JPH0284631A - 電子閃光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、短時間に複数回繰り返し閃光発光可能な電子
閃光装置に関するものである。

［従来の技術］ 電子閃光装置を利用した閃光撮影において、例えばフィ
ルムの１画面内に複数回閃光発光させる、所謂マルチ発
光撮影を行なう撮影技法がある。

このマルチ発光撮影における閃光発光方式として、毎回
の閃光発光量を一定とする発光量−定方式と、毎回の閃
光発光時間を一定とする発光時間一定方式との２方式が
一般に知られている。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、前者の発光量一定方式は、発光光量が一定で
あることから、撮影結果が予想し易いという利点がある
反面、毎回の発光光量が同じであるために撮影表現に自
由度がなく、撮影表現に変化を付けたいという撮影者の
要求を充分に満足させることができないという欠点があ
る。

一方、後者の閃光発光時間一定方式は、発光光量が充電
電圧に依存することから、発光光量を意図的に変化させ
にくく、しかも電源に電池を使用しているために、発光
回数の増加に伴う充電電圧の低下の影響でマルチ発光中
に発光光量がしだいに小さくなりやすく、撮影結果の予
想が難しくなるという欠点がある。

本発明の目的は、このような従来の欠点を解決し、撮影
者の選択で閃光発光光量を所定の値で意図的に漸増又は
漸減できるマルチ閃光発光可能な方式の電子閃光装置を
提供するものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明の目的を達成するための要旨とするところは、閃
光発光手段を閃光発光させる主キャパシタの充電電圧を
検知する電圧検知回路と、該電圧検知回路からの電圧情
報が予め設定した複数回の閃光発光を可能とする設定値
に達し、かつカメラからの撮影開始情報が入力されると
１！ＰＩの撮影露光中にトリガ回路を複数回駆動して該
閃光発光手段に複数回の閃光発光を指示すると共に、該
複数回の発光光量を漸増、漸減または一定とする光量値
設定部を有する制御手段と、該制御手段の光量値設定部
に発光光量の漸増、漸減または一定の選択を指示する設
定部材と、被写体で反射した該閃光発光手段からの反射
光を受光し、該設定部材により選択された該制御手段の
光量値設定部からの指示光量に達すると該閃光発光手段
の閃光発光を停止させる調光回路とから構成したことを
特徴とする電子閃光装置にある。

［作　用コ 上記の如く構成した電子閃光装置は、設定部材により例
えば発光光量の漸増を選択すると、１駒の撮影露光中に
調光回路が複数回発光する発光光量を段階的に漸増する
ように閃光発光手段の発光停止を制御する。

［実施例］ 以下本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明す
る。

第１図は本発明による電子閃光装置の一実施例を示す回
路図である。

１は装置全体を動作させるための電源である電池で、こ
れに接続されるスイッチ２をオンすると、装置全体が全
て動作する。

３はＤＣ−ＤＣコンバータからなる公知の昇圧回路で、
電池１の電圧を例えば約３３０　Ｖまで昇圧してコンデ
ンサ４に蓄える。

５はコンデンサ４における充電電圧を検知する電圧検知
回路で、予め設定された電圧■２とコンデンサ４の両端
の電圧ｖｃとを比較し、■ｃが■２より大きいときには
充電完了信号（以下充完信号と略す）Ｄｏをローレベル
（以下Ｌレベルと略す）にし、■。が■２以下であると
きは充完信号Ｄｏをハイレベル（以下Ｈレベルと略す）
にして後記する制御部７に出力する。

６はキセノン管（以下Ｘｅ管と略す）８を閃光発光させ
るトリガ回路で、制御部７からのトリガ信号ＴＲＩがＨ
レベルとなった時に、Ｘｅ管８のトリガ電極に高圧パル
ス信号Ｐｕを出力し、Ｘｅ管８を発光開始させる。

７はマイクロコンピュータからなる制御部で、入力信号
として、電圧検知回路５からの充完信号００％カメラか
らのＸ接点信号Ｘ、カメラのシャッター開閉情報である
ＳＨ信号、後記する光量増加減設定用の設定部材１１か
らの光量設定信号があり、また出力信号としては、トリ
ガ回路６へのトリガ信号ＴＲＩ　、後記する調光回路を
構成する測光回路９へ調光制御用の４ビツトの調光制御
信号ＣＤがある。なお、Ｘ接点信号ＸはＸ接点が閉じた
ときくレリーズしたとき）にＬレベル、開いているとき
（レリーズしていないとき）にＨレベルになり、またＳ
Ｒ信号はカメラのシャッターが開き始めるとＬレベル、
閉じ始めるとＨレベルになる。

９は被写体から反射した閃光発光の反射光を測光する測
光回路、１０は測光回路からの発光停止用のパルス信号
５ＴＯＰでＸｅ管８の発光を停止させる公知の調光制御
回路で、測光回路９と調光制御回路１０とにより調光回
路を構成しており、測光回路９は第３図に示す回路構成
になっている。

第３図において、２１は被写体からの閃光発光の反射光
をフォトダイオード等の光電変換素子からなる受光素子
、２２は受光素子２１からの光電変換電流ＩＰを積分す
る積分回路、２３は積分回路２２からの信号ＶＰを対数
圧縮する対数圧縮回路で、対数圧縮回路２３からの信号
ＶＩＰを比較器２５に入力する。２４はＤ／Ａ変換器で
、制御部７から入力される４ビット信号ＣＤを参考電圧
Ｖ　ｒ＠ｆに変換し比較器２５に人力する。比較器２５
は対数圧縮回路２３からの信号ＶＩＰとＤ／Ａ変換器２
４からの参考電圧Ｖ　ｒａｆを比較して信号ＣＭＰを出
力するようになっており、ＶＩＰ≧■、。、ならば、ト
ランジスタ２７をオン、ＶＩＰ＜Ｖ　、、、ならば、ト
ランジスタ２７をオフする。２６はワンショットパルス
回路で、トランジスタ２７のオンでスタートし、所定時
間量のパルス信号５ＴＯＰを調光制御回路１０に出力す
る。なお、積分回路２２にトリガ回路６からトリガ信号
ＴＲＩが入力されると、積分値はリセットされる。

このように構成した調光回路の測光回路における各信号
は、第８図に示すような波形で出力される。

すなわち、制御部７からトリガ信号ＴＲＩが出力されて
Ｘｅ管８が閃光発光を行なうと、受光素子２１において
、被写体からの閃光発光の反射光の受光を開始しく第８
図（ａ）　’）　、比較器２５からの信号ＣＭＰが立ち
下がる。そして対数圧縮回路２３からの信号ＶＩＰがＤ
／Ａ変換器２４からの参考電圧Ｖ　ｒａｆである電圧ｖ
３になると（第８図（Ｃ））、比較器２５からの信号Ｃ
ＭＰが立ち上がり、ワンショットパルス回路２６から信
号５ＴＯＰが１パルス出力される。

１１は複数回の閃光発光において、閃光発光量を順次漸
増させる漸増モード、順次漸減させる漸減モード、又は
漸増及び漸減を行なわない通常モードを設定する設定部
材で、例えば第６図に示すように構成される。これは回
転ダイヤルｌｌａの裏面側に２つの摺動接点１１ｂ。

ｌｉｅを形成した摺動接点板ｌｉｄを固定し、またこの
回転ダイヤルｌｌａの回転に応じて摺動接点１１ｂ、ｌ
ｌｃと接触する導電パターン１１ｅ、ｌｌｆ、ｌ１ｇ、
ｌｌｂを図示の如く２本の導電線１１ｉ、ｌｌｊ上に設
け、さらに回転ダイヤルｌｌａの表面に、漸増モードを
示す「＋」の表示と、漸減モードを示す「−」の表示と
、通常モードを示す「０」の表示を図示の如く行い、回
転ダイヤルｌｌａを回転させて指標１１ｋにこのモード
表示を合せることで、２つの摺動接点１１ｂ、ｔｉｃと
導電パターンｌｉｅ、ｌｌｆ、ｌ１ｇ、ｌｌｂとの導通
が、下記の表１に示すように組み合され、導電線１１ｉ
、ｌｌｊからの２値化信号が制御部７に入力されるよう
になっており、図示の状態は「−」の表示を指標１１ｋ
に合せ、（導電パターンｌｉｅと摺動接点１１ｂとの接
触による）導電線１１ｉから「１」、（摺動接点１１ｃ
の導電パターンとの非接触による）導電線１１ｊから「
０」の情報を制御部７に入力している。

表１ ダイアル設定　　　　制御部への入力 ＋　　　　　　　　　　　　　　　　　０　　　　０こ
のように構成した本実施例による電子閃光装置は、マル
チ発光時の周波数、各光量の変化幅、最高発光回数、発
光量の単位となる最小の発光量のガイドナンバは予め固
定されており、それぞれ、５Ｈｚ、１／３段、５回、　
４　［１５０感度１００時］となっている。

Ｘｓ管８が発光可能となる電圧は、そのＸｓ管８とトリ
ガ回路６の構成により決定され本実施例では、約１００
■となる。

上記の最小ガイドナンバを得るための最低コンデンサ電
圧は９５Ｖと判っている。

この最小発光光量をα、とし、これを単位としてマルチ
発光時の各発光量を１／３段ずつ増加あるいは減少させ
て調光させたい場合、各光量は、α３．α　、２１／３
．α　、２２／コ、ａｌ。

２３′３　　α　、２４／３　となる。

以上の発光量で５回発光した場合の全光量βは Ｅｘ　ａ、　、　（２０／３　＋２１／３　＋２２／３
　＋２３／３４２４／３）＝α１　・　＜２”３−１）
／　（２”’−１）で表される。よって、α１とβの比
は α−β（２””−１１／　（２’／”−１）；β・０．
１１９５ と表せられる。

各光量をα２〜α、とすると、それぞれ、α　、２１／
３・　α　１−β　・０．１５０５α−２２／３・α１
・β・０．１８９７α　、　２３　／　３・　αげβ・
０．２３９０α５龜２４′３・　α　＋ｍβ　・０．３
０１１と表せられる。

この５口金て発光させることを保証するには、コンデン
サー４に総光量βに必要な電気エネルギーが蓄えられて
いることが必要である。

先に述べたように、最小発光量α１が必要とする電気エ
ネルギーはコンデンサ４の電圧で表されており、９５ｖ
である。ここで、 Ｅ、：光量α、を得るための電気エネルギーＥｘ：光量
βを得るための電気エネルギーＶ５　：フル発光径コン
デンサ４に残留する電圧（５０Ｖ） ｋ：ストロボ装置固有の係数 と置くと、これより総光量βが必要とするコンデンサ４
の電圧■２□は、 Ｅｓ　＝　ｋ　（９５２−Ｖｍ２） Ｅ、＋ｍｋ　（Ｖ、！’　−Ｖ、’） α１／β＝　Ｅｓ　／　Ｅｘ　＝０．１１９５Ｖ　ｐｚ
　　−（９５’−Ｖ　ｇ”）１０．１１９５＋　Ｖ　Ｂ
’と求められる。

よってコンデンサ４の電圧が２３９ｖより高いと光量β
が得られることが判る。そこで電圧検知回路５における
比較電圧Ｖ、を余裕もみて２７０　Ｖと設定する。つま
シコンデンサ４の電圧ｖｃが２７０ｖ以上の時、充完信
号Ｄ０は制御部７にＬレベルを与える。

Ｘｅ管８のフル発光の光出力波形は第４図（ａ）に示さ
れる。一方、調光制御回路１０と測光回路９とで構成さ
れる調光回路において、対数圧縮出力ＶＩＰは、第４図
（ｂ）に示される。

先のβの光量で発光した時のＶＩＰ電圧をＶｍとすると
、Ｖｍは第４図（ｂ）　　に示される。

ここで図中の■、〜Ｖ、は、それぞれ光量α１〜αＳて
発光した時の出力電圧に相当する。

Ｄ／Ａ変換器２４の変換特性が第５図に表されるように
調整されているならば、制御部７より出力されるコード
信号ＣＤの値、２日４８．６８　＋　　８８　＋　”Ｈ
に応じて、光量が、α１．αｔ、α３．α４．α５．と
調光されることが可能となる。

よりて、光量を段階的に増やしたい時は、コードを２）
１−４）１−６＋　−８８−ＡＭ　と変化させればいい
し、段階的に減らしたい時は、コードをＡ□→８Ｎ−５
，→４Ｈ＝２ｓと変化させればよく、この選択が設定部
材１１により行なわれる。

次に、本実施例の制御部７による動作を第２図のフロー
チャートに従って説明する。

第２図のフローチャートは、制御部７に内蔵されるプロ
グラムの一部であり、他の部分は本実施例の説明に関係
しないので省略した。

メインスイッチ２がＯＮされると、マイコンマのプログ
ラムが処理されると同時に、昇圧回路３が動作しコンデ
ンサ４の電圧を第７図中、ｖｃに示されるように上昇さ
せる。

まず、設定部材１１が発光光量の漸増を選択する「＋」
に操作されている場合について説明する。

プログラムはステプ１（図中Ｓ−ｔと略す、以下同様）
より開始し、設定部材１１が出力するコードが１．０か
どうかを判別することで、「−」が設定されているかど
うかを判断する。

ここで、「−」設定ではないと判別されるのでステプ２
０への分岐する。ステプ２０にて、「＋」設定されてい
ると判別されるので、ステップ２１へ分岐する。

ステップ２１にて、メモリＡヘコード信号ＣＤの値２Ｎ
が、メモリΔへ２が代入され、ステプ３へと進む。

ステップ３にてメモリＡの内容が４３号ＣＤに出力され
、ステップ４へ進む。

ステップ４にて、レリーズされていなければＸ信号はＨ
レベルと判断されるので、ステップ３１へと分岐する。

ステップ３１にて、発光回数カウント用のメモリＣに１
が代入されステップ４０に進む。

ステップ４０にて、本処理は復帰され再びステップ１よ
り開始される。

よって、レリーズされていない状態が続けば本処理はス
テップ１−２→２０→２１→３→４→３１→４０→１・
・・を繰り返す。これは第７図の期間Ｔ１に表される。

期間Ｔ１に後にレリーズされた時、プログラムはステッ
プ４にてＸ信号がＬレベルと判断されるので、ステップ
５へ分岐する。

ステップ５にて、コンデンサ４の電圧ＶＣが充完電圧ｖ
２より高い場合は充完信号ＤｏはＬレベルと判断される
ので、ステップ６へ分岐する。

ステップ６にて、先のステプ３１を処理して以来メモリ
Ｃの内容は変化していないので、メモリＣは１であると
判断されステップ７へ分岐する。

ステップ７にて、トリガ信号ＴＲＩが制御部７よりトリ
ガ回路６へ出力された後、ステップ８に進む。

ステップ８にて、同様にメモリＣの内容は１なのでメモ
リＣの内容が５以上でないと判断され、ステップ９へ分
岐する。

ステップ９にて、０．２秒つェイト動作された後、ステ
ップ１０へ進む。

ステップ１０にて、シャッター信号ＳＨはＬレベルと判
断されると、ステップ１１は分岐する。

ステップ１１にて、メモリＡの内容とメモリ△の内容と
が加算されてメモリＡに、又メモリＣの内容に１が加算
されてメそすＣに代入された後ステップ１２へ進む。

ステップ１２にて、メモリＡの内容が信号ＣＤに出力さ
れてステップ７に戻る。

ここまでの動作は第７図の期間Ｔ２に示される。

Ｔ２の後、メモリＣの内容が５以上となるか、信号ＳＨ
がＨレベルとなるまでステップ７→８→９→１０→１１
→１２→７・・・を繰り返す。これは、第７図の期間Ｔ
３で示される。

期間Ｔ３の間メモリＡの内容は、４−６−８→Ａと変化
し、メモリＣの内容は、２→３−４→５と変化する。

期間Ｔ３の後メモリＣの内容が５となると、ステップ８
にてメモリＣの内容が５以上と判断されステップ４０へ
分岐されて、この処理は復帰され再び処理はステップ１
より開始される。

ステップ１にて、設定部材が「＋」に設定されているの
でステップ２１へ進む。

ステップ２１にて、メモリＡに２Ｈが、メモリΔに２が
代入された後、ステプ３へ進む。

ステップ３にて、メモリＡの内容が信号ＣＤとして測光
回路９に出力して、ステップ４に進む。

ステップ４にて、Ｘ信号はＬレベルのままなのでステッ
プ５へ分岐される。

ステップ５にて、コンデンサ電圧ｖｃは充完電圧ｖ２よ
り低くなっているので充完信号り。

はＨレベルと判断されて、ステップ２２へ分岐される。

ステプ２２にて、メモリＣに５が代入された後、ステッ
プ４０に進み、この処理より復帰する。

再び処理はステップ１より開始され、信号ＸがＬレベル
、かつ信号ＤｏがＨレベルである間、ステップ１→２０
→２１→３→４→５→２２→４０−１・・・を繰り返す
。これは第７図の期間Ｔ４で示される。

期間Ｔ４の後、再びコンデンサ電圧■ｃが充完電圧ｖｚ
より高くなると、ステップ５にて、信号ＤＱがＬレベル
と判断されステップ６へ進む。

ステップ６にて、メモリＣの内容が５であるからメモリ
Ｃの内容が１でないと判断され、ステップ４ｏへ分岐さ
れて、この処理より復帰される。

再びｙｒ１埋はステップ１より始まり、信号ＸがＬレベ
ルの間ステップ１→２０→２１→３→４→５→６→４０
を繰り返す。これは第７図の期間Ｔ５で示される。

期間Ｔ５の後、信号ＸがＨレベルになるとステップ４に
て、判断されてステップ３１へ分岐する。

ステップ３１にて、メモリＣに１が代入されステップ４
０へ進み、この処理から復帰する。

以後、ステップ１→２０→２１→３→４→３１→１・・
・を繰り返す。これは第７図の期間Ｔ６で示される。

以上説明してきたように、設定部材１１が「＋」に設定
されている時、本実施例は光量を１／３段ずつ増加しな
がらマルチ発光制御を行う。

次に、設定部材１１が「−」に設定されている場合の動
作説明を行う。

ステップ１にて、設定部材１１が「−」であると判断さ
れて、ステップ２へ分岐する。

ステップ２にて、メモリＡにＡ。が、メモリ△に−２が
代入されてステップ３へ進む。

ステップ３にて、メモリＡの内容が信号ＣＤとして出力
された後、ステップ４に進む。

ステップ４にて、レリーズされていなければＸ信号はＨ
レベルと判断されるので、ステップ３１へと分岐する。

ステップ３１にて、メモリＣに１が代入されステップ４
０に進む。

ステップ４０にて、本処理は復帰され再びステップ１よ
り開始される。

設定部材が「＋」の時と同様にＸ信号がＨレベルである
間、ステップ１→２→３→４→３１→４０→１・・・を
繰り返す。これは第９図の期間１゛７で示される。

期間Ｔ７の後、レリーズされてＸ信号がＬレベルとなる
と、ステップ４にてステップ５へ分岐する。

ステップ５にて、このときのコンデンサ電圧ＶＣが７２
以上であるから、充完信号り。はしレベルと判断されて
ステップ６へ分岐する。

ステップ６にて、メモリＣの内容が１と判断されてステ
ップ７へ分岐する。

ステップ７にて、トリガ信号ＴＲＩがマイコン７よりト
リガ回路６へ出力された後、ステップ８に進む。

ステップ８にて、同様にメモリＣの内容は１なのでメモ
リＣの内容が５以上でないと判断され、ステップ９へ分
岐する。

ステップ９にて、０．２秒つェイト動作された後、ステ
ップ１０へ進む。

ステップ１０にて、シャッターイ言号Ｓ　ＨはＬレベル
と判断され、ステップ１１へ分岐する。

ステップ１１にて、メモリＡの内容とメモリ△の内容と
が加算されてメモリＡに、又メモリＣの内容に１が加算
されてメモリＣに代入された後ステップ１２へ進む。

ステプ１２にて、メモリＡの内容が信号ＣＤに出力され
てステップ７に戻る。メモリＣの内容が５以上となるか
、信号ＳＨがＨレベルとなるまでステップ７→８→９→
１０→１１→１２−７・・・を繰り返す。これは、第９
図の期間Ｔ８で示される。

期間Ｔ８の間メモリＡの内容は、Ａ、−’８゜→６Ｈ→
４Ｈ→２Ｈと変化し、メモリＣの内容は、１→２→３→
４→５と変化する。

期間Ｔ８の後メモリＣの内容が５となると、ステップ８
にてメモリＣの内容が５以上と判断されステップ４０へ
分岐されて、この処理は復帰され再び処理はステップ１
より開始される。

ステップ１にて、設定部材１１が「−」であると判断さ
れて、ステップ２へ分岐する。

ステップ２にて、メモリＡにＡＨが、メモリΔに−２が
代入されてステップ３へ進む。

ステップ３にて、メモリＡの内容が信号ＣＤとして出力
された後、ステップ４に進む。

ステップ４にて、レリーズされているのでＸ信号はＬレ
ベルと判断されるので、ステップ５へと分岐する。

ステップ５にて、コンデンサ電圧■。は充完電圧ｖｚよ
り低くなっているので充完信号り。

はＨレベルと判断されて、ステップ２２へ分岐される。

ステップ２２にて、メモリＣに５が代入された後、ステ
ップ４０に進み、この処理より復帰する。

これより、Ｘ信号がＬレベルかっＤ００号がＨレベルで
ある間、ステップ１→２→３→４→５→２２→４０→１
・・・を繰り返す。これは第９図の期間ＴＩＯで示され
る。

以上説明してきたように、設定部材１１が「−」に設定
されている時、本実施例は光量を１／３段ずつ減少しな
がらマルチ発光制御を行う。

次に、設定部材１１が「ｏ」に設定されている場合の動
作説明を行う。

ステップ１にて、設定部材１１が「−」でないと判断さ
れて、ステップ２ｏへ分岐する。

ステップ２０にて、設定部材１１が「＋」に設定されて
いないと判別されるので、ステップ３０へ分岐する。

ステプ３０にて、メモリＡに中間の発光光量を示す６Ｈ
が、メモリΔに０が代入されてステップ３へ進む。

ステップ３にて、メモリＡの内容が信号ＣＤとして出力
された後、ステップ４に進む。

ステップ４にて、レリーズされていなければＸ信号はＨ
レベルと判断されるので、ステップ３１へと分岐する。

ステップ３１にて、メモリＣに１が代入されステップ４
０に進む。

ステップ４０にて、本処理は復帰され再びステップ１よ
り開始される。

よって、レリーズされていない状態が続けば本処理はス
テップ１−２ｏ→３ｏ→３→４→３１→４０→１・・・
を繰り返す。これは第１０図の期間Ｔｌｌに表される。

期間Ｔ１１の後にレリーズされた時、ステップ４にてＸ
信号がＬレベルと判断されるので、ステップ５へ分岐す
る。

ステップ５にて、コンデンサ電圧■、は充完電圧■ｚよ
り低くなっているので充完信号り。

はＨレベルと判断されて、ステップ２２へ分岐される。

ステップ２２にて、メモリＣに５が代入された後、ステ
ップ４０に進み、この処理より復帰する。

再び処理はステップ１より開始され、信号ＸがＬレベル
、かつ信号ＤｏがＨレベルである間、ステップ１−２０
→３０→３→４→５→２２−４０→１・・・を繰り返す
。これは第１０図の期間Ｔ１２で示される。

期間Ｔ１２の後、コンデンサ４の電圧ＶＣが充完電圧ｖ
２に達すると、ステップ５にて、信号ＤｏはＬレベルと
判断されてステップ６へ分岐する。

ステップ６にて、メモリＣの内容が５なので１でないと
判断されステップ４０へ分岐する。

ステップ４０にて、処理が復帰された後、再びステップ
１より開始される。

以下、Ｘ信号がＬレベルかつＤｏ（８号がＬレベルであ
る間、ステップ１→２０→３０→３→４→５−６−４０
→１・・・を繰り返す。これは第１Ｏ図の期間Ｔ１３で
示される。

期間Ｔ１３の後、レリーズされなくなってＸ信号がＨレ
ベルとなり、ステップ４にて、ステップ３１へと分岐す
る。

ステップ３１にて、メモリＣに１が代入されステップ４
０に進む。

ステップ４０にて、本処理は復帰され再びステップ１よ
り開始される。

よって、レリーズされでいない状態が続けば本処理はス
テップ１→２０→３０→３→４→３１−４０−１・・・
を繰り返す。これは第１０図の期間Ｔ１４に表される。

期間Ｔ１４の後、レリーズされてＸ信号がＬレベルとな
ると、ステップ４にてステップ５へ分岐する。

ステップ５にて、このときのコンデンサ電圧ＶＣが■２
以上であるから、充完信号ＤｏはＬレベルと判断されて
ステップ６へ分岐する。

ステップ６にて、メモリＣの内容が１と判断されるとス
テップ７へ分岐する。

ステップ７にて、トリガ信号Ｔｌ１ｌが制御部７よりト
リガ回路６へ出力された後、ステップ８に進む。

ステップ８にて、同様にメモリＣの内容は１なのでメモ
リＣの内容が５以上でないと判断され、ステップ９へ分
岐する。

ステップ９にて、０．２秒つェイト動作された後、ステ
ップ１０へ進む。

ステップ１０にて、シャッターイ言号ＳＨはＬレベルと
判断され、ステップ１１へ分岐する。

ステップ１１にて、メモリＡの内容とメモリΔの内容と
が加算されてメモリＡに、メモリＣの内容と１とが加算
されてメモリＣに代入された後ステップ１２へ進む。

ステップ１２にて、メモリＡの内容が信号ＣＤに出力さ
れてステップ７に戻る。メモリＣの内容が５以上となる
か、信号ＳＨがＨレベルとなるまでステップ７→８→９
→１０→１１→１２−７・・・を繰り返す。これは、第
１０図の期間Ｔ１５で示される。

期間Ｔ１５の間、メモリＡの内容は６のまま変化せず、
メモリＣの内容は１−２−３と変化する。

期間Ｔ１５の後、シャッター信号ＳＨがＨレベルになる
とステップ１０にて、ステップ４０へ分岐する。

ステップ４０にて処理は復帰し、再びステップ１より開
始される。

ステップ１にて、設定部材１１がｒ−」でないと判断さ
れて、ステップ２０へ分岐する。

ステップ２０にて、設定部材１１が「＋」に設定されて
いないと判別されるので、ステップ３０へ分岐する。

ステップ３０にて、メモリＡに６゜が、メモリ△に０が
代入されてステップ３へ進む。

ステップ３にＣ、メモリＡの内容が信号ＣＤとして出力
された後、ステップ４に進む。

ステップ４にて、レリーズされているのでＸ信号はＬレ
ベルと判断されるので、ステップ５へと分岐する。

ステップ５にて、コンデンサ電圧■。は充完電圧ｖ２よ
り低くなっているので充完信号り。

はＨレベルと判断されて、ステップ２２へ分岐される。

ステップ２２にて、メモリＣに５が代入された後、ステ
ップ４０に進み、この処理より復帰する。

これより、Ｘ信号がＬレベルかつり。信号がＨレベルで
ある間、ステップ１→２０→３０→３−４→５→２２→
４０→１・・・を繰り返す。これは第１０図の期間７１
６で示される。

期間Ｔ１６の後、Ｘ信号がＨレベルになるとステップ４
にて、レリーズされていなければＸ信号はＨレベルと判
断されるので、ステップ３１へと分岐する。

ステップ３１にて、メモリＣに１が代入されステップ４
０に進む。

ステップ４０にて、本処理は復帰され再びステップ１よ
り開始される。

よって、レリーズされていない状態が続けば本処理はス
テップ１−２０→３０→３→４→３１→４０→１・・・
を繰り返す、これは第１０図の期間Ｔ１７に表される。

以上説明してきたように、設定部材１１が「０」に設定
されている時、本実施例は光量α、で等しく発光させな
がらマルチ発光制御を行う。

［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明によれば簡単な操作に
よりマルチ発光撮影時にその各々の発光量を段階的に変
化させて、あるいは等しい発光量で発光させることが可
能となり、映像表現に幅を広げたばかりか、従来困難と
されてきた光量を段々と増加させていくことも容易に実
現できるようになった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による電子閃光装置の一実施例を示す回
路図、第２図はその動作を示すフローチャート、第３図
は測光回路の回路図、第４図（ａ）はＸｅ管のフル発光
の光出力波形を示す図、第４図　（ｂ）は調光回路にお
ける対数圧縮出力波形を示す図、第５図はＤ／Ａ′Ｒ換
器におけるＤ／Ａ変換特性を示す図、第６図は設定部材
の概略図、第７図、第９図及び第１０図は動作状態を説
明するタイムチャート、第８図は測光回路における動作
状態を説明するタイムチャートである。 １・・・電池 ３・・・昇圧回路 ５・・・電圧検知回路 ７・・・制御部 ９・・・測光回路 １１・・・設定部材 ２・・・スイッチ ４・・・コンデンサ ６・・・トリガ回路 ８・・・Ｘｅ管 １０・・・調光制御回路 第１図 第６図 第４図 （α） 岡間 （ｂ） 晴間 第８図 （ｆ）下Ｒ１ −■ヒ一一一一 Ｇ ｌ Ｃ ｙ− 第１０図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　閃光発光手段を閃光発光させる主キャパシタの充電
   電圧を検知する電圧検知回路と、該電圧検知回路からの
   電圧情報が予め設定した複数回の閃光発光を可能とする
   設定値に達し、かつカメラからの撮影開始情報が入力さ
   れると１駒の撮影露光中にトリガ回路を複数回駆動して
   該閃光発光手段に複数回の閃光発光を指示すると共に、
   該複数回の発光光量を漸増、漸減または一定とする光量
   値設定部を有する制御手段と、該制御手段の光量値設定
   部に発光光量の漸増、漸減または一定の選択を指示する
   設定部材と、被写体で反射した該閃光発光手段からの反
   射光を受光し、該設定部材により選択された該制御手段
   の光量値設定部からの指示光量に達すると該閃光発光手
   段の閃光発光を停止させる調光回路とから構成したこと
   を特徴とする電子閃光装置。