JP2003109985A - ウェーハバンプ検査方法及びウェーハバンプ検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハのバンプの欠陥を精度良く検出す
る。 【解決手段】 変位検出回路６０１は、Ａ／Ｄ変換器５
０４，５０５の検出信号からウェーハ１００の表面の高
さの変位を検出する。比較回路６０２は、表面の高さの
変位がしきい値以上の場合に、バンプの上面の高さの変
位として出力する。平均回路６０３は、各チップ毎に複
数のバンプの上面の高さの変位の平均値を算出する。記
憶回路６０４は、算出された平均値を記憶する。差検出
回路６０５は、算出された平均値と記憶回路６０４に記
憶されている別のチップの平均値との差を検出する。Ｚ
ステージ制御回路６０６は、検出された平均値の差に基
づいて、ステージ駆動回路３０５を制御する。ステージ
駆動回路３０５は、Ｚステージ移動機構３０３を駆動し
て、ウェーハ搭載台３０６のＺ方向の高さを調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
表面のバンプを検査する方法及び装置に係り、特にそり
や厚さの変化等を有するウェーハの表面のバンプを検査
するのに好適なウェーハバンプ検査方法及びウェーハバ
ンプ検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハ上に形成されたＩＣチッ
プの表面には、ＩＣパッケージ等の配線を接続するため
に多数のバンプが形成される。ウェーハバンプ検査装置
は、このようなバンプの外観に欠陥がないか否かを検査
する装置である。ウェーハバンプ検査装置は、投光光学
系と検出光学系とを有し、光ビーム等の検査光を投光光
学系から被検査ウェーハへ照射し、被検査ウェーハの表
面で反射した反射光の強度を検出光学系で検出すること
により、被検査ウェーハの表面のバンプの形状を測定す
る。そして、測定したバンプの形状をチップ毎に比較す
ることによって、バンプの外観に欠陥がないか否かを検
査するものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】通常、被検査ウェーハ
上には複数のＩＣチップが形成されており、また各ＩＣ
チップには多数のバンプが形成されている。このような
被検査ウェーハにそりや厚さの変化等があると、投光光
学系から被検査ウェーハの表面及び被検査ウェーハの表
面から検出光学系までの距離が一定でなくなり、バンプ
の形状を精度良く測定することができない。

【０００４】本発明は、被検査ウェーハにそりや厚さの
変化等があっても、バンプの形状を精度良く測定するこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係るウェーハバ
ンプ検査方法は、バンプを有する複数のチップが形成さ
れた被検査ウェーハをウェーハ搭載台に搭載し、投光光
学系からウェーハ搭載台に搭載された被検査ウェーハへ
検査光を照射し、被検査ウェーハの表面で反射した検査
光の反射光の強度を検出光学系で検出し、検査光の反射
光の強度からバンプの上面の高さの変位を検出し、バン
プの上面の高さの変位のチップ毎の差を検出し、バンプ
の上面の高さの変位のチップ毎の差に基づいてウェーハ
搭載台の高さを調整するものである。

【０００６】本発明に係るウェーハバンプ検査装置は、
バンプを有する複数のチップが形成された被検査ウェー
ハを搭載するウェーハ搭載台と、ウェーハ搭載台に搭載
された被検査ウェーハへ検査光を照射する投光光学系
と、被検査ウェーハの表面で反射した検査光の反射光の
強度を検出する検出光学系と、検出光学系で検出した検
査光の反射光の強度からバンプの上面の高さの変位を検
出する変位検出手段と、変位検出手段で検出したバンプ
の上面の高さの変位のチップ毎の差を検出する差検出手
段と、差検出手段で検出したバンプの上面の高さの変位
のチップ毎の差に基づいてウェーハ搭載台の高さを調整
する調整手段とを備えたものである。

【０００７】本発明に係るウェーハバンプ検査方法及び
ウェーハバンプ検査装置では、バンプの上面の高さの変
位のチップ毎の差を検出し、これに基づいてウェーハ搭
載台の高さが調整されるので、各チップを測定する際の
投光光学系から被検査ウェーハの表面及び被検査ウェー
ハの表面から検出光学系までの距離が一定範囲内に保た
れる。一般に被検査ウェーハの表面には回路パターンや
保護膜が形成されているため、被検査ウェーハの表面の
高さを正確に測定するのは難しいが、バンプの上面には
保護膜がないので、バンプの上面の高さの変位を用いる
ことで正確な高さ調整が行える。

【０００８】さらに、各チップ毎の複数のバンプの上面
の高さの変位の平均値からバンプの上面の高さの変位の
チップ毎の差を検出すると、検出精度が向上して、ウェ
ーハ搭載台の高さを精度良く調整することができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に従って説明する。図１は、本発明の一実施の形態
によるウェーハバンプ検査装置の概略構成を示す図であ
る。本実施の形態のウェーハバンプ検査装置は、検査ス
テージ部、検査光学系、及び信号処理部を含んで構成さ
れている。

【００１０】検査ステージ部は、ステージ移動機構３０
０、ステージ駆動回路３０５、及びウェーハ搭載台３０
６から構成されている。ステージ移動機構３００は、図
２に示すように、Ｘステージ移動機構３０１、Ｙステー
ジ移動機構３０２、Ｚステージ移動機構３０３、及びθ
ステージ移動機構３０４から構成されており、被検査物
であるウェーハ１００を搭載したウェーハ搭載台３０６
をＸＹＺ方向及びθ方向に移動させる。ステージ駆動回
路３０５は、画像処理・制御装置６００によって制御さ
れ、ステージ移動機構３００を駆動制御することによっ
て、ビームスポットがウェーハ搭載台３０６上のウェー
ハ１００を相対的にＸ方向及びＹ方向に走査するように
制御し、また後述するようにウェーハ搭載台３０６のＺ
方向の高さを調整する。

【００１１】検査光学系は、検査光のレーザー光をウェ
ーハ１００へ照射する投光光学系と、ウェーハ１００で
反射したレーザー光を光学センサに導く検出光学系とか
ら基本的に構成されている。投光光学系は、半導体レー
ザー光源４００、Ｓ偏光板４０１、コリメートレンズ４
０２、音響光学偏向器（ＡＯＤ：Ａｃｏｕｓｔｏ−Ｏｐ
ｔｉｃ Ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ）４０４、偏向器駆動回路
４０５、ｆθレンズ４０６、レンズ４０８、偏光ビーム
スプリッタ４１０、４分の１波長板４１２、及び対物レ
ンズ４１４から構成されている。

【００１２】半導体レーザー光源４００は、所定周波数
のレーザー光を発生する。Ｓ偏光板４０１は、半導体レ
ーザー光源４００から発生されたレーザー光のＳ偏光成
分のみを透過させる。コリメートレンズ４０２は、Ｓ偏
光板４０１を透過したＳ偏光成分のレーザー光を平行光
線束に変換する。音響光学偏向器４０４は、コリメート
レンズ４０２を透過したＳ偏光成分の平行光線束を、ウ
ェーハ１００の検出領域３０８をＹ方向に往復する偏向
光に変換する。偏向器駆動回路４０５は、画像処理・制
御装置６００によって制御され、所定周波数（約４ＭＨ
ｚ）の駆動信号を音響光学偏向器４０４へ供給する。ｆ
θレンズ４０６及びレンズ４０８は、ウェーハ１００の
検出領域３０８の各走査位置においてレーザー光を最適
に集束させるように動作するものである。偏光ビームス
プリッタ４１０は、Ｓ偏光成分のレーザー光を反射し、
Ｐ偏光成分のレーザー光を透過させるものである。従っ
て、偏光ビームスプリッタ４１０は、ｆθレンズ４０６
及びレンズ４０８を透過したＳ偏光成分のレーザー光を
ウェーハ１００側に反射する。偏光ビームスプリッタ４
１０で反射されたレーザー光は、４分の１波長板４１２
で円偏光成分のレーザー光に変換され、対物レンズ４１
４を介してウェーハ１００に集光される。

【００１３】検出光学系は、対物レンズ４１４、４分の
１波長板４１２、偏光ビームスプリッタ４１０、ハーフ
ミラー４１６、及びバンプ欠陥検出光学系から構成され
ている。ウェーハ１００の表面で反射した円偏光成分の
反射レーザー光は、対物レンズ４１４及び４分の１波長
板４１２を透過する。このとき、円偏光成分の反射レー
ザー光は、４分の１波長板４１２を透過することによっ
て、Ｐ偏光成分の反射レーザー光に変換され、偏光ビー
ムスプリッタ４１０に導入される。偏光ビームスプリッ
タ４１０は、ウェーハ１００からの反射レーザー光であ
って、４分の１波長板４１２からのＰ偏光成分の反射レ
ーザー光を後段のハーフミラー４１６側に透過させる。
ハーフミラー４１６は、偏光ビームスプリッタ４１０か
らのＰ偏光成分の反射レーザー光の光軸に対して４５度
の角度を持って配置され、その反射レーザー光の約半分
をその光軸の側面に配置されたバンプ欠陥検出光学系側
に反射し、その反射レーザー光の約半分を図示しないウ
ェーハ表面欠陥検出光学系側に透過させる。

【００１４】バンプ欠陥検出光学系は、ハーフミラー４
１８、遮蔽板４２０，４２２、結像レンズ４２４，４２
６、及び２分割光学センサ４２８，４３０から構成され
ている。ハーフミラー４１８は、ハーフミラー４１６か
らの反射レーザー光の光軸に対して４５度の角度を持っ
て配置され、その反射レーザー光の約半分をその光軸の
側面に配置された２分割光学センサ４２８側に反射し、
ハーフミラー４１６からの反射レーザー光の約半分を２
分割光学センサ４３０側に透過させる。遮蔽板４２０，
４２２は、ハーフミラー４１８と２分割光学センサ４２
８，４３０との間に配置され、ハーフミラー４１６で反
射した反射レーザー光の断面のそれぞれ異なる片側半分
の領域を遮蔽する。図１の場合、遮蔽板４２２は、ハー
フミラー４１８を透過したレーザー光の下側半分の領
域、すなわちハーフミラー４１６で反射したレーザー光
の下側半分の領域を遮蔽し、遮蔽板４２０は、ハーフミ
ラー４１８で反射したレーザー光の右側半分の領域、す
なわちハーフミラー４１６で反射したレーザー光の上側
半分の領域を遮蔽している。なお、遮蔽板４２０，４２
２は、結像レンズ４２４，４２６と２分割光学センサ４
２８，４３０との間に配置してあってもよい。

【００１５】結像レンズ４２４，４２６は、遮蔽板４２
０，４２２によって遮蔽されなかったレーザー光に対応
した像をそれぞれ２分割光学センサ４２８，４３０上に
結像する。２分割光学センサ４２８，４３０は、ハーフ
ミラー４１６からの反射レーザー光を受光し、それに対
応した検出信号Ａ〜Ｄを出力する。２分割光学センサ４
２８，４３０は、ウェーハ１００の検出領域３０８と同
じＹ方向（偏向方向）に沿って受光領域が２分割された
ホトセンサで構成されている。従って、２分割光学セン
サ４２８，４３０は、それぞれ独立した検出信号Ａ〜Ｄ
を出力する。

【００１６】図示しないウェーハ表面欠陥検出光学系
は、ハーフミラー４１６を透過した反射レーザー光を受
光してその強度からウェーハ１００の表面の欠陥を検出
し、欠陥検出信号を出力するものである。

【００１７】信号処理部は、画像処理・制御装置６０
０、アンプ５０２Ａ〜５０２Ｄ、及びアナログ−ディジ
タル（Ａ／Ｄ）変換器５０４，５０５から構成されてい
る。アンプ５０２Ａ〜５０２Ｄは、２分割光学センサ４
３０，４２８の各端子から出力される検出信号Ａ〜Ｄを
増幅してＡ／Ｄ変換器５０４，５０５へ供給する。Ａ／
Ｄ変換器５０４，５０５は、各アンプ５０２Ａ〜５０２
Ｄから出力されたアナログの検出信号Ａ〜Ｄをディジタ
ル信号に変換して画像処理・制御装置６００へ供給す
る。

【００１８】図２は、画像処理・制御装置の概略構成を
示すブロック図である。本実施の形態の画像処理・制御
装置６００は、変位検出回路６０１、比較回路６０２、
平均回路６０３、記憶回路６０４、差検出回路６０５、
及びＺステージ制御回路６０６を含んで構成されてい
る。さらに、画像処理・制御装置６００は、図示してい
ないマイクロプロセッサユニット（ＣＰＵ）、プログラ
ムメモリ（ＲＯＭ）、ワーキングメモリ（ＲＡＭ）、ハ
ードディスク装置（ＨＤＤ）、外部インターフェイス等
を含むマイクロコンピュータシステムを含んで構成され
ており、各種の処理を実行するようになっている。な
お、図示していないが、この画像処理・制御装置６００
には、キーボードやモニタ画面等が接続され、操作者と
の間でグラフィカルユーザインターフェイス（ＧＵＩ）
を構築している。画像処理・制御装置６００内のメモリ
（ＲＯＭ，ＲＡＭ，ＨＤＤ）には、バンプ高さ形状検出
プログラム、ウェーハ走査プログラム、欠陥検出プログ
ラム、焦点合わせプログラム等の各種プログラムが格納
されている。

【００１９】バンプ高さ形状検出プログラムは、キーボ
ード上の所定の検査開始キーの操作に応じて実行される
ものである。このバンプ高さ形状検出プログラムの実行
によって、画像処理・制御装置６００は、焦点合わせプ
ログラム、ウェーハ走査プログラム及び欠陥検出プログ
ラムの順番で各プログラムを実行する。

【００２０】焦点合わせプログラムは、Ａ／Ｄ変換器５
０４，５０５から出力される検出信号Ａ〜Ｄに基づいて
ｆθレンズ４０６、レンズ４０８及び対物レンズ４１４
を調整して、ウェーハ１００の表面にレーザー光の焦点
が位置するように焦点合わせを行う。ウェーハ走査プロ
グラムは、ステージ駆動回路３０５及び偏向器駆動回路
４０５に制御信号を供給し、主走査及び副走査を繰り返
し実行し、Ａ／Ｄ変換器５０４，５０５から出力される
検出信号Ａ〜Ｄ及び図示しないウェーハ表面欠陥検出光
学系から出力される欠陥検出信号をメモリ領域に一時的
に記憶する。欠陥検出プログラムは、Ａ／Ｄ変換器５０
４，５０５から出力された検出信号Ａ〜Ｄに基づいてバ
ンプの高さ情報を検出し、それに基づいてバンプの欠陥
等を検出し、図示しないウェーハ表面欠陥検出光学系か
ら出力される欠陥検出信号に基づいてウェーハ１００上
の異物や汚れ、傷や欠け等の欠陥位置をウェーハ１００
上で特定したりする。

【００２１】変位検出回路６０１は、Ａ／Ｄ変換器５０
４，５０５から出力された検出信号Ａ〜Ｄに基づいて、
ウェーハ１００の表面の高さの変位を検出する。本実施
の形態のウェーハバンプ検査装置は、被検査ウェーハの
表面の凹凸に応じた反射光に基づいてその高さの変位を
測定する方法して、ナイフエッジ法を採用している。ナ
イフエッジ法は従来から知られているものであり、その
基本原理は、ウェーハ１００からの反射光をナイフエッ
ジである遮蔽板４２０，４２２を介して２分割光学セン
サ４２８，４３０で受光し、その検出信号Ａ〜Ｄに基づ
いてウェーハ１００の表面の凹凸の高さを検出するもの
である。高さ情報εは、検出信号Ａ〜Ｄの値を演算式
｛（Ａ−Ｂ）＋（Ｃ−Ｄ）｝／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）に適
用することによって算出される。

【００２２】ウェーハ１００に凸部（突起）も凹部（窪
み）もない場合には、２分割光学センサ４２８，４３０
から出力される検出信号Ａ〜Ｄの値がほぼ等しくとなる
ので、高さ情報εは「０」となる。ウェーハ１００に凸
部（突起）が存在する場合には、２分割光学センサ４３
０の上側（検出信号Ａ側）及び２分割光学センサ４２８
の左側（検出信号Ｃ側）には、その凸部（突起）の大き
さ（高さ）に応じた径の半円形状の反射レーザー光のビ
ームスポットが照射されるようになる。従って、この場
合の高さ情報ε＝｛（Ａ−Ｂ）＋（Ｃ−Ｄ）｝／（Ａ＋
Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）は、正の値（ε＞０）となる。ウェーハ１
００に凹部（窪み）が存在する場合には、２分割光学セ
ンサ４３０の下側（検出信号Ｂ側）及び２分割光学セン
サ４２８の右側（検出信号Ｄ側）には、その凹部（窪
み）の大きさ（深さ）に応じた径の半円形状の反射レー
ザー光のビームスポットが照射されるようになる。従っ
て、この場合の高さ情報ε＝｛（Ａ−Ｂ）＋（Ｃ−
Ｄ）｝／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）は、負の値（ε＜０）とな
る。

【００２３】このように、２系統の２分割光学センサ４
２８，４３０からの検出信号Ａ〜Ｄに基づいて高さ情報
εを求めると、検出精度が向上するという効果がある。
さらに、投光光学系の光学素子の熱変動等によってスポ
ット走査ずれが発生したとしても、高さ情報εを求める
演算式｛（Ａ−Ｂ）＋（Ｃ−Ｄ）｝／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋
Ｄ）の分子側の値｛（Ａ−Ｂ）＋（Ｃ−Ｄ）｝は変動す
ることなくほぼ一定の値となるので、その影響を受ける
ことなく高精度な高さ測定を行うことができるという効
果がある。なお、スポット走査ずれとは、対物レンズ４
１４からウェーハ１００に対してレーザー光が垂直に落
射しなければならないにも関わらず、ある一定の角度を
持って落射する場合をいう。

【００２４】比較回路６０２は、変位検出回路６０１で
検出したウェーハ１００の表面の高さの変位がバンプの
上面ものか否かを判定するものであって、変位検出回路
６０１で検出したウェーハ１００の表面の高さの変位を
しきい値と比較し、しきい値以上の場合にバンプの上面
の高さの変位として出力する。

【００２５】平均回路６０３は、比較回路６０２から出
力されたバンプの上面の高さの変位から、各チップ毎に
複数のバンプの上面の高さの変位の平均値を算出する。
記憶回路６０４は、平均回路６０３で算出された平均値
を記憶する。差検出回路６０５は、平均回路６０３で算
出された平均値と記憶回路６０４に記憶されている以前
に測定されたチップの平均値との差を検出する。

【００２６】Ｚステージ制御回路６０６は、差検出回路
６０５で検出された平均値の差に基づいて、ステージ駆
動回路３０５を制御する。ステージ駆動回路３０５は、
Ｚステージ制御回路６０６の制御により、Ｚステージ移
動機構３０３を駆動して、ウェーハ搭載台３０６のＺ方
向の高さを調整する。

【００２７】図３は、本発明の一実施の形態によるウェ
ーハバンプ検査装置の動作を説明する図である。図３
（ａ）は、ウェーハ１００にそり等で一定の傾きが発生
した場合を示す例であって、ウェーハ１００上の第１の
チップのバンプ６１、第２のチップのバンプ６２、第３
のチップのバンプ６３、第４のチップのバンプ６４、第
５のチップのバンプ６５、及び第６のチップのバンプ６
６を横に並べて示している。なお、図示していないが、
ウェーハ１００上の各チップにはそれぞれ、各バンプ６
１〜６６の後方の図面奥行き方向に複数のバンプが配列
されているものとする。破線６１Ｈは、バンプ６１を有
する第１のチップについて、複数のバンプの上面の高さ
の変位の平均値を示す。

【００２８】図３（ｂ）は、本発明を適用した場合を示
す例であって、第１，第２のチップのバンプ６１，６
２、及びウェーハ搭載台３０６のＺ方向の高さをそれぞ
れ調整した後の第３〜第６のチップのバンプ６３〜６６
を横に並べて示している。破線６１Ｈは、バンプ６１を
有する第１のチップについて、複数のバンプの上面の高
さの変位の平均値を示す。この平均値６１Ｈは、第１の
チップの測定終了後、平均回路６０３で算出されて記憶
回路６０４に記憶される。また、破線６２Ｈは、バンプ
６２を有する第２のチップについて、複数のバンプの上
面の高さの変位の平均値を示す。この平均値６２Ｈは、
第２のチップの測定終了後、平均回路６０３で算出され
る。今、第１のチップの平均値６１Ｈと第２のチップの
平均値６２Ｈとの差をｄとすると、この差ｄが第２のチ
ップの測定終了後に差検出回路６０５で検出される。Ｚ
ステージ制御回路６０６は、検出された差ｄに基づい
て、ステージ駆動回路３０５を制御し、ウェーハ搭載台
３０６のＺ方向の高さを調整する。これにより第３のチ
ップのバンプ６３の底面は、破線矢印Ｚ２に示すように
移動する。

【００２９】次に、第３のチップの測定終了後、第３の
チップの平均値が平均回路６０３で算出され、第１のチ
ップの平均値６１Ｈとの差が差検出回路６０５で検出さ
れる。Ｚステージ制御回路６０６は、検出された差に基
づいて、ステージ駆動回路３０５を制御し、ウェーハ搭
載台３０６のＺ方向の高さを調整する。これにより第４
のチップのバンプ６４の底面は、破線矢印Ｚ３に示すよ
うに移動する。同様にして、第４，第５のチップの測定
終了後にそれぞれウェーハ搭載台３０６のＺ方向の高さ
が調整され、第５，第６のチップのバンプ６５，６６の
底面はそれぞれ、破線矢印Ｚ４，Ｚ５に示すように移動
する。

【００３０】このようにして、各チップを測定する際の
投光光学系から被検査ウェーハの表面及び被検査ウェー
ハの表面から検出光学系までの距離が一定範囲内に保た
れる。なお、図３の例ではウェーハ１００の傾きが一定
であるため、第３〜第６のチップのバンプ６３〜６６の
底面の移動量が同じであるが、ウェーハ１００の傾きが
一定でなければ、第３〜第６のチップのバンプ６３〜６
６の底面の移動量は異なることとなる。

【００３１】本実施の形態では、第２のチップ以降、１
つのチップの測定終了後その測定結果に基づいて次のチ
ップの測定開始前にウェーハ搭載台のＺ方向の高さ調整
を行っているため、ウェーハのそりや厚さの変化等に応
じてウェーハ搭載台の高さを精度良く調整することがで
きる。しかしながら、本発明はこれに限らず、例えば第
２のチップの測定結果に基づいて第４又は第５のチップ
の測定開始前にウェーハ搭載台のＺ方向の高さ調整を行
うようにしてもよい。

【００３２】また、本実施の形態では、第１のチップの
平均値を基準とし、第２のチップ以降は常に第１のチッ
プの平均値との差を検出しているが、例えば１つ前に測
定したチップの平均値との差を検出するようにしてもよ
い。

【００３３】以上説明した実施の形態では、光源として
半導体レーザー光源を例に説明したが、白色光等のその
他の光源を用いてもよい。また、以上説明した実施の形
態では、光ビームを所定の周期で往復走査するように偏
向させるものとして、音響光学偏向器を例に説明した
が、ポリゴンミラー、ガルバノミラー、デジタルマイク
ロミラーデバイス（ＤＭＤ）等のその他の偏向器を用い
てもよい。さらに、以上説明した実施の形態では、光学
センサの分割数として２分割のものを例に説明したが、
これ以上の分割数であってもよく、また２次元状のＣＣ
Ｄ受光素子を用いてもよい。

【００３４】

【発明の効果】本発明のウェーハバンプ検査方法及びウ
ェーハバンプ検査装置によれば、各チップを測定する際
の投光光学系から被検査ウェーハの表面及び被検査ウェ
ーハの表面から検出光学系までの距離を一定範囲内に保
つことができる。従って、被検査ウェーハにそりや厚さ
の変化等があっても、バンプの形状を精度良く測定する
ことができる。一般に被検査ウェーハの表面には回路パ
ターンや保護膜が形成されているため、被検査ウェーハ
の表面の高さを正確に測定するのは難しいが、バンプの
上面には保護膜がないので、バンプの上面の高さの変位
を用いることで正確な高さ調整が行える。

【００３５】さらに、本発明のウェーハバンプ検査方法
及びウェーハバンプ検査装置によれば、各チップ毎の複
数のバンプの上面の高さの変位の平均値からバンプの上
面の高さの変位のチップ毎の差を検出することにより、
検出精度を向上することができるので、ウェーハ搭載台
の高さを精度良く調整することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施の形態によるウェーハバンプ
検査装置の概略構成を示す図である。

【図２】 画像処理・制御装置の概略構成を示すブロッ
ク図である。

【図３】 本発明の一実施の形態によるウェーハバンプ
検査装置の動作を説明する図である。

【符号の説明】

１００…ウェーハ、３００…ステージ移動機構、３０３
…Ｚステージ移動機構、３０５…ステージ駆動回路、６
００…画像処理・制御装置、６０１…変位検出回路、６
０２…比較回路、６０３…平均回路、６０４…記憶回
路、６０５…差検出回路、６０５…Ｚステージ制御回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 勉 東京都渋谷区東３丁目16番３号 日立電子 エンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 2F065 AA24 AA49 CC19 FF44 GG06 JJ05 JJ23 LL33 LL36 LL37 LL57 MM16 NN20 PP12 QQ03 QQ23 QQ25 QQ31 QQ42 2G051 AA51 AB01 AB07 BA10 BA11 BB03 BB07 BB09 BB11 CA01 CB01 CC07 CC11 DA01 DA08 DA09 EA11 EA12 EA14 EB01 EC03

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 バンプを有する複数のチップが形成され
   た被検査ウェーハをウェーハ搭載台に搭載し、 投光光学系からウェーハ搭載台に搭載された被検査ウェ
   ーハへ検査光を照射し、 被検査ウェーハの表面で反射した検査光の反射光の強度
   を検出光学系で検出し、 検査光の反射光の強度からバンプの上面の高さの変位を
   検出し、 バンプの上面の高さの変位のチップ毎の差を検出し、 バンプの上面の高さの変位のチップ毎の差に基づいてウ
   ェーハ搭載台の高さを調整することを特徴とするウェー
   ハバンプ検査方法。
2. 【請求項２】 各チップ毎の複数のバンプの上面の高さ
   の変位の平均値からバンプの上面の高さの変位のチップ
   毎の差を検出することを特徴とする請求項１に記載のウ
   ェーハバンプ検査方法。
3. 【請求項３】 バンプを有する複数のチップが形成され
   た被検査ウェーハを搭載するウェーハ搭載台と、 前記ウェーハ搭載台に搭載された被検査ウェーハへ検査
   光を照射する投光光学系と、 被検査ウェーハの表面で反射した検査光の反射光の強度
   を検出する検出光学系と、 前記検出光学系で検出した検査光の反射光の強度からバ
   ンプの上面の高さの変位を検出する変位検出手段と、 前記変位検出手段で検出したバンプの上面の高さの変位
   のチップ毎の差を検出する差検出手段と、 前記差検出手段で検出したバンプの上面の高さの変位の
   チップ毎の差に基づいて前記ウェーハ搭載台の高さを調
   整する調整手段とを備えたことを特徴とするウェーハバ
   ンプ検査装置。
4. 【請求項４】 前記差検出手段は、 各チップ毎の複数のバンプの上面の高さの変位の平均値
   を算出する平均手段と、 前記平均手段で算出された平均値を記憶する記憶手段
   と、 前記平均手段で算出されたあるチップの平均値と前記記
   憶手段に記憶された別のチップの平均値との差を検出す
   る手段とを備えたことを特徴とする請求項３に記載のウ
   ェーハバンプ検査装置。