JPH0268514U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0268514U JPH0268514U JP14732188U JP14732188U JPH0268514U JP H0268514 U JPH0268514 U JP H0268514U JP 14732188 U JP14732188 U JP 14732188U JP 14732188 U JP14732188 U JP 14732188U JP H0268514 U JPH0268514 U JP H0268514U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- frequency fet
- fet
- gate
- connecting end
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例を示す回路図であ
る。第２図は静電気によるＦＥＴの破壊電圧を一
般的に示すグラフである。第３図は第１図実施例
に従つた破壊電圧を示すグラフである。第４図は
従来のＦＥＴを用いた回路を示す回路図である。
第５図は定電流バイアス回路を用いたＦＥＴ回路
を示す回路図である。第６図はバイアス調整回路
を用いたＦＥＴ回路を示す回路図である。 図において、１０は回路基板、１２は高周波用
ＦＥＴ、１４は端子、１８は抵抗を示す。
る。第２図は静電気によるＦＥＴの破壊電圧を一
般的に示すグラフである。第３図は第１図実施例
に従つた破壊電圧を示すグラフである。第４図は
従来のＦＥＴを用いた回路を示す回路図である。
第５図は定電流バイアス回路を用いたＦＥＴ回路
を示す回路図である。第６図はバイアス調整回路
を用いたＦＥＴ回路を示す回路図である。 図において、１０は回路基板、１２は高周波用
ＦＥＴ、１４は端子、１８は抵抗を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 回路基板のエツジに接続端部が形成され、その
接続端部に高周波用ＦＥＴのゲートが接続された
、高周波ＦＥＴ回路において、 前記高周波用ＦＥＴのゲートとソースとの間に
所定の抵抗値を有する抵抗を接続したことを特徴
とする、高周波ＦＥＴ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14732188U JPH0268514U (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14732188U JPH0268514U (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268514U true JPH0268514U (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=31417608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14732188U Pending JPH0268514U (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0268514U (ja) |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP14732188U patent/JPH0268514U/ja active Pending