JP2617526B2 - ダイボンディング装置 - Google Patents
ダイボンディング装置Info
- Publication number
- JP2617526B2 JP2617526B2 JP63159646A JP15964688A JP2617526B2 JP 2617526 B2 JP2617526 B2 JP 2617526B2 JP 63159646 A JP63159646 A JP 63159646A JP 15964688 A JP15964688 A JP 15964688A JP 2617526 B2 JP2617526 B2 JP 2617526B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- pattern
- positioning stage
- chip
- wiring pattern
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイボンディング装置に関する。
従来、ダイボンディング装置は、半導体チップ（以下
単にチップという）を吸着したコレットを、ロウ材や樹
脂ペーストを載せた半導体容器のキャビティ中央部に下
し、数秒間スクラブした後、コレットを再びキャビティ
中央に移動させてチップをキャビティ中央に設置させ、
チップを半導体容器に固定させる機構を持っている。
単にチップという）を吸着したコレットを、ロウ材や樹
脂ペーストを載せた半導体容器のキャビティ中央部に下
し、数秒間スクラブした後、コレットを再びキャビティ
中央に移動させてチップをキャビティ中央に設置させ、
チップを半導体容器に固定させる機構を持っている。
上述した従来のダイボンディング装置では、半導体容
器へのチップ搭載工程の前に、カメラによる外形認識を
行い、チップのコレットに対する位置決めをしてからコ
レットはチップを吸着している。しかし、コレットの移
動及びキャビティ上におけるスクラブの際にすべりを起
こして、チップがコレットからずれてしまいダイボンデ
ィングの精度が低下する。
器へのチップ搭載工程の前に、カメラによる外形認識を
行い、チップのコレットに対する位置決めをしてからコ
レットはチップを吸着している。しかし、コレットの移
動及びキャビティ上におけるスクラブの際にすべりを起
こして、チップがコレットからずれてしまいダイボンデ
ィングの精度が低下する。
特に多ピンを必要とするチップにおいては、半導体容
器の内部リードパターンとこれに対応するチップの配線
パターンの位置を精度良く合わせ、これらを接続するボ
ンディングワイヤーのショートを防ぐ必要があるが、従
来のダイボンディング装置では多ピンを必要とするチッ
プが要求するダイボンディング精度を満足することがで
きないという欠点がある。
器の内部リードパターンとこれに対応するチップの配線
パターンの位置を精度良く合わせ、これらを接続するボ
ンディングワイヤーのショートを防ぐ必要があるが、従
来のダイボンディング装置では多ピンを必要とするチッ
プが要求するダイボンディング精度を満足することがで
きないという欠点がある。
本発明の目的は精度の高いダイボンディング装置を提
供することにある。
供することにある。
本発明のダイボンディング装置は、半導体容器をのせ
る位置決めステージと、位置決めステージの上方に位置
し、位置決めステージの第１の所定の部分に位置する半
導体容器上の第２の所定の部分に搭載された半導体チッ
プの配線パターンと該配線パターンに対応する半導体容
器の内部リードパターンの位置を読みとるパターン認識
部と、パターン認識部が読みとった配線パターンと内部
リードパターンの位置のずれ量の値とあらかじめ記憶部
に記憶させてあるずれ量の基準値とを比較する比較部
と、比較部からの信号により制御信号を送出する制御部
と、位置決めステージ上に位置し制御部からの制御信号
により位置決めステージの第１の所定の部分に位置する
半導体容器上の半導体チップの位置を調整する位置決め
爪とを有し、半導体容器を位置決めステージの第１の所
定の部分に設けたまま配線パターンと内部リードパター
ンの位置を認識しながら位置決め爪で半導体チップの位
置を調整し半導体容器に半導体チップを固定することを
特徴とする。
る位置決めステージと、位置決めステージの上方に位置
し、位置決めステージの第１の所定の部分に位置する半
導体容器上の第２の所定の部分に搭載された半導体チッ
プの配線パターンと該配線パターンに対応する半導体容
器の内部リードパターンの位置を読みとるパターン認識
部と、パターン認識部が読みとった配線パターンと内部
リードパターンの位置のずれ量の値とあらかじめ記憶部
に記憶させてあるずれ量の基準値とを比較する比較部
と、比較部からの信号により制御信号を送出する制御部
と、位置決めステージ上に位置し制御部からの制御信号
により位置決めステージの第１の所定の部分に位置する
半導体容器上の半導体チップの位置を調整する位置決め
爪とを有し、半導体容器を位置決めステージの第１の所
定の部分に設けたまま配線パターンと内部リードパター
ンの位置を認識しながら位置決め爪で半導体チップの位
置を調整し半導体容器に半導体チップを固定することを
特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのブロック
図、第２図及び第３図は本発明の一実施例の動作を説明
するためのダイボンディング装置の正面図及び位置決め
ステージの上面図である。
図、第２図及び第３図は本発明の一実施例の動作を説明
するためのダイボンディング装置の正面図及び位置決め
ステージの上面図である。
第１図〜第３図において、吸着コレット９により吸着
されたチップ１は半導体容器２のキャビティ部に搭載さ
れ、十分にスクライブされてボンディングされたのち、
搬送フレーム10により次の位置決めステージ20に搬送さ
れる。
されたチップ１は半導体容器２のキャビティ部に搭載さ
れ、十分にスクライブされてボンディングされたのち、
搬送フレーム10により次の位置決めステージ20に搬送さ
れる。
位置決めステージ20上においては、照明12の落射照明
のもとで、メモリー等とパターン認識部３を構成するカ
メラ８がチップ１の配線パターンとこれに対応する半導
体容器２の内部リードパターンの位置を読みとる。比較
回路等により構成される比較部４は、パターン認識部３
が読みとった配線パターンと内部リードパターンの位置
のずれ量の値と、あらかじめメモリー等からなる記憶部
５に記憶させてある。対応するチップにおけるずれ量の
基準値とを比較し、その結果を制御部６に送出する。配
線パターンと内部リードパターンの位置のずれ量の値が
基準値より大きい場合は、マイクロコンピュータ等によ
り構成される制御部６は、パルスモーター等により位置
決め爪の動作を制御し半導体容器２上のチップ１を所定
の位置に移動させる。
のもとで、メモリー等とパターン認識部３を構成するカ
メラ８がチップ１の配線パターンとこれに対応する半導
体容器２の内部リードパターンの位置を読みとる。比較
回路等により構成される比較部４は、パターン認識部３
が読みとった配線パターンと内部リードパターンの位置
のずれ量の値と、あらかじめメモリー等からなる記憶部
５に記憶させてある。対応するチップにおけるずれ量の
基準値とを比較し、その結果を制御部６に送出する。配
線パターンと内部リードパターンの位置のずれ量の値が
基準値より大きい場合は、マイクロコンピュータ等によ
り構成される制御部６は、パルスモーター等により位置
決め爪の動作を制御し半導体容器２上のチップ１を所定
の位置に移動させる。
尚、第２図において11は半導体容器２を加熱するため
のヒーターブロック、13はロウ材の酸化を防ぐために加
熱窒素を供給してマウント部分を還元雰囲気にするホッ
トガスヒータである。
のヒーターブロック、13はロウ材の酸化を防ぐために加
熱窒素を供給してマウント部分を還元雰囲気にするホッ
トガスヒータである。
このように構成された本実施例によれば、チップの配
線パターンとそれに対応する半導体容器の内部リードパ
ターンとの位置を認識し、そのずれ量の値を基準値と比
較し、ずれ量の値が基準値より大きい場合は位置決め爪
によりチップの位置を調整できるため、従来、配線パタ
ーンと内部リードパターンのずれが数100μｍあったも
のを、数μｍ以下にすることができる。
線パターンとそれに対応する半導体容器の内部リードパ
ターンとの位置を認識し、そのずれ量の値を基準値と比
較し、ずれ量の値が基準値より大きい場合は位置決め爪
によりチップの位置を調整できるため、従来、配線パタ
ーンと内部リードパターンのずれが数100μｍあったも
のを、数μｍ以下にすることができる。
以上説明したように本発明は、チップの配線パターン
とこれに対応する半導体容器の内部リードパターンの位
置を読みとるパターン認識部と、パターン認識部が読み
とった配線パターンと内部リードパターンの位置のずれ
量の値とあらかじめ記憶部に記憶させてあるずれ量の基
準値とを比較する比較部と、比較部からの信号により位
置決め爪の動作を制御する制御部と、制御部からの信号
によりチップの位置を調整する位置決め爪とを設けるこ
とにより、ダイボンディング精度の向上したダイボンデ
ィング装置が得られる。
とこれに対応する半導体容器の内部リードパターンの位
置を読みとるパターン認識部と、パターン認識部が読み
とった配線パターンと内部リードパターンの位置のずれ
量の値とあらかじめ記憶部に記憶させてあるずれ量の基
準値とを比較する比較部と、比較部からの信号により位
置決め爪の動作を制御する制御部と、制御部からの信号
によりチップの位置を調整する位置決め爪とを設けるこ
とにより、ダイボンディング精度の向上したダイボンデ
ィング装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのブロック
図、第２図及び第３図は本発明の一実施例の動作を説明
するためのダイボンディング装置の正面図及び位置決め
ステージの上面図である。 １……チップ、２……半導体容器、３……パターン認識
部、４……比較部、５……記憶部、６……制御部、７…
…位置決め爪、８……カメラ、９……コレット、10……
搬送フレーム、11……ヒーターブロック、12……照明、
13……ホットガスヒータ、20……位置決めステージ。
図、第２図及び第３図は本発明の一実施例の動作を説明
するためのダイボンディング装置の正面図及び位置決め
ステージの上面図である。 １……チップ、２……半導体容器、３……パターン認識
部、４……比較部、５……記憶部、６……制御部、７…
…位置決め爪、８……カメラ、９……コレット、10……
搬送フレーム、11……ヒーターブロック、12……照明、
13……ホットガスヒータ、20……位置決めステージ。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体容器をのせる位置決めステージと、
前記位置決めステージの上方に位置し、前記位置決めス
テージの第１の所定の部分に位置する前記半導体容器上
の第２の所定の部分に搭載された半導体チップの配線パ
ターンと該配線パターンに対応する半導体容器の内部リ
ードパターンの位置を読みとるパターン認識部と、前記
パターン認識部が読みとった配線パターンと内部リード
パターンの位置のずれ量の値とあらかじめ記憶部に記憶
させてあるずれ量の基準値とを比較する比較部と、前記
比較部からの信号により制御信号を送出する制御部と、
前記位置決めステージ上に位置し、前記制御部からの前
記制御信号により前記位置決めステージの前記第１の所
定の部分に位置する前記半導体容器上の前記半導体チッ
プの位置を調整する位置決め爪とを有し、前記半導体容
器を前記位置決めステージの第１の所定の部分に設けた
まま前記配線パターンと前記内部リードパターンの位置
を認識しながら前記位置決め爪で前記半導体チップの位
置を調整し前記半導体容器に前記半導体チップを固定す
ることを特徴とするダイボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159646A JP2617526B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | ダイボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159646A JP2617526B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | ダイボンディング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027535A JPH027535A (ja) | 1990-01-11 |
| JP2617526B2 true JP2617526B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=15698259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63159646A Expired - Lifetime JP2617526B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | ダイボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617526B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2907392A (en) * | 1991-11-07 | 1993-06-07 | Omron Corporation | Automatic soldering apparatus, teaching apparatus thereof and teaching method thereof, soldering inspection apparatus and its inspection method, and automatic soldering correction apparatus and its correction method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226830A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプボンデイング装置 |
| JPS62190733A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Nec Corp | ペレツトボンデイング装置 |
| JPS6353936A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Matsushita Electronics Corp | ペレツトボンデイング装置 |
| JPS6386528A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | ダイボンデイング装置 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63159646A patent/JP2617526B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH027535A (ja) | 1990-01-11 |
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