JPH0265158A - Ｉｃパッケージ用金属キャップ - Google Patents
Ｉｃパッケージ用金属キャップInfo
- Publication number
- JPH0265158A JPH0265158A JP63215275A JP21527588A JPH0265158A JP H0265158 A JPH0265158 A JP H0265158A JP 63215275 A JP63215275 A JP 63215275A JP 21527588 A JP21527588 A JP 21527588A JP H0265158 A JPH0265158 A JP H0265158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- package
- metal
- metallic
- metal plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体素子の保護のためのパッケージ用金属
キャップに関するものである。
キャップに関するものである。
〔従来の技術］
従来のＩＣパッケージの構成例を第２図に示す。
図において、２はアルミナセラミックスからなる基板１
に接合されているＩＣ，４はリードフレームで、ＩＣ２
とワイヤ３で接続されている。６はＩＣを保護するため
のキャップで、アルミナあるいはムライト等からなり、
ＩＣ２のリードフレーム４を挾んで封止ガラス５により
アルミナ基板１に接着されている。
に接合されているＩＣ，４はリードフレームで、ＩＣ２
とワイヤ３で接続されている。６はＩＣを保護するため
のキャップで、アルミナあるいはムライト等からなり、
ＩＣ２のリードフレーム４を挾んで封止ガラス５により
アルミナ基板１に接着されている。
従来の半導体素子パッケージ用の保護キャップは、上諜
己のよう１こアルミナセラミックスまたはムライトから
構成されている。しかし、強度が小さいのである程度厚
く （普通、１ ＋ｏｎ程度）しなければならず、また
、一般にホットプレスで作られるので大きくすることが
できない。また、ＩＣ２で発生する熱は、主としてアル
ミナ基板１を通じて放熱されるが、一部は保護キャップ
６を通じても行われる。しかし、アルミナが主体である
ため、熱伝導率が小さく保護キャップ６からの放熱はあ
まり期待できない。したがって、半導体素子の集積度を
高めるのが困難であり、パワー素子への利用も難しい。
己のよう１こアルミナセラミックスまたはムライトから
構成されている。しかし、強度が小さいのである程度厚
く （普通、１ ＋ｏｎ程度）しなければならず、また
、一般にホットプレスで作られるので大きくすることが
できない。また、ＩＣ２で発生する熱は、主としてアル
ミナ基板１を通じて放熱されるが、一部は保護キャップ
６を通じても行われる。しかし、アルミナが主体である
ため、熱伝導率が小さく保護キャップ６からの放熱はあ
まり期待できない。したがって、半導体素子の集積度を
高めるのが困難であり、パワー素子への利用も難しい。
［発明が解決しようとする課′ＸＪ］
このように従来の保護キャップは強度及び放熱性の点で
問題があり、大型化が困難であった。また、誘電体であ
るためノイズをひろいやすいという問題があった。
問題があり、大型化が困難であった。また、誘電体であ
るためノイズをひろいやすいという問題があった。
本発明は、上記の従来の課題を解決するためになされた
もので、強度及び放熱性の向上を図り、大型化を可能に
して半導体素子等の高集積化・高実装密度化に対応可能
としたＩＣパッケージの保護金属キャップを得ることを
目的とするものである。
もので、強度及び放熱性の向上を図り、大型化を可能に
して半導体素子等の高集積化・高実装密度化に対応可能
としたＩＣパッケージの保護金属キャップを得ることを
目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明に係るＩＣパッケージ用金属キャップは、金属板
の表面を電気絶縁性セラミックスで被覆したものである
。電気絶縁性セラミックスとしては、上記のアルミナ（
Ａ１２０３）のほかに窒化アルミニウム（ＡｉＮ）また
はべりリア添加の炭化ケイ素（ＳｉＣ−Ｂｅｄ）を用い
る。これらのセラミックスの被覆手段はＰＶＤ法または
ＣＶＤ法による蒸着が好ましい。また、電磁シールドを
図る場合は金属板に磁性材料を用いればよい。
の表面を電気絶縁性セラミックスで被覆したものである
。電気絶縁性セラミックスとしては、上記のアルミナ（
Ａ１２０３）のほかに窒化アルミニウム（ＡｉＮ）また
はべりリア添加の炭化ケイ素（ＳｉＣ−Ｂｅｄ）を用い
る。これらのセラミックスの被覆手段はＰＶＤ法または
ＣＶＤ法による蒸着が好ましい。また、電磁シールドを
図る場合は金属板に磁性材料を用いればよい。
［作 用コ
本発明による金属キャップは、金属板に被覆させた電気
絶縁性セラミックスによって、ＩＣパッケージのリード
フレーム間の電気絶縁を果たすとともに、ＩＣパッケー
ジの保護強度は金属板によって保証される。また、電気
絶縁性セラミックスは蒸着によって被覆されるので、上
記電気絶縁を果たすのに十分な厚さを有すればよく、そ
の厚さは数μｍで十分である。したがって、該セラミッ
クス膜の厚さは薄いものであるため、金属キャップから
の放熱は熱伝導性の良好な金属板を通して行われる。
絶縁性セラミックスによって、ＩＣパッケージのリード
フレーム間の電気絶縁を果たすとともに、ＩＣパッケー
ジの保護強度は金属板によって保証される。また、電気
絶縁性セラミックスは蒸着によって被覆されるので、上
記電気絶縁を果たすのに十分な厚さを有すればよく、そ
の厚さは数μｍで十分である。したがって、該セラミッ
クス膜の厚さは薄いものであるため、金属キャップから
の放熱は熱伝導性の良好な金属板を通して行われる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図はこの実施例の断面図であり、図において、１１
は全体としての金属基板で、基板の放熱性を高めるため
に金属板１２の片面にアルミナ膜１３を蒸着したものを
用いている。６は全体としての金属キャップで、金属板
７の表面にアルミナ膜８を蒸着している。金属基板１１
側のアルミナ膜１３はＩＣチップ２を直接搭載するため
高電気絶縁性、高耐電圧が必要であり、そのため１０μ
ｍ厚程度にされているが、金属キャップ６側のアルミナ
膜８は封止ガラス５の電気絶縁性、耐電圧に依存するた
めその厚さはそれ程必要でなく、３μｍ程度で十分であ
る。場合によっては、セラミックス被膜は金属板７の基
板接着側の表面に限ってよい。
は全体としての金属基板で、基板の放熱性を高めるため
に金属板１２の片面にアルミナ膜１３を蒸着したものを
用いている。６は全体としての金属キャップで、金属板
７の表面にアルミナ膜８を蒸着している。金属基板１１
側のアルミナ膜１３はＩＣチップ２を直接搭載するため
高電気絶縁性、高耐電圧が必要であり、そのため１０μ
ｍ厚程度にされているが、金属キャップ６側のアルミナ
膜８は封止ガラス５の電気絶縁性、耐電圧に依存するた
めその厚さはそれ程必要でなく、３μｍ程度で十分であ
る。場合によっては、セラミックス被膜は金属板７の基
板接着側の表面に限ってよい。
金属板１２及び７の材質はとくに限定されないが、一般
にはＡＩ、Ｃｕ系の材料が用いられる。
にはＡＩ、Ｃｕ系の材料が用いられる。
また、これに磁性材料を用いると電磁シールドが可能に
なる。金属板７の強度は十分に大きいのでその厚さは０
．５ｍｍもあれば十分である。
なる。金属板７の強度は十分に大きいのでその厚さは０
．５ｍｍもあれば十分である。
電気絶縁性セラミックとして、上記のようにアルミナを
使用しているが、ほかにＡＩＮまたは５ｉＣ−ＢｅＯを
使用してもよい。いずれにしてもセラミック膜１３及び
８はＰＶＤ法またはＣＶＤ法により金属板１２及び７に
蒸着される。ＡＩＮまたは５ｉＣ−ＢｅＯはアルミナに
比べてはるかに高い熱伝導率を有し、放熱性が改心され
る。
使用しているが、ほかにＡＩＮまたは５ｉＣ−ＢｅＯを
使用してもよい。いずれにしてもセラミック膜１３及び
８はＰＶＤ法またはＣＶＤ法により金属板１２及び７に
蒸着される。ＡＩＮまたは５ｉＣ−ＢｅＯはアルミナに
比べてはるかに高い熱伝導率を有し、放熱性が改心され
る。
また、これらのセラミック膜１３及び８はきわめて薄い
ものであるため、放熱性が阻害されることはなく、ＩＣ
チップ２における発熱は主として金属板１２を通じて放
熱されるが、一部は金属キャップ６側の金属板７の外面
全体からも放熱される。
ものであるため、放熱性が阻害されることはなく、ＩＣ
チップ２における発熱は主として金属板１２を通じて放
熱されるが、一部は金属キャップ６側の金属板７の外面
全体からも放熱される。
したがって、金属板１２及び７の大型化が可能であるこ
とともあいまって金属キャップ６を通しての放熱性を従
来のものに比べて数倍は高くすることかできる。このた
め、高集積化・高実装密度化が可能になり、ＬＳＩ、Ｖ
ＬＳＩ等のパッケージへの利用に対応できる。
とともあいまって金属キャップ６を通しての放熱性を従
来のものに比べて数倍は高くすることかできる。このた
め、高集積化・高実装密度化が可能になり、ＬＳＩ、Ｖ
ＬＳＩ等のパッケージへの利用に対応できる。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、金属板とその表面に被覆
させた電気絶縁性セラミックス膜で構成した金属キャッ
プであるため、大型化しても強度及び電気絶縁性に問題
はなく、かつ放熱性が従来のアルミナセラミックス単体
のものに比べて数倍は改心されるので、半導体素子等の
高集積化・高実装密度化に大いに寄与するという効果が
ある。
させた電気絶縁性セラミックス膜で構成した金属キャッ
プであるため、大型化しても強度及び電気絶縁性に問題
はなく、かつ放熱性が従来のアルミナセラミックス単体
のものに比べて数倍は改心されるので、半導体素子等の
高集積化・高実装密度化に大いに寄与するという効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
例の断面図である。 ６・・・金属キャップ ７・・・金属板 ８・・・電気絶縁性セラミックス膜 代理人 弁理士 佐々木 宗 冶
例の断面図である。 ６・・・金属キャップ ７・・・金属板 ８・・・電気絶縁性セラミックス膜 代理人 弁理士 佐々木 宗 冶
Claims (4)
- （１）金属板の表面を電気絶縁性セラミックスで被覆し
たことを特徴とするＩＣパッケージ用金属キャップ。 - （２）電気絶縁性セラミックスがアルミナ、窒化アルミ
ニウムまたは炭化ケイ素系であることを特徴とする請求
項１に記載のＩＣパッケージ用金属キャップ。 - （３）電気絶縁性セラミックスをＰＶＤ法またはＣＶＤ
法により蒸着したことを特徴とする請求項１に記載のＩ
Ｃパッケージ用金属キャップ。 - （４）金属板が磁性材料であることを特徴とする請求項
１に記載のＩＣパッケージ用金属キャップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215275A JPH0265158A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | Ｉｃパッケージ用金属キャップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215275A JPH0265158A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | Ｉｃパッケージ用金属キャップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265158A true JPH0265158A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16669615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215275A Pending JPH0265158A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | Ｉｃパッケージ用金属キャップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265158A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536841U (ja) * | 1991-08-27 | 1993-05-18 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パツケージ |
| JP2006123517A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Brother Ind Ltd | 積層体の製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法 |
| CN110233139A (zh) * | 2019-06-18 | 2019-09-13 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 一种电路单元封装方法 |
| KR102208360B1 (ko) * | 2020-04-21 | 2021-01-28 | 엔트리움 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63215275A patent/JPH0265158A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536841U (ja) * | 1991-08-27 | 1993-05-18 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パツケージ |
| JP2006123517A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Brother Ind Ltd | 積層体の製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法 |
| CN110233139A (zh) * | 2019-06-18 | 2019-09-13 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 一种电路单元封装方法 |
| KR102208360B1 (ko) * | 2020-04-21 | 2021-01-28 | 엔트리움 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
| US11527488B2 (en) | 2020-04-21 | 2022-12-13 | Ntrium Inc. | Semiconductor package and method for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1200923A (en) | Semiconductor packages | |
| JPS6066843A (ja) | 集積回路パツケ−ジ | |
| JPS5815241A (ja) | 半導体装置用基板 | |
| EP0435603B1 (en) | RF transistor package and mounting pad | |
| US3594619A (en) | Face-bonded semiconductor device having improved heat dissipation | |
| JPH0265158A (ja) | Ｉｃパッケージ用金属キャップ | |
| JPH0653355A (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| US5063435A (en) | Semiconductor device | |
| JPS63124555A (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JP2005506702A (ja) | 電子的な構成群をパッケージングするための方法およびマルチチップパッケージ | |
| JPH0799268A (ja) | 半導体用高熱伝導性セラミックスパッケージ | |
| JPS5810840A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2748777B2 (ja) | 半導体装置用容器 | |
| JPS60241239A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59224146A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0547953A (ja) | 半導体装置用パツケージ | |
| JPH0265163A (ja) | 集積回路用金属基板 | |
| JPH03238851A (ja) | 大電力絶縁樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH11186469A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0429360A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6065550A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0538897U (ja) | 電子部品収納用パツケージ | |
| JPH01227460A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| JP2001237366A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20210055951A (ko) | 방열 기판, 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 반도체 패키지 |