JPH0274989A - アクティブマトリクス型表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ゲート接続対向マトリクス構成のアクティブマトリクス
型表示装置の駆動方法に関し、薄膜トランジスタの闇値
電圧の負側への変化を抑制して駆動することを目的とし
、 一方の透明基板上に、表示電極と、スキャンバスライン
と、隣接するスキャンバスライン間にゲートとドレイン
とが接続され、前記表示電極にソースが接続された薄膜
トランジスタとを形成し、他方の透明基板上に、前記ス
キャンバスラインと直交する方向に延長し、且つ前記表
示電極と対向する共通電極をデータバスラインとして形
成し、前記表示電極と前記共通電極との間に表示媒体を
封入したゲート接続対向マトリクス構成のアクティブマ
トリクス型表示装置の駆動方法に於いて、前記スキャン
バスラインに対して、前記薄膜トランジスタをオンとす
るアドレス電圧を印加した後、走査方向の後位に隣接す
るスキャンバスラインに前記アドレス電圧を印加するタ
イミングに、前記アドレス電圧と非アドレス時の電圧と
の中間の電圧を印加して駆動する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、ゲート接続対向マトリクス構成のアクティブ
マトリクス型表示装置の駆動方法に関するものである。

アクティブマトリクス型表示装置は、スキャンバスライ
ンとデータバスラインとの交点にそれぞれ薄膜トランジ
スタ等のスイッチング素子を介して表示素子（画素）を
接続したもので、各表示素子を独立的に駆動することが
できるから、表示容量を増大した時にも、単純マトリク
ス型表示装置に於ける駆動デユーティ比の低下の問題等
が生じないものである。しかし、薄膜トランジスタ等の
スイッチング素子の特性が変化した場合には、表示特性
に影響を及ぼすものであるから、このような特性変化を
抑制して、長期間安定な表示を行わせることが要望され
ている。

〔従来の技術〕

ゲート接続対向マトリクス構成のアクティブマトリクス
型表示装置は、第４図の説明図に示す等価回路構成を有
するものであり、一方のガラス基板上に、表示電極と、
スキャンバスライン３２−１．３２−２．　　・・・と
、薄膜トランジスタ（以下ＴＦ、Ｔと略称する）３３と
を形成し、隣接するスキャンバスライン間に、ＴＦＴ３
３のゲートＧとドレインＤとを接続し、ソースＳに表示
電極を接続し、他方のガラス基板上に、表示電極と対向
する共通電極をデータバスライン３４−１．３４−２．
・・・として形成し、表示電極と共通電極との間に液晶
を封止して、表示素子３５を形成し、スキャンバスライ
ン３２−１．３２−２．　　・・・に順次走査パルス電
圧Ｖｇｌ、Ｖｇ２．　　・・・を印加し、それに同期し
て、データ電圧Ｖｄ　１゜Ｖｄ２．　　・・・をデータ
バスライン３４−１．３４−２．・・・に印加し、例え
ば、フレーム毎にデータ電圧Ｖｄｌ、Ｖｄ２．　　・・
・の極性を反転するものである。

第５図は前述のアクティブマトリクス型表示装置の分解
斜視図であり、一方のガラス基板３６上に、表示電極３
１と、スキャンバスライン３２と、ＴＦＴ３３とを形成
して、スキャンバスライン３２間に、ＴＦＴ３３のゲー
トＧとドレインＤとを接続し、ソースＳを表示電極３１
に接続し、他方のガラス基板３７上に、スキャンバスラ
インと直交する方向に延長した共通電極をデータバスラ
イン３４として形成し、表示電極３１と共通電極との間
に表示媒体として液晶を封止したものである。

第６図は動作説明図であり、Ｖｄはデータ電圧、ｖｏは
ＴＦＴ３３（７）ゲート電圧、ＶＤはＴＦＴ３３のドレ
イン電圧、■、はＴＦＴ３３のソース電圧、Ｖ、−ＶＤ
はＴＦＴ３３のゲート・ドレイン間電圧を示す。又Ｆは
１フレームの期間、ＶｇｏｎはＴＦＴ３３をオンとする
為の電圧、Ｖｒ。

Ｖｒ’はオン直前の電圧で、データ電圧の印加極性に従
って選定されている。又ＶｇｏｆｆはＴＦ゛ｒ３３をオ
フとする為の電圧である。

第４図に示す走査パルス電圧Ｖｇｌ、Ｖｇ２゜・・・は
簡略化の為に、ＴＦＴ３３をオンとする為の電圧Ｖｇｏ
ｎと、その直前の電圧Ｖｇｃと、ＴＦＴ３３をオフとす
る為の電圧Ｖｇｏｆｒとから構成した場合を示すのもで
あるが、フレームＦ毎にデータ電圧Ｖｄの極性を反転す
るから、それに対応して、電圧Ｖｇｃを、第６図に於い
ては、電圧Ｖｒ、Ｖｒ’としたものである。例えば、ス
キャンバスラインの本数を４００．１走査時間を４０μ
ｓ、フレーム周波数を６０Ｈｚとした時、Ｖｇｏｆ　ｆ
−−１０Ｖ、Ｖｇｏｎ＝＋１５Ｖとし、又Ｖｒ＝＋５Ｖ
ｓ　Ｖｒ　’　＝−５Ｖに選定することができる。なお
、第４図に於ける電圧Ｖｇｃは、ＶｇｃａｗＶｒ＝Ｖｒ
　”＝ＱＶとした場合に相当し、データバスライン３４
−１．３４−２．　　・・・に印加したデータ電圧Ｖｄ
は、表示素子３５には、Ｖｄ−Ｖｇｃとして印加される
から、表示素子３５に印加するデータ電圧の基準の電圧
と見做すことができる。

第６図に於いて、例えば、正極性のデータ電圧Ｖｄを印
加するフレームの時刻ｔ１に、データバスライン３４−
１にデータ電圧＋Ｖｄを印加し、スキャンバスライン３
２−１に電圧Ｖｇｏｎを印加し、そのスキャンバスライ
ン３２−１に隣接するスキャンバスライン３２−２に電
圧Ｖｒ’を印加し、他のスキャンバスライン３２−３．
３２−４、・・Ｊには電圧Ｖｇｏｆｆを印加すると、ゲ
−）Ｇがスキャンバスライン３２−１に接続されたＴＰ
Ｔ３３のゲートＧに印加される電圧はＶｇｏｎ、そのＴ
ＰＴ３３のドレインＤに印加される電圧はＶｒ’となり
、それぞれＶ、、Ｖ、に於ける時刻ｔ１の電圧となるか
ら、ゲート・ドレイン間電圧ｖ、−ＶＢは、Ｖｇｏｎ−
Ｖｒ’　　（＝１０■）となり、そのＴＰＴ３３はオン
となって、ＴＰＴ３３のソースＳは、ドレインＤと等し
い電位Ｖｒ’となり、表示素子３５には、データバスラ
イン３４−１に印加された電圧＋ＶｄとＶｒ’との差の
電圧が充電されることになる。

次の時刻ｔ２では、スキャンバスライン３２−１に電圧
Ｖｇｏｆｆ、スキャンバスライン３２−２にｔ圧Ｖｇｏ
ｎ＝、スキャンバスライン３２−３に電圧Ｖｒ’が印加
されるので、ゲートＧがスキャンバスライン３２−１に
接続されたＴＰＴ３３のゲート・ドレイン間電圧ＶＧ−
Ｖ。は、Ｖｇ。

ｆ　ｆ−Ｖｇｏｎ　（２５Ｖ）となり、そのＴＰＴ３３
はオフとなる。

次の時刻ｔ３では、スキャンバスライン３２−１．３２
−２に電圧Ｖｇｏｆｆが印加されるから、ゲートＧがス
キャンバスライン３２−１に接続されたＴＰＴ３３のゲ
ート・ドレイン間電圧■。

−Ｖ、は、Ｖｇｏｆ　ｆ−Ｖｇｏｆ　ｆ　　（＝ＯＶ）
となり、そのＴＰＴ３３はオフ状態をｍ続する。そして
、ＴＰＴ３３のソースＳの電位ば、データバスライン（
共通電極）に印加されるデータ電圧に対応して変化する
。

又次の負極性のデータ電圧を印加するフレームの時刻ｔ
１′では、スキャンバスライン３２−１に電圧Ｖｇｏｎ
、スキャンバスライン３２−２に電圧Ｖｒが印加され、
データバスライン３４−１に例えば−Ｖｄが印加される
。従って、ゲートＧがスキャンバスライン３２−１に接
続されたＴＰＴ３３のゲート・ソース間電圧Ｖ、−Ｖ、
は、Ｖｇｏｎ−Ｖｒ　（＝＋１ＯＶ）となり、そのＴＰ
Ｔ３３はオンとなって、そのＴＰＴ３３のソースＳの電
位はドレインＤと等しい電位となり、表示素子３５には
データバスライン３４−１に加えられたデータ電圧−Ｖ
ｄとＶｒとの差の電圧が充電されることになる。

次の時刻ｔ　２９では、スキャンバスライン３２−１に
電圧Ｖｇｏｆｆ、スキャンバスライン３２−２に電圧Ｖ
ｇｏｎ、スキャンバスライン３２−３に電圧Ｖｒが印加
されるから、ゲートＧがスキャンバスライン３２−１に
接続されたＴＰＴ３３のゲート・ソース間電圧Ｖ。−■
。は、正極性のデータ電圧を印加するフレームの場合と
同様に、Ｖｇｏｆ　ｒ−Ｖｇｏｎ　（＝−２５Ｖ）とな
り、そのＴＰＴ３３はオフとなる。

次の時刻ｔ３°では、前フレームの場合と同様に、スキ
ャンバスライン３２−１．３２−２に電圧Ｖｇｏｆｆが
印加されるから、ゲートＧがスキャンバスライン３２−
１に接続されたＴＰＴ３３のゲート・ソース間電圧■。

−ｖＤは０■となり、オフとなる。

前述のように、順次走査パルス電圧Ｖｇｌ、Ｖｇ２．・
・・を、スキャンバスライン３２−１゜３２−２．　　
・・・に印加し、表示データに従ったデータ電圧Ｖｄ１
．Ｖｄ２．　　・・・をデータバスライン３４−１．３
４−２．　　・・・に印加することにより、表示駆動を
行うことができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

アクティブマトリクス型表示装置に於けるＴＰＴは、多
結晶シリコン或いはアモルファスシリコンを用いて構成
される場合が一般的であり、例えば、アモルファスシリ
コンを用いて構成したＴＰＴは、４００℃以下の低温プ
ロセスで製作することが可能であるから、安価なガラス
基板上に形成することができる。このＴＰＴに於いては
、ゲート絶縁膜に窒化シリコン（Ｓ　ｉ　Ｎ）　、ゲー
ト金属はクロム（Ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）、ソース電
極及びドレイン電極は、クロム（Ｃｒ）或いはチタン（
Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｊりとの２層金属が用いられ
、ゲート電圧を１０Ｖとした時、オン電流は８　Ｘ　１
０−’Ａ、ゲート電圧をＯＶとした時、オフ電流は１ｘ
ｌＯ−”Ａ以下で、オン・オフ比は約６桁となり、表示
素子に印加したデータ電圧を次のフレームまで充分に保
持できる。

しかし、このＴＰＴの闇値電圧は、ゲート電圧を正極性
とした時正方向にシフトし、負極性としだ時負方向にシ
フトする。例えば、ゲート電圧を負極性として１００時
間後の閾値電圧の変化（負方向への変化）を測定したと
ころ、第７図に示す結果が得られた。即ち、ゲート電圧
を負極性として大きくするに従って、闇値電圧の変化分
は急激に大きくなる。

このような闇値電圧の変化は、正極性のゲート電圧の場
合はその約２乗に比例し、負極性のゲート電圧の場合は
その３〜４乗に比例することが知られている。又時間の
経過と共に闇値電圧が変化し、時間の対数の２乗に比例
することが知られている。

前述のゲート接続対向マトリクス構成のアクティブマト
リクス型表示装置に於いては、隣接スキャンバスライン
に電圧Ｖｇｏｆｆを印加した時、ＴＰＴ３３はオフ状態
を維持する必要があり、その場合には、ＴＰＴ３３のゲ
ート・ドレイン間電圧は０■となる。即ち、ＴＰＴ３３
の閾値電圧は０■以上の正極性電圧であることが必要で
ある。

しかし、第６図に示すように、走査パルス電圧が印加さ
れた直後に於いては、時刻ｔ２．ｔ２’に於けるように
、負極性のゲート・ドレイン間電圧となり、ＴＰＴ３３
の閾値電圧が負方向に変化することになる。又時刻ｔ１
．ｔ１°に於いては正極性のゲート電圧が印加されるか
ら、ＴＰＴ３３の閾値電圧が正方向に変化することにな
る。

しかし、前述のように、負極性ゲート電圧を印加した時
の闇値電圧の変化が大きいものであり、例えば、ゲート
・ドレイン間電圧が一２５Ｖとなると、闇値電圧は１０
０時間後に、０．９Ｖ負方向に変化する。又時間の経過
と共に更に変化するがら、閾値電圧がＯＶ以下の負極性
となる場合が生じることがあり、このようなＴＰＴ３３
が含まれていると、ゲート・ドレイン間電圧がＯＶの時
に完全にオフ状態とすることができなくなり、表示素子
３５に印加したデータ電圧を次のフレームまで保持でき
なくなる。即ち、表示輝度が低下する等の欠点が生じる
。

本発明は、薄膜トランジスタの闇値電圧の負側への変化
を抑制して駆動することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法は
、薄膜トランジスタのゲートに印加される負極性の電圧
を低減して駆動するもので、第１図を参照して説明する
。

一方のガラス等の透明基板（図示せず）上に、表示電極
１と、スキャンバスライン２と、隣接するスキャンバス
ライン２間にゲートＧとドレインＤとが接続され、表示
電極１にソースＳが接続された薄膜トランジスタ３とを
形成し、他方のガラス等の透明基板（図示せず）上に、
スキャンバスライン２と直交する方向に延長し、且つ表
示電極１と対向する共通電極４をデータバスラインとし
て形成し、表示電極１と共通電極４との間に表示媒体を
封入して表示素子５としたゲート接続対向マトリクス構
成のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法に於い
て、スキャンバスライン２に対して、薄膜トランジスタ
３をオンとするアドレス電圧Ｖｇｏｎを印加した後、走
査方向の後位に隣接するスキャンバスライン２に、アド
レス電圧Ｖｇｏｎを印加するタイミングで、アドレス電
圧Ｖｇｏｎと非アドレス電圧Ｖｇｏｆｆとの中間の電圧
Ｖｍを印加して駆動するものである。

〔作用〕

スキャンバスライン２にアドレス電圧Ｖｇｏｎを印加す
ることにより、そのスキャンバスライン２にゲートＧが
接続されたＴＰＴ３はオン状態となる。そして、そのア
ドレス電圧Ｖｇｏｎを印加した後、Ｖｇ　ｏ　ｎ＞Ｖｍ
＞Ｖｇ　ｏ　ｆ　ｆの関係に選定された電圧Ｖｍを印加
する。この電圧Ｖｍを印加した時、走査方向の後位のス
キャンバスライン２にはアドレス電圧Ｖｇｏｎが印加さ
れるから、電圧Ｖｍがゲー１−Ｇに印加されるＴＦＴ３
のゲート・ドレイン間電圧は、Ｖｍ−Ｖｇｏｎとなる。

Ｖｍ＞Ｖｇｏｆｆの関係があるから、ゲート・ドレイン
間電圧は、従来例よりも小さくなる。従って、ＴＦＴ３
のゲートＧに印加される負極性電圧を低減し、閾値電圧
の負方向へのシフトを抑制することができる。なお、ア
ドレス電圧Ｖｇｏｎ印加直前の電圧Ｖｒは、データ電圧
Ｖｄｌ、Ｖｄ２、・・・が表示素子５にＶｄ−Ｖｒとし
て印加される為のデータ電圧の基準の電圧である。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。

第２図は本発明の詳細な説明図であり、ＶＧはＴＦＴ３
　（第１図参照）のゲートＧに印加される電圧、即ち、
スキャンバスライン２に印加される電圧、Ｖ！、はＴＦ
Ｔ３のドレインＤに印加される電圧、即ち、前記スキャ
ンバスライン２に走査方向の後位に隣接するスキャンバ
スライン２に印加される電圧を示す。又Ｖ、−Ｖ、は、
ＴＦＴ３のゲート・ドレイン間電圧を示す。

又ＶｇｏｎはＴＦＴ３をオンとする為のアドレス電圧、
ＶｇｏｆｆはＴＦＴ３をオフとする為の非アドレス電圧
、Ｖｍ、Ｖｍ“はアドレス電圧■ｇｏｎの直後に印加す
る電圧で、Ｖｇｏｎ＞Ｖｍ＞Ｖｇｏｆｆの関係に選定さ
れている。又Ｖｒ。

Ｖｒ’はアドレス電圧Ｖｇｏｎ直簡に印加する電圧であ
る。例えば、Ｖｇｏｎ＝＋１５Ｖ、Ｖｒ＝＋５Ｖ、Ｖｒ
’＝−５Ｖ、Ｖｇｏ　ｆ　ｒ＝−１０Ｖ、Ｖｍ＝−５Ｖ
、Ｖｍ’＝＋５Ｖとすることができる。

スキャンバスライン２に、時刻ｔＱにＶｒ、時刻ｔ１に
Ｖｇｏｎ、時刻ｔ２にＶｍ、時刻ｔ３以降はＶｇｏｆｆ
を印加し、次のフレームＦの時刻ｔ　ｏ　ｌにＶｒ’、
時刻ｔｘｌにＶｇｏｎ、時刻ｔ２′にｖｍ′、時刻ｔ　
３　＋以降はＶｇｏｆｆを印加し、そのスキャンバスラ
イン２に隣接するスキャンバスライン２に、時刻１０に
Ｖｇｏｆｆ、時刻ｔ１にＶｒ　ｔ、時刻ｔ２にＶｇｏｎ
、時刻ｔ３にＶｍ’を印加し、時刻ｔ４以降はＶｇｏｆ
ｆを印加し、次のフレームの時刻ｔｔＴにＶｒ、時刻ｔ
２′にＶｇｏｎ、時刻ｔ３′にＶｍ、それ以降はＶｇｏ
ｆｆを印加する。

従って、時刻ｔ１．ｔ１’にアドレス電圧ＶｇＯｎがゲ
ートに印加されるＴＦＴ３のゲート・ドレイン間電圧は
、Ｖ、−Ｖ、に示すようにそれぞれ変化する。即ち、走
査方向の後位のスキャンバスライン２にアドレス電圧Ｖ
ｇｏｎを印加した時に、電圧Ｖｍ　（Ｖｍ“）を印加す
るものであるから、この電圧Ｖｍ（Ｖｍ’）がゲートＧ
に、又アドレス電圧ＶｇｏｎがドレインＤにそれぞれ印
加されることになり、そのＴＦＴ３のゲート・ドレイン
間電圧Ｖ、−Ｖ、は、Ｖｍ−Ｖｇｏｎ（又はＶｍ’−Ｖ
ｇｏｎ）となり、前述の電圧設定時は、Ｖｍ−Ｖｇｏｎ
＝−２０Ｖ、或いはＶｍ’　−Ｖｇｏｎ＝−１０Ｖとな
る。

ゲートＧに印加される負極性の電圧が一２０Ｖの時、１
００時間経過で闇値電圧の負方向の変化が約０．３Ｖ（
第７図参照）となり、従来例に比較して著しく低減でき
ることになる。

アドレス電圧Ｖｇｏｎ印加直前及び直後の電圧Ｖｒ、Ｖ
ｒ’、Ｖｍ、Ｖｍ’をそれぞれ同一の電圧とすることも
可能であり、又図示のように、電圧ＶｒｗＶｍ’、Ｖｒ
’＝Ｖｍとすることも可能である。

第３図は本発明の実施例のブロック図であり、１１はゲ
ート接続対向マトリクス構成のパネル、１２はスキャン
バスライン、１３はデータバスライン、１４ａ、１４ｂ
はデータバスドライバ、１５ａ、１５ｂはスキャンバス
ドライバ、１６ａ、１６ｂはシフトレジスタ、１７ａ、
１７ｂはバッファ増幅器、１８ａ、１８ｂは電圧Ｖｌ、
Ｖ２、Ｖ３を切替信号に従って切替出力する切替回路で
あって、スキャンバスライン１２とデータバスライン１
３との奇偶対応にドライバを分離して設けた場合を示す
。

切替回路１８ａ、１８ｂにより切替出力する電圧Ｖ１〜
ｖ３は、例えば、Ｖｒ＝Ｖｍ’、Ｖｒ　’＝Ｖｍとした
場合に於いて、Ｖ１＝Ｖｇｏｎ　（＋１５Ｖ）、Ｖ２＝
Ｖｒ　（＋５Ｖ）、、Ｖ３−Ｖｍ　（−５Ｖ）とするこ
とができる。又■ｇｏｆｆ（−１０Ｖ）は、スキャンバ
スドライバＩＳａ、１５ｂに加えられる。

データバスドライバ１４ａ、１４ｂに表示データが１ラ
イン分、奇偶対応に分離されて蓄積される。又スキャン
バスドライバ１５ａ、１５ｂにより順次スキャンバスラ
イン１２に走査パルス電圧が印加される。このスキャン
バスドライバ１５ａ、１５ｂは、シフトデータＳＤをシ
フトクロック５ＣＫＩ、５ＣＫ２によってシフトするシ
フトレジスタ１６ａ、１６ｂと、シフト出力信号によっ
て制御されるバッファ増幅器１７ａ、１７ｂとを備えて
おり、シフトレジスタ１６ａ、１６ｂの出力信号によっ
て選択されたバッファ増幅器１７ａ、１７ｂから切替回
路１８ａ、１８ｂの出力電圧がスキャンバスライン１２
に加えられ、非選択のバッファ増幅器１７ａ、１７ｂか
らは、非アドレス電圧Ｖｇｏｆｆがスキャンバスライン
１２に加えられる。

例えば、第２図に於ける時刻ｔ１に、切替回路１８ａは
電圧Ｖｌ　　（Ｖｇｏｎ）を切替出力し、切替回路１８
ｂは電圧Ｖ３　（Ｖｍ＝Ｖｒ　’）を切替出力し、シフ
トレジスタ１６ａの出力信号に従ってバッファ増幅器１
７ａから第１番目のスキャンバスライン１２にアドレス
電圧Ｖｇｏｎ（＋１５■）を印加し、又シフトレジスタ
１６ｂの出力信号に従ってバッファ増幅器１７ｂから第
２番目のスキャンバスライン１２に電圧Ｖｒ’　　（−
５Ｖ）を印加する。他の非選択のバッファ増幅器１７８
．１７ｂからは、それぞれ非アドレス電圧Ｖｇ。

ｆｆ（−１０Ｖ）を第３番目以降のスキャンバスライン
１２に印加する。

次の時刻ｔ２では、切替回路１８ａは電圧Ｖ３（Ｖｍ＝
Ｖｒ’）を切替出力し、切替回路１８ｂは電圧Ｖｌ　　
（Ｖｇｏｎ）を切替出力する。又シフトレジスタ１６ａ
、１６ｂはシフトデータＳＤを１シフトクロック分シフ
トし、第１番目のスキャンバスライン１２に電圧Ｖｍ　
（−５Ｖ）　、第２番目のスキャンバスライン１２にア
ドレス電圧Ｖｇｏｎ（＋１０Ｖ）、第３番目のスキャン
バスライン１２に電圧Ｖｒ“　（−５Ｖ）を印加する。

以下同様にして、順次３本のスキャンバスライン１２が
シフトレジスタ１６ａ、１６ｂの出力信号により選択さ
れ、アドレス電圧Ｖｇｏｎを印加するスキャンバスライ
ンの両側に位置するスキャンバスラインに、電圧Ｖｍ、
Ｖｒ’を印加する。

又次のフレームに於いて、時刻ｔｔｌに、切替回路１８
ａは電圧Ｖ　１　　（Ｖ　ｇ　ｏ　ｎ）を切替出力し、
切替回路１８ｂは電圧Ｖ２（Ｖｒ＝Ｖｍ’）を切替出力
し、シフトレジスタ１６ａ、１６ｂの出力信号に従って
、第１番目のスキャンバスライン１２に、アドレス電圧
Ｖｇｏｎ　（＋１５Ｖ）を印加し、第２番目のスキャン
バスライン１２に、電圧Ｖｒ　　（＋５Ｖ）を印加する
。

次の時刻ｔ２°に、切替回路１８ａは電圧ｖ２（Ｖｒ−
Ｖｍ’）を切替出力し、切替回路１８ｂは電圧Ｖｌ　　
（Ｖｇｏｎ）を切替出力し、シフトレジスタ１６ａ、１
６ｂの出力信号に従って、第１番目と第３番目のスキャ
ンバスライン１２に電圧Ｖｍ＝Ｖ　ｒ　（＋　５　Ｖ）
を印加し、又第２番目のスキャンバスライン１２にアド
レス電圧Ｖｇｏｎ　（＋１５Ｖ）を印加し、第４番目以
降のスキャンバスライン１２には非アドレス電圧■ｇｏ
ｆｆ（−１０ｖ）を印加する。以下同様にして、順次３
本のスキャンバスライン１２がシフトレジスタ１６ａ、
１５ｂの出力信号により選択され、アドレス電圧Ｖｇｏ
ｎを印加するスキャンバスラインの両側に位置するスキ
ャンバスラインに、電圧Ｖｒ。

Ｖｍ”を印加する。

従って、ドライバの構成を特に複雑化することなく、Ｔ
ＦＴ３の闇値電圧の負方向への変化を抑制することがで
き、表示品質の経年劣化を低減することができる。

Ｃ発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、スキャンバスライン２
に、アドレス電圧Ｖｇｏｎを印加した後に、アドレス電
圧Ｖｇｏｎと非アドレス電圧Ｖｇｏｆｆとの中間の電圧
Ｖｍ（Ｖｍ’）を印加するものであり、それによって、
電圧Ｖｍ（Ｖｍ’）がゲートＧに印加されるＴＰＴ３の
ドレインＤにアドレス電圧Ｖｇｏｎが印加されるが、ゲ
ート・ドレイン間電圧はＶｍ−Ｖｇｏｎ（又はＶｍ’　
−Ｖｇｏｎ）となり、Ｖｍ　（Ｖｍ　’）　＞Ｖｇ　ｏ
　ｆ　ｆであるから、従来例に比較してゲートＧに印加
される負極性の電圧値を低くすることができる。従って
、ＴＰＴ３の闇値電圧の負方向への変化を抑制すること
ができるから、闇値電圧変化に伴う表示不良の発生を防
止し、アクティブマトリクス型表示装置の長寿命化を図
ることができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図、第２図は本発明の詳細な
説明図、第３図は本発明の実施例のブロック図、第４図
は従来例の説明図、第５図は従来例の分解斜視図、第６
図は従来例の動作説明図、第７図はゲート電圧印加によ
る闇値電圧変化の説明図である。 １は表示電極、２はスキャンバスライン、３はＴＰＴ、
４は共通電極、５は表示素子、Ｇはゲート、Ｓはソース
、Ｄはドレイン、Ｖｇｌ、Ｖｇ２、・・・は走査パルス
電圧、Ｖｇｏｎはアドレス電圧、Ｖｇｏｆｆは非アドレ
ス電圧、Ｖｍは電圧、Ｖｄｌ、Ｖｄ２．　　・・・はデ
ータ電圧である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一方の透明基板上に、表示電極（１）と、スキャンバス
   ライン（２）と、隣接するスキャンバスライン（２）間
   にゲート（Ｇ）とドレイン（Ｄ）とが接続され、前記表
   示電極（１）にソース（Ｓ）が接続された薄膜トランジ
   スタ（３）とを形成し、他方の透明基板上に、前記スキ
   ャンバスライン（２）と直交する方向に延長し、且つ前
   記表示電極（１）と対向する共通電極（４）をデータバ
   スラインとして形成し、前記表示電極（１）と前記共通
   電極（４）との間に表示媒体を封入したゲート接続対向
   マトリクス構成のアクティブマトリクス型表示装置の駆
   動方法に於いて、 前記スキャンバスライン（２）に対して、前記薄膜トラ
   ンジスタ（３）をオンとするアドレス電圧（Ｖｇｏｎ）
   を印加した後、走査方向の後位に隣接するスキャンバス
   ライン（２）に前記アドレス電圧（Ｖｇｏｎ）を印加す
   るタイミングに、前記アドレス電圧（Ｖｇｏｎ）と非ア
   ドレス時の電圧（Ｖｇｏｆｆ）との中間の電圧（Ｖｍ）
   を印加する ことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の駆
   動方法。