JPH02639Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02639Y2 JPH02639Y2 JP13440785U JP13440785U JPH02639Y2 JP H02639 Y2 JPH02639 Y2 JP H02639Y2 JP 13440785 U JP13440785 U JP 13440785U JP 13440785 U JP13440785 U JP 13440785U JP H02639 Y2 JPH02639 Y2 JP H02639Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pressure cylinder
- inert gas
- hot isostatic
- lid
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B30—PRESSES
- B30B—PRESSES IN GENERAL
- B30B11/00—Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses
- B30B11/001—Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses using a flexible element, e.g. diaphragm, urged by fluid pressure; Isostatic presses
- B30B11/002—Isostatic press chambers; Press stands therefor
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は高圧容器内にヒータと断熱層によつて
囲繞された高温炉室を形成した熱間静水圧プレス
装置(以下HIP装置という)に関する。
囲繞された高温炉室を形成した熱間静水圧プレス
装置(以下HIP装置という)に関する。
(従来の技術)
第4図を参照して、従来、予熱塔にて高温予熱
された被処理体6を、大気に開放されている高圧
容器11内にヒーター5及び断熱層4ごと挿入を
行い、その後、高圧容器11内に残存する大気を
真空引きならびにガス置換を行い炉内の大気を排
除していた。
された被処理体6を、大気に開放されている高圧
容器11内にヒーター5及び断熱層4ごと挿入を
行い、その後、高圧容器11内に残存する大気を
真空引きならびにガス置換を行い炉内の大気を排
除していた。
この種のモジユラー型HIP装置にあつては、予
熱工程時炉内に不活性ガスを流入させるため断熱
層に逆止弁が設けられている。この逆止弁は予
熱、冷去塔から高圧容器11へ移動している間は
塞止状態となり、高圧容器11に設置された時、
高圧容器の上蓋と接触し開口状態となる。
熱工程時炉内に不活性ガスを流入させるため断熱
層に逆止弁が設けられている。この逆止弁は予
熱、冷去塔から高圧容器11へ移動している間は
塞止状態となり、高圧容器11に設置された時、
高圧容器の上蓋と接触し開口状態となる。
容器11内に残存する空気をただちに真空引き
ならびにガス置換にて排除を行うが、完全に排除
するまで10〜30分程の時間がかかり、炉内の耐酸
化性のない材料(例えばモリブデン金属)で構成
されているヒータ5、及び断熱層4に著しい損傷
をもたらす。さらには被処理体へも酸化現象にて
多大な悪影響をもたらす。
ならびにガス置換にて排除を行うが、完全に排除
するまで10〜30分程の時間がかかり、炉内の耐酸
化性のない材料(例えばモリブデン金属)で構成
されているヒータ5、及び断熱層4に著しい損傷
をもたらす。さらには被処理体へも酸化現象にて
多大な悪影響をもたらす。
本考案の目的は、上記の如き実状に鑑み、HIP
装置の容器内の空気を不活性ガスに置換すること
により、ヒータ及び断熱層を耐酸化性のない材料
で構成することを可能とし、装置の作製を容易な
らしめることにある。
装置の容器内の空気を不活性ガスに置換すること
により、ヒータ及び断熱層を耐酸化性のない材料
で構成することを可能とし、装置の作製を容易な
らしめることにある。
本考案の他の目的は、予熱工程を含むHIP処理
を安定して行うことが出来、真空引きの工程を省
略することが出来るし、したがつて大幅なサイク
ルタイムの短縮を可能とすることにある。
を安定して行うことが出来、真空引きの工程を省
略することが出来るし、したがつて大幅なサイク
ルタイムの短縮を可能とすることにある。
本考案によれば、縦に配設された両端開孔の高
圧シリンダと、該高圧シリンダの上下両端の開口
を密封する上蓋及び下蓋とを含み、上記上蓋は被
処理体を収容する断熱層内に不活性ガスを導入す
るためのガス導入孔を有し、上記高圧シリンダの
内側で上記被処理体に熱間静水圧プレス処理を施
す装置において、上記ガス導入孔に接続された多
数の噴出孔を有するガス噴出板を上記上蓋に取り
付け、該噴出孔を通して不活性ガスを上記高圧シ
リンダ内に流入させ、上記高圧シリンダ内の大気
を不活性ガスにて置換するようにしたことを特徴
とする熱間静水圧プレス装置が得られる。
圧シリンダと、該高圧シリンダの上下両端の開口
を密封する上蓋及び下蓋とを含み、上記上蓋は被
処理体を収容する断熱層内に不活性ガスを導入す
るためのガス導入孔を有し、上記高圧シリンダの
内側で上記被処理体に熱間静水圧プレス処理を施
す装置において、上記ガス導入孔に接続された多
数の噴出孔を有するガス噴出板を上記上蓋に取り
付け、該噴出孔を通して不活性ガスを上記高圧シ
リンダ内に流入させ、上記高圧シリンダ内の大気
を不活性ガスにて置換するようにしたことを特徴
とする熱間静水圧プレス装置が得られる。
以下、本考案のHIP装置を実施例にもとづいて
説明する。
説明する。
先ず第1図を参照して、図示のHIP装置は、縦
に配設された両端開口の高圧シリンダ1を含んで
いる。高圧シリンダ1の上下両端の開口は上蓋2
及び下蓋3にて密封されている。上蓋2はガス導
入孔2aを有している。ガス導入孔2aにはガス
配管7が接続されている。なお高圧シリンダ1は
その内径が320mm、その高さが1350mmのものであ
る。
に配設された両端開口の高圧シリンダ1を含んで
いる。高圧シリンダ1の上下両端の開口は上蓋2
及び下蓋3にて密封されている。上蓋2はガス導
入孔2aを有している。ガス導入孔2aにはガス
配管7が接続されている。なお高圧シリンダ1は
その内径が320mm、その高さが1350mmのものであ
る。
下蓋3の上面には、断熱層4及びヒータ5が設
けられている。断熱層4の上面には逆止弁8が設
けられている。逆止弁8は通常は閉止状態にある
が、高圧シリンダ1の内部にセツトされたときに
は、上蓋2に設けた突部2bにて開放される。断
熱層4の内側に位置した処理体6は、熱間静水圧
プレス処理に際し、ガス配管7、ガス導入孔2
a、及び逆止弁8を通して導入されるガスに曝さ
れ、かつヒータ5にて加熱される。
けられている。断熱層4の上面には逆止弁8が設
けられている。逆止弁8は通常は閉止状態にある
が、高圧シリンダ1の内部にセツトされたときに
は、上蓋2に設けた突部2bにて開放される。断
熱層4の内側に位置した処理体6は、熱間静水圧
プレス処理に際し、ガス配管7、ガス導入孔2
a、及び逆止弁8を通して導入されるガスに曝さ
れ、かつヒータ5にて加熱される。
さらに、上蓋2の下面にはガス噴出板9が設け
られている。ガス噴出板9は、第2図をも参照し
て、ガス導入孔2aに連通した直径3mmの多数の
ガス噴出孔9aを下面に有したものである。これ
らのガス噴出孔9aを通して不活性ガスを高圧シ
リンダ1内に流速0.5m/secで流入させることが
できるようになつている。なお10は圧力フレー
ムである。
られている。ガス噴出板9は、第2図をも参照し
て、ガス導入孔2aに連通した直径3mmの多数の
ガス噴出孔9aを下面に有したものである。これ
らのガス噴出孔9aを通して不活性ガスを高圧シ
リンダ1内に流速0.5m/secで流入させることが
できるようになつている。なお10は圧力フレー
ムである。
次にHIP処理の手順を、予熱・モジユラー型
HIP装置システムを示す第3図をも用いて説明す
れば下記の様になる。
HIP装置システムを示す第3図をも用いて説明す
れば下記の様になる。
取出し、積載ステーシヨン13にて、下蓋3上
に試料(被処理体6)を積載し、予熱塔12a,
12b,12cへ移動し、300℃〜1000℃の温度
で予熱を行う。この時炉内は大気圧より若干高め
(1.2〜1.5Kg/cm2)の圧力の不活性ガス雰囲気と
なつている。予熱工程の終了した試料6は、高圧
容器11に移動するため、予熱塔12aから断熱
層4及びヒータ5と一体にて引き抜かれる。この
場合、炉内は高温状態であるため、断熱層4の上
部に取付けられている逆止弁8(第1図)が塞止
状態となつたまま移動する。
に試料(被処理体6)を積載し、予熱塔12a,
12b,12cへ移動し、300℃〜1000℃の温度
で予熱を行う。この時炉内は大気圧より若干高め
(1.2〜1.5Kg/cm2)の圧力の不活性ガス雰囲気と
なつている。予熱工程の終了した試料6は、高圧
容器11に移動するため、予熱塔12aから断熱
層4及びヒータ5と一体にて引き抜かれる。この
場合、炉内は高温状態であるため、断熱層4の上
部に取付けられている逆止弁8(第1図)が塞止
状態となつたまま移動する。
台車14が高圧容器11の真下に移動した時、
リミツトスイツチ(図示せず)が働き、高圧容器
11内の上蓋底部に設置されているガス噴出板9
(第1図)より不活性ガスが流出する。このため
開口し大気雰囲気O2濃度は約1000ppmとなつてい
た高圧容器11内は不活性ガスにて置換されて
O2濃度が5ppm以下となる。なお不活性ガスとし
てはアルゴンガス又は窒素ガスが用いられる。
リミツトスイツチ(図示せず)が働き、高圧容器
11内の上蓋底部に設置されているガス噴出板9
(第1図)より不活性ガスが流出する。このため
開口し大気雰囲気O2濃度は約1000ppmとなつてい
た高圧容器11内は不活性ガスにて置換されて
O2濃度が5ppm以下となる。なお不活性ガスとし
てはアルゴンガス又は窒素ガスが用いられる。
台車上の試料6はエレベータにより高圧容器1
1内に挿入される。この時、逆止弁8(第1図)
の先端が高圧容器底部に接触する位置まで上昇し
た時、リミツトスイツチにより不活性ガスの噴出
が停止する。ガス噴出の停止は、昇降台車への負
荷をさけるため高圧シリンダー1と下蓋3とがシ
ールされる前に行う必要がある。
1内に挿入される。この時、逆止弁8(第1図)
の先端が高圧容器底部に接触する位置まで上昇し
た時、リミツトスイツチにより不活性ガスの噴出
が停止する。ガス噴出の停止は、昇降台車への負
荷をさけるため高圧シリンダー1と下蓋3とがシ
ールされる前に行う必要がある。
下蓋3が完全に高圧容器11の下部に装着され
た後圧力フレーム10が移動し高圧容器11の上
蓋2、及び下蓋3を固定する。
た後圧力フレーム10が移動し高圧容器11の上
蓋2、及び下蓋3を固定する。
本考案のHIP装置によれば、炉内の大気雰囲気
が完全に除去され、大気の真空引きの工程は必要
ない。従つて熱の放散を阻止することが出来、大
幅なサイクルタイムの短縮が可能となるととも
に、炉内を構成している耐酸化性のないモルブデ
ン金属材料等の損傷を容易に防止することが可能
となる。
が完全に除去され、大気の真空引きの工程は必要
ない。従つて熱の放散を阻止することが出来、大
幅なサイクルタイムの短縮が可能となるととも
に、炉内を構成している耐酸化性のないモルブデ
ン金属材料等の損傷を容易に防止することが可能
となる。
さらに本考案のHIP装置は、予熱、モジユラー
型HIP装置の欠点を克服するとともに、操業面に
おける実効を奏するものでありHIP処理の実用性
を促すこと大である。
型HIP装置の欠点を克服するとともに、操業面に
おける実効を奏するものでありHIP処理の実用性
を促すこと大である。
第1図は本考案による熱間静水圧プレス装置の
一実施例を示す構成説明図、第2図は第1図に使
用されたガス噴出板の底面図、第3図は予熱・モ
ジユラー型HIP装置システムの全容を示す説明
図、第4図は熱間静水圧プレス装置の一般例の構
成説明図である。 1……高圧シリンダー、2……上蓋、2a……
ガス導入孔、3……下蓋、4……断熱層、5……
ヒータ、6……被処理体、9……ガス噴出板、9
a……ガス噴出孔、10……圧力フレーム、12
a,12b,12c……予熱・冷却塔。
一実施例を示す構成説明図、第2図は第1図に使
用されたガス噴出板の底面図、第3図は予熱・モ
ジユラー型HIP装置システムの全容を示す説明
図、第4図は熱間静水圧プレス装置の一般例の構
成説明図である。 1……高圧シリンダー、2……上蓋、2a……
ガス導入孔、3……下蓋、4……断熱層、5……
ヒータ、6……被処理体、9……ガス噴出板、9
a……ガス噴出孔、10……圧力フレーム、12
a,12b,12c……予熱・冷却塔。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 縦に配設された両端開孔の高圧シリンダと、
該高圧シリンダの上下両端の開口を密封する上
蓋及び下蓋とを含み、上記上蓋は被処理体を収
容する断熱層内に不活性ガスを導入するための
ガス導入孔を有し、上記高圧シリンダの内側で
上記被処理体に熱間静水圧プレス処理を施す装
置において、上記ガス導入孔に接続された多数
の噴出孔を有するガス噴出板を上記上蓋に取り
付け、該噴出孔を通して不活性ガスを上記高圧
シリンダ内に流入させ、上記高圧シリンダ内の
大気を不活性ガスにて置換するようにしたこと
を特徴とする熱間静水圧プレス装置。 2 不活性ガスがアルゴンガスである実用新案登
録請求の範囲第1項記載の熱間静水圧プレス装
置。 3 不活性ガスが窒素ガスである実用新案登録請
求の範囲第1項記載の熱間静水圧プレス装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13440785U JPH02639Y2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13440785U JPH02639Y2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6243299U JPS6243299U (ja) | 1987-03-16 |
JPH02639Y2 true JPH02639Y2 (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=31035622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13440785U Expired JPH02639Y2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02639Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9278909B2 (en) | 2003-05-05 | 2016-03-08 | Designer Molecules, Inc. | Amide-extended crosslinking compounds and methods for use thereof |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP13440785U patent/JPH02639Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9278909B2 (en) | 2003-05-05 | 2016-03-08 | Designer Molecules, Inc. | Amide-extended crosslinking compounds and methods for use thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6243299U (ja) | 1987-03-16 |
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