JPH0273719A - Input buffer circuit - Google Patents

Input buffer circuit

Info

Publication number
JPH0273719A
JPH0273719A JP63225764A JP22576488A JPH0273719A JP H0273719 A JPH0273719 A JP H0273719A JP 63225764 A JP63225764 A JP 63225764A JP 22576488 A JP22576488 A JP 22576488A JP H0273719 A JPH0273719 A JP H0273719A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
level
input
gate
ttl
cmos
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63225764A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Sasaki
正之 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority to JP63225764A priority Critical patent/JPH0273719A/en
Publication of JPH0273719A publication Critical patent/JPH0273719A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To simplify the design and to reduce the cost by accepting an inputted CMOS level and an inputted TTL level by an input buffer section. CONSTITUTION:An input level detected by a NOR gate 3 is set to a CMOS level and an input level detected by a NAND gate 4 is set to a TTL level respectively. When the CMOS level is used for the input terminal, the signal of the CMOS level is detected by a NOR gate 3 only. When the TTL level is inputted, its high level is detected by the NAND gate 4 and the high level being the TTL level as the intermediate level is not affected on the NOR gate 3 detecting the CMOS level. Thus, two kinds of input buffers are not required and since one kind of the buffer is enough, the design cost is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は入力バッファ回路に関し、特にディジタル信号
を扱う半導体集積回路装置の入カバ・ンファ回路に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an input buffer circuit, and particularly to an input buffer circuit for a semiconductor integrated circuit device that handles digital signals.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

入力バッファ回路は半導体集積回路装置内に外部から信
号を入力する入力部に使用され、外部から半導体集積回
路装置内の入力部に加えられる信号レベルが電気的にハ
イレベルかロウレベルかを認識するためのものである。
The input buffer circuit is used in the input section of the semiconductor integrated circuit device to input signals from the outside, and is used to recognize whether the signal level applied from the outside to the input section of the semiconductor integrated circuit device is electrically high level or low level. belongs to.

従来の技術として、外部回路がCMOSレベルで構成さ
れている場合、入力バッファ回路の回路閾値レベルは電
源電圧VDDの約1/2であるが、実際の製品において
は、0 、7 V no以上がハイレベル、0.3■D
D以下がロウレベルと規格を設定しており、閾値はそれ
らのレベルの間にあればよい。
As conventional technology, when the external circuit is configured at the CMOS level, the circuit threshold level of the input buffer circuit is approximately 1/2 of the power supply voltage VDD, but in actual products, 0.7 V or more is High level, 0.3■D
The low level and standard are set below D, and the threshold value may be between these levels.

ところが現在、一般に汎用仕様として多用されている信
号レベルはTTLレベルであり、その汎用仕様と電気的
に接続するためには、TTLレベルの電気的条件である
ハイレベル最悪値2.0■・ロウレベル0.8Vを十分
に認識できなけれはならない。そこで、CMO3で構成
された半導体集積回路装置において、TTLレベルも入
力される入力バッファ回路には、CMOSレベル用とT
 T Lレベル用の2つの大力バッファ部が必要である
However, at present, the signal level that is commonly used as a general-purpose specification is the TTL level, and in order to electrically connect with the general-purpose specification, the electrical conditions of the TTL level, which are the high level worst value 2.0 and the low level Must be able to sufficiently recognize 0.8V. Therefore, in a semiconductor integrated circuit device configured with CMO3, the input buffer circuit to which TTL level is also input has one for CMOS level and one for TTL level.
Two large power buffer sections for the TL level are required.

第2図は従来の技術による大力バッファ回路の例である
。外部回路からの入力端子1と、入力端子1からの入力
信号を入力するCMOSレベル用人力バッファ部7と、
入力端子1からの入力信号を入力するTTLレベレベ人
カバッファ部8とを持ち、外部からCMO8かTTLレ
ベルかを選択するCMOSレベル信号つとTTLレベル
選択信号10との各信号により、トランスファーゲート
11又はトランスファーゲート12のうちどちららか一
方がオンして、CMOSレベル用人力バッファ部7の出
力信号かTTLレベレベ人カバッファ部の出力信号のど
ちらか一方の出力信号が入力バッファ回路の出力端子6
に出力される。
FIG. 2 is an example of a conventional high-power buffer circuit. an input terminal 1 from an external circuit; a CMOS level manual buffer section 7 that receives an input signal from the input terminal 1;
It has a TTL level buffer section 8 which inputs the input signal from the input terminal 1, and is connected to the transfer gate 11 or the transfer gate 11 by the CMOS level signal 1 which selects CMO 8 or TTL level from the outside and the TTL level selection signal 10. Either one of the gates 12 is turned on, and either the output signal of the CMOS level manual buffer section 7 or the output signal of the TTL level manual buffer section is output to the output terminal 6 of the input buffer circuit.
is output to.

第2図においては、TTLレベルのハイレベルが入力さ
れた場合、CMOSレベル用人力バッファ部において、
CMOSレベルの閾値がTTLでのハイレベルに近いた
め、貫通電流が流れる。
In FIG. 2, when a high level of TTL level is input, in the CMOS level manual buffer section,
Since the CMOS level threshold is close to the TTL high level, a through current flows.

また、従来2種類の入力バッファ部を持っていた大力バ
ッファ回路において、外部人力バッファがCMOSレベ
ルでもTTLレベルでも使用できるような回路にするこ
とで2種類の入力バッファが不必要となり、1種類で設
計を行なえるため設計時のコスト低減が期待できる。
In addition, in conventional large-power buffer circuits that had two types of input buffer sections, by making the circuit so that the external manual buffer can be used at both the CMOS level and the TTL level, two types of input buffers are no longer necessary. Since the design can be carried out, cost reductions can be expected at the time of design.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

以上説明した従来技術による入力バッファ回路では、1
つの入力ごとにCMOSレベル用の大力バッファ部とT
TLレベルの大力バッファ部を別々に設け、それらの切
り換えは外部からの選択信号によって切り換えるため、
半導体集積回路装置に実現した場合、面頂が大きくなり
、またTTLレベルのハイレベルを入力した時CMO3
用人力バッファ部において貫通電流が流れるという欠点
がある。
In the input buffer circuit according to the prior art described above, 1
A large buffer section for CMOS level and T for each input.
TL level high-power buffer sections are provided separately, and these are switched by an external selection signal.
When realized in a semiconductor integrated circuit device, the top of the surface becomes large, and when a high level of TTL level is input, CMO3
There is a drawback that a through current flows in the human power buffer section.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の入力バッファ回路は、半導体集積回路装置にお
いて、第1の入力信号と第2の入力信号とを入力するN
ANDゲートと、前記NANDゲートの出力信号と入力
するインバータと、前記第1の入力信号と前記インバー
タの出力信号とを入力するNORゲートとを含み、前記
NOR,ゲートの出力を出力信号として構成される。
The input buffer circuit of the present invention is a semiconductor integrated circuit device that receives a first input signal and a second input signal.
It is configured to include an AND gate, an inverter to which the output signal of the NAND gate is input, and a NOR gate to which the first input signal and the output signal of the inverter are input, and the output of the NOR gate is used as an output signal. Ru.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明の詳細を、その実施例につき図面を参照して
説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the present invention will be explained below with reference to the drawings.

第1図は本発明による入力バッファ回路の一実施例の回
路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of an input buffer circuit according to the present invention.

本実施例はCMOSレベル又はTTLレベルの信号が入
力される入力端子1と、TTLレベルの入力を選択する
入力レベル選択信号2と、入力端子1からの信号と入力
レベル選択信号2をゲート入力するNANDゲート4と
、NANDゲート4の出力をゲート入力とするインバー
タ5と、入力端子1からの信号とインバータ5の出力を
ゲート入力とするNORゲート3と、NORゲート3の
出力を入力バッファ回路の外に出力する出力端子6とか
ら構成されている。
In this embodiment, input terminal 1 receives a CMOS level or TTL level signal, input level selection signal 2 selects TTL level input, and gate inputs the signal from input terminal 1 and input level selection signal 2. A NAND gate 4, an inverter 5 whose gate input is the output of the NAND gate 4, a NOR gate 3 whose gate inputs are the signal from the input terminal 1 and the output of the inverter 5, and an input buffer circuit whose output is the output of the NOR gate 3. It is composed of an output terminal 6 for outputting to the outside.

次に本実施例の動作を説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.

第1図において、NORゲート3が検知できる入力レベ
ルはCMOSレベルに、またN A N Dゲート4が
検知できる入力レベルはTTLレベルにそれぞれ設定さ
れているものとする。
In FIG. 1, it is assumed that the input level that the NOR gate 3 can detect is set to the CMOS level, and the input level that the NAND gate 4 can detect is set to the TTL level.

まず入力端子としてCMOSレベルを用いる場合、入力
レベル選択信号4はハイレベル出力となり、入力端子1
からの入力信号の影響を受けない。したがって、入力端
子1に入力されたCMOSレベルの信号は、NORゲー
ト3によってのみ検知される。
First, when using a CMOS level as an input terminal, the input level selection signal 4 becomes a high level output, and the input terminal 1
It is not affected by input signals from Therefore, the CMOS level signal input to the input terminal 1 is detected only by the NOR gate 3.

次に入力端子としてTTLレベルを用いる場合入力レベ
ル選択信号はハイレベルとする。ここで、入力端子1に
TTLレベルのハイレベルを入力した場合、NORゲー
ト3ではCMOSレベルしか検知できないため、TTL
のスペックでのハイレベルはCMOSレベルでの中間と
しか判断できない。しかし、NANDゲート4はTTL
レベルに設定されているため、TTLハイレベルを検知
しロウベレルを出力し、インバータ5がハイレベルを出
力するためNORゲート3は、ロウレベルに固定される
。すなわち、TTLレベルが入力された場合、そのハイ
レベルはNANDゲート4によって検知され、CMOS
レベルを検知するNO,Rゲート3にとっては中間レベ
ルとなるTTLレベルのハイレベルは影響を受けない。
Next, when using a TTL level as an input terminal, the input level selection signal is set to high level. Here, if a high level of TTL level is input to input terminal 1, NOR gate 3 can only detect the CMOS level, so TTL
The high level of the specs can only be judged to be intermediate to the CMOS level. However, NAND gate 4 is TTL
Since the TTL high level is detected and the inverter 5 outputs a low level, the NOR gate 3 is fixed at a low level. That is, when a TTL level is input, the high level is detected by the NAND gate 4, and the CMOS
For the NO, R gate 3 that detects the level, the high level of the TTL level, which is an intermediate level, is not affected.

またTTLレベルのロウレベルが入力された場合は特に
問題は無い。
Further, there is no particular problem when a low level of TTL level is input.

本実施例における入力バッファ回路においては、TTL
レベルのハイレベルを入力した場合での入力バッファ回
路における貫通電流がなく、半導体集積回路装置を実現
した時の消費電流を低減できる。また回路構成が簡単で
あるので設計が容易であり、設計コスト低減も期待でき
る。
In the input buffer circuit in this embodiment, TTL
There is no through current in the input buffer circuit when a high level is input, and current consumption can be reduced when a semiconductor integrated circuit device is realized. Furthermore, since the circuit configuration is simple, design is easy, and a reduction in design cost can be expected.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明の入力バッファ回路は、入力
するCMOSレベルとTTLレベルを1つの入力バッフ
ァ部で兼用するので、設計が簡単となり設計コストの低
減することができる。また、TTLレベルのハイレベル
を入力した場合の貫通電流がないため、半導体集積回路
装置に実現した場合の消費電流の低減ができるという効
果がある。
As described above, in the input buffer circuit of the present invention, one input buffer unit serves both the input CMOS level and the TTL level, so the design is simple and the design cost can be reduced. Furthermore, since there is no through current when a high level TTL level is input, there is an effect that current consumption can be reduced when implemented in a semiconductor integrated circuit device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明による大力バッファ回路の一実施例の回
路図である、第2図は従来の技術による入力バッファ回
路の一例。 1・・・・・・入力端子、2・・・・・・入力レベル選
択信号、3・・・・・・NORゲート、4・・・・・・
NANDゲート、5・・・・・・インバータ、6・・・
・・・出力端子。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a high-power buffer circuit according to the present invention, and FIG. 2 is an example of an input buffer circuit according to the prior art. 1...Input terminal, 2...Input level selection signal, 3...NOR gate, 4...
NAND gate, 5... Inverter, 6...
...Output terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体集積回路装置において、第1の入力信号と第2の
入力信号とを入力するNANDゲートと、前記NAND
ゲートの出力信号と入力するインバータと、前記第1の
入力信号と前記インバータの出力信号とを入力するNO
Rゲートとを含み、前記NORゲートの出力を出力信号
として成ることを特徴とする入力バッファ回路。
In a semiconductor integrated circuit device, a NAND gate receives a first input signal and a second input signal;
an inverter that inputs the output signal of the gate, and an NO input that inputs the first input signal and the output signal of the inverter.
An input buffer circuit comprising: an R gate, the output of the NOR gate being an output signal.
JP63225764A 1988-09-09 1988-09-09 Input buffer circuit Pending JPH0273719A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63225764A JPH0273719A (en) 1988-09-09 1988-09-09 Input buffer circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63225764A JPH0273719A (en) 1988-09-09 1988-09-09 Input buffer circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0273719A true JPH0273719A (en) 1990-03-13

Family

ID=16834441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63225764A Pending JPH0273719A (en) 1988-09-09 1988-09-09 Input buffer circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0273719A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6833739B2 (en) 1999-01-25 2004-12-21 Fujitsu Limited Input buffer circuit for semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6833739B2 (en) 1999-01-25 2004-12-21 Fujitsu Limited Input buffer circuit for semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1456675B1 (en) Input buffer and method for voltage level detection
US4894558A (en) Power saving input buffer for use with a gate array
US5952850A (en) Input/output circuit and a method for controlling an input/output signal
JPH0273719A (en) Input buffer circuit
JPH07236180A (en) Device for activating logical unit
JP2672235B2 (en) Semiconductor device
JPH03175730A (en) Output buffer
JP2654275B2 (en) Bidirectional buffer
JP2739785B2 (en) Test signal input circuit
JP2938589B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JP3116706B2 (en) Trigger input circuit
JPH02126652A (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2752778B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JP2500775B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JP2656660B2 (en) Semiconductor integrated circuit
KR19990061320A (en) CMOS Tithiel Interface Cell
JPS61173518A (en) Detecting circuit for signal brake
EP1119914A1 (en) An integrated circuit provided with a fail-safe mode
JPH07106932A (en) Bus output circuit
JPH0414887B2 (en)
KR19990009452A (en) Bidirectional buffer with power consumption reduction
JPH0443712A (en) Semiconductor output circuit
JPH10154027A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH04361420A (en) Voltage comparator circuit
KR20000033689A (en) Buffer circuit of portable device