JPH0269395A - リチウム酸化物系単結晶薄膜の製法 - Google Patents
リチウム酸化物系単結晶薄膜の製法Info
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、リチウム酸化物系単結晶薄膜の製法に関し
、ことに光デバイス用基板に用いられる。
、ことに光デバイス用基板に用いられる。
（ロ）従来の技術
リチウム酸化物系単結晶Ｌ＋Ｎｂ＋−えＴａ−０ｓ（０
≦ｘ≦ｌ）は、その優れた多くの特性を利用して様々の
デバイスへの応用開発に利用されており、例えば電気機
械結合係数が大きい事を利用した表面弾性波（ＳＡＷ）
デバイス、電気光学効果、非線型光学効果等を利用した
先導波路、光スィッチ、光変調器、光結合器、波長変換
器等の光集積回路用基板材料、外場の変化に敏感に対応
する屈折率変化を利用した光ＩＣセンサー、更にはＦｅ
等の不純物ドープにより生じる光損傷効果を利用した光
メモリーや３次元ホログラム材料等、応用研究の分野は
広範囲におよんでいる。
≦ｘ≦ｌ）は、その優れた多くの特性を利用して様々の
デバイスへの応用開発に利用されており、例えば電気機
械結合係数が大きい事を利用した表面弾性波（ＳＡＷ）
デバイス、電気光学効果、非線型光学効果等を利用した
先導波路、光スィッチ、光変調器、光結合器、波長変換
器等の光集積回路用基板材料、外場の変化に敏感に対応
する屈折率変化を利用した光ＩＣセンサー、更にはＦｅ
等の不純物ドープにより生じる光損傷効果を利用した光
メモリーや３次元ホログラム材料等、応用研究の分野は
広範囲におよんでいる。
従来、このようなＬｉＮｂ、−、Ｔａ、０ｓ（０≦ｘ≦
１）は、一般に引き上げ法により作製されたバルク単結
晶から、特定の結晶面を持ったウェハーを切り出して使
用している。しかし、多くのデバイスでは実際に機能す
るのは結晶表面の十数ミクロン厚の領域にすぎない事か
ら、高価なバルク単結晶に代わって望みの結晶面方位を
持った単結晶薄膜を製造する方法が従来より検討されて
おり、例えばＬＩＮｂ＋−＋ｔＴａｘＯｓ（０≦ｘ＜１
）の薄膜化方法としては、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、液相エピタキシャル法、ＣＶＤ法、ゾ
ル・ゲル法等が報告されている。単結晶薄膜化の成否に
は、基板材料の選択が重要な要素であり、これまで用い
られている基板材料としては、ＬＪｂ＋−ｍＴａｍｏｓ
（０≦ｘ≦１）単結晶、水晶（２面）、サファイヤ（Ｒ
面、）′而、２面）、酸化マグネシウム（（１１１）面
）等がある。これらの内、異種材料基板を用いるｔ＼テ
ロエピタキシャル結晶成長には、ＬｉＮｂｔ−ｘＴａｘ
ｏ３（。
１）は、一般に引き上げ法により作製されたバルク単結
晶から、特定の結晶面を持ったウェハーを切り出して使
用している。しかし、多くのデバイスでは実際に機能す
るのは結晶表面の十数ミクロン厚の領域にすぎない事か
ら、高価なバルク単結晶に代わって望みの結晶面方位を
持った単結晶薄膜を製造する方法が従来より検討されて
おり、例えばＬＩＮｂ＋−＋ｔＴａｘＯｓ（０≦ｘ＜１
）の薄膜化方法としては、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、液相エピタキシャル法、ＣＶＤ法、ゾ
ル・ゲル法等が報告されている。単結晶薄膜化の成否に
は、基板材料の選択が重要な要素であり、これまで用い
られている基板材料としては、ＬＪｂ＋−ｍＴａｍｏｓ
（０≦ｘ≦１）単結晶、水晶（２面）、サファイヤ（Ｒ
面、）′而、２面）、酸化マグネシウム（（１１１）面
）等がある。これらの内、異種材料基板を用いるｔ＼テ
ロエピタキシャル結晶成長には、ＬｉＮｂｔ−ｘＴａｘ
ｏ３（。
≦ｘ≦１）と結晶構造が類似したサファイヤ単結晶が最
も多く用いられている。中で６、サファイヤの（１１０
２）結晶格子面は、ＬｉＮｂｔ−ｘＴａｘｏ、（０≦ｘ
≦１）単結晶の格子不整合が６．７〜８．３％であり、
他の結晶面に比較して小さい事からへテロエピタキシャ
ル結晶成長に適していると考えられる。このサファイヤ
単結晶（汀０２）結晶格子面上へのＬｉＮｂ１−ＸＴａ
Ｘ０３（０≦ｘ≦１）単結晶薄膜のへテロエピタキシャ
ル成長は、例えばスパッタリング法では（ＩＯＴＯ）結
晶格子面のＬＩ１１ｂ＋−ｘＴａｘｏｓ（０≦ｘ≦１）
が成長しく特公昭５９−５５６０号公報）、一方、イオ
ンブレーティング法、ゾル・ゲル法では、基板と同じ（
１１０２）結晶格子（Ｒ面結晶格子面）が成長すると報
告されている。
も多く用いられている。中で６、サファイヤの（１１０
２）結晶格子面は、ＬｉＮｂｔ−ｘＴａｘｏ、（０≦ｘ
≦１）単結晶の格子不整合が６．７〜８．３％であり、
他の結晶面に比較して小さい事からへテロエピタキシャ
ル結晶成長に適していると考えられる。このサファイヤ
単結晶（汀０２）結晶格子面上へのＬｉＮｂ１−ＸＴａ
Ｘ０３（０≦ｘ≦１）単結晶薄膜のへテロエピタキシャ
ル成長は、例えばスパッタリング法では（ＩＯＴＯ）結
晶格子面のＬＩ１１ｂ＋−ｘＴａｘｏｓ（０≦ｘ≦１）
が成長しく特公昭５９−５５６０号公報）、一方、イオ
ンブレーティング法、ゾル・ゲル法では、基板と同じ（
１１０２）結晶格子（Ｒ面結晶格子面）が成長すると報
告されている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかし、上記サファイヤ基板上Ｉ＼のリチウム酸化物系
単結晶のへテロエピタキシャル成長技術は、まだ確立さ
れているとは言い難く、その結晶性が低く、光学的な応
用面に十分適用できるまでには至っていない。
単結晶のへテロエピタキシャル成長技術は、まだ確立さ
れているとは言い難く、その結晶性が低く、光学的な応
用面に十分適用できるまでには至っていない。
この発明は、このような問題を解決するためになされた
ものであり、例えば先デバイス用基板に使用可能な結晶
性の高いリチウム酸化物系単結晶薄膜の製法を提供しよ
うとするものである。
ものであり、例えば先デバイス用基板に使用可能な結晶
性の高いリチウム酸化物系単結晶薄膜の製法を提供しよ
うとするものである。
（ニ）ｙ１、題を解決するための手段
そこで、この発明者らはイオンブレーティング法による
サファイヤ基板を用いたリチウム酸化物系単結晶薄膜の
結晶性向上について鋭意研究を行った結果、上記へテロ
エピタキシーにおいて、（ａ）リチウム酸化物系単結晶
の（１１０２）結晶格子面をサファイヤ基板の（１１０
２）結晶格子面と平行にしたとき、リチウム酸化物系単
結晶の［１１２０］方向はサファイヤの［ｕＮＯ］方向
と平行になり、かつ （ｂ）リチウム酸化物系単結晶の結晶性の向上に伴い、
リチウム酸化物系単結晶のＲ面結晶格子面（’（１１０
２）結晶格子面）が、サファイヤ基板の（１１０２）結
晶格子面に対してｃ１１ｉｏ］方向を回転軸とし［ＩＴ
［ｌＧ］方向へ傾斜してゆく、という事実を見出し、こ
の発明に至った。
サファイヤ基板を用いたリチウム酸化物系単結晶薄膜の
結晶性向上について鋭意研究を行った結果、上記へテロ
エピタキシーにおいて、（ａ）リチウム酸化物系単結晶
の（１１０２）結晶格子面をサファイヤ基板の（１１０
２）結晶格子面と平行にしたとき、リチウム酸化物系単
結晶の［１１２０］方向はサファイヤの［ｕＮＯ］方向
と平行になり、かつ （ｂ）リチウム酸化物系単結晶の結晶性の向上に伴い、
リチウム酸化物系単結晶のＲ面結晶格子面（’（１１０
２）結晶格子面）が、サファイヤ基板の（１１０２）結
晶格子面に対してｃ１１ｉｏ］方向を回転軸とし［ＩＴ
［ｌＧ］方向へ傾斜してゆく、という事実を見出し、こ
の発明に至った。
この発明によれば、サファイヤ単結晶表面をその（１１
０２）結晶格子面に対して［１１２０］方向を回転軸と
し［１ＴＯＯ］方向へ１°〜４＠傾斜した面に加工して
サファイア単結晶基板となし、上記加工した基板面上に
式ＬＩＮｂ＋−８Ｔａ １１０３ （ただし、Ｏ≦ｘ≦
１）で表わされるリチウム酸化物系の単結晶をエピタキ
シャル成長させ、上記基板表面に平行にＲ面結晶格子面
を有するリチウム酸化物系単結晶薄膜を作製することを
特徴とするリチウム酸化物系単結晶薄膜の製法が提供さ
れる。
０２）結晶格子面に対して［１１２０］方向を回転軸と
し［１ＴＯＯ］方向へ１°〜４＠傾斜した面に加工して
サファイア単結晶基板となし、上記加工した基板面上に
式ＬＩＮｂ＋−８Ｔａ １１０３ （ただし、Ｏ≦ｘ≦
１）で表わされるリチウム酸化物系の単結晶をエピタキ
シャル成長させ、上記基板表面に平行にＲ面結晶格子面
を有するリチウム酸化物系単結晶薄膜を作製することを
特徴とするリチウム酸化物系単結晶薄膜の製法が提供さ
れる。
この発明においては、結晶面に対して特定の方向に特定
の角度範囲内で傾斜した表面を有するサファイヤ単結晶
基板を用いて、その表面にリチウム酸化物系単結晶を堆
積して単結晶薄膜を作製することを最大の特徴とする。
の角度範囲内で傾斜した表面を有するサファイヤ単結晶
基板を用いて、その表面にリチウム酸化物系単結晶を堆
積して単結晶薄膜を作製することを最大の特徴とする。
上記サファイヤ単結晶基板の表面はサファイア基板の（
１１０２）結晶格子面に対して［１１２０］方向を回転
軸とし、［１１００］方向へ１〜４°の範囲で傾斜して
形成するのが適しており、この中でも２°〜３．５°が
好ましく、とりわけ３°が好ましい。
１１０２）結晶格子面に対して［１１２０］方向を回転
軸とし、［１１００］方向へ１〜４°の範囲で傾斜して
形成するのが適しており、この中でも２°〜３．５°が
好ましく、とりわけ３°が好ましい。
この範囲を外れた場合は、この基板表面上にヘテロエピ
タキンーによって作製されるリチウム酸化物系単結晶薄
膜の結晶性が低下し、例えば先デバイス用基板として用
いるのに適さない。
タキンーによって作製されるリチウム酸化物系単結晶薄
膜の結晶性が低下し、例えば先デバイス用基板として用
いるのに適さない。
上記サファイヤ単結晶基板表面の加工は通常の切削、研
削及び研磨工程等によって行うことができ、その表面は
Ｘ線回折によって目的の表面と同定することがてきる。
削及び研磨工程等によって行うことができ、その表面は
Ｘ線回折によって目的の表面と同定することがてきる。
この単結晶薄膜の作製は、例えば通常のスパッタリング
法及びイオンブレーティング法等各種成膜手段を用いて
行うことができ、例えばイオンプレーティング法によっ
てこの発明のリチウム酸化物系単結晶薄膜を作製するに
は、電子ビーム加熱装置、クヌードセンセル及び高周波
プラズマ発生用ワーキングコイルを内部に装備した真空
チャンバーに上記特定の表面を有するサファイヤ基板を
設置し、まず真空チャンバー内をｌＸｌ０°’Ｔｏｒｒ
以下まで真空排気した後、酸素ガスを＋ｘｉｏ−’〜５
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ導入し高周波プラズマを発生させ
この状態で、電子ビーム加熱装置により金属Ｎｂ及び金
属Ｔａを、クヌードセンセルにより金属Ｌｉを各々独立
に所定の蒸発量となる様に加熱温度を設定した後、 ６００〜８００℃に加熱保持した上記サファイヤ基板表
面上へ同時蒸着して行うことができる。
法及びイオンブレーティング法等各種成膜手段を用いて
行うことができ、例えばイオンプレーティング法によっ
てこの発明のリチウム酸化物系単結晶薄膜を作製するに
は、電子ビーム加熱装置、クヌードセンセル及び高周波
プラズマ発生用ワーキングコイルを内部に装備した真空
チャンバーに上記特定の表面を有するサファイヤ基板を
設置し、まず真空チャンバー内をｌＸｌ０°’Ｔｏｒｒ
以下まで真空排気した後、酸素ガスを＋ｘｉｏ−’〜５
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ導入し高周波プラズマを発生させ
この状態で、電子ビーム加熱装置により金属Ｎｂ及び金
属Ｔａを、クヌードセンセルにより金属Ｌｉを各々独立
に所定の蒸発量となる様に加熱温度を設定した後、 ６００〜８００℃に加熱保持した上記サファイヤ基板表
面上へ同時蒸着して行うことができる。
なお、上記Ｎｂ又はＴ＆のいずれかを用いないでリチウ
ム酸化物系単結晶としてもこの発明の目的を達成するこ
とができる。
ム酸化物系単結晶としてもこの発明の目的を達成するこ
とができる。
このようにして作製されたリチウム酸化物系単結晶薄膜
の表面は結晶性の高いＲ面結晶格子面であり、上記基板
表面と平行に形成されることにな（ホ）作用 サファイヤ基板の（１’ｒ０２）結晶格子面に対して、
［ｔｔｙｏ１方向を回転軸とし［ｘＴｏｏ）方向へ１〜
４°の範囲に傾斜したサファイヤ基板表面の上にリチウ
ム酸化物系単結晶薄膜を成長させると、このリチウム酸
化物系単結晶薄膜のＲ直格子面が、上記サファイヤ基板
表面に対して平行に成長し、リチウム酸化物系単結晶薄
膜の結晶性が向上する。
の表面は結晶性の高いＲ面結晶格子面であり、上記基板
表面と平行に形成されることにな（ホ）作用 サファイヤ基板の（１’ｒ０２）結晶格子面に対して、
［ｔｔｙｏ１方向を回転軸とし［ｘＴｏｏ）方向へ１〜
４°の範囲に傾斜したサファイヤ基板表面の上にリチウ
ム酸化物系単結晶薄膜を成長させると、このリチウム酸
化物系単結晶薄膜のＲ直格子面が、上記サファイヤ基板
表面に対して平行に成長し、リチウム酸化物系単結晶薄
膜の結晶性が向上する。
（へ）実施例
以下この発明の一実施例について説明する。尚、これに
よってこの発明は限定されるものではない。
よってこの発明は限定されるものではない。
実施例１
電子ビーム加熱装置（２機）、クヌードセンセル（１機
）及び高周波プラズマ発生用ワーキングコイルを内部に
装備した真空チャンバーにおいて、まず、真空チャンバ
ー内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで真空排気した後、
酸素ガスを２Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで導入し高周波プ
ラズマを発生させた。この時のＲｆパワーは２００Ｗと
した。この状態で、電子ビーム加熱装置により金属Ｎｂ
及び金属Ｔａを、クヌードセンセルにより金属Ｌｉを各
々独立に所定の蒸発量となる様に加熱温度を設定した後
、７００℃に加熱保持したサファイヤ基板上へ同時蒸着
した。この場合の電子ビーム加熱のエミッション電流は
Ｎｂ源１５０ＩＩｌ＾、Ｔａ源５０ＩＩＩＡとし、クヌ
ードセンセルの加熱温度は５５０℃に設定した。ただし
、上記サファイヤ基板としては、基板表面がＲ面に対し
て、［１１２０］方向を回転軸とし［ＩＴＯＯ］方向へ
３°傾斜した基板を用いた。このようにして２時間の蒸
着後この基板上に約６０００人の膜厚の透明薄膜が得ら
れた。
）及び高周波プラズマ発生用ワーキングコイルを内部に
装備した真空チャンバーにおいて、まず、真空チャンバ
ー内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで真空排気した後、
酸素ガスを２Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで導入し高周波プ
ラズマを発生させた。この時のＲｆパワーは２００Ｗと
した。この状態で、電子ビーム加熱装置により金属Ｎｂ
及び金属Ｔａを、クヌードセンセルにより金属Ｌｉを各
々独立に所定の蒸発量となる様に加熱温度を設定した後
、７００℃に加熱保持したサファイヤ基板上へ同時蒸着
した。この場合の電子ビーム加熱のエミッション電流は
Ｎｂ源１５０ＩＩｌ＾、Ｔａ源５０ＩＩＩＡとし、クヌ
ードセンセルの加熱温度は５５０℃に設定した。ただし
、上記サファイヤ基板としては、基板表面がＲ面に対し
て、［１１２０］方向を回転軸とし［ＩＴＯＯ］方向へ
３°傾斜した基板を用いた。このようにして２時間の蒸
着後この基板上に約６０００人の膜厚の透明薄膜が得ら
れた。
作製した薄膜の組成を２次イオン質量分析計（Ｓ ＩＭ
Ｓ）により分析した所、この板上の薄膜はＬ＋Ｎｂｏ。
Ｓ）により分析した所、この板上の薄膜はＬ＋Ｎｂｏ。
Ｔａ６１０３であり、膜中全体にわたり均質である事が
わかった。
わかった。
次に、Ｘ線回折による結晶性の評価を行ったところ、こ
の薄膜から第１図のＸ線回折パターンに見られる様にＬ
ｉＮｂｏ、５Ｔａｏ、ｌＯｓのＲ面反射（１１０２）（
２Σ０４） （３３０６）のみが観測された。すなわち
、Ｒ面単結晶薄膜が得られた事がわかる。
の薄膜から第１図のＸ線回折パターンに見られる様にＬ
ｉＮｂｏ、５Ｔａｏ、ｌＯｓのＲ面反射（１１０２）（
２Σ０４） （３３０６）のみが観測された。すなわち
、Ｒ面単結晶薄膜が得られた事がわかる。
更にＸ線プリセツション写真の撮影を行った結果、基板
上のＬｉＮｂｏ、５Ｔａｏ、ｌＯｓはスポット状の回折
点を示し、この薄膜が単結晶薄膜である事が確認された
。
上のＬｉＮｂｏ、５Ｔａｏ、ｌＯｓはスポット状の回折
点を示し、この薄膜が単結晶薄膜である事が確認された
。
次に、結晶性を評価する為に、ＬｊＮｂｏ 、 ＊Ｔａ
ｏ ｌＯｓの（１１０２）反射のロッキング・カーブ半
値中の測定を行ったところ、第２図に見られる様に、半
値巾（Δω）が約０．４°であり、後述する比較例の約
１．０°に比べて明らかに小さい事から結晶性が向上し
ていることがわかり、このＬｉＮｂｏ。Ｔａｇ、＋Ｏａ
単結晶薄膜は光デバイス用基板として適するものである
ことを確認した。
ｏ ｌＯｓの（１１０２）反射のロッキング・カーブ半
値中の測定を行ったところ、第２図に見られる様に、半
値巾（Δω）が約０．４°であり、後述する比較例の約
１．０°に比べて明らかに小さい事から結晶性が向上し
ていることがわかり、このＬｉＮｂｏ。Ｔａｇ、＋Ｏａ
単結晶薄膜は光デバイス用基板として適するものである
ことを確認した。
比較例１
実施例１において、基板の表面がこの基板のＲ面格子面
と平行なサファイヤ基板を用い、この他は実施例１と同
様にしてＬｉＮｂｏ、５Ｔａａ ｌｏ３単結晶薄膜を作
製した。
と平行なサファイヤ基板を用い、この他は実施例１と同
様にしてＬｉＮｂｏ、５Ｔａａ ｌｏ３単結晶薄膜を作
製した。
得られた単結晶薄膜の結晶性を評価するために、実施例
１と同様にＬｉＮｂｏ 、−Ｔａｏｌｏａの（１１０２
）反射のロッキング・カーブ半値巾の測定を行ったとこ
ろ第２図にみられるように半値巾か約１．０°であり、
結晶性は低かった。
１と同様にＬｉＮｂｏ 、−Ｔａｏｌｏａの（１１０２
）反射のロッキング・カーブ半値巾の測定を行ったとこ
ろ第２図にみられるように半値巾か約１．０°であり、
結晶性は低かった。
（ト）発明の効果
この発明を用いる事により、例えば光デバイス用基板へ
の適用が可能な結晶性の高いリチウム酸化物系単結晶薄
膜の製法を提供することができる。
の適用が可能な結晶性の高いリチウム酸化物系単結晶薄
膜の製法を提供することができる。
第１図は、この発明の実施例で得られたＬｉＮｂｏ、５
Ｔａａ、＋Ｏｓ単結晶薄膜のＸ線回折パターンの図、第
２図はこの発明の実施例及び比較例で得られたＬｉＮｂ
ｏ、＊Ｔａｏ、＋Ｏｉ単結晶薄膜の（＋１０２）面反射
ロッキングカーブの図である。 （＆）
Ｔａａ、＋Ｏｓ単結晶薄膜のＸ線回折パターンの図、第
２図はこの発明の実施例及び比較例で得られたＬｉＮｂ
ｏ、＊Ｔａｏ、＋Ｏｉ単結晶薄膜の（＋１０２）面反射
ロッキングカーブの図である。 （＆）
Claims (1)
- １、サファイヤ単結晶表面をその（１＠１＠０２）結晶
格子面に対して［１１＠２＠０］方向を回転軸とし［１
＠１＠００］方向へ１°〜４°傾斜した面に加工してサ
ファイア単結晶基板となし、上記加工した基板面上に式
ＬｉＮｂ＿１＿−＿ｘＴａ＿ｘＯ＿３（ただし、０≦ｘ
≦１）で表わされるリチウム酸化物系の単結晶をエピタ
キシャル成長させ、上記基板表面に平行にＲ面結晶格子
面を有するリチウム酸化物系単結晶薄膜を作製すること
を特徴とするリチウム酸化物系単結晶薄膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22213688A JPH0637352B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | リチウム酸化物系単結晶薄膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22213688A JPH0637352B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | リチウム酸化物系単結晶薄膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269395A true JPH0269395A (ja) | 1990-03-08 |
| JPH0637352B2 JPH0637352B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=16777736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22213688A Expired - Lifetime JPH0637352B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | リチウム酸化物系単結晶薄膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637352B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021031375A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 信越化学工業株式会社 | 積層構造体、半導体装置及び結晶性酸化膜の成膜方法 |
| JP2021031374A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 信越化学工業株式会社 | 積層構造体及び半導体装置並びに積層構造体の製造方法 |
| JP2021038112A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 積層構造体、半導体装置及び半導体システム |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP22213688A patent/JPH0637352B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2021031375A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 信越化学工業株式会社 | 積層構造体、半導体装置及び結晶性酸化膜の成膜方法 |
| JP2021031374A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 信越化学工業株式会社 | 積層構造体及び半導体装置並びに積層構造体の製造方法 |
| JP2021038112A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 積層構造体、半導体装置及び半導体システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0637352B2 (ja) | 1994-05-18 |
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