JPH0275496A - 薄板用セルフシールドアーク溶接フラックス入りワイヤ - Google Patents
薄板用セルフシールドアーク溶接フラックス入りワイヤInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は外部からシールドガスやフラックスを供給する
ことなく溶接を行うことのできるセルフシールドアーク
溶接フラックス入りワイヤに係り。
ことなく溶接を行うことのできるセルフシールドアーク
溶接フラックス入りワイヤに係り。
特に低電流域(200A以下)でスパッタ発生量が少な
く、優れたビード外観(形状)を有することを特長とし
、薄板の溶接に適したセルフシールドアーク溶接フラッ
クス入りワイヤに関するものである。
く、優れたビード外観(形状)を有することを特長とし
、薄板の溶接に適したセルフシールドアーク溶接フラッ
クス入りワイヤに関するものである。
(f来の技術)
近年、薄板(板厚0.6〜3.2mm程度が中心)の需
要は自動車、住宅、農機具等を始めとして急激に伸びて
きており、鋼材需要の約40%弱を占めるに至っている
。また耐食性や外観など製品の品質向上を目的とし、亜
鉛メツキ鋼板を中心とした表面処理鋼板の採用も進んで
いる。
要は自動車、住宅、農機具等を始めとして急激に伸びて
きており、鋼材需要の約40%弱を占めるに至っている
。また耐食性や外観など製品の品質向上を目的とし、亜
鉛メツキ鋼板を中心とした表面処理鋼板の採用も進んで
いる。
現在、この分野で使用されている溶接材料は、溶接施工
の能率向上の観点より、主としてワイヤ径0.61II
lφ〜1.2+omφの細径ソリッドワイヤであり、こ
れを使用したガスシールドアーク溶接法が採用されてい
る。
の能率向上の観点より、主としてワイヤ径0.61II
lφ〜1.2+omφの細径ソリッドワイヤであり、こ
れを使用したガスシールドアーク溶接法が採用されてい
る。
しかし乍ら、このようなソリッドワイヤによるガスシー
ルドアーク溶接は。
ルドアーク溶接は。
(1)スパッタの発生が多く、ビード外1(形状)が悪
い。
い。
(2)表面処理鋼板において、欠陥(ピット、ブローホ
ール)が発生する、 (3)風よる影響を受は易く、屋外での作業が困難であ
る(特に建築の現場溶接、農機゛ 具の補修溶接等)
、 (4)高価なシールドガス(A r 、C02)を使用
しなければならない場合もある。
ール)が発生する、 (3)風よる影響を受は易く、屋外での作業が困難であ
る(特に建築の現場溶接、農機゛ 具の補修溶接等)
、 (4)高価なシールドガス(A r 、C02)を使用
しなければならない場合もある。
等の難点があり、このため、スパッタ除去、欠陥の手直
し及び防風対策などに労力を費さねばならず1問題とな
っている。
し及び防風対策などに労力を費さねばならず1問題とな
っている。
(発明が解決しようとする課題)
このような問題を解決する対策として、特開昭61−1
69196号が提案さ九ている。しかし、この提案に係
るセルフシールドアーク溶接フラックス入すワイヤは上
記問題点(1)〜(4)をほぼ解決してはいるものの、
特に低電流域(200A以下)における溶接作業性が不
充分なため、適用板厚が限定されるという欠点があり、
未だ実用化には至っていない。特に板厚0.6〜2.C
)+mt程度の薄板の溶接、すなわち、低電流域の溶接
において、(i)スパッタ発生量が非常に多い、(ii
)ビード形状が悪い、という2点の問題があり、この範
囲においてはソリッドワイヤより作業能率が低下するこ
とが指摘されている。
69196号が提案さ九ている。しかし、この提案に係
るセルフシールドアーク溶接フラックス入すワイヤは上
記問題点(1)〜(4)をほぼ解決してはいるものの、
特に低電流域(200A以下)における溶接作業性が不
充分なため、適用板厚が限定されるという欠点があり、
未だ実用化には至っていない。特に板厚0.6〜2.C
)+mt程度の薄板の溶接、すなわち、低電流域の溶接
において、(i)スパッタ発生量が非常に多い、(ii
)ビード形状が悪い、という2点の問題があり、この範
囲においてはソリッドワイヤより作業能率が低下するこ
とが指摘されている。
本発明は、上記セルフシールドアーク溶接フラックス入
りワイヤの低電流域(200A以下)での問題を解決す
るためになされたものであって、低電流域でスパッタ発
生量が少なく、優れたビード外It(形状)を有し、特
に薄板の溶接に適したセルフシールドアーク溶接フラッ
クス入りワイヤを提供することを目的とするものである
。
りワイヤの低電流域(200A以下)での問題を解決す
るためになされたものであって、低電流域でスパッタ発
生量が少なく、優れたビード外It(形状)を有し、特
に薄板の溶接に適したセルフシールドアーク溶接フラッ
クス入りワイヤを提供することを目的とするものである
。
(課題を解決するための手段)
前記目的を達成するため、本発明者は、低電流域でのス
パッタ発生機構を検討すると共に、ビード形状に関して
外皮金属組成、フラックス率、フラックス組成等々につ
いて種々検討した結果。
パッタ発生機構を検討すると共に、ビード形状に関して
外皮金属組成、フラックス率、フラックス組成等々につ
いて種々検討した結果。
(外皮断面積)/(ワイヤ断面積)比のワイヤ長手方向
のバラツキとワイヤ水分量並びに金属弗化物の量と種類
を特定することが効果的であるとの知見を得た。
のバラツキとワイヤ水分量並びに金属弗化物の量と種類
を特定することが効果的であるとの知見を得た。
そこで、この知見に基づいてセルフシールドアーク溶接
フラックス入りワイヤの一般的要件についても更に詳細
に検討した結果、ここに本発明をなしたものである。
フラックス入りワイヤの一般的要件についても更に詳細
に検討した結果、ここに本発明をなしたものである。
すなわち、本発明に係るセルフシールドアーク溶接フラ
ックス入りワイヤは、ワイヤ水分量が300〜1000
pp−で、鋼製外皮内に対ワイヤ全重量比で以下の成分
。
ックス入りワイヤは、ワイヤ水分量が300〜1000
pp−で、鋼製外皮内に対ワイヤ全重量比で以下の成分
。
■ SrF、を60%以上含む
金属弗化物:0.5〜1.6
■ AQ:2.0〜4.0
■ Mg:0.3〜1.5
■ Mn : 0.3〜1.8
■ C:0.2〜0.5
■ Li、Srの複合酸化物の
1種又は2種:0.1〜1.0
を必須成分として含み、
■ 必要に応じてBaCO3: 0.02〜1%を含む
フラックスをフラックス率が6〜20重量となるように
充填し、且つ(外皮断面積)/(ワイヤ断面積)比のワ
イヤ長手方向のバラツキが0.05以下であることを特
徴とするものである。
フラックスをフラックス率が6〜20重量となるように
充填し、且つ(外皮断面積)/(ワイヤ断面積)比のワ
イヤ長手方向のバラツキが0.05以下であることを特
徴とするものである。
以下に本発明を更に詳細に説明する。
前述の如く、従来技術の問題点を解決するため、本発明
者は種々の基礎実験を行った。
者は種々の基礎実験を行った。
まず、セルフシールドアーク溶接フラックス入りワイヤ
の低電流域(20OA以下)でのスパッタ発生機構につ
いてアーク現象の高速度カメラ観察を含め、種々検討し
た結果、アーク不安定に起因するスパッタが殆どであり
、以下に示す如く、低スパツタ化の支配因子としては、 ■(外皮断面積)/(ワイヤ断面積)比のワイヤ長手方
向のバラツキ ■ワイヤ水分 が重要であることが認められた。
の低電流域(20OA以下)でのスパッタ発生機構につ
いてアーク現象の高速度カメラ観察を含め、種々検討し
た結果、アーク不安定に起因するスパッタが殆どであり
、以下に示す如く、低スパツタ化の支配因子としては、 ■(外皮断面積)/(ワイヤ断面積)比のワイヤ長手方
向のバラツキ ■ワイヤ水分 が重要であることが認められた。
なお、実験条件(供試ワイヤ、溶接条件、スパッタ量の
測定方法)は以下のとおりとした。
測定方法)は以下のとおりとした。
ワイヤ径:1.O+u+φ
使用フープ:軟鋼
断面形状:第4図(A)
フラックス:後述実施例中のklの配合フラックス率:
13% 〔溶接条件〕 溶接電流:60A、 極性:DCENアーク電圧:
アーク長約III+1となる電圧溶接速度: 15cm
/sin チップ・母材間距離=15m■ 母材:5S41(12+wmt) 溶接法:ビードオンフレート法 〔スパッタ量の測定方法〕 後述の実施例の場合と同じ方法。
13% 〔溶接条件〕 溶接電流:60A、 極性:DCENアーク電圧:
アーク長約III+1となる電圧溶接速度: 15cm
/sin チップ・母材間距離=15m■ 母材:5S41(12+wmt) 溶接法:ビードオンフレート法 〔スパッタ量の測定方法〕 後述の実施例の場合と同じ方法。
第1図は(外皮断面積)/(ワイヤ断面積)比のワイヤ
長手方向のバラツキ(以下、ΔSという)とスパッタ発
生量の関係を示したものである。ここで。
長手方向のバラツキ(以下、ΔSという)とスパッタ発
生量の関係を示したものである。ここで。
(外皮断面積)/(ワイヤ断面積)比の測定は、ワイヤ
断面における外皮面積、ワイヤ面積を画像処理(面積分
析)により求め、その比を計算して測定し、この比のバ
ラツキは、ワイヤ長手方向10c−間隔でn=30測定
し、調査した。その際、ワイヤ断面のサンプリングにつ
いては、スプール巻きの場合は1スプールの中央部より
サンプリングし、またパック入りワイヤま場合は収納中
央部よりサンプリングした。
断面における外皮面積、ワイヤ面積を画像処理(面積分
析)により求め、その比を計算して測定し、この比のバ
ラツキは、ワイヤ長手方向10c−間隔でn=30測定
し、調査した。その際、ワイヤ断面のサンプリングにつ
いては、スプール巻きの場合は1スプールの中央部より
サンプリングし、またパック入りワイヤま場合は収納中
央部よりサンプリングした。
第1図より、ΔSのバラツキの低減が低スパツタ化に有
効であることが認められる。ΔSが大きいと局部的に電
流密度が変化するため、アーク長が変動し、スパッタが
発生する。すなわち、ΔSが0.05を超えると、アー
ク長の変動が大きくなり、スパッタが急増する。なお、
従来のセルフシールドアーク溶接フラックス入りワイヤ
のΔSは0.07〜0.08であった。
効であることが認められる。ΔSが大きいと局部的に電
流密度が変化するため、アーク長が変動し、スパッタが
発生する。すなわち、ΔSが0.05を超えると、アー
ク長の変動が大きくなり、スパッタが急増する。なお、
従来のセルフシールドアーク溶接フラックス入りワイヤ
のΔSは0.07〜0.08であった。
これより、スパッタの低減には、ΔSを0.05以下に
管理することが重要であることが判明した。
管理することが重要であることが判明した。
なお、ΔSの調整は、成型、伸線時の速度、ダイススケ
ジュールなどの生産技術面及びフラックス粒度などのワ
イヤ組成面の調整により行うことができる。
ジュールなどの生産技術面及びフラックス粒度などのワ
イヤ組成面の調整により行うことができる。
また、第2図はワイヤ水分とスパッタ発生量の関係を示
したものである。なお、ワイヤ水分の測定はJIS
K 0113(1979)に準じた。
したものである。なお、ワイヤ水分の測定はJIS
K 0113(1979)に準じた。
第2図に示す如く、ワイヤ水分の増加はスパッタ低減に
効果のあることがわかる。その量は300 ppta以
上で有効である。水分はアークの吹き付は力、集中性を
増す特性があり、特に低電流域でのアークの安定性に効
果がある。しかし、1000PP鵬を超えると耐気孔性
が劣化するので、ワイヤ水分の適正範囲は300〜11
000ppの範囲とすべきであることが判明した。
効果のあることがわかる。その量は300 ppta以
上で有効である。水分はアークの吹き付は力、集中性を
増す特性があり、特に低電流域でのアークの安定性に効
果がある。しかし、1000PP鵬を超えると耐気孔性
が劣化するので、ワイヤ水分の適正範囲は300〜11
000ppの範囲とすべきであることが判明した。
以上説明したように1本発明多よ、従来技術に比較して
、(1)ΔSの安定化を図ること、(2)ワイヤ水分を
高目に調整することに特徴があり、これにより、特に低
電流域でのスパッタ発生量を顕著に減少させ得たもので
ある。
、(1)ΔSの安定化を図ること、(2)ワイヤ水分を
高目に調整することに特徴があり、これにより、特に低
電流域でのスパッタ発生量を顕著に減少させ得たもので
ある。
金 ヒ の量と :
次に、本発明者は、第2の課題であるビード形状につい
て、外皮金属組成、フラックス率、フラックス組成等を
種々検討した結果、金属弗化物の量と種類を特定するこ
とにより、低電流域(200A以下)の溶接においても
良好なビード形状が得られることを見い出した。
て、外皮金属組成、フラックス率、フラックス組成等を
種々検討した結果、金属弗化物の量と種類を特定するこ
とにより、低電流域(200A以下)の溶接においても
良好なビード形状が得られることを見い出した。
なお、実験条件(供試ワイヤ、溶接条件、ビード形状評
価方法)は以下のとおりとした。
価方法)は以下のとおりとした。
前述の基礎実験と同一のワイヤ
【溶接条件〕
溶接電流:60A、 極性:DCENアーク電圧:
アーク要約1mmとなる電圧溶接速度: 15cm/s
in チップ・母材間距離:15m鳳 母材: SS41(0,8t X50wX500 Q)
溶接姿勢二T型水平すみ肉 〔ビード形状評価方法〕 後述実施例の場合と同一で、フランク角θにより、θが
55°未満の場合に0(良)、55°〜65°の場合に
Δ(やや劣)、65°を超える場合に×(劣)にて評価
した。
アーク要約1mmとなる電圧溶接速度: 15cm/s
in チップ・母材間距離:15m鳳 母材: SS41(0,8t X50wX500 Q)
溶接姿勢二T型水平すみ肉 〔ビード形状評価方法〕 後述実施例の場合と同一で、フランク角θにより、θが
55°未満の場合に0(良)、55°〜65°の場合に
Δ(やや劣)、65°を超える場合に×(劣)にて評価
した。
第3図に示す如く、ワイヤ中の金属弗化物の量及び全金
属弗化物に占めるSrF、の割合を規定することにより
、良好なビード形状が得られることが判明した。
属弗化物に占めるSrF、の割合を規定することにより
、良好なビード形状が得られることが判明した。
すなわち、金属弗化物は、シールド剤であると共に主要
なスラブ形成作用があるが、0.5%未満ではシールド
不十分になり、ピット、ブローホール等の欠陥が生じ、
またビード形状も劣化する。
なスラブ形成作用があるが、0.5%未満ではシールド
不十分になり、ピット、ブローホール等の欠陥が生じ、
またビード形状も劣化する。
一方、1.6%を超えるとスラグの融点が下がりすぎる
ため、ビード形状が劣化し、またヒユームも増大する。
ため、ビード形状が劣化し、またヒユームも増大する。
したがって、金属弗化物の量は0゜5〜1.6%の範囲
に規制する。
に規制する。
但し、この金属弗化物は、SrF、を60%以上含む弗
化物とする必要がある。前述の如く、金属弗化物は主要
なスラグ剤であり、その種類によりスラブの物性が違っ
てくるため、ビード形状に及ぼす影響も異なってくる。
化物とする必要がある。前述の如く、金属弗化物は主要
なスラグ剤であり、その種類によりスラブの物性が違っ
てくるため、ビード形状に及ぼす影響も異なってくる。
すなわち、第3図に示す如く良好なビード形状を得るに
は60%以上のSrF、が必須である。なお、残部の金
属弗化物としてはCaF、、BaF、、LiFa、Na
F、Na、5iFs等のいずれの金属弗化物を使用して
もよい。
は60%以上のSrF、が必須である。なお、残部の金
属弗化物としてはCaF、、BaF、、LiFa、Na
F、Na、5iFs等のいずれの金属弗化物を使用して
もよい。
以上の基礎実験に基づき、本発明に係るセルフシールド
アーク溶接フラックス入りワイヤの主な構成は、従来技
術に比較して、特に、(1)ΔSの安定化を図ったこと
、(2)金属弗化物の量を低目。
アーク溶接フラックス入りワイヤの主な構成は、従来技
術に比較して、特に、(1)ΔSの安定化を図ったこと
、(2)金属弗化物の量を低目。
に設定し、且つSiF、を必須成分として含有せしめる
こと、等を特徴とし、これにより、低電流域(200A
以下)でのスパッタの発生及びビード形状を大幅に改善
したものであり、板厚2.3mm以上の溶接は勿論のこ
と、板厚2.31−未満の薄板の溶接を可能にしたので
ある。
こと、等を特徴とし、これにより、低電流域(200A
以下)でのスパッタの発生及びビード形状を大幅に改善
したものであり、板厚2.3mm以上の溶接は勿論のこ
と、板厚2.31−未満の薄板の溶接を可能にしたので
ある。
本発明の目的を十分達成するためには、更にセルフシー
ルドアーク溶接フラックス入りワイヤの一般的要件も併
せて具備する必要があり、以下に説明するようにフラッ
クス成分、フラックス率を規制する。
ルドアーク溶接フラックス入りワイヤの一般的要件も併
せて具備する必要があり、以下に説明するようにフラッ
クス成分、フラックス率を規制する。
人l:
AQは脱酸、脱窒剤として作用−するものであるが、2
.0%未満ではピット及びブローホール等の溶接欠陥が
発生する。また4、0%を超えると溶着金属中に残存す
るAflが増加するため、著しく延性を損なうので好ま
しくない、またヒユー′ム量も増大する。したがって、
/lは2.0〜4.0%の範囲とする。
.0%未満ではピット及びブローホール等の溶接欠陥が
発生する。また4、0%を超えると溶着金属中に残存す
るAflが増加するため、著しく延性を損なうので好ま
しくない、またヒユー′ム量も増大する。したがって、
/lは2.0〜4.0%の範囲とする。
なお、AM源としてはMe−AQのほが、Fe−Afl
、AM−Li、AQ−Mg等の合金を使用できる。
、AM−Li、AQ−Mg等の合金を使用できる。
Mi:
Mgは脱酸剤として作用し、且つ溶接待金属上記を発生
してアーク柱や溶融プールをシールドし。
してアーク柱や溶融プールをシールドし。
アークを安定にする効果がある。しかし、0.3%未満
では効果が十分でなく、ピット、ブローホール等の溶接
欠陥が発生する。、またアークが不安定になり易い、ま
た1、5%を超えるとアークの吹き付は力が強くなりす
ぎるため、ヒユームが増大する。したがって、Mgは0
.3〜1.5%の範囲とする。
では効果が十分でなく、ピット、ブローホール等の溶接
欠陥が発生する。、またアークが不安定になり易い、ま
た1、5%を超えるとアークの吹き付は力が強くなりす
ぎるため、ヒユームが増大する。したがって、Mgは0
.3〜1.5%の範囲とする。
なお、Mg源としてはMe−Mgのほか、AQ−Mg、
Ni−Mg、SL−Mg等の合金を使用することができ
る。
Ni−Mg、SL−Mg等の合金を使用することができ
る。
Li、Srの ム酸ヒ :
Li、Srの複合酸化物はスラブ形成剤として作用する
もので、ビード外観(光沢)及びスラブの剥離性の向上
に効果がある。しかし、0.1%未満ではその効果がな
く、スラグの剥離性が劣る。また1、0%を超えるとヒ
ユームが増大する。したがって、Li、Srの複合酸化
物は0.1〜1.0%の範囲とする。
もので、ビード外観(光沢)及びスラブの剥離性の向上
に効果がある。しかし、0.1%未満ではその効果がな
く、スラグの剥離性が劣る。また1、0%を超えるとヒ
ユームが増大する。したがって、Li、Srの複合酸化
物は0.1〜1.0%の範囲とする。
なお、これら複合酸化物としては[、i、SiO3、L
iFe0.、LL、MnO3,Li、Tie、、Li、
Zr01.5rFe204等を使用することができる。
iFe0.、LL、MnO3,Li、Tie、、Li、
Zr01.5rFe204等を使用することができる。
yl:
Mnは脱酸剤として作用し、溶接金属中の強度を保持す
るためのものであるが、0.3%未満では強度不足とな
り、1.8%を超えると強度が過剰となり、曲げ延性を
損なうので、0.3〜1.8%の範囲とする。
るためのものであるが、0.3%未満では強度不足とな
り、1.8%を超えると強度が過剰となり、曲げ延性を
損なうので、0.3〜1.8%の範囲とする。
なお、Mn源としてはFe−Mn、 FeFe−8i−
等を使用することができる。
等を使用することができる。
C:
Cは溶接金属の硬度強化用元素であると共にアークの吹
き付は力を増す作用があり、0.2〜0゜4%の範囲で
添加する必要がある。0.2%未満では効果がなく、ア
ーク吹き付は方が弱く、特に低電流域でアーク不安定と
なり易い。また0、4%を超えると硬度過大となり、衝
撃性能が劣化する。更にアーク吹き付は方が強くなりす
ぎてヒユームが増大する。
き付は力を増す作用があり、0.2〜0゜4%の範囲で
添加する必要がある。0.2%未満では効果がなく、ア
ーク吹き付は方が弱く、特に低電流域でアーク不安定と
なり易い。また0、4%を超えると硬度過大となり、衝
撃性能が劣化する。更にアーク吹き付は方が強くなりす
ぎてヒユームが増大する。
なお、C源としてはグラファイトや、Cを含有する合金
等が使用できる。
等が使用できる。
月見qΩよ:
BaC0,はシールド剤として作用すると共に、スラブ
の粘性、スラグの剥離性、を調整する作用があり、必要
に応じて0.02〜1%の範囲で添加することができる
。しかし、0.02%未満ではその効果がなく、1%を
超えると溶接時に発生する分解ガス(Co□)のため、
スパッタが増大する。
の粘性、スラグの剥離性、を調整する作用があり、必要
に応じて0.02〜1%の範囲で添加することができる
。しかし、0.02%未満ではその効果がなく、1%を
超えると溶接時に発生する分解ガス(Co□)のため、
スパッタが増大する。
なお、炭酸塩としてはBaC0,のほが、CacO,,
5rCO,等積々のものがあるが、アークの安定性の面
よりBaCO,が好ましい。
5rCO,等積々のものがあるが、アークの安定性の面
よりBaCO,が好ましい。
兎よ1元素:
希土類元素(Ce、 La、 Ss、Y、Pr、Nd等
)は溶融金属及びスラグの粘性を低下させるため、亜鉛
メツキ鋼板等の表面処理鋼板の耐気孔性改善に効果があ
るので、必要に応じて0.2%以下の範囲で添加するこ
とができる。0.2%を超えるとビード形状が劣化する
ので好ましくない。
)は溶融金属及びスラグの粘性を低下させるため、亜鉛
メツキ鋼板等の表面処理鋼板の耐気孔性改善に効果があ
るので、必要に応じて0.2%以下の範囲で添加するこ
とができる。0.2%を超えるとビード形状が劣化する
ので好ましくない。
丈ム直:
本発明で使用する外皮金属(帯鋼フープ)としては、成
形性の観点から深絞り性の良好な冷間圧延鋼や熱間圧延
鋼が使用されるが、特に制限されるものではない。しか
し、C量は極力少ないものを使用する方が有利である。
形性の観点から深絞り性の良好な冷間圧延鋼や熱間圧延
鋼が使用されるが、特に制限されるものではない。しか
し、C量は極力少ないものを使用する方が有利である。
また金属中のMnやSi等は脱酸剤として作用し、溶滴
移行中のCO及びCo2の発生量を抑制する効果がある
から、ある程度含有させる方が有利である。しかし、こ
れらの含有量が多すぎると加工性が低下するので外皮金
属中のMn量は2.0%以下、Si量は1.0%以下に
抑えるのがよい。
移行中のCO及びCo2の発生量を抑制する効果がある
から、ある程度含有させる方が有利である。しかし、こ
れらの含有量が多すぎると加工性が低下するので外皮金
属中のMn量は2.0%以下、Si量は1.0%以下に
抑えるのがよい。
更に、本発明ではあらゆる断面形状のワイヤとすること
ができる。例えば、第4図(A)〜(D)にワイヤの断
面形状を4種類例示したが、これらのいずれの形状であ
ってもよい。
ができる。例えば、第4図(A)〜(D)にワイヤの断
面形状を4種類例示したが、これらのいずれの形状であ
ってもよい。
そして、ワイヤ径は、用途に応じて0.9 m履φ。
1.0++mφ 、 1.2a+s+φ 、 1.4−
一φ 、 1.6mmφ 、2.0s+mφ、2 、4
amφ、3.2■φ等の中から任意に決めることがで
きる。
一φ 、 1.6mmφ 、2.0s+mφ、2 、4
amφ、3.2■φ等の中から任意に決めることがで
きる。
また、本発明は種々の鋼種に適用でき、主として軟鋼、
高張力鋼であるが、用途により低合金鋼。
高張力鋼であるが、用途により低合金鋼。
高合金鋼などに拡大しても差し支えない。
次に本発明の実施例を示す。
(実施例)
第1表に示す条件のフラック、ス入すワイヤを常法によ
り作成した。ワイヤ径は1.2111mφ、ワイヤ断面
形状は第4図の(B)のものとした。また該、ワイヤの
外皮金属としては軟鋼を使用し、その含有成分はC:0
.04%、Mn:0.35%、5ilo。
り作成した。ワイヤ径は1.2111mφ、ワイヤ断面
形状は第4図の(B)のものとした。また該、ワイヤの
外皮金属としては軟鋼を使用し、その含有成分はC:0
.04%、Mn:0.35%、5ilo。
01%、P:0.014%、s:o、01%である。
次いで、これらのフラックス入りワイヤを使用し、次の
溶接条件にて溶接試験を行った。
溶接条件にて溶接試験を行った。
1度条止
溶接電流:100A、 極性:DCENアーク電圧:
アーク要約IIIIImとなる電圧溶接速度:25c閣
/■in チップ・母材間距離:15mm 母材:SS41(12mmt) 溶接法:下向きビードオンプレート法 溶接試験結果(スパッタ発生量、ビード形状。
アーク要約IIIIImとなる電圧溶接速度:25c閣
/■in チップ・母材間距離:15mm 母材:SS41(12mmt) 溶接法:下向きビードオンプレート法 溶接試験結果(スパッタ発生量、ビード形状。
耐気孔性、溶接作業性、送給性等)を第2表に示す。
なお、スパッタ発生量の測定には、下向きビードオンプ
レート法により溶接し、第5図に示す装置(3はスパッ
タ捕集板、4はワイヤ送給装置、5はトーチ、6は母材
、7は台車を示す)を使用した。すなわち、スパッタ発
生量は、第5図に示す捕集板を用いてアーク点のまわり
に飛散するスパッタを捕集し、重量を測定することによ
り求めた。測定時間は1分間とし、単位時間当たりの値
(g/m1n)を算出した。
レート法により溶接し、第5図に示す装置(3はスパッ
タ捕集板、4はワイヤ送給装置、5はトーチ、6は母材
、7は台車を示す)を使用した。すなわち、スパッタ発
生量は、第5図に示す捕集板を用いてアーク点のまわり
に飛散するスパッタを捕集し、重量を測定することによ
り求めた。測定時間は1分間とし、単位時間当たりの値
(g/m1n)を算出した。
また、ビード形状の評価方法としては、T型水平すみ肉
溶接を行い、第6図(10は溶着金属、11はボンド部
、12は熱影響部である)に示すように、水平すみ自溶
接部止端部のフランク角θにより評価した。フランク角
θは、断面マクロを採取しくn=3)、撮影機により溶
接部を拡大して測定した。ビード形状が悪くなる(凸ビ
ード)はどフランク角θは大きくなり、θが55°未満
の場合にO(良)、55°〜65°の場合にΔ(やや劣
)、65°をこえる場合に×(劣)で評価した。
溶接を行い、第6図(10は溶着金属、11はボンド部
、12は熱影響部である)に示すように、水平すみ自溶
接部止端部のフランク角θにより評価した。フランク角
θは、断面マクロを採取しくn=3)、撮影機により溶
接部を拡大して測定した。ビード形状が悪くなる(凸ビ
ード)はどフランク角θは大きくなり、θが55°未満
の場合にO(良)、55°〜65°の場合にΔ(やや劣
)、65°をこえる場合に×(劣)で評価した。
また、耐気孔性は下向ビードオン溶接部のX線透過結果
により評価した。
により評価した。
第2表より、以下の如く考察される。
No 1〜Na6は本発明例であり1、低電流域におい
てスパッタの発生が極めて少なく、ビード形状も優れて
いる。勿論、ピット、ブローホール等の欠陥が発生せず
、溶接作業性、送給性等も良好である。
てスパッタの発生が極めて少なく、ビード形状も優れて
いる。勿論、ピット、ブローホール等の欠陥が発生せず
、溶接作業性、送給性等も良好である。
Nn7〜翫8はワイヤ水分の量が本発明範囲外にある比
較例であり、ワイヤ水分量が少なすぎるとスパッタが増
大し、多すぎるとピット、ブローホール等の溶接欠陥が
発生し耐気孔性が劣る。
較例であり、ワイヤ水分量が少なすぎるとスパッタが増
大し、多すぎるとピット、ブローホール等の溶接欠陥が
発生し耐気孔性が劣る。
N119は(外皮断面積)/(ワイヤ断面積)比のワイ
ヤ長手方向のバラツキΔSが大きすぎる比較例であり、
アークの変動が起こり、そのためスパッタが増加してい
る。
ヤ長手方向のバラツキΔSが大きすぎる比較例であり、
アークの変動が起こり、そのためスパッタが増加してい
る。
NQIO−&11はフラックス充填率が本発明範囲外に
ある比較例であり、フラックス充填率が小さすぎるとア
ークの安定性が劣り、スパッタもやや増加する。大きす
ぎるとワイヤが軟弱になり、送給トラブル(断線等)が
発生する。
ある比較例であり、フラックス充填率が小さすぎるとア
ークの安定性が劣り、スパッタもやや増加する。大きす
ぎるとワイヤが軟弱になり、送給トラブル(断線等)が
発生する。
Nn12〜&13は金属弗化物の量が本発明範囲外にあ
る比較例であり、少なすぎるとシールド不足となり、溶
接欠陥(ピット、ブローホール)が発生する。多すぎる
とビード形状が劣化し、凸ビードとなる。
る比較例であり、少なすぎるとシールド不足となり、溶
接欠陥(ピット、ブローホール)が発生する。多すぎる
とビード形状が劣化し、凸ビードとなる。
Na 14は金属弗化物中に占めるSrF、の割合が少
なすぎる比較例であり、と−ド形状が劣化する。
なすぎる比較例であり、と−ド形状が劣化する。
Nα15〜&16はフラックス中のAQの量が本発明範
囲外にある比較例であり、少なすぎるとピット、ブロー
ホールが発生する。多すぎると延性。
囲外にある比較例であり、少なすぎるとピット、ブロー
ホールが発生する。多すぎると延性。
靭性が劣化すると共にヒユームも増大する。
&17〜&18はフラックス中のMgの量が本発明範囲
外にある比較例であり、少なすぎると脱酸不足となり、
ピット、ブローホールが発生する。
外にある比較例であり、少なすぎると脱酸不足となり、
ピット、ブローホールが発生する。
更にアークもやや不安定となる。一方、多すぎるとヒユ
ームが増大する。
ームが増大する。
NCkl 9〜&20はフラックス中のMnの量が本発
明範囲外にある比較例であり、少なすぎると強度不足と
なり、多すぎると曲げ延性が劣化する。
明範囲外にある比較例であり、少なすぎると強度不足と
なり、多すぎると曲げ延性が劣化する。
−21〜&22はLi、Srの複合酸化物の量が本発明
範囲外にある比較例であり、少なすぎるとスラグの剥離
性が悪く、多すぎるとヒユームが増加する。
範囲外にある比較例であり、少なすぎるとスラグの剥離
性が悪く、多すぎるとヒユームが増加する。
NQ23〜Na24はフラックス中のCの量が本発明範
囲外にある比較例であり、少なすぎるとアークが不安定
となり、多すぎるとヒユームが増大すると共に靭性が劣
化する。
囲外にある比較例であり、少なすぎるとアークが不安定
となり、多すぎるとヒユームが増大すると共に靭性が劣
化する。
【以下余白l
(発明の効果)
以上詳述したように、本発明によれば、要するに、(外
皮断面積)/(ワイヤ断面積)比のワイヤ長手方向のバ
ラツキΔSの安定化を図ること、ワイヤ水分を高目に調
整すること、金属弗化物の量を低目に設定し且つSrF
、を必須成分として含有せしめてその割合を規定するこ
と、等により、従来のセルフシールドアーク溶接フラッ
クス入りワイヤの問題点である低電流域(20OA以下
)でのスパッタの発生及びビード形状を大幅に改善する
ことが可能となり、セルフシールドアーク溶接フラック
ス入りワイヤの用途拡大に大きく寄与するものである。
皮断面積)/(ワイヤ断面積)比のワイヤ長手方向のバ
ラツキΔSの安定化を図ること、ワイヤ水分を高目に調
整すること、金属弗化物の量を低目に設定し且つSrF
、を必須成分として含有せしめてその割合を規定するこ
と、等により、従来のセルフシールドアーク溶接フラッ
クス入りワイヤの問題点である低電流域(20OA以下
)でのスパッタの発生及びビード形状を大幅に改善する
ことが可能となり、セルフシールドアーク溶接フラック
ス入りワイヤの用途拡大に大きく寄与するものである。
第1図は(外皮断面積)/(ワイヤ断面積)比のワイヤ
長手方向のバラツキΔSとスパッタ発生量の関係を示す
図、 第2図はワイヤ水分とスパッタ発生量の関係を示す図、 第3図は金属弗化物の量及びSrF2の割合とビード形
状の関係を示す図、 第4図(A)〜(D)はワイヤ断面形状の一例を示す概
略断面図、 第5図はスパッタ捕集装置を示す図で、(a)は側面図
、(b)は平面図であり。 第6図はヒート形状評価方法におけるフランク角を説明
する図である。 1・・・外皮金属、2・・・フラックス、3・・・スパ
ッタ捕集板、4・・・ワイヤ送給装置、5・・・トーチ
、6・・・母材、7・・・台車、8・・・台車駆動装置
、9・・・溶着金属、10・・・ボンド部、11・・・
熱影響部。 特許出願人 株式会社神戸製鋼所 代理人弁理士 中 村 尚 スハ゛ツタ宛生t(グ/犠in) スパッタ発生量(シーin)
長手方向のバラツキΔSとスパッタ発生量の関係を示す
図、 第2図はワイヤ水分とスパッタ発生量の関係を示す図、 第3図は金属弗化物の量及びSrF2の割合とビード形
状の関係を示す図、 第4図(A)〜(D)はワイヤ断面形状の一例を示す概
略断面図、 第5図はスパッタ捕集装置を示す図で、(a)は側面図
、(b)は平面図であり。 第6図はヒート形状評価方法におけるフランク角を説明
する図である。 1・・・外皮金属、2・・・フラックス、3・・・スパ
ッタ捕集板、4・・・ワイヤ送給装置、5・・・トーチ
、6・・・母材、7・・・台車、8・・・台車駆動装置
、9・・・溶着金属、10・・・ボンド部、11・・・
熱影響部。 特許出願人 株式会社神戸製鋼所 代理人弁理士 中 村 尚 スハ゛ツタ宛生t(グ/犠in) スパッタ発生量(シーin)
Claims (2)
- (1)ワイヤ水分量が300〜1000ppmで、鋼製
外皮内に対ワイヤ全重量比で下記成分を必須成分として
含むフラックスをフラックス率が6〜20重量となるよ
うに充填し、且つ(外皮断面積)/(ワイヤ断面積)比
のワイヤ長手方向のバラツキが0.05以下であること
を特徴とするセルフシールドアーク溶接フラックス入り
ワイヤ。 記 [1]SrF_2を60%以上含む 金属弗化物:0.5〜1.6 [2]Al:2.0〜4.0 [3]Mg:0.3〜1.5 [4]Mn:0.3〜1.8 [5]C:0.2〜0.5 [6]Li、Srの複合酸化物の 1種又は2種:0.1〜1.0 - (2)前記フラックスがBaCO_3を0.02〜1%
含むものである請求項1に記載のセルフシールドアーク
溶接フラックス入りワイヤ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22607188A JPH0818154B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 薄板用セルフシールドアーク溶接フラックス入りワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22607188A JPH0818154B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 薄板用セルフシールドアーク溶接フラックス入りワイヤ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0275496A true JPH0275496A (ja) | 1990-03-15 |
JPH0818154B2 JPH0818154B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=16839356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22607188A Expired - Lifetime JPH0818154B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 薄板用セルフシールドアーク溶接フラックス入りワイヤ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0818154B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22607188A patent/JPH0818154B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0818154B2 (ja) | 1996-02-28 |
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