JPH028852A - Patterning method - Google Patents
Patterning methodInfo
- Publication number
- JPH028852A JPH028852A JP15973888A JP15973888A JPH028852A JP H028852 A JPH028852 A JP H028852A JP 15973888 A JP15973888 A JP 15973888A JP 15973888 A JP15973888 A JP 15973888A JP H028852 A JPH028852 A JP H028852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- resist
- pattern
- intermediate layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 128
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 18
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
上層はノボラック系またはフェノール系レジスト層であ
り、下層はノボランク系またはフェノール系有機物層で
ある３層レジスト膜を使用してなすパターニング方法の
改良に関し、
上層と中間層および中間層と下層との界面における反射
をなくして、パターニングの解像度を向上するよう改良
されたパターニング方法を提供することを目的とし、
下層に、露光波長に対する吸収係数の大きい有機物層（
ノボラック系レジストもしくはノボラック系樹脂または
フェノール系レジストもしくはフェノール系樹脂等）を
形成し、この下層上に、前記の有機物層の露光波長に対
する屈折率に近似した屈折率を有する酸化窒化シリコン
層よりなる中間層を形成し、この中間層上に、前記の酸
化窒化シリコン層の露光波長に対する屈折率に近似した
屈折率を有するレジスト層（ノボラック系レジストまた
はフェノール系レジスト等）よりなる上層を形成し、前
記の上・中間・下層よりなる積層体をレジスト膜として
使用してパターニングするように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to an improvement in a patterning method using a three-layer resist film in which the upper layer is a novolac-based or phenol-based resist layer and the lower layer is a novolak-based or phenolic organic material layer. The purpose is to provide an improved patterning method that improves patterning resolution by eliminating reflection at the intermediate layer and the interface between the intermediate layer and the lower layer.
(novolac resist, novolac resin, phenol resist, phenol resin, etc.), and on this lower layer, an intermediate layer consisting of a silicon oxynitride layer having a refractive index close to the refractive index for the exposure wavelength of the organic layer. an upper layer made of a resist layer (such as a novolac resist or a phenol resist) having a refractive index close to the refractive index of the silicon oxynitride layer with respect to the exposure wavelength; A laminate consisting of upper, middle, and lower layers is used as a resist film for patterning.
本発明は、上層はノボラック系またはフェノール系レジ
スト層であり、下層はノボラック系またはフェノール系
有機物層である３層レジスト膜を使用してなすパターニ
ング方法の改良に関する。The present invention relates to an improvement in a patterning method using a three-layer resist film in which the upper layer is a novolac or phenolic resist layer and the lower layer is a novolac or phenolic organic material layer.
特に、反射光の悪影響を除去し、解像度を向上する改良
に関する。In particular, it relates to improvements that eliminate the negative effects of reflected light and improve resolution.
半導体装置の製造工程において使用されるパターニング
方法に、３１１！レジスト膜を使用する方法がある。３
７Ｉレジスト膜を使用する目的は、パターニングに見ら
れる次の３つの問題点を解決することにある。（イ）段
差を有する基板上にレジスト膜を形成し、これを露光・
現像してレジストパターンを形成する場合に、レジスト
膜の膜厚が異なるところでは、形成されるパターンの線
幅が相違する。（ロ）エツチングの選択比が十分とれな
い場合に、レジスト膜を厚く形成する必要があるが、レ
ジストの膜厚が厚いとパターン解像度が悪くなる。（ハ
）基板での露光光の反射によって解像度が低下する。311! is a patterning method used in the manufacturing process of semiconductor devices. There is a method using a resist film. 3
The purpose of using the 7I resist film is to solve the following three problems seen in patterning. (a) Form a resist film on a substrate with steps, and expose and
When a resist pattern is formed by development, the line width of the formed pattern differs where the thickness of the resist film differs. (b) When a sufficient etching selectivity cannot be obtained, it is necessary to form a thick resist film, but if the resist film is thick, pattern resolution will deteriorate. (c) Resolution decreases due to reflection of exposure light on the substrate.
上記の３つの問題点を解決するため、これまでは、下層
にはノボラック系レジスト層をＩ〜２ｐ會厚にスピンコ
ードしてベーキングし、中間層にはスピンオングラス層
を０．２〜０ 、３ ｐｍ厚にスピンコードしてベーキ
ングし、上層にはノボラック系レジスト層を０．５〜０
．８ｐｍ厚にスピンコードして形成した３層レジスト膜
を使用している。パターンマスクを使用して上層のレジ
スト層を露光・現像し、薄い上層のレジスト層に高い解
像度をもってパターンを形成する。この上層に形成され
たパターンをマスクとして、４フン化炭素と酸素とを使
用して中間層のスピンオングラス層をドライエツチング
し、上層に形成されたパターンと同一のパターンを中間
層に形成する。中間層のスピンオングラス層よりなるパ
ターンをマスクとして酸素プラズマエツチングをなし、
下層のノボランク系レジスト層をエツチングし、中間層
に形成されたパターンと同一のパターンを下層に形成す
る。In order to solve the above three problems, up until now, a novolac resist layer was spin-coated and baked to a thickness of I~2p for the lower layer, and a spin-on glass layer was applied for the middle layer with a thickness of 0.2~0. Spin code to a thickness of 3 pm, bake, and apply a novolac resist layer of 0.5 to 0.
．． A three-layer resist film formed by spin-coding to a thickness of 8 pm is used. The upper resist layer is exposed and developed using a pattern mask to form a pattern with high resolution in the thin upper resist layer. Using the pattern formed on the upper layer as a mask, the intermediate spin-on glass layer is dry-etched using carbon tetrafluoride and oxygen to form the same pattern on the intermediate layer as the pattern formed on the upper layer. Oxygen plasma etching is performed using the pattern of the intermediate spin-on glass layer as a mask.
The lower novolanc resist layer is etched to form a pattern on the lower layer that is the same as the pattern formed on the intermediate layer.
この時、中間層のスピンオングラス層は、酸素プラズマ
エンチングに対して十分耐性があるので、下層のノボラ
ック系レジスト層のエツチング用マスクとして十分機能
する。At this time, since the intermediate spin-on glass layer has sufficient resistance to oxygen plasma etching, it functions satisfactorily as an etching mask for the underlying novolak resist layer.
以上の結果、基板に段差があって下層のレジスト層の厚
さが均一でない場合にも、また、選択比がとれないため
下層のレジスト層を厚く形成しなければならない場合に
も、上層の薄いレジスト層に高い解像度をもって形成さ
れたパターンが、中間層のスピンオングラス層を介して
下層のレジスト層に正確に転写形成されるので、この下
層レジスト層のパターンをマスクとして基板をエツチン
グすれば、解像度の高いパターニングができる。As a result of the above, even when the thickness of the lower resist layer is not uniform due to steps on the substrate, or when the lower resist layer must be formed thickly because the selectivity cannot be maintained, the upper resist layer can be thinned. The pattern formed in the resist layer with high resolution is accurately transferred to the lower resist layer via the intermediate spin-on glass layer, so if the substrate is etched using the pattern in the lower resist layer as a mask, the resolution can be improved. Highly accurate patterning is possible.
なお、下層のレジスト層のベーキング条件の選定、また
は下層のレジスト層への染料の添加によって、下層のレ
ジスト層の光吸収係数を太き（して露光光の基板への入
射量を少なくし、基板からの反射光の干渉によって形成
される定在波による解像度の低下を防止している。Note that by selecting baking conditions for the lower resist layer or adding dye to the lower resist layer, the light absorption coefficient of the lower resist layer can be increased (thus reducing the amount of exposure light incident on the substrate). This prevents resolution from decreasing due to standing waves formed by interference of reflected light from the substrate.
ところで、中間層をなすスピンオングラスの屈折率は１
．４５程度であり、上層と下層とをなすノボラック系レ
ジストの露光光に使用されるｇ線（波長４ 、３５８人
）に対する屈折率は１．６８である。このため、露光光
を入射した時、上層のレジスト層と中間層のスピンオン
グラス層との界面および中間層のスピンオングラス層と
下層のレジスト層との界面において反射が起こり、この
反射光と入射光との干渉による定在波効果が現れ、中間
層のスピンオングラス層と上層のレジスト層とに厚さの
ばらつきがあると、形成されるパターン寸法にもばらつ
きが生ずると云う欠点がある。By the way, the refractive index of the spin-on glass that forms the intermediate layer is 1.
．． 45, and the refractive index of the novolak resist forming the upper and lower layers with respect to the g-line (wavelength 4, 358) used for exposure light is 1.68. Therefore, when exposure light is incident, reflection occurs at the interface between the upper resist layer and the intermediate spin-on glass layer and at the interface between the intermediate spin-on glass layer and the lower resist layer, and this reflected light and the incident light A standing wave effect appears due to interference with the substrate, and if there is variation in thickness between the intermediate spin-on glass layer and the upper resist layer, there is a drawback that the dimensions of the formed pattern also vary.
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、上・
中間・下層よりなる積層体をレジスト膜として使用して
なすパターニング方法において、上層と中間層および中
間層と下層との界面における反射をなくして、パターニ
ングの解像度を向上するよう改良されたパターニング方
法を提供することにある。The purpose of the present invention is to eliminate this drawback.
In a patterning method using a laminate consisting of an intermediate layer and a lower layer as a resist film, we have developed an improved patterning method to improve patterning resolution by eliminating reflections at the interfaces between the upper layer and the intermediate layer and between the intermediate layer and the lower layer. It is about providing.
［課題を解決するための手段］
上記の目的は、下ＩＩ （２）に、露光波長に対する吸
収係数の大きい有機物層を形成し、この下層（２）上に
、前記の有機物層の露光波長に対する屈折率に近似した
屈折率を存する酸化窒化シリコン層よりなる中間層（３
）を形成し、この中間層（３）上に、前記の酸化窒化シ
リコン層の露光波長に対する屈折率に近似した屈折率を
有するレジスト層よりなる上層（４）を形成し、前記の
上・中間・下層（２・３・４）よりなる積層体をレジス
ト膜として使用してパターニングすることによって達成
される。[Means for Solving the Problems] The above object is to form an organic material layer having a large absorption coefficient for the exposure wavelength on the lower layer (2), and to form an organic material layer having a large absorption coefficient for the exposure wavelength of the organic material layer on the lower layer (2). An intermediate layer (3) consisting of a silicon oxynitride layer having a refractive index similar to
), and on this intermediate layer (3), an upper layer (4) made of a resist layer having a refractive index close to the refractive index for the exposure wavelength of the silicon oxynitride layer is formed. - Achieved by patterning using a laminate consisting of the lower layers (2, 3, 4) as a resist film.
前記の有機物層としてはノボラック系レジストもしくは
ノボラック系樹脂またはフェノール系レジストもしくは
フェノール系樹脂等が好適であり、前記のレジスト層と
してはノボラック系レジストまたはフェノール系レジス
ト等が好適である。A novolak resist, a novolac resin, a phenol resist, a phenol resin, or the like is suitable for the organic layer, and a novolak resist, a phenol resist, or the like is suitable for the resist layer.
中間層３をなす酸化窒化シリコン
（ＳｉＯｘＮｙ）層は、上１１４をなすレジスト層およ
び下層２をなす有機物層と、露光波長に対する屈折率が
近似しているため、レジスト膜が上・中間・下層の３層
積層体より形成されているにも拘らず、実質的にはＩＪ
ｌからなるのと等価となり、３Ｎ内においては反射が殆
ど起こらず、しかも、下層２の有機物層は光吸収係数が
大きくなるようベーキングされているため、入射された
露光光は下ＷＪ２の有機物層で吸収されて、基板１の表
面からの反射光も殆どなくなり、定在波の効果が現れな
くなるので、解像度が向上し、パターン寸法の変動も少
なくなる。屈折率以外に中間層に要求される条件として
、（イ）低温で形成できること、（ロ）通常使用される
４７フ化炭素等で容易に異方性ドライエツチングできる
こと、（ハ）下層の有機物層のパターニングに使用され
る酸素プラズマドライエツチングに対し十分耐性がある
ことの３つが挙げられるが、酸化窒化シリコン（ＳｉＯ
ｘＮｙ）はこの条件をすべて満足している。The silicon oxynitride (SiOxNy) layer forming the intermediate layer 3 has a refractive index similar to that of the resist layer forming the upper layer 114 and the organic material layer forming the lower layer 2 with respect to the exposure wavelength. Although it is formed from a three-layer laminate, it is essentially an IJ
1, and almost no reflection occurs within 3N.Moreover, since the organic material layer in the lower layer 2 is baked to increase the light absorption coefficient, the incident exposure light is reflected in the organic material layer in the lower WJ2. Since the reflected light from the surface of the substrate 1 is almost completely eliminated and the effect of standing waves no longer appears, the resolution is improved and variations in pattern dimensions are reduced. In addition to the refractive index, the conditions required for the intermediate layer are (a) that it can be formed at a low temperature, (b) that it can be easily anisotropically dry etched with commonly used carbon 47 fluoride, and (c) that the lower organic layer Silicon oxynitride (SiO
xNy) satisfies all of these conditions.
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係るパタ
ーニング方法について説明する。Hereinafter, a patterning method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１ａ図参照
基板ｌ上にノボラック系レジストもしくはノボラック系
樹脂またはフェノール系レジストもしくはフェノール系
樹脂よりなるを機動層を２〜３ｐ層厚にスピンコードし
、約２００°Ｃにおいて約３０分間ベーキングし、露光
波長に対する吸収係数の大きい下層２を形成する。A moving layer made of a novolac resist, a novolac resin, a phenol resist, or a phenol resin is spin-coded to a thickness of 2 to 3 p on the substrate l, see FIG. 1a, and baked at about 200° C. for about 30 minutes. A lower layer 2 having a large absorption coefficient with respect to the exposure wavelength is formed.
第１ｂ図参照
モノシラン（ＳｉＨ，）と酸化窒素（Ｎ、Ｏ）とアンモ
ニア（ＮＨｆｆ ）とを反応ガスとするプラズマＣＶＤ
法または光ＣＶＤ法を使用して２００’Ｃ以下において
０ 、２ ｎ厚程度のＳｉＯｘＮｙよりなる中間Ｎ３を
形成する。See Figure 1b Plasma CVD using monosilane (SiH, ), nitrogen oxides (N, O), and ammonia (NHff) as reaction gases
An intermediate layer N3 made of SiOxNy having a thickness of approximately 0.2 nm is formed at a temperature of 200'C or less using a method or a photo-CVD method.
第１ｃ図参照
ノボランク系レジスト層またはフェノール系レジスト層
を０．４〜０ 、５ ｐｍ厚にスピンコードし、上層４
を形成する。Refer to Figure 1c. Spin code a novolanc resist layer or a phenolic resist layer to a thickness of 0.4 to 0.5 pm, and
form.
第１ｄ図参照
フォトマスク（図示せず）を使用して上１ｉ４のレジス
ト層を露光・現象してパターン４１を形成する。A pattern 41 is formed by exposing and developing the upper resist layer 1i4 using a photomask (not shown) as shown in FIG. 1d.
第１ｅ図参照
パターン４１をマスクとして、４フツ化炭素と酸素とを
使用して５ｉＯｘＮｙｌｉよりなる中間層３を異方性ド
ライエツチングし、ＳｉＯｘＮｙ層よりなるパターン３
１を形成する。Using the pattern 41 shown in FIG. 1e as a mask, the intermediate layer 3 made of 5iOxNyli is anisotropically dry-etched using carbon tetrafluoride and oxygen, and the pattern 3 made of the SiOxNy layer is etched.
form 1.
第１ｒ図参照
Ｓ １ｏｘＮｙ層よりなるパターン３１をマスクとして
、酸素プラズマエツチング法を使用して下層２の有機物
層をパターニングし、パターン２１を形成する０以上の
工程を経て形成されたパターン２１をマスクとして基板
ｌをパターニングする。Refer to Figure 1r. Using the pattern 31 made of the 1oxNy layer as a mask, pattern the organic material layer of the lower layer 2 using an oxygen plasma etching method, and mask the pattern 21 formed through zero or more steps to form the pattern 21. The substrate l is patterned as follows.
第２図参照
図は、ＳｉＯｘＮｙ層よりなる中間層３を形成する時に
使用される反応ガス中の、酸化窒素とアンモニアとの混
合ガス中の酸化窒素の混合比と、形成されるＳｉＯｘＮ
ｙ層の屈折率との関係を示す０図には、ネオンヘリウム
レーザの波長（６，３４８人）に対する屈折率を示して
いるが、露光装置で使用される波長であるｇ線（波長４
，３５８人）に対しては０．０４、ｉ線（波長３．６５
０人）に対しては０．０９だけ、この図に示す屈折率よ
り高くなることが別の測定で確認されている。ノボラッ
ク系またはフェノール系の有機物層よりなる下層２と、
ノボラック系またはフェノール系レジスト層よりなる上
層４の界面の屈折率は、ｇ線に対して約１．６８、ｉ線
に対しては約１．７２であるから、５ｉＯｘＮｙｉｌよ
りなる中間層３の屈折率を上層４のレジスト層と下層２
の有機物層とに近似させるためには、図より、酸化窒素
と、アンモニアとの混合ガス中の酸化窒素の比率を９０
％に選定すればよい、中間７１３をなす５ｔｏｘＮｙｑ
の形成時に、ＣＶＤ条件のばらつきによって屈折率が±
０．０２程度ばらつくことがあるが、ばらつきの相対値
は２％以下であり、特に問題とはならない。The diagram shown in FIG. 2 shows the mixing ratio of nitrogen oxide in a mixed gas of nitrogen oxide and ammonia in the reaction gas used when forming the intermediate layer 3 made of a SiOxNy layer, and the formed SiOxNy.
Figure 0, which shows the relationship with the refractive index of the y layer, shows the refractive index for the wavelength of neon helium laser (6,348 people), but the refractive index for the wavelength of the g-line (wavelength 4
, 358 people), 0.04, i-line (wavelength 3.65
It has been confirmed in another measurement that the refractive index for 0 persons) is 0.09 higher than the refractive index shown in this figure. a lower layer 2 consisting of a novolac-based or phenolic-based organic layer;
Since the refractive index of the interface of the upper layer 4 made of a novolac or phenolic resist layer is about 1.68 for the g-line and about 1.72 for the i-line, the refractive index of the intermediate layer 3 made of 5iOxNyil is The ratio of resist layer of upper layer 4 and lower layer 2
According to the figure, in order to approximate the organic layer, the ratio of nitrogen oxide and ammonia in the mixed gas should be set to
5toxNyq, which forms the middle 713, should be selected as %.
During formation, the refractive index may vary due to variations in CVD conditions.
Although there may be a variation of about 0.02, the relative value of the variation is 2% or less and does not pose a particular problem.
以上説明せるとおり、本発明に係るパターニング方法に
おいては、下層に、露光波長に対する吸収係数の大きい
有機物層を形成し、その上に有機物層の露光波長に対す
る屈折率に近似した屈折率を有する酸化窒化シリコン層
よりなる中間層を形成し、その上に酸化窒化シリコン層
の露光波長に対する屈折率に近似した屈折率を有するレ
ジスト層よりなる上層を形成し、前記の上・中間・下層
よりなる積層体をレジスト膜として使用するので、上層
と中間層との界面および中間層と下層との界面における
゛反射は殆どなくなり、入射光は吸収係数の大きい下層
の有機物層に殆ど吸収されるので反射光による定在波効
果が現れなくなり、解像度が向上し、パターン寸法の変
動が少なくなるとともに、中間層のＩＩ＊厚の均一性に
対する許容度が大きくなる。As explained above, in the patterning method according to the present invention, an organic material layer having a large absorption coefficient with respect to the exposure wavelength is formed as a lower layer, and an oxynitride layer having a refractive index close to the refractive index with respect to the exposure wavelength of the organic material layer is formed on the organic material layer. An intermediate layer made of a silicon layer is formed, and an upper layer made of a resist layer having a refractive index close to the refractive index for the exposure wavelength of the silicon oxynitride layer is formed thereon, and a laminate made of the upper, middle, and lower layers. is used as a resist film, there is almost no reflection at the interface between the upper layer and the intermediate layer and at the interface between the intermediate layer and the lower layer, and most of the incident light is absorbed by the lower organic layer with a large absorption coefficient, so there is no reflection due to reflected light. Standing wave effects are eliminated, resolution is improved, pattern dimension variations are reduced, and tolerance to interlayer II* thickness uniformity is increased.
第１ａ−１ｆ図は、本発明の一実施例に係るパターニン
グ方法の工程図である。
第２図は、反応ガス混合比と形成される５ｉＯｘＮｙＪ
ｌの屈折率との関係を示す。
基板、
下層、
下層パターン、
中間層、
中間層パターン、
上層、
上層パターン。1a-1f are process diagrams of a patterning method according to an embodiment of the present invention. Figure 2 shows the reaction gas mixture ratio and the formed 5iOxNyJ.
The relationship between l and the refractive index is shown. Substrate, lower layer, lower layer pattern, middle layer, middle layer pattern, upper layer, upper layer pattern.
Claims (1)
い有機物層を形成し、 該下層（２）上に、前記有機物層の露光波長に対する屈
折率に近似した屈折率を有する酸化窒化シリコン層より
なる中間層（３）を形成し、該中間層（３）上に、前記
酸化窒化シリコン層の露光波長に対する屈折率に近似し
た屈折率を有するレジスト層よりなる上層（４）を形成
し、前記上・中間・下層（２・３・４）よりなる積層体
をレジスト膜として使用してなす ことを特徴とするパターニング方法。[Scope of Claims] [1] An organic material layer having a large absorption coefficient with respect to the exposure wavelength is formed on the lower layer (2), and a refractive index close to the refractive index of the organic material layer with respect to the exposure wavelength is formed on the lower layer (2). An upper layer (3) made of a resist layer having a refractive index close to the refractive index of the silicon oxynitride layer at the exposure wavelength is formed on the intermediate layer (3). 4), and a laminate consisting of the upper, middle, and lower layers (2, 3, and 4) is used as a resist film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15973888A JPH028852A (en) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | Patterning method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15973888A JPH028852A (en) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | Patterning method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028852A true JPH028852A (en) | 1990-01-12 |
Family
ID=15700190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15973888A Pending JPH028852A (en) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | Patterning method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH028852A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126036A (en) * | 1989-10-11 | 1991-05-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Intermediate layer forming material for three-layer resist method |
| JPH04340553A (en) * | 1991-05-16 | 1992-11-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Laminated material for multilayer resist method |
| US5197050A (en) * | 1989-10-06 | 1993-03-23 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Flying head for a magneto-optical recording drive |
| DE10233209A1 (en) * | 2002-07-22 | 2004-02-05 | Infineon Technologies Ag | Irradiating resist during the production of integrated switching arrangement comprises forming radiation-sensitive resist layer arrangement after producing layer to be structured and irradiating the resist layer arrangement |
| US20140327117A1 (en) * | 2013-05-03 | 2014-11-06 | Applied Materials, Inc. | Optically tuned hardmask for multi-patterning applications |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57172735A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-23 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | Multilayer photoresist processing |
| JPS60253223A (en) * | 1984-05-30 | 1985-12-13 | Hitachi Ltd | Formation of pattern |
| JPS61207021A (en) * | 1985-03-11 | 1986-09-13 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | Manufacture of integrated circuit |
| JPS61231541A (en) * | 1985-04-06 | 1986-10-15 | Nippon Seihaku Kk | Photosensitive lithographic plating material |
| JPS62234248A (en) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Ricoh Co Ltd | Production of information recording master disk |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP15973888A patent/JPH028852A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57172735A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-23 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | Multilayer photoresist processing |
| JPS60253223A (en) * | 1984-05-30 | 1985-12-13 | Hitachi Ltd | Formation of pattern |
| JPS61207021A (en) * | 1985-03-11 | 1986-09-13 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | Manufacture of integrated circuit |
| JPS61231541A (en) * | 1985-04-06 | 1986-10-15 | Nippon Seihaku Kk | Photosensitive lithographic plating material |
| JPS62234248A (en) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Ricoh Co Ltd | Production of information recording master disk |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5197050A (en) * | 1989-10-06 | 1993-03-23 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Flying head for a magneto-optical recording drive |
| JPH03126036A (en) * | 1989-10-11 | 1991-05-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Intermediate layer forming material for three-layer resist method |
| JPH04340553A (en) * | 1991-05-16 | 1992-11-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Laminated material for multilayer resist method |
| DE10233209A1 (en) * | 2002-07-22 | 2004-02-05 | Infineon Technologies Ag | Irradiating resist during the production of integrated switching arrangement comprises forming radiation-sensitive resist layer arrangement after producing layer to be structured and irradiating the resist layer arrangement |
| US20140327117A1 (en) * | 2013-05-03 | 2014-11-06 | Applied Materials, Inc. | Optically tuned hardmask for multi-patterning applications |
| US9177796B2 (en) * | 2013-05-03 | 2015-11-03 | Applied Materials, Inc. | Optically tuned hardmask for multi-patterning applications |
| CN105190840A (en) * | 2013-05-03 | 2015-12-23 | 应用材料公司 | Optically tuned hardmask for multi-patterning applications |
| JP2016525788A (en) * | 2013-05-03 | 2016-08-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Optically tuned hard mask for multi-patterning applications |
| US9478421B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Optically tuned hardmask for multi-patterning applications |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5830624A (en) | Method for forming resist patterns comprising two photoresist layers and an intermediate layer | |
| JP2829555B2 (en) | Method of forming fine resist pattern | |
| US5286607A (en) | Bi-layer resist process for semiconductor processing | |
| JP4481902B2 (en) | Pattern formation method by multilayer resist method | |
| KR20160065811A (en) | Metal-containing resist underlayer film-forming composition containing polyacid | |
| JPH028852A (en) | Patterning method | |
| KR20000006152A (en) | Method for fabricating semiconductor devices | |
| JPH09134862A (en) | Forming method of resist pattern | |
| JP2560773B2 (en) | Pattern formation method | |
| JPH05234965A (en) | Formation of contact hole | |
| JPH0458167B2 (en) | ||
| JPH07211616A (en) | Formation of fine pattern | |
| JPH09167733A (en) | Formation of pattern | |
| JPH0697065A (en) | Fine resist pattern forming method | |
| JP3021549B2 (en) | Method of forming resist pattern | |
| JPH0513325A (en) | Pattern formation method | |
| JPH06214397A (en) | Formation method of minute pattern | |
| JPS60247927A (en) | Formation of pattern | |
| JPH0367260B2 (en) | ||
| JP2000040739A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0828318B2 (en) | Pattern formation method | |
| JPS636557A (en) | Formation of fine pattern | |
| JPH03104113A (en) | Formation of resist pattern | |
| JPS6266630A (en) | Manufacturing of semiconductor device | |
| JPS6047419A (en) | Multilayer level patterning method |