JPH0653355A - 電子部品収納用パッケージ - Google Patents
電子部品収納用パッケージInfo
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- JPH0653355A JPH0653355A JP4203646A JP20364692A JPH0653355A JP H0653355 A JPH0653355 A JP H0653355A JP 4203646 A JP4203646 A JP 4203646A JP 20364692 A JP20364692 A JP 20364692A JP H0653355 A JPH0653355 A JP H0653355A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ノイズに対するシールド効果が大きく、内部に
収容する電子部品を正常、且つ安定に作動させることが
できる電子部品収納用パッケージを提供することにあ
る。 【構成】信号線5a、グランド線5bを有し、且つ電子
部品を搭載するための搭載部Aを有する基体2と、該搭
載部Aに搭載される電子部品を内部に収容するための凹
部Bを有する蓋体3とから成り、基体2と蓋体3とをガ
ラスから成る封止材8を介し取着することによって内部
に電子部品を気密に収容するようになした電子部品収納
用パッケージ1であって、前記基体2の信号線5aをグ
ランド線5bで挟み、且つ蓋体3の凹部B内壁に金属層
9を被着させるとともに該金属層9を前記基体2のグラ
ンド線5bに電気的に接続させた。
収容する電子部品を正常、且つ安定に作動させることが
できる電子部品収納用パッケージを提供することにあ
る。 【構成】信号線5a、グランド線5bを有し、且つ電子
部品を搭載するための搭載部Aを有する基体2と、該搭
載部Aに搭載される電子部品を内部に収容するための凹
部Bを有する蓋体3とから成り、基体2と蓋体3とをガ
ラスから成る封止材8を介し取着することによって内部
に電子部品を気密に収容するようになした電子部品収納
用パッケージ1であって、前記基体2の信号線5aをグ
ランド線5bで挟み、且つ蓋体3の凹部B内壁に金属層
9を被着させるとともに該金属層9を前記基体2のグラ
ンド線5bに電気的に接続させた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品を収納するため
の電子部品収納用パッケージに関する。
の電子部品収納用パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電子部品収納用パッケージは、内
部に電源線、グランド線、信号線を有し、且つ上面に電
子部品を搭載するための搭載部を有するアルミナセラミ
ックス等の電気絶縁材料より成る基体と、同じくアルミ
ナセラミックス等の電気絶縁材料より成り、前記基体の
搭載部に搭載される半導体素子等の電子部品を収容する
空所を形成するための凹部を有する蓋体とから構成され
ており、基体の搭載部に半導体素子等の電子部品を搭載
固定するとともに該電子部品の各端子を基体に設けた電
源線、グランド線、信号線にボンディングワイヤを介し
電気的に接続し、しかる後、基体上に蓋体を内部に電子
部品を収容するようにしてガラス封止材により接合さ
せ、これによって最終製品としての電子装置が完成す
る。
部に電源線、グランド線、信号線を有し、且つ上面に電
子部品を搭載するための搭載部を有するアルミナセラミ
ックス等の電気絶縁材料より成る基体と、同じくアルミ
ナセラミックス等の電気絶縁材料より成り、前記基体の
搭載部に搭載される半導体素子等の電子部品を収容する
空所を形成するための凹部を有する蓋体とから構成され
ており、基体の搭載部に半導体素子等の電子部品を搭載
固定するとともに該電子部品の各端子を基体に設けた電
源線、グランド線、信号線にボンディングワイヤを介し
電気的に接続し、しかる後、基体上に蓋体を内部に電子
部品を収容するようにしてガラス封止材により接合さ
せ、これによって最終製品としての電子装置が完成す
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
基体や蓋体に使用されているアルミナセラミックスはノ
イズに対するシールド効果が低いこと、及び近時、半導
体素子等の電子部品は高速駆動が行われるようになって
きており、ノイズの影響を極めて受け易いものとなって
きていること等から外部近接位置にノイズ発生源がある
と内部に収容する半導体素子等の電子部品や基体に設け
た信号線にノイズが極めて容易に入り込み、その結果、
前記入り込んだノイズによって半導体素子等の電子部品
に誤動作を発生させてしまうという欠点を有していた。
基体や蓋体に使用されているアルミナセラミックスはノ
イズに対するシールド効果が低いこと、及び近時、半導
体素子等の電子部品は高速駆動が行われるようになって
きており、ノイズの影響を極めて受け易いものとなって
きていること等から外部近接位置にノイズ発生源がある
と内部に収容する半導体素子等の電子部品や基体に設け
た信号線にノイズが極めて容易に入り込み、その結果、
前記入り込んだノイズによって半導体素子等の電子部品
に誤動作を発生させてしまうという欠点を有していた。
【0004】また高速駆動を行う電子部品はそれ自体が
ノイズを発生し易く、電子部品が発生したノイズは他の
装置に入り込んで誤動作等の悪影響を与えるという問題
も有していた。
ノイズを発生し易く、電子部品が発生したノイズは他の
装置に入り込んで誤動作等の悪影響を与えるという問題
も有していた。
【0005】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
でその目的は、内部に収容する電子部品と基板の信号線
とを外部から完全にシールドし、内部に収容する電子部
品を正常、且つ安定に作動させることができる電子部品
収納用パッケージを提供することにある。
でその目的は、内部に収容する電子部品と基板の信号線
とを外部から完全にシールドし、内部に収容する電子部
品を正常、且つ安定に作動させることができる電子部品
収納用パッケージを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、信号線、グラ
ンド線を有し、且つ電子部品を搭載するための搭載部を
有する基体と、該搭載部に搭載される電子部品を内部に
収容するための凹部を有する蓋体とから成り、基体と蓋
体とをガラスから成る封止材を介し取着することによっ
て内部に電子部品を気密に収容するようになした電子部
品収納用パッケージであって、前記基体の信号線をグラ
ンド線で挟み、且つ蓋体の凹部内壁に金属層を被着させ
るとともに該金属層を前記基体のグランド線に電気的に
接続させたことを特徴とするものである。
ンド線を有し、且つ電子部品を搭載するための搭載部を
有する基体と、該搭載部に搭載される電子部品を内部に
収容するための凹部を有する蓋体とから成り、基体と蓋
体とをガラスから成る封止材を介し取着することによっ
て内部に電子部品を気密に収容するようになした電子部
品収納用パッケージであって、前記基体の信号線をグラ
ンド線で挟み、且つ蓋体の凹部内壁に金属層を被着させ
るとともに該金属層を前記基体のグランド線に電気的に
接続させたことを特徴とするものである。
【0007】
【実施例】次に本発明を添付の図面に基づき詳細に説明
する。
する。
【0008】図1及び図2は本発明の電子部品収納用パ
ッケージとして半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージを例に示す図であり、半導体素子収納用パッ
ケージ1は、主に、基体2と蓋体3とから構成されてい
る。
ッケージとして半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージを例に示す図であり、半導体素子収納用パッ
ケージ1は、主に、基体2と蓋体3とから構成されてい
る。
【0009】前記基体2は、概ね四角形の板状の部材で
あり、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、
窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体等の電気
絶縁材料で構成されている。
あり、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、
窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体等の電気
絶縁材料で構成されている。
【0010】また前記基体2の上面中央部には半導体素
子4を搭載する搭載部Aが形成されており、該搭載部A
には半導体素子4が接着剤を介して取着固定されてい
る。
子4を搭載する搭載部Aが形成されており、該搭載部A
には半導体素子4が接着剤を介して取着固定されてい
る。
【0011】尚、前記基体2は例えば、酸化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合、アルミナ(Al2 O3 )、シ
リカ(SiO2 )、カルシア(CaO)、マグネシア
(MgO)等の原料粉末に適当なバインダー、有機溶媒
を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知の
ドクターブレード法を採用することによってセラミック
グリーンシート(セラミック生シート)を得、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温(約160
0℃)の温度で焼成することによって製作される。
ム質焼結体から成る場合、アルミナ(Al2 O3 )、シ
リカ(SiO2 )、カルシア(CaO)、マグネシア
(MgO)等の原料粉末に適当なバインダー、有機溶媒
を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知の
ドクターブレード法を採用することによってセラミック
グリーンシート(セラミック生シート)を得、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温(約160
0℃)の温度で焼成することによって製作される。
【0012】また、前記基体2はその内部及び上下面に
信号線5a及びグランド線5bが被着形成されており、
該信号線5a及びグランド線5bの基体2上面部に導出
する部位には半導体素子4の各電極がボンディングワイ
ヤ6を介して電気的に接続され、また基体2の下面部に
導出する部位には外部リードピン7が銀ロウ等のロウ材
を介し取着されている。
信号線5a及びグランド線5bが被着形成されており、
該信号線5a及びグランド線5bの基体2上面部に導出
する部位には半導体素子4の各電極がボンディングワイ
ヤ6を介して電気的に接続され、また基体2の下面部に
導出する部位には外部リードピン7が銀ロウ等のロウ材
を介し取着されている。
【0013】前記信号線5a及びグランド線5bは半導
体素子4の各電極(信号電極及び電源グランド電極等)
を外部電気回路と接続される外部リードピン7に電気的
に接続させる作用を為し、該信号線5a及びグランド線
5bは、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マ
ンガン(Mn)等の高融点金属粉末により形成されてい
る。
体素子4の各電極(信号電極及び電源グランド電極等)
を外部電気回路と接続される外部リードピン7に電気的
に接続させる作用を為し、該信号線5a及びグランド線
5bは、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マ
ンガン(Mn)等の高融点金属粉末により形成されてい
る。
【0014】前記信号線5a及びグランド線5bは具体
的にはタングステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを基体2とな
るセラミックグリーンシートの表面に予め従来周知のス
クリーン印刷法等の厚膜手法を採用して印刷塗布してお
くことによって基体2の内部及び上下面に被着形成され
る。
的にはタングステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを基体2とな
るセラミックグリーンシートの表面に予め従来周知のス
クリーン印刷法等の厚膜手法を採用して印刷塗布してお
くことによって基体2の内部及び上下面に被着形成され
る。
【0015】また前記信号線5a及びグランド線5bに
取着される外部リードピン7は内部に収容する半導体素
子4の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用を
為し、コバール金属(Fe−Ni−Co合金)や42ア
ロイ(Fe−Ni合金)等の金属を棒状に加工したもの
が使用される。
取着される外部リードピン7は内部に収容する半導体素
子4の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用を
為し、コバール金属(Fe−Ni−Co合金)や42ア
ロイ(Fe−Ni合金)等の金属を棒状に加工したもの
が使用される。
【0016】尚、前記信号線5a及びグランド線5bは
その露出する表面にニッケル、金等から成る耐蝕性に優
れ、且つ良導電性の金属を従来周知のメッキ法により
1.0乃至20.0μm の厚みに層着させておけば信号
線5a及びグランド線5bが酸化腐食して断線等をする
のを有効に防止することができるとともに信号線5a及
びグランド線5bへのボンディングワイヤ6の接続及び
外部リードピンの取着を確実、強個と成すことができ
る。従って、前記信号線5a及びグランド線5bはその
露出する表面にニッケル、金等から成る耐蝕性に優れ、
且つ良導電性の金属を1.0乃至20.0μm の厚みに
層着させておくことが好ましい。
その露出する表面にニッケル、金等から成る耐蝕性に優
れ、且つ良導電性の金属を従来周知のメッキ法により
1.0乃至20.0μm の厚みに層着させておけば信号
線5a及びグランド線5bが酸化腐食して断線等をする
のを有効に防止することができるとともに信号線5a及
びグランド線5bへのボンディングワイヤ6の接続及び
外部リードピンの取着を確実、強個と成すことができ
る。従って、前記信号線5a及びグランド線5bはその
露出する表面にニッケル、金等から成る耐蝕性に優れ、
且つ良導電性の金属を1.0乃至20.0μm の厚みに
層着させておくことが好ましい。
【0017】また同時に前記外部リードピン7の露出表
面にニッケル、金等を従来周知のメッキ法により1.0
乃至20.0μm の厚みに層着させておけば外部リード
ピン7を外部電気回路に確実、且つ強個に接続させるこ
とができる。従って、外部リードピン7の露出表面にも
ニッケル、金等を1.0乃至20.0μm の厚みに層着
させておくことが好ましい。
面にニッケル、金等を従来周知のメッキ法により1.0
乃至20.0μm の厚みに層着させておけば外部リード
ピン7を外部電気回路に確実、且つ強個に接続させるこ
とができる。従って、外部リードピン7の露出表面にも
ニッケル、金等を1.0乃至20.0μm の厚みに層着
させておくことが好ましい。
【0018】前記基体2の内部及び上下面に被着させた
信号線5a及びグランド線5bはまた信号線5aがグラ
ンド線5bに挟まれた状態で基体2に形成されており、
信号線5aを周囲のグランド線5bによって完全にシー
ルドした状態となっている。そのため信号線5aに外部
からノイズが入り込もうとしても該ノイズはグランド線
5bで遮断され、信号線5aにノイズが入り込んで半導
体素子4を誤動作させることはない。
信号線5a及びグランド線5bはまた信号線5aがグラ
ンド線5bに挟まれた状態で基体2に形成されており、
信号線5aを周囲のグランド線5bによって完全にシー
ルドした状態となっている。そのため信号線5aに外部
からノイズが入り込もうとしても該ノイズはグランド線
5bで遮断され、信号線5aにノイズが入り込んで半導
体素子4を誤動作させることはない。
【0019】また前記基体2はその上面に後述する蓋体
3がガラスから成る封止材8を介して接合され、これに
よって基体2と蓋体3とから成る容器内部に半導体素子
4が気密に収容される。
3がガラスから成る封止材8を介して接合され、これに
よって基体2と蓋体3とから成る容器内部に半導体素子
4が気密に収容される。
【0020】前記蓋体3は、酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その下面中
央部に半導体素子4を収容する空所を形成するための凹
部Bが形成された椀状となっている。
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その下面中
央部に半導体素子4を収容する空所を形成するための凹
部Bが形成された椀状となっている。
【0021】前記蓋体3は例えば酸化アルミニウム質焼
結体から成る場合、アルミナ、シリカ、カルシア、マグ
ネシア等に適当なバインダー、有機溶媒を添加混合して
得た原料粉末を所定形状のプレス金型内に充填するとと
もに一定圧力を印加して成形し、しかる後、前記成形品
を約1500℃の温度で焼成することによって製作され
る。
結体から成る場合、アルミナ、シリカ、カルシア、マグ
ネシア等に適当なバインダー、有機溶媒を添加混合して
得た原料粉末を所定形状のプレス金型内に充填するとと
もに一定圧力を印加して成形し、しかる後、前記成形品
を約1500℃の温度で焼成することによって製作され
る。
【0022】また、前記蓋体3はその凹部Bの内壁から
下面の一部にかけて銀 パラジウム等の金属から成る金
属層9が形成されており、該金属層9はその一部を基体
2の上面に形成したグランド線5b上に載置接合させる
ことによってグランド線5bに電気的に接続される。こ
の場合、内部に収容される半導体素子4は基体2に設け
たグランド線5bと該グランド線5bと電気的に接続す
る蓋体3の金属層9とで完全に囲まれてシールドされ、
外部ノイズが蓋体3を介して入り込む、或いは内部に収
容した半導体素子4等から発生するノイズが蓋体3を介
して外部に漏れることは殆ど無くなり、半導体素子収納
用パッケージ1内に収容される半導体素子4をノイズに
関し外部と完全に遮断させることが可能となる。
下面の一部にかけて銀 パラジウム等の金属から成る金
属層9が形成されており、該金属層9はその一部を基体
2の上面に形成したグランド線5b上に載置接合させる
ことによってグランド線5bに電気的に接続される。こ
の場合、内部に収容される半導体素子4は基体2に設け
たグランド線5bと該グランド線5bと電気的に接続す
る蓋体3の金属層9とで完全に囲まれてシールドされ、
外部ノイズが蓋体3を介して入り込む、或いは内部に収
容した半導体素子4等から発生するノイズが蓋体3を介
して外部に漏れることは殆ど無くなり、半導体素子収納
用パッケージ1内に収容される半導体素子4をノイズに
関し外部と完全に遮断させることが可能となる。
【0023】尚、前記金属層9は銀粉末、パラジウム粉
末に適当なバインダー、有機溶媒を添加混合することに
よって得た金属ペーストを蓋体3の凹部B内壁及び下面
一部に従来周知のスクリーン印刷法等により塗布させ、
しかる後、これを900℃の温度で焼き付けることによ
って蓋体3の凹部B内壁及び下面一部に被着される。ま
た前記蓋体3に被着させた金属層9はその露出表面を酸
化アルミニウム、ムライト、窒化アルミニウム、炭化珪
素等の電気絶縁材料から成る被覆層で覆っておくと基体
2に形成した信号線5a及びグランド線5bに半導体素
子4の各電極をボンディングワイヤ6を介して接続する
際、ボンディングワイヤ6の一部が蓋体3に被着させた
金属層9に接触して短絡するのを有効に防止することが
できる。従って、前記蓋体3に被着させた金属層9はそ
の露出表面を電気絶縁材料から成る被覆層で覆っておく
ほうが好ましい。
末に適当なバインダー、有機溶媒を添加混合することに
よって得た金属ペーストを蓋体3の凹部B内壁及び下面
一部に従来周知のスクリーン印刷法等により塗布させ、
しかる後、これを900℃の温度で焼き付けることによ
って蓋体3の凹部B内壁及び下面一部に被着される。ま
た前記蓋体3に被着させた金属層9はその露出表面を酸
化アルミニウム、ムライト、窒化アルミニウム、炭化珪
素等の電気絶縁材料から成る被覆層で覆っておくと基体
2に形成した信号線5a及びグランド線5bに半導体素
子4の各電極をボンディングワイヤ6を介して接続する
際、ボンディングワイヤ6の一部が蓋体3に被着させた
金属層9に接触して短絡するのを有効に防止することが
できる。従って、前記蓋体3に被着させた金属層9はそ
の露出表面を電気絶縁材料から成る被覆層で覆っておく
ほうが好ましい。
【0024】更に前記被覆層はその材質を蓋体3と実質
的に同一材質となしておくと蓋体3と被覆層との間に熱
が印加された際、両者間に両者の膨張係数の相違に起因
した熱応力が殆ど発生せず、被覆層を蓋体3に強個に被
着させて金属層9を常に被覆することができる。従っ
て、前記被覆層は蓋体3と実質的に同一の材質で形成し
ておくことが好ましい。
的に同一材質となしておくと蓋体3と被覆層との間に熱
が印加された際、両者間に両者の膨張係数の相違に起因
した熱応力が殆ど発生せず、被覆層を蓋体3に強個に被
着させて金属層9を常に被覆することができる。従っ
て、前記被覆層は蓋体3と実質的に同一の材質で形成し
ておくことが好ましい。
【0025】また一方、蓋体3を基体2上に接合させる
封止材8は例えば酸化鉛(PbO)75.0重量%、酸
化チタン(TiO2 )10.0重量%、酸化ホウ素(B
2 O3 )5.0重量%、フッ素(F2 )2.0重量%等
を含むガラスから成り、該ガラスから成る封止材8は基
体2と蓋体3とを強固に接合させるとともに基体2と蓋
体3とから成る容器内部への水分等の入り込みを有効に
防止する作用を為す。
封止材8は例えば酸化鉛(PbO)75.0重量%、酸
化チタン(TiO2 )10.0重量%、酸化ホウ素(B
2 O3 )5.0重量%、フッ素(F2 )2.0重量%等
を含むガラスから成り、該ガラスから成る封止材8は基
体2と蓋体3とを強固に接合させるとともに基体2と蓋
体3とから成る容器内部への水分等の入り込みを有効に
防止する作用を為す。
【0026】尚、前記ガラスから成る封止材8は蓋体3
を基体2上に接合させる際の作業性を考慮して予め蓋体
3の下面に枠状に被着されており、ガラス粉末にバイン
ダー、有機溶媒を添加混合することによって得たガラス
ペーストを蓋体3の下面に従来周知のスクリーン印刷法
等により所定厚みに印刷塗布しておくことによって蓋体
3の下面に予め枠状被着される。この場合、枠状の封止
材8はその幅が0.6mm未満であると封止材8を介し
て基体2と蓋体3とを接合させ基体2と蓋体3とから成
る容器内部に半導体素子4を気密に収容する際、容器の
気密封止の信頼性が劣化し、内部に収容する半導体素子
4を長期間にわたり、正常、且つ安定に作動させるのが
困難となる傾向にある。従って、前記枠状の封止材8は
その幅を0.6mm以上としておくことが好ましい。
を基体2上に接合させる際の作業性を考慮して予め蓋体
3の下面に枠状に被着されており、ガラス粉末にバイン
ダー、有機溶媒を添加混合することによって得たガラス
ペーストを蓋体3の下面に従来周知のスクリーン印刷法
等により所定厚みに印刷塗布しておくことによって蓋体
3の下面に予め枠状被着される。この場合、枠状の封止
材8はその幅が0.6mm未満であると封止材8を介し
て基体2と蓋体3とを接合させ基体2と蓋体3とから成
る容器内部に半導体素子4を気密に収容する際、容器の
気密封止の信頼性が劣化し、内部に収容する半導体素子
4を長期間にわたり、正常、且つ安定に作動させるのが
困難となる傾向にある。従って、前記枠状の封止材8は
その幅を0.6mm以上としておくことが好ましい。
【0027】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、基体2の搭載部Aに半導体素子4を取着
搭載した後、半導体素子4の各電極を基体2に形成した
信号線5a及びグランド線5bにボンディングワイヤ6
を介して接続し、最後に基体2の上面に蓋体3を、該蓋
体3の凹部内壁に被着させた金属層9が基体2に形成し
たグランド線5bに電気的に接続するようにしてガラス
から成る封止材8を介して接合させ、基体2と蓋体3か
ら成る容器内部に半導体素子4を気密に封止することに
よって最終製品としての半導体装置となる。
ージによれば、基体2の搭載部Aに半導体素子4を取着
搭載した後、半導体素子4の各電極を基体2に形成した
信号線5a及びグランド線5bにボンディングワイヤ6
を介して接続し、最後に基体2の上面に蓋体3を、該蓋
体3の凹部内壁に被着させた金属層9が基体2に形成し
たグランド線5bに電気的に接続するようにしてガラス
から成る封止材8を介して接合させ、基体2と蓋体3か
ら成る容器内部に半導体素子4を気密に封止することに
よって最終製品としての半導体装置となる。
【0028】尚、本発明は前記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々
の変更は可能であり、例えば上述の実施例では蓋体3に
被着させた金属層を銀 パラジウムの金属粉末で形成し
たが、タングステン、モリブデン等の他の金属粉末で形
成しても良い。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々
の変更は可能であり、例えば上述の実施例では蓋体3に
被着させた金属層を銀 パラジウムの金属粉末で形成し
たが、タングステン、モリブデン等の他の金属粉末で形
成しても良い。
【0029】また、蓋体3に被着させた金属層9と基体
2に形成したグランド線5bとの間にコバール金属等の
金属部材10を挟み両者を電気的に接続するようにして
おけば基体2と蓋体3との間に前記金属部材10によっ
て所定の大きさの間隙が形成され、該間隙内に多量の封
止材8が介入されて基体2と蓋体3とから成る容器の気
密封止が完全となる。従って基体2と蓋体3とから成る
容器の気密封止をより完全なものとするには蓋体3に被
着させた金属層9と基体2に形成したグランド線5bと
の間にコバール等の金属部材10を挟み、基体2と蓋体
3との間に多量の封止材8が介入するような所定間隙が
形成されるようにしておくことが好ましい。
2に形成したグランド線5bとの間にコバール金属等の
金属部材10を挟み両者を電気的に接続するようにして
おけば基体2と蓋体3との間に前記金属部材10によっ
て所定の大きさの間隙が形成され、該間隙内に多量の封
止材8が介入されて基体2と蓋体3とから成る容器の気
密封止が完全となる。従って基体2と蓋体3とから成る
容器の気密封止をより完全なものとするには蓋体3に被
着させた金属層9と基体2に形成したグランド線5bと
の間にコバール等の金属部材10を挟み、基体2と蓋体
3との間に多量の封止材8が介入するような所定間隙が
形成されるようにしておくことが好ましい。
【0030】更に前記実施例では半導体素子収納用パッ
ケージを例にとって説明したが、水晶振動子やSAWフ
ィルター等の他の種類の電子部品を収容するパッケージ
にも適用し得る。
ケージを例にとって説明したが、水晶振動子やSAWフ
ィルター等の他の種類の電子部品を収容するパッケージ
にも適用し得る。
【0031】
【発明の効果】本発明は信号線、グランド線を有し、且
つ電子部品を搭載するための搭載部を有する基体と、該
搭載部に搭載される電子部品を内部に収容するための凹
部を有する蓋体とから成り、基体と蓋体とをガラスから
成る封止材を介し取着することによって内部に電子部品
を気密に収容するようになした電子部品収納用パッケー
ジであって、前記基体の信号線をグランド線で挟み、か
つ蓋体の凹部内壁に金属層を被着させるとともに該金属
層を前記基体のグランド線に電気的に接続させたことか
ら、基体に形成した信号線及びパッケージの内部に収容
する電子部品の両方をグランド線で完全にシールドする
ことができ、その結果、基体に形成した信号線及びパッ
ケージの内部に収容する電子部品に外部ノイズが入り込
むことは一切無く、内部に収容する電子部品を正常、且
つ安定に作動させることが可能となる。
つ電子部品を搭載するための搭載部を有する基体と、該
搭載部に搭載される電子部品を内部に収容するための凹
部を有する蓋体とから成り、基体と蓋体とをガラスから
成る封止材を介し取着することによって内部に電子部品
を気密に収容するようになした電子部品収納用パッケー
ジであって、前記基体の信号線をグランド線で挟み、か
つ蓋体の凹部内壁に金属層を被着させるとともに該金属
層を前記基体のグランド線に電気的に接続させたことか
ら、基体に形成した信号線及びパッケージの内部に収容
する電子部品の両方をグランド線で完全にシールドする
ことができ、その結果、基体に形成した信号線及びパッ
ケージの内部に収容する電子部品に外部ノイズが入り込
むことは一切無く、内部に収容する電子部品を正常、且
つ安定に作動させることが可能となる。
【0032】また同時に内部に収容する電子部品等が発
生するノイズはパッケージの外部に漏れることは無く、
その結果、近接して配置される他の装置に誤動作等の悪
影響を与えることもない。
生するノイズはパッケージの外部に漏れることは無く、
その結果、近接して配置される他の装置に誤動作等の悪
影響を与えることもない。
【0033】更に基体と蓋体は耐湿性に優れたガラスか
ら成る封止材により接合されているため基体と蓋体から
成る容器内部に水分等が入り込むことは一切無く、その
結果、容器内部に収容する電子部品を長期間にわたり正
常、且つ安定に作動させることもできる。
ら成る封止材により接合されているため基体と蓋体から
成る容器内部に水分等が入り込むことは一切無く、その
結果、容器内部に収容する電子部品を長期間にわたり正
常、且つ安定に作動させることもできる。
【図1】本発明の電子部品収納用パッケージを半導体素
子を収容する半導体素子収納用パッケージを例にとって
説明するための断面図である。
子を収容する半導体素子収納用パッケージを例にとって
説明するための断面図である。
【図2】図1に示す半導体素子収納用パッケージの要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
1・・・半導体素子収納用パッケージ 2・・・基体 3・・・蓋体 5a・・信号線 5b・・グランド線 8・・・封止材 9・・・金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/50 G 9272−4M P 9272−4M X 9272−4M
Claims (1)
- 【請求項1】信号線、グランド線を有し、且つ電子部品
を搭載するための搭載部を有する基体と、該搭載部に搭
載される電子部品を内部に収容するための凹部を有する
蓋体とから成り、基体と蓋体とをガラスから成る封止材
を介し取着することによって内部に電子部品を気密に収
容するようになした電子部品収納用パッケージであっ
て、前記基体の信号線をグランド線で挟み、且つ蓋体の
凹部内壁に金属層を被着させるとともに該金属層を前記
基体のグランド線に電気的に接続させたことを特徴とす
る電子部品収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4203646A JPH0653355A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 電子部品収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4203646A JPH0653355A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 電子部品収納用パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0653355A true JPH0653355A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16477495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4203646A Pending JPH0653355A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 電子部品収納用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0653355A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08330474A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-12-13 | Toshiba Corp | 半導体用パッケージ |
JPH11238818A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ |
JP2000058692A (ja) * | 1998-08-14 | 2000-02-25 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 電子部品用パッケージ |
JP2000100983A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ |
JP2001217348A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2001217345A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2002026679A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス用パッケージ |
US6538319B2 (en) | 1997-09-02 | 2003-03-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2003174111A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2018146435A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | セイコーインスツル株式会社 | 赤外線センサ |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4203646A patent/JPH0653355A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08330474A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-12-13 | Toshiba Corp | 半導体用パッケージ |
US6538319B2 (en) | 1997-09-02 | 2003-03-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR100404159B1 (ko) * | 1997-09-02 | 2004-02-05 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 반도체장치 |
JPH11238818A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ |
JP2000058692A (ja) * | 1998-08-14 | 2000-02-25 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 電子部品用パッケージ |
JP2000100983A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ |
JP2001217348A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2001217345A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2002026679A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス用パッケージ |
JP2003174111A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2018146435A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | セイコーインスツル株式会社 | 赤外線センサ |
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