峰。当对这些峰进行摇摆曲线测量时，峰的半宽为2.7°(Ru)和3.4°(CoCrPt)。这表明垂直磁记录层具有好的结晶性。
通过对所获得的垂直磁记录介质沿断面方向进行TEM测量检测了本发明介质的晶体结构。结果，在Pd第一非磁性衬层中，清晰地观察到晶格条纹，但是各条纹的方向不一致。这表明该层具有精细晶体结构。
在Ru第二非磁性衬层和CoCrPt-SiO2记录层中，沿垂直于膜面的方向晶格条纹规则地排列。这表明从第二非磁性衬层到记录层发生了外延生长。
随后，对所获得的垂直磁记录介质的垂直磁记录层进行透射分析电子显微镜(TEM)测量，从而检测本发明的介质的垂直磁记录层中的晶粒的颗粒尺寸的分布。
结果，组成垂直磁记录层的晶粒具有约4至7nm的平均颗粒尺寸。
另外，当以与实施例1同样的方法评估记录/再现特性时，SNRm为27.3dB，这表明该介质具有有利的特性。
实施例4
除了当形成本发明介质的Si籽晶层和Pd第一非磁性衬层时，在DC磁控溅射过程中，Ar气氛的压强在0.05至1.0Pa之间变化外，按照与实施例1相同的步骤制造垂直磁记录介质。
所获得的垂直磁记录介质具有如图2所示的垂直磁记录介质相同的布置。如在实施例1中一样，对本发明介质进行X-射线衍射测量和相同的记录/再现特性评估。下面的表1展示了记录层的峰的半宽和SNRm。
表1
  压强(Pa)   半宽(CoCrPt)   SNRm
  0.05   3.1   26.5
  0.1   3.0   27.0
  0.2   3.7   26.8
  0.3   3.9   26.1
  0.4   3.9   25.8
  0.5   4.1   25.3
  0.6   4.9   21.1
  0.7   5.1   20.4
  0.8   5.5   20.3
  0.9   5.7   20.1
  1.0   5.8   19.9
表1所示的结果表明，当籽晶层和第一非磁性衬层在0.5Pa或更小的压强下形成时，获得了有利的特性。注意实际中这一压强可以被设置为0.05Pa或更大。压强小于0.05Pa是不合适的，因为不能长久地执行稳定的DC溅射。
实施例5
除了使用用于层叠具有不同成分的两层Pd-Si层的靶代替Pd靶来形成第一非磁性衬层以及没有形成Si籽晶层外，按照与实施例1的相同的步骤制造垂直磁记录介质。
作为用于层叠两层Pd-Si层的靶，Pd-34at％Si靶用在软磁性层一侧，以及Pd-xat％Si靶(其中x为3，5，7，10，13，17，20，26和34)用在垂直磁记录层一侧。
所获得的垂直磁记录介质具有与图4所示的垂直磁记录介质相同的布置。
对所获得的介质进行X-射线衍射测量。
另外，以和实施例1同样的方式对记录/再现特性进行评估。
下面的表2展示了垂直磁记录层的峰的半宽和SNRm。
表2
  Si(at％)   半宽(CoCrPt)   SNRm
  3   3.2   26.3
  5   3.2   26.0
  7   3.7   23.8
  10   4.5   21.2
  13   4.7   20.4
  17   5.5   19.5
  20   5.2   19.0
  26   5.8   18.3
  34   9.9   12.1
表2所示的结果表明了，当在Pd-Si层的Si的含量在3-10at％时，这种应用的介质具有有利的特性。
另外的优点和修改对于本领域技术人员来说是容易的。因此，在更广的方面本发明不限于在此所描述和展示的特定的细节以及有代表性的实施方式。因此，在不偏离由所附权利要求及其等价描述所定义的一般发明概念的精神和范围下，可以产生各种修改。

Claims (23)

1.一种垂直磁记录介质(10)，其特征在于包括：
非磁性衬底(1)；
在该非磁性衬底(1)上形成的至少一层软磁性层(2)；
在该软磁性层(2)上形成第一非磁性衬层(3)，其具有精细晶体结构，并且由钯和钯合金的其中之一构成；
在该第一非磁性衬层(3)上形成第二非磁性衬层(4)，并且该第二非磁性衬层由钌和钌合金其中之一构成；以及
在第二非磁性衬层上形成垂直磁记录层(5)。
2.如权利要求1所述的介质，其特征在于该第一非磁性衬层(3)由钯构成。
3.如权利要求1所述的介质，其特征在于该第一非磁性衬层(3)包括Pd-Si层。
4.如权利要求3所述的介质，其特征在于该第一非磁性衬层(3)包括在所述软磁性层(2)一侧上形成的第一Pd-Si层，以及在该第一Pd-Si层上形成的第二Pd-Si层，并且该第二Pd-Si层的成分比不同于第一Pd-Si层。
5.如权利要求4所述的介质，其特征在于在第一Pd-Si层中Si含量比在第二Pd-Si层中的Si含量更大。
6.如权利要求5所述的介质，其特征在于在第一Pd-Si层中Si含量不少于10at％，并且在第二Pd-Si层中Si含量少于10at％。
7.如权利要求1所述的介质，其特征在于在气压不超过0.5Pa的气氛中通过蒸镀法沉积第一非磁性衬层(3)。
8.如权利要求1所述的介质，其特征在于还包括在第一非磁性衬层(3)和所述软磁性层(2)之间形成的至少包括硅的非磁性籽晶层(8)，并且其中该非磁性籽晶层(8)与第一非磁性衬层(3)接触。
9.如权利要求8所述的介质，其特征在于该非磁性籽晶层(8)由硅构成。
10.如权利更求8所述的介质，其特征在于该非磁性籽晶层(8)包括Pd-Si层和Al-Si层中的一层。
11.如权利要求8所述的介质，其特征在于在气压不超过0.5Pa的气氛中通过蒸镀法沉积所述非磁性籽晶层(8)。
12.一种磁记录/再现装置，其特征在于包括：
一种垂直磁记录介质，其包括
非磁性衬底(1)，
在该非磁性衬底(1)上形成的至少一层软磁性层(2)，
在该软磁性层(2)上形成的第一非磁性衬层(3)，其具有精细晶体结构，并且由钯和钯合金其中之一构成，
在第一非磁性衬层(3)上形成的第二非磁性衬层(4)，并且该第二非磁性衬层由钌和钌合金其中之一构成，以及
在第二非磁性衬层(4)上形成的垂直磁记录层(5)；
所述磁记录/再现装置还包括：支持和旋转该垂直磁记录介质的机构(33)；
磁头(34)，其具有用于在该垂直磁记录介质上记录信息的元件，和用于再现记录在该垂直磁记录介质上信息的元件；以及
能够相对于该垂直记录介质可移动地支持该磁头的输运组件(35)。
13.如权利要求12所述的装置，其特征在于所述记录/再现磁头(34)包括单极记录头。
14.如权利要求12所述的装置，其特征在于该第一非磁性衬层(3)由钯构成。
15.如权利要求12所述的装置，其特征在于该第一非磁性衬层(3)包括Pd-Si层。
16.如权利要求15所述的装置，其特征在于该第一非磁性衬层(3)包括在所述软磁性层(2)一侧上形成的第一Pd-Si层，以及在该第一Pd-Si层上形成的第二Pd-Si层，并且第二Pd-Si层的成分比不同于第一Pd-Si层。
17.如权利要求16所述的装置，其特征在于在第一Pd-Si层中Si含量比在第二Pd-Si层中的Si含量更大。
18.如权利要求17所述的装置，其特征在于在第一Pd-Si层中Si含量不少于10at％，并且在第二Pd-Si层中Si含量少于10at％。
19.如权利要求12所述的装置，其特征在于在气压不超过0.5Pa的气氛中通过蒸镀法沉积第一非磁性衬层(3)。
20.如权利要求12所述的装置，其特征在于还包括在第一非磁性衬层(3)和所述软磁性层(2)之间形成的至少包含硅的非磁性籽晶层(8)，并且其中该非磁性籽晶层(8)与第一非磁性衬层(3)接触。
21.如权利要求20所述的装置，其特征在于该非磁性籽晶层(8)由硅构成。
22.如权利要求20所述的装置，其特征在于该非磁性籽晶层(8)包括Pd-Si层和Al-Si层中的一层。
23.如权利要求20所述的装置，其特征在于在气压不超过0.5Pa的气氛中通过蒸镀法沉积该非磁性籽晶层(8)。
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