JPH0274057A - Structure of semiconductor device - Google Patents
Structure of semiconductor deviceInfo
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- JPH0274057A JPH0274057A JP22576988A JP22576988A JPH0274057A JP H0274057 A JPH0274057 A JP H0274057A JP 22576988 A JP22576988 A JP 22576988A JP 22576988 A JP22576988 A JP 22576988A JP H0274057 A JPH0274057 A JP H0274057A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に載置された各種電子部品から成る半
導体装置の構造に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to the structure of a semiconductor device comprising various electronic components mounted on a substrate.
〔従来の技術)
一般に、例えばLEDチップ等の半導体チップや回路素
子のごとき各種電子部品を基板に実装した、いわゆるハ
イブリッドICにおいては、第3図に示すように、先ず
アルミニウム・プリント基板l上に、各種電子部品2を
ハンダ付は等により実装した後、いわゆるトランスファ
ー成形により全体を樹脂モールド3することにより、ハ
イプリントICのごとき半導体装置4を製造するように
している。[Prior Art] Generally, in a so-called hybrid IC in which various electronic components such as semiconductor chips such as LED chips and circuit elements are mounted on a substrate, first, as shown in Fig. 3, an aluminum printed circuit board is mounted. After various electronic components 2 are mounted by soldering or the like, the whole is molded in resin 3 by so-called transfer molding, thereby producing a semiconductor device 4 such as a high-print IC.
しかしながら、上述のように構成された半導体装置4に
おいては、電子部品2の実装面積が限られており、実装
可能な電子部品2の部品点数が比較的少なくなってしま
い、またトランスファー成形の際に樹脂を注入するため
のゲート5付近に対応する部位では樹脂注入の際の樹脂
温度、樹脂圧力即ち流速が実装部品2に直接的に影響を
与えることから、比較的弱い部品、例えば金線ハンダ付
は部分や低温ハンダ付は部分を有するLED等は上記ゲ
ート5に近接する位置には配置することができず、さら
に実装部品に適合させてトランスファー成形を行なうた
めに、半導体装置の種類が異なると、トランスファー成
形の条件が変化するので、同一条件で複数種類の半導体
装置のトランスファー成形を行なうことができず、生産
性の点で問題があった。However, in the semiconductor device 4 configured as described above, the mounting area for the electronic components 2 is limited, and the number of electronic components 2 that can be mounted is relatively small. In the area corresponding to the vicinity of the gate 5 for injecting resin, the resin temperature and resin pressure during resin injection, that is, the flow velocity, directly affects the mounted components 2, so relatively weak components, such as gold wire soldering, are not used. LEDs and the like that have a part or a low-temperature solder part cannot be placed in the vicinity of the gate 5, and furthermore, transfer molding must be performed to match the mounting components, so if the semiconductor device is of different types, Since the transfer molding conditions change, it is not possible to perform transfer molding of a plurality of types of semiconductor devices under the same conditions, which poses a problem in terms of productivity.
本発明は、以上の点に鑑み、比較的多数の部品が実装可
能であり、樹脂モールドの際に実装部品が破壊すること
がなく、しかも迅速に樹脂モールドを行なうことができ
る、半導体装置を提供することを目的としている。In view of the above points, the present invention provides a semiconductor device in which a relatively large number of components can be mounted, the mounted components are not destroyed during resin molding, and resin molding can be performed quickly. It is intended to.
〔問題点を解決するための手段及び作用]上記目的は、
本発明によれば、基板上に各種電子部品を実装した後、
全体を樹脂モールドすることにより構成した半導体装置
において、この基板上のIII!iに配設され且つそれ
ぞれ該基板の周縁から上方にクランク状に立ち上がるよ
うに形成されている複数のリードフレームと、該リード
フレームの上端面に実装されたペアチップ等の電子部品
と、上記基板に対して平行になるように該リードフレー
ムの上端の電子部品の上面に取り付けられた導体とを有
しており、上記基板、リードフレーム及び導体の全体が
射出成形等によって樹脂モールドされることにより構成
した半導体装置の構造により達成される。[Means and actions for solving the problem] The above purpose is to
According to the present invention, after mounting various electronic components on the board,
In a semiconductor device constructed entirely by resin molding, III! i, a plurality of lead frames each formed to rise upward from the periphery of the board in a crank shape, electronic components such as paired chips mounted on the upper end surface of the lead frames, and electronic components such as paired chips mounted on the board. and a conductor attached to the upper surface of the electronic component at the upper end of the lead frame so as to be parallel to the upper end of the lead frame. This is achieved by the structure of the semiconductor device.
この発明によれば、電子部品等を実装すべき部分がリー
ドフレームの上端面にも設けられているため、半導体装
置の底面積に対して比較的多数の部品が実装され得るこ
ととなり、またリードフレームの上端面に実装すべき電
子部品はリードフレームにより放熱されるため、比較的
高温のハンダ付けにより護身リードフレームに実装した
としてもtti を子部品が破壊するようなことがない
、しかも樹脂モールドの際には、導体が基板上に実装さ
れた電子部品等をカバーすることになることから、これ
らの電子部品等はゲートから流入する樹脂の温度や圧力
の影響を受けることがなく、従って従来のようなトラン
スファー成形だけでなく、射出成形等のような比較的粗
い成形方法によっても樹脂モールドを行なうことが可能
となり、異なる種類の半導体装置を製造する場合でも同
一条件で高速に成形を行なうことができ、生産性が著し
く向上することとなる。According to this invention, since the portion where electronic components and the like are to be mounted is also provided on the upper end surface of the lead frame, a relatively large number of components can be mounted relative to the bottom area of the semiconductor device, and the lead Since electronic components to be mounted on the upper end surface of the frame are heat-dissipated by the lead frame, even if they are mounted on the self-defense lead frame by relatively high temperature soldering, the child components will not destroy the tti.Moreover, the resin molded In this case, since the conductor covers the electronic components mounted on the board, these electronic components are not affected by the temperature and pressure of the resin flowing from the gate, and therefore It is now possible to perform resin molding not only by transfer molding, but also by relatively rough molding methods such as injection molding, and even when manufacturing different types of semiconductor devices, molding can be performed at high speed under the same conditions. This will significantly improve productivity.
以下、図面に示した一実施例に基づいて本発明の詳細な
説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an embodiment shown in the drawings.
第1図は本発明による半導体装置の一実施例を示してお
り、半導体装置例えばハイブリッドrC1Oは、アルミ
ニウム・プリント基板11上で、所定位置に各種電子部
品12を載置すると共に、この基板11の周縁にて、上
方にほぼ垂直に立ち上がるようにクランク状に形成され
た複数のリードフレーム13を載置した後、前記電子部
品12及びリードフレーム13を基Fi11に対してハ
ンダ付けする。FIG. 1 shows an embodiment of a semiconductor device according to the present invention. The semiconductor device, for example, a hybrid rC1O, has various electronic components 12 mounted on an aluminum printed circuit board 11 at predetermined positions, and After placing a plurality of crank-shaped lead frames 13 on the periphery so as to rise substantially vertically upward, the electronic components 12 and lead frames 13 are soldered to the base Fi11.
前述のように電子部品12及びリードフレーム13がハ
ンダ付けされた基板llに対して、これら電子部品12
と各リードフレーム13の間にワイヤボンディング等に
より電気的な接続を行なった後、各リードフレーム13
は、その上方に立ち上がった上端面13aに、図示のよ
うに、ペアチップ等の電子部品14が載置され比較的高
温でハンダ付けされる。この際、該電子部品14は、リ
ードフレーム13を介して放熱されるため、ハンダ付け
の熱によって破壊するようなことはない。As described above, the electronic components 12 and the lead frame 13 are soldered to the board ll.
After electrical connection is made between the lead frame 13 and each lead frame 13 by wire bonding or the like, each lead frame 13
As shown in the figure, an electronic component 14 such as a pair of chips is placed on the upper end surface 13a rising upward and soldered at a relatively high temperature. At this time, since heat is radiated from the electronic component 14 via the lead frame 13, the electronic component 14 will not be destroyed by the heat of soldering.
このようにリードフレーム13の上端面13aに電子部
品14を実装した後、該電子部品14の上面には、導体
である第二の基板15が前記基板11とほぼ平行になる
ように取り付けられる。After the electronic component 14 is mounted on the upper end surface 13a of the lead frame 13 in this manner, the second substrate 15, which is a conductor, is attached to the upper surface of the electronic component 14 so as to be substantially parallel to the substrate 11.
ここで、第3図に示す従来の半導体装置の場合と同様に
、全体を樹脂モールドするが、この場合基板11上に実
装された電子部品12等の上方には導体である上記第二
の基板15が存在することから、該電子部品12は第二
の基板15によりカバーされ、ゲート16から流入する
樹脂から保護されることとなり、該電子部品12が咳…
脂の温度及び圧力の影響を受けることはない。Here, as in the case of the conventional semiconductor device shown in FIG. 15, the electronic component 12 is covered by the second substrate 15 and is protected from the resin flowing in from the gate 16, thereby preventing the electronic component 12 from coughing...
It is not affected by the temperature and pressure of the fat.
また、リードフレーム13の上端面に実装されたペアチ
ップ等の電子部品14は、該リードフレーム13及び第
二の基板15を介して放熱され、また該第二の基板15
によりカバーされていることにより、樹脂モールドの際
の樹脂の影響を受けることがない、このため、上記実施
例においては、樹脂モールドの際の樹脂温度、圧力は厳
密に設定する必要がなくなり、製造すべき半導体装1f
IOの種類が異なっても、同一の成形条件で樹脂モール
ドを行なうことが可能であり、従って射出成形等の従来
実装部品に対して比較的大きな影響を与えていた成形方
法によっても、半導体装置10を製造することが可能で
ある。かくして、半導体装置、即ちハイブリッドICl
0が完成する。Further, electronic components 14 such as paired chips mounted on the upper end surface of the lead frame 13 radiate heat through the lead frame 13 and the second substrate 15, and the second substrate 15
Therefore, in the above example, there is no need to strictly set the resin temperature and pressure during resin molding, and manufacturing Semiconductor device 1f
Even if the type of IO is different, it is possible to perform resin molding under the same molding conditions. Therefore, even if molding methods such as injection molding, which have had a relatively large effect on conventional mounted parts, semiconductor devices 10 can be molded. It is possible to manufacture Thus, the semiconductor device, i.e. the hybrid ICl
0 is completed.
本発明実施例は以上のように構成されており、電子部品
等を実装すべき部分がリードフレーム13の上端面13
aにも設けられているため、半導体装置10の底面積に
対して比較的多数の電子部品12.14が実装され得る
こととなる。またり一ドフレーム13の上端面13aに
実装すべき電子部品14はリードフレーム13により放
熱されるため、比較的高温のハンダ付けにより該リード
フレーム■3に実装したとしても該電子部品I4が破壊
するようなことはない。しがも樹脂モールドの際には、
導体である第二の基Fi+5が第一の基板11上に実装
された電子部品12をカバーすることになることから、
これらの電子部品12.14等はゲート16から流入す
る樹脂の温度や圧力の影響を受けることがなく、従って
従来のようなトランスファー成形だけでなく、射出成形
等のような比較的粗い成形方法によっても樹脂モールド
を行なうことが可能となり、異なる種類の半導体装置l
Oを製造する場合でも同一条件で高速に成形を行なうこ
とができることになる。The embodiment of the present invention is constructed as described above, and the portion where electronic components etc. are to be mounted is located on the upper end surface 13 of the lead frame 13.
Since the electronic components 12 and 14 are also provided in the bottom area of the semiconductor device 10, a relatively large number of electronic components 12 and 14 can be mounted on the bottom area of the semiconductor device 10. Furthermore, since the electronic component 14 to be mounted on the upper end surface 13a of the lead frame 13 is radiated by the lead frame 13, even if it is mounted on the lead frame 3 by relatively high temperature soldering, the electronic component I4 will be destroyed. There's nothing to do. When using a resin mold,
Since the second group Fi+5, which is a conductor, covers the electronic component 12 mounted on the first substrate 11,
These electronic components 12, 14, etc. are not affected by the temperature or pressure of the resin flowing in from the gate 16, and therefore can be processed not only by conventional transfer molding but also by relatively rough molding methods such as injection molding. It is now possible to perform resin molding for different types of semiconductor devices.
Even when manufacturing O, molding can be performed at high speed under the same conditions.
〔発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、基板上に各種電子部
品を実装した後、全体を樹脂モールドすることにより構
成された半導体装置において、該基板上の周縁に配設さ
れ且つそれぞれ該基板の周縁から上方にクランク状に立
ち上がるように形成されている複数のリードフレームと
、8亥リードフレームの上端面に実装されたペアチップ
等の電子部品と、上記基板に対して平行になるように該
リドフレームの上端の電子部品の上面に取り付けられた
導体である第二の基板とを有しており、上記基板、リー
ドフレーム及び第二の基板の全体が射出成形等によって
樹脂モールドされることによって半導体装置を構成した
から、電子部品等を実装すべき部分がリードフレームの
上端面にも設けられているため、半導体装置の底面積に
対して比較的多数の部品が実装され得ることとなり、ま
たリードフレームの上端面に実装すべき電子部品はリー
ドフレームにより放熱されることから、比較的高温のハ
ンダ付けにより該リードフレームに実装したとしても該
電子部品が破壊するようなことがない。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, in a semiconductor device configured by mounting various electronic components on a substrate and then molding the entire body with resin, In addition, a plurality of lead frames are each formed to rise upward from the periphery of the board in a crank shape, and electronic components such as paired chips mounted on the upper end surface of the lead frames are mounted parallel to the board. A second board, which is a conductor, is attached to the upper surface of the electronic component at the upper end of the lead frame, and the entire board, lead frame, and second board are molded into a resin mold by injection molding or the like. Since the semiconductor device is configured by the above-mentioned structure, the portion where electronic components and the like are to be mounted is also provided on the upper end surface of the lead frame, so a relatively large number of components can be mounted relative to the bottom area of the semiconductor device. Furthermore, since the electronic components to be mounted on the upper end surface of the lead frame radiate heat through the lead frame, even if the electronic components are mounted on the lead frame by relatively high temperature soldering, the electronic components will not be destroyed. do not have.
しかも樹脂モールドの際には、第二の基板が第一の基板
上に実装された電子部品等をカバーすることになること
から、これらの電子部品等はゲートから流入する樹脂の
温度や圧力の影響を受けることがなく、従って従来のよ
うなトランスファー成形だけでなく、射出成形等のよう
な比較的粗い成形方法によっても樹脂モールドを行なう
ことが可能となり、異なる種類の半導体装置を製造する
場合でも同一条件で高速に成形を行なうことができ、生
産性が著しく向上することとなる。Moreover, during resin molding, the second board covers the electronic components mounted on the first board, so these electronic components are subject to the temperature and pressure of the resin flowing in from the gate. Therefore, resin molding can be performed not only by conventional transfer molding but also by relatively rough molding methods such as injection molding, even when manufacturing different types of semiconductor devices. Molding can be performed at high speed under the same conditions, significantly improving productivity.
かくして本発明によれば、比較的多数の部品が実装可能
であり、樹脂モールドの際に実装部品が破壊することが
なく、しかも迅速に樹脂モールドを行なうことができる
、極めて優れた半導体装置の構造が提供され得ることと
なる。Thus, according to the present invention, an extremely excellent structure of a semiconductor device is provided in which a relatively large number of components can be mounted, the mounted components are not destroyed during resin molding, and resin molding can be performed quickly. can be provided.
第1図は本発明による半導体装置の一実施例の樹脂モー
ルド前の状態を示す概略断面図、第2図は第1図の半導
体装置の完成した状態を示す概略断面図である。
第3図は従来の半導体装置の一例を示し、(A)は樹脂
モールド前の状態を示す概略断面図、(B)は完成した
状態を示す概略断面図である。
10・・・半導体装置: 11・・・基板;12・・・
各種電子部品: 13・・・リードフレーム;13a・
・・上端面; 14・・・電子部品; 15・・・第二
の基板: 16・・・ゲート。
特許出願人:スタンレー電気株式会社
代 理 人:弁理士 平 山 −室
間 :弁理士 海 津 保 三FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of the semiconductor device according to the present invention in a state before resin molding, and FIG. 2 is a schematic sectional view showing the semiconductor device of FIG. 1 in a completed state. FIG. 3 shows an example of a conventional semiconductor device, in which (A) is a schematic sectional view showing the state before resin molding, and (B) is a schematic sectional view showing the completed state. 10... Semiconductor device: 11... Substrate; 12...
Various electronic components: 13... Lead frame; 13a.
...Top end surface; 14...Electronic component; 15...Second substrate: 16...Gate. Patent applicant: Stanley Electric Co., Ltd. Representative: Patent attorney Hirayama - Muroma: Patent attorney Yasuzo Kaizu
Claims (1)
ルドすることにより構成された半導体装置において、 上記基板上の周縁に配設され且つそれぞれ 該基板の周縁から上方にクランク状に立ち上がるように
形成されている複数のリードフレームと、該リードフレ
ームの上端面に実装されたベアチップ等の電子部品と、
上記基板に対して平行になるように該リードフレームの
上端の電子部品の上面に取り付けられた導体とを含んで
おり、上記基板、リードフレーム及び導体の全体が射出
成形等によって樹脂モールドされることにより構成され
ていることを特徴とする、半導体装置の構造。(1) In a semiconductor device constructed by mounting various electronic components on a substrate and molding the entire body with resin, each of the semiconductor devices is arranged on the periphery of the substrate and rises upward from the periphery of the substrate in a crank shape. a plurality of lead frames formed on the lead frame; electronic components such as bare chips mounted on the upper end surface of the lead frame;
and a conductor attached to the upper surface of the electronic component at the upper end of the lead frame so as to be parallel to the substrate, and the entire substrate, lead frame, and conductor are resin-molded by injection molding or the like. A structure of a semiconductor device, characterized in that it is configured by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22576988A JPH0274057A (en) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | Structure of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22576988A JPH0274057A (en) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | Structure of semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0274057A true JPH0274057A (en) | 1990-03-14 |
JPH0517707B2 JPH0517707B2 (en) | 1993-03-09 |
Family
ID=16834513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22576988A Granted JPH0274057A (en) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | Structure of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0274057A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199152A (en) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Denso Corp | Mold sealing method of electronic component and electronic component made by the same |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22576988A patent/JPH0274057A/en active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199152A (en) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Denso Corp | Mold sealing method of electronic component and electronic component made by the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0517707B2 (en) | 1993-03-09 |
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