JPH0280942A

JPH0280942A - 表面検査用装置

Info

Publication number: JPH0280942A
Application number: JP23309988A
Authority: JP
Inventors: Saiichirou Kaga; 加賀　妻一郎; Tomotaka Yamazaki; 倫敬山崎
Original assignee: Topcon Corp
Current assignee: Topcon Corp
Priority date: 1988-09-17
Filing date: 1988-09-17
Publication date: 1990-03-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】「産業上の利用分野」本発明は、物体表面の微少な塵等を、光鉗乱によって検
出する表面用検査装置に係わり、特に、半導体製造にお
けるウェーハ表面の應を、定量的に検出するための検査
装置に好適であり、感度の安定した表面検査用装置に関
するものである。

「従来の技術」近年、半導体デバイスの高集積化に件い１回路パターン
幅はますます′ｆｃ細化され、サブミクロン時代を迎え
ている９この探な半導体製造プロセスでは、プロセス中
に発生する聾が製品の分留りを低下させる要因となって
いた９そこで、ウェーハ表面上にけ着した聾を検出して
、プロセスラインの應管理を行っていた。この鏡面ウェ
ーハ上に付着している聾等を検出する方法には、ウェー
ハ上の塵に光を照射し、その散乱光を検出することによ
り、聾の大きさ、数、位置等を定量的に検出する方法が
採用されている。この散乱光による應検出装置は、レー
ザ光をウェーハ上で走査し、＠等による散乱光を光電子
増倍管で受光する探に構成されている。

ところが半導体プロセスラインでは、終日稼動が常識と
なっており、レーザ余振手段の出力が変動したり、光電
子増倍管が劣化等による経時変化が生じ、何等かの補償
手段を装備させる必要があった。この補償手段には、ス
タンダードマスクを用いて行う方法と、被検査物の正反
射を利用した方法がある。まず、スタンダードマスクを
用いる方法は、ウェーハの測定と同様にスタンダードマ
スクを表面検査用装置のターンテーブルにセ・・ｌ卜す
る。このスタンダードマスクは、薄いガラス板の表面に
クロム膜とクロメル膜を交互に形成し、裏面には全面を
粗く処理し、その上からクロム膜をコーティングしたも
のである。従ってクロム膜で全反射したレーザ光は、外
部に逃げるが、クロメル膜に照射されたレーザ光の一部
が裏面部で乱反射し、再びクロメル膜を通過して光電子
増倍管に入射される。この光電子増倍管の出力信号によ
り、経時変化等に対する補償な行うことができる７次に
、被検査物の正反射を利用した方法は、被検査物に照射
したレーザ光の正反射を測定し、経時変化等に対する補
償を行うものである。即ち、塵が存在しない場合には、
レーザ光は全て正反射されるので、この正反射の光線を
計測することにより、経時変化等に対する補償を行うこ
とができる９［発明が解決しようとする課匣」しかしながら、上記スタンダードマスクによる補償方法
は、人手を要し、レーザ光発生手段の出力をマニュアル
で調整しなければならなかった。

そして、照射光の出力のみで補償を行うことになるので
、正確さに欠けるという問題点があった。

更に正反射を測定することにより、経時変化等に対する
補償を行う方法は、自動的に補償を行うことができるが
、常に、被検査ウェーハの表面状態が一定とは限らず、
特に、各種層が形成されたウェーハ表面は又耐重が異な
り、正確な経時変化等に対する補償ができないという問
題点があった。

「課題を解決するための手段」本発明は上記課題に鑑み案出されたもので、光源と、こ
の光源からの光を集光させて被検査物に照射するための
照射光学系と、該照射光学系から照射された照射光によ
り、上記被検査物から生じる散乱光を検出するための検
出光学系と、該検出光学系で検出した光を授受するため
の受光素子と、この受光素子の出力から上記被検査物上
の廐を判別するための判別手段とを有する表面検査用装
置において、上記被検査物の周囲に配置された標準測定
面と、この標準測定面及び上記被検査物とが、上記照射
光学系から照射され、かつ上記検出光学系により散乱光
が検出される探に、これらを相対的に移動させる相対移
動手段とからなっており、上記判別手段が、上記検出光
学系が上記標準測定面からの散乱光を検出したときのＦ
記受光素子の出力に応じて、上記検出光学系が上記被検
査物からの散乱光を検出したときの上記受光素子の出力
を補正することを特徴としている。特に、上記判別手段
は、上記検出光学系が上記標準測定面からの散乱光を検
出したときの上記受光素子の出力を記憶するための記憶
部と、該記憶部で記憶された出力に応じて上記検出光学
系が、上記上記被検査物からの散乱光を検出したときの
Ｌ記受光素子の出力レベルを補正するための補正部とを
備えることもできる。

「作用」以上の様に構成された本発明は、照射光学系が、光源か
らの光を集光し、被検査物に対して照射させる。検出光
学系が、被検査物から生じた散乱光を検出し、受光素子
が検出光学系で検出した散乱光を受光する９そして判別
手段が、受光素子の出力から被検査物上の塵を判別する
ことができる。

更に、相対移動手段が、標準測定面と上記被検査物が上
記照射光学系から照射され、かつ、これらの散乱光が検
出光学系に検出される様に、相対的に移動させる９そし
て、前記判別手段は、標準測定面からの散乱光を検出し
た受光素子の出力に応じて、被検査物からの散乱光によ
る受光素子の出力信号を補正することができる。更に、
′ＰＩ別手別軸段憶部と補正部を装備し、記憶部が、標
準測定面からの散乱光による受光素子の出力を記憶し、
この記憶されたデータに基き、補正部が、被検査物から
の散乱光による受光素子の出力を補正することができる
。

「　実方拒例　」本発明の実施例を図面に基いて説明する９まず。

本実施例の表面検査装置本１本１の測定原理を第５図に
基いて説明する３表面検査装置本体１は、レーザ光発生
子［２１と光ファイバ３１と第１の受光素子４と第２の
受光素子５とからなっている。

この表面検査装置本体１には、被検査物であるつ工−ハ
１０が載置されている９レ一ザ光発生手段２１は光源に
相当するものであり１本実施例ではアルゴンイオンレー
ザが採用されている。光ファイバ３１は検出光学系３を
形成するもので、つ工−ハ１０上の塵による散乱光を受
光素子３，４に導くためのものである。この光ファイバ
３１は、先端部が２つに分離されており２個の受光素子
に散乱光を導くことができる。第１の受光素子４は、粒
径の小さい塵に対応する受光素子であり、検出感度の比
較的高い受光素子が採用されている９第２の受光素子５
は、粒径の大きい塵に対応する受光素子であり、検出感
度の比較的低い受光素子が採用されている９第１．２の
受光素子４．５は光電子増倍管（フォトマル）を採用す
ることができるが、池の受光素子であってもよい９即ち
、レーザ光を受光できるものであれば足りる。この様に
構成された本実施例は、レーザ発生手段２１により発生
したレーザ光を、ウェーハ１０に照射すると、ウェーハ
１０上で正文射光が生じる。この際、ウェーハ１０上に
塵がけ着していると、散乱光が発生する９この散乱光を
光ファイバ３１が、第１．２の受光素子４．５に導く様
になっている９そして第６図に示す様に、粒径が０．２
ミクロン（μｍ）程度までの小さい塵に対しては、第１
の受光素子、４が計測し、粒径が０２ミクロン（μｍ）
程度以上の大きい血に対しては、第２の受光素子５が計
測する様になっている。即ち、第１の受光素子４と第２
の受光素子５との領域を重ね合わせることにより、広域
なダイナミックレンジを確保することができる。

次に第３図に基いて、本実施例の光学系の概要シ説明す
る、本実施例の光学系は、照射光学系２と検出光学系３
とから構成されている９照射光学系２は、レーザ光発生
手段（アルゴンイオンレーザ）２１と、ビームエキスパ
ンダ２２と、第１のミラー２３１と第２のミラー２３２
と、ポリゴンミラー２４と、Ｆθレンズ２５とからなっ
ている。

レーザ光発生手段２１は、高輝度の照射を行うための光
源であり、アルゴンイオンレーザのみならず、Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザやレーザダイオード等を採用することができる
。レーザ光発生手段２１で発生したレーザ光は、ビーム
エキスパンダ２２でビーム形状が形成され、第１、第２
のミラー２３１．２３２を介してポリゴンミラー２４に
送られる。

ポリゴンミラー２４は、一定の速度で回転しており、Ｆ
θレンズ２５との組合せにより、被測定つ工−ハ１０上
でレーザ光シ一定速度で走査することができる。この様
に構成された本実施例では、約１０ミクロン（μｍ）程
度のビームスボ・・戸トと走査させることができる、検出光学系３は、光ファイバ３１とからなっており、入
射された散乱光を２つに分離する探に構成されている。

この光ファイバ３１の分離端には、第１の受光素子４と
第２の受光素子５とが接続されている。

この第１の受光素子４は、第６図に示す様に、粒径が０
．２ミクロン（μｍ）以下の塵の測定用であり、第２の
受光素子５は、粒径が０２ミクロン（μｍ）以上の塵の
測定用である。ダイナミ・・ｌクレンジ幅を拡大するた
めに、検出感度の異なる２＠の受光素子を採用している
、次に補償手段１００を第２図に基いて説明する。

補償手段１００は、相対移動手段１１０と、ターンテー
ブル１２０と、標準測定面１３０と、判断手段８等から
構成されている。相対移動手段１１０は、基台１１１と
、この基台１１１を水平方向に移動させるための水平駆
動手段１１２と、この水平駆動手段１１２を駆動させる
ためのモータ１１３とから構成されている。水平駆動手
段１１２は、本実施例ではネジ送り機構が採用されてお
り、モータ１１３が回転すると、軸部材１１２１が回転
し、基台１１１が水平に移動する様に構成されている９
そして、モータ１１３の回転が逆方向に反転すると、基
台１１１の移動方向も逆方向に反転する９而って、モー
タ１１３の回転方向を制御することにより、基台１１１
を水平方向に往復運動させることができる。ターンテー
ブル１２０は、被検査物であるウェーハｌＯを載置させ
るものである。このターンテーブル１２０は、モータ１
２１により回転可能に軸止されているが、ターンテーブ
ル１２０本体は、基台１１１に固定されており、基台１
１１の移動に伴い、水平方向に往復移動することができ
る９基準測定面１３０はガラス板等から構成され、一定
の散乱光を生じさせるものである。この基準測定面１３
０も、基台１１１に固定可能に構成されており、基台１
１１の移動に伴い、水平方向に往復移動することができ
る。

なお、相対移動手段１１０は、上記送りネジによる移動
手段に限らず、他の如何なる移動手段を採用することが
できる。即ち、本明細書において相対移動手段とは、ウ
ェーハ１０と基準測定面１３０を相対的に移動させるこ
とのできる手段であれば足りる。

以上の様に構成された相対移動子￥２１００は、ターン
テーブル１２０に載置されたｒ皮検査１勿て′あるウェ
ーハ１０を、検出光学系３の対向位置に配置することも
でき、更に、相対移動手段１００を駆動させれば、この
ウェーハ１０を検出光学系の対向位置から退避させるこ
ともできる。そして、この退避動作と共に基準測定面１
３０を、検出光学系３の対向位置に配置させることがで
きる。また基準測定面１３０が、検出光学系３の対向位
置に移動した時、ターンテーブル１２０上に載置された
ウェーハｌＯの位置を、このウェーへ１０を交換するた
めの作業位置に設定することも可能である。

次に第４図に基いて１本実施例の演算処理システムを説
明する。判別手段８は、第１、第２の受光素子４．５か
らの出力信号により、ウェーハ１０上の應を判別するた
めのものである。この判別手段８は、プリアンプ８１と
、加算器８２と、Ａ／Ｄコンバータ９４と、コンパレー
タ８３と、バッファメモリ８４と、データ処理回路８５
と、メインメモリ８６と、ＣＰＵ８７とから構成されて
いる。プリアンプ８１は、第１．２の受光素子４．５（
フォトマル）からの出力信号を電気信号に変換するもの
であり、その信号は加算器８２で加算される、コンパレ
ータ８３は、受光素子からの信号と、ＣＰＵ８７からの
信号のレベル比較を行うためのものである。バッファメ
モリ８４は、データな記憶するためのものである。そし
て、データ処理回路８５は、第１．２の受光素子４．５
からの信号により、ウェーハ上の塵を認識するためのも
のである２データク凸理に先立ち、ＡＤ変換を打つ必要
がある。本実施例では、ウェーハ１０が載置されたター
ンテーブル１２０を回転させながらビーム走査を行い、
散乱光を検出し、その信号の大きさをコンパレータ８３
により予め設定されたスレッショルドレベルで比較を行
い、Ａ　、、−’　Ｄ変換し１位置データと共にＣＰＵ
８７に送出する９なお、この際、粒径が０２ミクロン（
μｍ）以下の塵に対しては、第１の受光素子４が使用さ
れ１粒径が０．２ミクロン（μｍ）以上の塵に対しては
、第２の受光素子５が使用される探に構成されている。

そしてＣＰＵ８７は、表面検査装置本体１の演算処理を
つかさどるものである。メインメモリ８６は、多数の測
定データを格納する際に必要なメモリである。第１のＤ
　／’　Ａコンバータ８８は、コンパレータ８３にスレ
・ソショルドレベルを設定するためのＣＰＵ８７の信号
をアナログ信号に変喚するものである。この’Ｉ’ｌｌ
別手段８には、プリンタ８つ、ＦＤＤ　（フロッピディ
スクドライブ）９０、ＣＲＴ９１．キーボード９２が接
続されている。プリンタ８つは、検査結果を印刷するも
のであり、発塵を防止するためにユボ紙等を使用するこ
とが望ましい、ＦＤＤ９９は、検査結果を記憶するため
の物であるが、クリーンルームの集中管理を行っている
場合には、データを直接ホストコンピュータに送信する
ことが望ましい。この際、データ通信プロトコルには、
Ｒ３−２３２Ｃ，５ＥＣ３を採用することができる。Ｃ
ＲＴ９１は、検査結果や測定条件等のモニタを行うため
のもので、ＣＲＴのみならず、液晶デイスプレィやプラ
ズマデイスプレィを用いることができる。キーボード９
２は、測定モード、ウェーハサイズ、工・フジカット量
等を入力するためのものである。

なお、照射光学系２の光源には、アルゴンイオンレーザ
２１が採用されており、このアルゴンイオンレーザ２１
には、レーザ電＃２１１が接続されている９また、レー
ザビームスボ・ソトを走査させるなめに、ポリゴンミラ
ー２４を回転させるためのモータドライバ２６が設けら
れている。更に、ウェーハ１０を載置させるためのター
ンテーブルを回転させるためのモータ７１が設けられて
おり、モータドライバ７３で駆動させる様になっている
。

また、ウェーハ１０を搬送させるなめにモータ７２を増
設してもよい。これらのモータドライバ２６．７３は、
シーケンサ７４を介してＣＰＵ８７によって制御される
。

そして、この判別手段８には、受光索子等の経年変化に
対する補償を行うための補正部が付加さｉｉている。こ
の補正部は、前述の受光素子がらＣＰＩＪ８７に至る信
号入力系と、第２のり、・′Ａコンベータ９６と、受光
素子電源９８とから構成されている。この受光素子電源
９８は、第１．２の受光素子（フォトマル）４．５に電
源電圧を供給するためのもので、この供給電圧を変化さ
せることにより、フォトマルの出力レベルを二周整する
二とができる。そして、第２のＤ　、／’　Ａコンバー
タ９６は、ＣＰＵ８７の制御信号に基すき、受光素子電
源９８に電圧調整信号を送出するものである。

次に、本実施例の使用法について、説明する。

まず、被検査物であるウェーハ１０をターンテーブル上
の載置する。そして、ＣＲＴ９１を見ながら、測定条件
をキーボード９２から入力する。そして、アル、ボンイ
オンレーザ２１と駆動させる９そして、ＣＰＵ８７がモ
ータドライノ〈２６を駆動させ、ポリゴンミラー２４を
回転させる。このポリゴンミラー２４とＦθレンズ２５
の組合せにより、ビームスポットをウェーハ１０上で走
査させることができる。ウェーハ１０面で正反射した光
は、外部に逃がされ、ウェーハ１０上の應によって発生
した散乱光は、光ファイバ３１によって第１の受光手段
４と第２の受光手段５に送られる。

ＣＰＬＩ８７がモータドライバ７３を駆動させ、つ工−
ハ１０が載置されたターンテーブルを回転させる。光フ
ァイバ３１によって集光された散乱光は、第１、第２の
受光素子（フォトマル）４．５で電気信号に変換される
。この際、比較的粒径の小さい塵に対して（本実施例で
は０２ミクロン以下）は、第１の受光素子４が使用され
、比較的粒径の大きい廐に対して（本実施例では０２ミ
クロン以上）は、第２の受光素子５が使用される様にな
っており、両者の受光素子による領域を接続することに
より、ダイナミックレンジ幅の広い表面検査装置を提供
することができる。第１．２の受光索子４．５には、塵
の大きさに対応した出力電圧信号が生じ、プリアンプ８
１、加算器８２、コンパレータ８３、Ａ　、／’　Ｄ変
換器９４を介してバ・ソファメモリ８４に記憶される。

そして、データ処理回路が應を認識し、その大きさに応
じて識別記号をけするようになっている。更に、聾の位
置も特定し、ＣＰＵ８７に送出する。この処理をリアル
タイムに行い、データをメインメモリ８６に記憶させる
。そして、メインメモリ８６に記憶されたデータは、［
！座標データであるので、Ｘ−Ｙ座陣に変換し、ＣＲＴ
９１又はプリンタ８つに出力する。なお、これらのデー
タ処理は、ウェーハ１０全体に行うが、周辺カット部分
を除いた領域の塵の数を、血等の大きさに分類して計数
することもできる、なお、本実施例では、受光素子の領
域を２つに分離し、２個の受光素子を採用したが、３個
以上の領域に分離し、３１Ｉ以゛上の受光素子から構成
することもできる。

なお本実施例の表面検査装置は、検査開始前にキャリブ
レーションを行う必要があり、本実施例では、標準粒子
による校正方法を採用している。

即ち、測定用ウェーハと同状態の標準粒子を均一に付着
させたウェーハ企用意し、このウェーハの散乱光を測定
して、キャリブレーション３行うものである２粒子の散
乱による出力信号は、細いパルス波形となり１粒子の大
きさに対応した高さとなる、これらの波高値を用いて、
フォトマル供給電圧や、スレッショルドレベルを設定す
ることにより、キャリブレーションを行うことができる
。

しかしながら、キャリブレーションが完了し検査を続行
していくと、レーザ光源の出力の変動や。

フォトマル等の経年変化により、出力特性が変化してし
まう場合がある。本実７ｉ１例では、これらの出力特性
の変化に対応するために、補償手段１００が設けられて
いる。この補償手段１００の電子回路構成を第１図に基
いて説明する７この補償手段１００の電子回路は、受光
素子４と、プリアンプ８１と、Ａ　、、／’　Ｄコンバ
ータ９４と、ＣＰＵ８７と、Ｄ　、／’　Ａコンバータ
９６と、感度調整手段９９とからなっている。受光素子
４が、標準基準面１３０からの散乱光を電気信号に変換
する。そして、この電気信号をプリアンプ８１で増幅し
、Ａ、・′Ｄコンバータ９４に送出する。デジタル化さ
れた電気信号に而い、ＣＰＵ８７が、受光素子４の感度
調ｍｌを演算し、制御信号をり、・′Ａコンバータ９６
に出力する。Ｄ、・′Ａコンバータ９６は、ＣＰｕ８７
の制御信号に基すき、感度調整手段９つを駆動させる。

従って、感度調整手段９９が、ＣＰｕ８７て゛演算され
た感度ｙＩ整量に対応する電′Ｊ！、供給電圧を受光素
子４に送出する。受光素子４の感度は、電源供給電圧に
よって変化するなめ、受光素子４の感度調整を行うこと
ができる。なお、感度調整手段９９は、受光素子４の感
度を変化させることのできる手段であれば足り、フォト
マルを使用した上記表面検査用装置１では、受光素子電
源９８が感度調整手段９つに相当する９以上の様に構成
された補償手段１００は、Ａ　、／　Ｄコンバータ９４
とＣＰＵ８７とＤ　、、／’　Ａコンバータ９６と感度
調整手段９９とが、フィードバック回路を構成しており
、受光素子４の経年変化等が生じても、受光素子４の感
度と一定にすることができる３次に、本実施例である感
度補償機能を有した表面検査用装置の使用法について第
２図に基すいて説明する。まず、上記キャリブレーショ
ン完了させ、標準測定面での散乱光を測定し、この時の
データをメインメモリ８６に記憶させる。次にロボ・・
！トヨ００が、カセット４００から被検査物であるウェ
ーハ１０を把持し、このウェーハｌＯをターンテーブル
１２０上に載置する。この状態では、検出光学系３に対
向する位置に標準測定ＷＪ１３０が位置決めされており
、ここで、再び標準測定面１３０の散乱光を測定する。

この測定結果が、メインメモリ８６に記憶されている前
回のデータと同一である場合には、ウェーハ１０の測定
を開始する９即ち相対移動手段１１０のモータ１１３を
回転させると、水平駆動手段１１２が駆動され、基台１
１１が移動する。従って、この基台１１１に収りけけら
れた標準測定面１３０が、検出光学系３の対向位置から
退避されると共に、ウェーハ１０が＠置されたターンテ
ーブル１２０が、検出光学系３の対向位置に位置決めさ
れる。ここで、モータ１２１を回転させながら、塵の検
出を行う。

この塵の測定が終了すると、再び、相対移動手段１１０
を駆動させる。この際、モータ１１３の回転方向を逆転
させ、基台１１１を反対方向に移動させる。この結果、
ターンテーブル１２０は前記ロボット作業位置に移動し
、標準測定面１３０は検出光学系３の対向位置に復帰す
る９そして、検査の終了したウェーハ１０は、ロボット
３００によりカセット４００に収納され、新しい被検査
物であるウェーハ１０がターンテーブル１２０上に載置
される。なお、このロボット３００による搬送作業には
、真空チャックを利用することが望ましい、ここで、再
び、標準測定面１３０の散乱光を測定する。ここで、こ
の結果が、第１．２の受光素子４．５の経年変化等によ
り、メインメモリ８６に記憶したデータと異なる場合に
ついて説明する。本実施例では、２個の受光素子を使用
しているので、何れの受光素子が経年変化を起こしてい
るか判断しなければならない。従って、第６図に示す様
に、粒子径０２ミクロン程度と、粒子径０．５ミクロン
程度の２ケ所で経年変化チエツク分行う必要がある。即
ち、粒径０．２ミクロン付近では、殆ど第１の受光素子
４の出力であり、粒径０５ミクロン叶近では、殆ど第２
の受光素子５の出力になるからである。この測定を行え
ば、何れかの受光素子が経年変化を起こしているか認識
することができる。そして、メモリ８７に記憶されたキ
ャリブレーション直後のデータと、標準測定面１３０か
らのデータを比較し、その差をＣ，Ｐ　Ｕ　８７で演算
する９そして、その差を修正する様に、受光素子の出力
特性カーブを全体的に上昇させる９ＣＰＵ８７が、その
修正量分演算し、第２のり、／Ａコンバータ９６を介し
て受光素子電源９８を制［耳する２この結果、受光素子
に供給される＠Ｒ，電圧が変化し、受光素子の感度と適
正に調整することにより、受光素子の経年変化に影響さ
れる二となく、安定した感度でウェーハ１０上の應の測
定と行うことができる。なお、受光素子が１（Ｉ！Ｈの
場合には、１つの粒径に対する補償を行えば足りる９以
上の探に構成された本実施例は、ロボ・：／　ト３００
によるウェーハ１０交換作業位置において、［票準測定
面１３０が、検出光学系３の対向位置になる様に配置さ
れており、相対移動手段１１０を駆動させると、標準測
定面１３０を退避させ、つ工−ハ１０を検出光学系３の
対向位置に移動させることができる。相対移動手段１１
０３駆動させると、基台１１１が往復運動し、上記動作
を繰り返すことができる。従って、受光素子等の経年変
化等とチエツクすると共に、ウェーハ１０上の塵の検出
３高能率に行うことができるという効果がある。

なお本実施例は、受光素子等の経年変化による影響を、
受光素子の感度調整を行うことにより除去したが、プリ
アンプ等の利得を調整することにより、補償を行うこと
らできる。従って、本明細書における受光素子の出力を
補正するとは、フォトマル等の感度調整のみならず、受
光素子に接続されたプリアンプ等の利得の調整による補
正と片むものである。

［効果」以上の探にｆＩ成された本発明は、光源と、照射光学系
と、検出光学系と、受光素子と、塵を判別するための判
別手段からなり、被検査物の周囲に配置された標準測定
面と、この標準測定面及び上記被検査物とが、上記照射
光学系から照射され、かつ上記検出光学系により散乱光
が検出される探に、これらと相対的に移動させる相対移
動手段とを備え、上記判別手段が、上記検出光学系が上
記標準測定面からの散乱光を検出したときの上記受光素
子の出力に応じて、上記検出光学系が上記被検査物から
の散乱光を検出したときの上記受光素子の出力を補正す
る構成を有するので、受光素子等の経年変化等による影
響を補償することができるという効果がある。また、受
光素子の経年変化のみだけでなく、光源の出力変動にも
対応することができるという効果がある。特に、上記判
別手段は、上記検出光学系が上記標準測定面からの散乱
光を検出したときの上記受光素子の出力を記憶するため
の記憶部と、該記憶部で記憶された出力に応じて上記検
出光学系が、上記上記被検査物からの散乱光を検出した
ときの上記受光素子の出力レベルを補正するための補正
部とを備えることもでき、この場合には、（！！準測定
面からの散乱光による受光素子の出力信号が、記憶部に
記憶されているので、連続的な被検査物の測定の場合に
も、受光素子の出力信号を補正することができ、極めて
能率的な表面検査を行うことができるという借越した効
果がある。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例を示すもので、第１図は補償手段
の電子回路構成と説明する図であり、第２区は補償手段
を説明する斜視図、第３図は本実施例の光学系を説明す
る図、第４図は本実施例の構成を示すプロ・ツク図、第
５図は本実施例の測定原理を説明する図であり、第６図
は粒子？そと受光素子の出力電圧の関係を示す図である
。１　・　・２　・　・３　・　・３　ｌ　・４　・　・９つ表面検査用装置本体照射光学系検出光学系光ファイバ第１の受光素子第２の受光素子感度調整手段補償手段相対移動手段ターンテーブル標準測定面第５図ａ　＋　ｆ±（υｍ）第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光源と、この光源からの光を集光させて被検査物
に照射するための照射光学系と、該照射光学系から照射
された照射光により、上記被検査物から生じる散乱光を
検出するための検出光学系と、該検出光学系で検出した
光を授受するための受光素子と、この受光素子の出力か
ら上記被検査物上の塵を判別するための判別手段とを有
する表面検査用装置において、上記被検査物の周囲に配
置された標準測定面と、この標準測定面及び上記被検査
物とが、上記照射光学系から照射され、かつ上記検出光
学系により散乱光が検出される様に、これらを相対的に
移動させる相対移動手段とからなつており、上記判別手
段が、上記検出光学系が上記標準測定面からの散乱光を
検出したときの上記受光素子の出力に応じて、上記検出
光学系が上記被検査物からの散乱光を検出したときの上
記受光素子の出力を補正することを特徴とする表面検査
用装置。
（２）上記判別手段は、上記検出光学系が上記標準測定
面からの散乱光を検出したときの上記受光素子の出力を
記憶するための記憶部と、該記憶部で記憶された出力に
応じて上記検出光学系が、上記上記被検査物からの散乱
光を検出したときの上記受光素子の出力レベルを補正す
るための補正部とを有することを特徴とする請求項１記
載の表面検査用装置。