JPH027535A - ダイボンディング装置 - Google Patents
ダイボンディング装置Info
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- JPH027535A JPH027535A JP15964688A JP15964688A JPH027535A JP H027535 A JPH027535 A JP H027535A JP 15964688 A JP15964688 A JP 15964688A JP 15964688 A JP15964688 A JP 15964688A JP H027535 A JPH027535 A JP H027535A
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- semiconductor
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はダイボンディング装置に関する。
従来、ダイボンディング装置は、半導体チップ（以下単
にチップという）を吸着したコレットを、ロウ材や樹脂
ペーストを載せた半導体容器のキャビティ中央部に下し
、数秒間スクラブした後、コレットを再びキャビティ中
央に移動させてチップをキャビティ中央に設置させ、チ
ップを半導体容器に固定させる機構を持っている。
にチップという）を吸着したコレットを、ロウ材や樹脂
ペーストを載せた半導体容器のキャビティ中央部に下し
、数秒間スクラブした後、コレットを再びキャビティ中
央に移動させてチップをキャビティ中央に設置させ、チ
ップを半導体容器に固定させる機構を持っている。
上述した従来のダイボンディング装置では、半導体容器
へのチップ搭載工程の前に、カメラによる外形認識を行
い、チップのコレットに対する位置決めをしてからコレ
ットはチップを吸着している。しかし、コレットの移動
及びキャビティ上におけるスクラブの際にすべりを起こ
して、チップがコレットからずれてしまいダイボンディ
ングの精度が低下する。
へのチップ搭載工程の前に、カメラによる外形認識を行
い、チップのコレットに対する位置決めをしてからコレ
ットはチップを吸着している。しかし、コレットの移動
及びキャビティ上におけるスクラブの際にすべりを起こ
して、チップがコレットからずれてしまいダイボンディ
ングの精度が低下する。
特に多ビンを必要とするチップにおいては、半導体容器
の内部リードパターンとこれに対応するチップの配線パ
ターンの位置を精度良く合わせ、これらを接続するボン
ディングワイヤーのショートを防ぐ必要があるが、従来
のダイボンディング装置では多ピンを必要とするチップ
が要求するダイボンディング精度を満足することができ
ないという欠点がある。
の内部リードパターンとこれに対応するチップの配線パ
ターンの位置を精度良く合わせ、これらを接続するボン
ディングワイヤーのショートを防ぐ必要があるが、従来
のダイボンディング装置では多ピンを必要とするチップ
が要求するダイボンディング精度を満足することができ
ないという欠点がある。
本発明の目的は精度の高いダイボンディング装置を提供
することにある。
することにある。
本発明のダイボンディング装置は、半導体容器上の所定
の部分に搭載された半導体チップの配線パターンと該配
線パターンに対応する半導体容器の内部リードパターン
の位置を読みとるパターン認識部と、前記パターン認識
部が読みとった配線、パターンと内部リードパターンの
位置のずれ量の値とあらかじめ記憶部に記憶させてある
ずれ量の基準値とを比較する比較部と、前記比較部から
の信号により位置決め爪の動作を制御する制御部と、前
記制御部からの信号により前記半導体容器上の前記半導
体チップの位置を調整する位置決め爪とを含んで構成さ
れる。
の部分に搭載された半導体チップの配線パターンと該配
線パターンに対応する半導体容器の内部リードパターン
の位置を読みとるパターン認識部と、前記パターン認識
部が読みとった配線、パターンと内部リードパターンの
位置のずれ量の値とあらかじめ記憶部に記憶させてある
ずれ量の基準値とを比較する比較部と、前記比較部から
の信号により位置決め爪の動作を制御する制御部と、前
記制御部からの信号により前記半導体容器上の前記半導
体チップの位置を調整する位置決め爪とを含んで構成さ
れる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのブロック図
、第２図及び第３図は本発明の一実施例の動作を説明す
るためのダイボンディング装置の正面図及び位置決めス
テージの上面図である。
、第２図及び第３図は本発明の一実施例の動作を説明す
るためのダイボンディング装置の正面図及び位置決めス
テージの上面図である。
第１図〜第３図において、吸着コレット９により吸着さ
れたチップ１は半導体容器２のキャビティ部に搭載され
、十分にスクライブされてボンディングされたのち、搬
送フレーム１０により次の位置決めステージ２０に搬送
される。
れたチップ１は半導体容器２のキャビティ部に搭載され
、十分にスクライブされてボンディングされたのち、搬
送フレーム１０により次の位置決めステージ２０に搬送
される。
位置決めステージ２０上においては、照明１２の落射照
明のもとで、メモリー等とパターン認識部３を構成する
カメラ８がチップ１の配線パターンとこれに対応する半
導体容器２の内部リードパターンの位置を読みとる。比
較回路等により構成される比較部４は、パターン認識部
３が読みとりた配線パターンと内部リードパターンの位
置のずれ量の値と、あらかじめメモリー等からなる記憶
部５に記憶させである、対応するチップにおけるずれ量
の基準値とを比較し、その結果を制御部６に送出する。
明のもとで、メモリー等とパターン認識部３を構成する
カメラ８がチップ１の配線パターンとこれに対応する半
導体容器２の内部リードパターンの位置を読みとる。比
較回路等により構成される比較部４は、パターン認識部
３が読みとりた配線パターンと内部リードパターンの位
置のずれ量の値と、あらかじめメモリー等からなる記憶
部５に記憶させである、対応するチップにおけるずれ量
の基準値とを比較し、その結果を制御部６に送出する。
配線パターンと内部リードパターンの位置のずれ量の値
が基準値より大きい場合は、マイクロコンピュータ等に
より構成される制御部６は、パルスモータ−等により位
置決め爪の動作を制御し半導体容器２上のチップ１を所
定の位置に移動させる。
が基準値より大きい場合は、マイクロコンピュータ等に
より構成される制御部６は、パルスモータ−等により位
置決め爪の動作を制御し半導体容器２上のチップ１を所
定の位置に移動させる。
尚、第２図において１１は半導体容器２を加熱するため
のヒーターブロック、１３はロウ材の酸化を防ぐために
加熱窒素を供給してマウント部分を還元雰囲気にするホ
ットガスヒータである。
のヒーターブロック、１３はロウ材の酸化を防ぐために
加熱窒素を供給してマウント部分を還元雰囲気にするホ
ットガスヒータである。
このように構成された本実施例によれば、チップの配線
パターンとそれに対応する半導体容器の内部リードパタ
ーンとの位置を認識し、そのずれ量の値を基準値と比較
し、ずれ量の値が基準値より大きい場合は位置決め爪に
よりチップの位置を調整できるため、従来、配線パター
ンと内部り一ドパターンのずれが数１００μｍあったも
のを、数μｍ以下にすることができる。
パターンとそれに対応する半導体容器の内部リードパタ
ーンとの位置を認識し、そのずれ量の値を基準値と比較
し、ずれ量の値が基準値より大きい場合は位置決め爪に
よりチップの位置を調整できるため、従来、配線パター
ンと内部り一ドパターンのずれが数１００μｍあったも
のを、数μｍ以下にすることができる。
以上説明したように本発明は、チップの配線パターン仁
これに対応する半導体容器の内部リードパターンの位置
を読みとるパターン認識部と、パターン認識部が読みと
った配線パターンと内部リードパターンの位置のずれ量
の値とあらかじめ記憶部に記憶させてあるずれ量の基準
値とを比較する比較部と、比較部からの信号により位置
決め爪の動作を制御する制御部と、制御部からの信号に
よりチップの位置を調整する位置決め爪とを設けること
により、グイボンディング精度の向上したダイボンディ
ング装置が得られる。
これに対応する半導体容器の内部リードパターンの位置
を読みとるパターン認識部と、パターン認識部が読みと
った配線パターンと内部リードパターンの位置のずれ量
の値とあらかじめ記憶部に記憶させてあるずれ量の基準
値とを比較する比較部と、比較部からの信号により位置
決め爪の動作を制御する制御部と、制御部からの信号に
よりチップの位置を調整する位置決め爪とを設けること
により、グイボンディング精度の向上したダイボンディ
ング装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのブロック図
、第２図及び第３図は本発明の一実施例の動作を説明す
るためのダイボンディング装置の正面図及び位置決めス
テージの上面図である。 １・・・チップ、２・・・半導体容器、３・・・パター
ン認識部、４・・・比較部、５・・・記憶部、６・・・
制御部、７・・・位置決め爪、８・・・カメラ、９・・
・コレット、１０・・・搬送フレーム、１１・・・ヒー
ターブロック、１２・・・照明、１３・・・ホットガス
ヒータ、２０・・・位置決めステージ。
、第２図及び第３図は本発明の一実施例の動作を説明す
るためのダイボンディング装置の正面図及び位置決めス
テージの上面図である。 １・・・チップ、２・・・半導体容器、３・・・パター
ン認識部、４・・・比較部、５・・・記憶部、６・・・
制御部、７・・・位置決め爪、８・・・カメラ、９・・
・コレット、１０・・・搬送フレーム、１１・・・ヒー
ターブロック、１２・・・照明、１３・・・ホットガス
ヒータ、２０・・・位置決めステージ。
Claims (1)
- 半導体容器上の所定の部分に搭載された半導体チップの
配線パターンと該配線パターンに対応する半導体容器の
内部リードパターンの位置を読みとるパターン認識部と
、前記パターン認識部が読みとった配線パターンと内部
リードパターンの位置のずれ量の値とあらかじめ記憶部
に記憶させてあるずれ量の基準値とを比較する比較部と
、前記比較部からの信号により位置決め爪の動作を制御
する制御部と、前記制御部からの信号により前記半導体
容器上の前記半導体チップの位置を調整する位置決め爪
とを含むことを特徴とするダイボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159646A JP2617526B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | ダイボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159646A JP2617526B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | ダイボンディング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027535A true JPH027535A (ja) | 1990-01-11 |
| JP2617526B2 JP2617526B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=15698259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63159646A Expired - Lifetime JP2617526B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | ダイボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617526B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5542600A (en) * | 1991-11-07 | 1996-08-06 | Omron Corporation | Automatic soldering apparatus, apparatus and method for teaching same, soldering inspection apparatus and method, and apparatus and method for automatically correcting soldering |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226830A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプボンデイング装置 |
| JPS62190733A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Nec Corp | ペレツトボンデイング装置 |
| JPS6353936A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Matsushita Electronics Corp | ペレツトボンデイング装置 |
| JPS6386528A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | ダイボンデイング装置 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63159646A patent/JP2617526B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226830A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプボンデイング装置 |
| JPS62190733A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Nec Corp | ペレツトボンデイング装置 |
| JPS6353936A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Matsushita Electronics Corp | ペレツトボンデイング装置 |
| JPS6386528A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | ダイボンデイング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5542600A (en) * | 1991-11-07 | 1996-08-06 | Omron Corporation | Automatic soldering apparatus, apparatus and method for teaching same, soldering inspection apparatus and method, and apparatus and method for automatically correcting soldering |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2617526B2 (ja) | 1997-06-04 |
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