JPH0266546A - 半導体装置製造用マスク - Google Patents
半導体装置製造用マスクInfo
- Publication number
- JPH0266546A JPH0266546A JP63218703A JP21870388A JPH0266546A JP H0266546 A JPH0266546 A JP H0266546A JP 63218703 A JP63218703 A JP 63218703A JP 21870388 A JP21870388 A JP 21870388A JP H0266546 A JPH0266546 A JP H0266546A
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- JP
- Japan
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- thin film
- film
- metal frame
- mask
- thin
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製品の製造工程の1つである写真製
版工程において、半導体製品の回路パターンを転写する
ために用いられるマスクに関するものである。
版工程において、半導体製品の回路パターンを転写する
ために用いられるマスクに関するものである。
第2図は従来のペリクル付半導体装置製造用マスクを示
す断面図であり、図において、(1)はクロムや酸化ク
ロムなどの金属被膜パターン、(2)はガラスや石英な
どの透明板、(3)はメタルフレーム、(4]は有機薄
膜を示す。一般に半導体装置製造用マスク上にコミが付
着すると、それがウェハ上に転写されるので、その部分
がパターン欠陥となり半導体製品の不良になる。特に、
縮小投影露光装置では、ゴミの付着が共通した欠陥とな
り、不良製品が増える。この対策としてペリクルが実用
化さねており、ガラス面側とパターン面側に1〜3μm
程変の薄膜(4)をメタルフレーム(3)に接着した保
護膜を設け、50μm以下のゴミはデ・フォーカスにな
り、クエハtには転写されないようになっていた。
す断面図であり、図において、(1)はクロムや酸化ク
ロムなどの金属被膜パターン、(2)はガラスや石英な
どの透明板、(3)はメタルフレーム、(4]は有機薄
膜を示す。一般に半導体装置製造用マスク上にコミが付
着すると、それがウェハ上に転写されるので、その部分
がパターン欠陥となり半導体製品の不良になる。特に、
縮小投影露光装置では、ゴミの付着が共通した欠陥とな
り、不良製品が増える。この対策としてペリクルが実用
化さねており、ガラス面側とパターン面側に1〜3μm
程変の薄膜(4)をメタルフレーム(3)に接着した保
護膜を設け、50μm以下のゴミはデ・フォーカスにな
り、クエハtには転写されないようになっていた。
従来、取り除くことが難かしい50μm以上のゴミが付
着した場合やペリクルにキズがつく等の原因により使用
できない状態が発生した場合は、薄g(4+をメタルフ
レーム(3)と−緒にガラスなどの透明板(2)から除
去し、新しい薄膜とメタルフレームを透明板に接着する
といった作業を必要とするなど問題があった。
着した場合やペリクルにキズがつく等の原因により使用
できない状態が発生した場合は、薄g(4+をメタルフ
レーム(3)と−緒にガラスなどの透明板(2)から除
去し、新しい薄膜とメタルフレームを透明板に接着する
といった作業を必要とするなど問題があった。
この発明は上記のような問題を解消するためになされた
もので、煩雑な作業回数が減少し、コストの低減fζ極
めてすぐれた半導体装置製造用マスりを得ることを目的
とする。
もので、煩雑な作業回数が減少し、コストの低減fζ極
めてすぐれた半導体装置製造用マスりを得ることを目的
とする。
〔課題を解決するための手段および作用〕この発明は第
1図に示すように、従来の薄膜(4)の上に薄膜(5)
、(6)を重ねたもので、薄膜(6)が使用できない状
態が発生した場合は、薄膜(6)を除去してペリクルを
再度利用する。薄膜(5)も薄膜(6)と同様な機能を
する。
1図に示すように、従来の薄膜(4)の上に薄膜(5)
、(6)を重ねたもので、薄膜(6)が使用できない状
態が発生した場合は、薄膜(6)を除去してペリクルを
再度利用する。薄膜(5)も薄膜(6)と同様な機能を
する。
以下、この発明を図により説明する。第1図はこの発明
の一実施例による半導体装置製造用マスクを示す部分拡
大図である。図において、+41 、 (51゜(6)
は1μm程度のニトロセルロース膜で、互いに密着して
いる。(4)はメタルフレームの端面で接着されており
、薄膜(51、(61はメタルフレームのサイドで接着
、固定されている。メタルフレームは透明板にアクリル
系の接着剤で接着さnている。また、薄膜+51 、
+61を剥す場合、剥し口から順次剥していくのである
。なお、上記実施例では、縮小投影露光装置で用いるレ
ティクルについて説明したが、−数的なマスクについて
も同様であり、また、接着、剤、有機薄膜の膜厚、接着
方法、剥離方法は、何らこの発明の内容を拘束するもの
ではない。
の一実施例による半導体装置製造用マスクを示す部分拡
大図である。図において、+41 、 (51゜(6)
は1μm程度のニトロセルロース膜で、互いに密着して
いる。(4)はメタルフレームの端面で接着されており
、薄膜(51、(61はメタルフレームのサイドで接着
、固定されている。メタルフレームは透明板にアクリル
系の接着剤で接着さnている。また、薄膜+51 、
+61を剥す場合、剥し口から順次剥していくのである
。なお、上記実施例では、縮小投影露光装置で用いるレ
ティクルについて説明したが、−数的なマスクについて
も同様であり、また、接着、剤、有機薄膜の膜厚、接着
方法、剥離方法は、何らこの発明の内容を拘束するもの
ではない。
この方式により、薄膜+4+ 、 +51 、 tel
が1度に破れたり、傷つく場合を除いて、ペリクルを貼
りかえる煩雑な作業とコストを低減することができるな
どの効果を有する。
が1度に破れたり、傷つく場合を除いて、ペリクルを貼
りかえる煩雑な作業とコストを低減することができるな
どの効果を有する。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置製造用マ
スクを示す部分拡大図、第2図は従来のペリクル付半導
体装置製造用マスクを示す断面図である。 図中、(1)は金属被膜パターン、(2)は透明板、(
3)はメタルフレーム、 +4+、(5)、(6)は有
機薄膜。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を
示す。
スクを示す部分拡大図、第2図は従来のペリクル付半導
体装置製造用マスクを示す断面図である。 図中、(1)は金属被膜パターン、(2)は透明板、(
3)はメタルフレーム、 +4+、(5)、(6)は有
機薄膜。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を
示す。
Claims (1)
- 回路パターンを形成する金属被膜パターンの保護膜にお
いて、多重保護膜の利用を特徴とする半導体装置製造用
マスク
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63218703A JPH0266546A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置製造用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63218703A JPH0266546A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置製造用マスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0266546A true JPH0266546A (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=16724094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63218703A Pending JPH0266546A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置製造用マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0266546A (ja) |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63218703A patent/JPH0266546A/ja active Pending
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