JPH0263307B2 - - Google Patents
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- JPH0263307B2 JPH0263307B2 JP14163285A JP14163285A JPH0263307B2 JP H0263307 B2 JPH0263307 B2 JP H0263307B2 JP 14163285 A JP14163285 A JP 14163285A JP 14163285 A JP14163285 A JP 14163285A JP H0263307 B2 JPH0263307 B2 JP H0263307B2
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- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 20
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体製造装置のウエーハプロセス、特にドラ
イエツチングに使用される真空処理装置等に具え
られ被処理物体を保持する静電吸着装置に関し、 冷却機構を有する基体と、該基体上部のウエハ
と密着する上部絶縁層と、前記基体側に位置する
下部絶縁層と、該下部絶縁層と上部絶縁層との間
に介入される少なくとも一対の吸引電極とを有
し、前記上部絶縁層を酸化アルミニウム充填ゴム
とし、前記下部絶縁層を上部絶縁層より厚い窒化
硼素充填ゴムとすることにより、 表面と基体との間の熱伝導性を高めると共に被
処理物体と表面との密着性を確保して、被処理物
体と基体との間の熱伝導性を向上させたものであ
る。
イエツチングに使用される真空処理装置等に具え
られ被処理物体を保持する静電吸着装置に関し、 冷却機構を有する基体と、該基体上部のウエハ
と密着する上部絶縁層と、前記基体側に位置する
下部絶縁層と、該下部絶縁層と上部絶縁層との間
に介入される少なくとも一対の吸引電極とを有
し、前記上部絶縁層を酸化アルミニウム充填ゴム
とし、前記下部絶縁層を上部絶縁層より厚い窒化
硼素充填ゴムとすることにより、 表面と基体との間の熱伝導性を高めると共に被
処理物体と表面との密着性を確保して、被処理物
体と基体との間の熱伝導性を向上させたものであ
る。
本発明は、静電吸着装置、特に保持する物体と
の間に良い熱伝導性が求められる静電吸着装置に
関す。
の間に良い熱伝導性が求められる静電吸着装置に
関す。
物体を保持（チヤツキング）する手段には、通
常機械的方法によるメカニカルチヤツクが用いら
れるが、それが困難または望ましくない場合に
は、真空チヤツク、静電チヤツク（静電吸着装
置）などが用いられる。
常機械的方法によるメカニカルチヤツクが用いら
れるが、それが困難または望ましくない場合に
は、真空チヤツク、静電チヤツク（静電吸着装
置）などが用いられる。
特に静電吸着装置が有用な場合として、半導体
装置製造のウエーハプロセスが挙げられる。例え
ば、ドライエツチング、イオン注入、CVD、蒸
着などの工程は、真空処理装置を用い真空もしく
は極めて低圧下で処理するため、真空吸引を利用
する真空チヤツクではウエーハの保持が困難であ
る。
装置製造のウエーハプロセスが挙げられる。例え
ば、ドライエツチング、イオン注入、CVD、蒸
着などの工程は、真空処理装置を用い真空もしく
は極めて低圧下で処理するため、真空吸引を利用
する真空チヤツクではウエーハの保持が困難であ
る。
また、処理作用の発熱によるウエーハ温度上昇
を抑える必要がある場合があり、この場合はウエ
ーハを保持面に密着させることが望ましくメカニ
カルチヤツクではその目的達成が困難である。
を抑える必要がある場合があり、この場合はウエ
ーハを保持面に密着させることが望ましくメカニ
カルチヤツクではその目的達成が困難である。
これに対し静電吸着装置は、静電引力を利用す
るもので真空中でも機能し、然もウエーハの略全
面を吸着するので保持面に密着させるのに有利で
ある。
るもので真空中でも機能し、然もウエーハの略全
面を吸着するので保持面に密着させるのに有利で
ある。
このことから真空吸着装置は、ウエーハの温度
上昇を抑える必要のある真空処理装置に重用され
ているが、装置の性能を高めるため上記温度上昇
抑制能を一層高めることが望まれている。
上昇を抑える必要のある真空処理装置に重用され
ているが、装置の性能を高めるため上記温度上昇
抑制能を一層高めることが望まれている。
第２図は静電吸着装置を具えた真空処理装置例
であるドライエツチング装置の要部を示す側断面
図である。
であるドライエツチング装置の要部を示す側断面
図である。
第２図において、１は作用ガスＧを導入するガ
ス導入口１ａと排気用の排気口１ｂを具えた真空
処理室、２は被処理物体なるウエーハＷを保持す
る静電吸着装置、３はウエーハＷを挟んで静電吸
着装置２に対向する放電電極、４は静電吸着装置
２と放電電極３との間に放電をなさしめる高周波
電源、である。
ス導入口１ａと排気用の排気口１ｂを具えた真空
処理室、２は被処理物体なるウエーハＷを保持す
る静電吸着装置、３はウエーハＷを挟んで静電吸
着装置２に対向する放電電極、４は静電吸着装置
２と放電電極３との間に放電をなさしめる高周波
電源、である。
ドライエツチングは、ウエーハＷを静電吸着装
置２に保持させ、真空処理室１内を減圧にした
後、所定のガス雰囲気にし静電吸着装置２と放電
電極３との間に高周波による放電をなさせて行
う。
置２に保持させ、真空処理室１内を減圧にした
後、所定のガス雰囲気にし静電吸着装置２と放電
電極３との間に高周波による放電をなさせて行
う。
この際一般に、エツチングはウエーハＷの表面
に対して選択的に行うため、ウエーハＷの表面に
はパターニングされたレジスト膜が被着されてい
る。一方エツチング作用はウエーハＷ表面に発熱
を伴う。このためエツチング中は耐熱性の弱いレ
ジスト膜の温度が過大にならぬようウエーハＷの
温度上昇を例えば100℃程度に抑える必要があり、
静電吸着装置にそのその機能が要求される。
に対して選択的に行うため、ウエーハＷの表面に
はパターニングされたレジスト膜が被着されてい
る。一方エツチング作用はウエーハＷ表面に発熱
を伴う。このためエツチング中は耐熱性の弱いレ
ジスト膜の温度が過大にならぬようウエーハＷの
温度上昇を例えば100℃程度に抑える必要があり、
静電吸着装置にそのその機能が要求される。
第３図はその機能を果たす従来の静電吸着装置
２の要部構成を示す平面図ａと側断面図ｂであ
る。
２の要部構成を示す平面図ａと側断面図ｂであ
る。
第３図において、５は熱伝導性の良い金属例え
ばアルミニウムなどからなる基体、５ａは基体５
内に組み込まれ冷水を通すことにより基体５を冷
却する冷却機構、６は例えば厚さ約20μmの銅膜
からなり基体５上にあつて対をなす吸引電極、７
は厚さ約300μmの酸化アルミニウム（Al2O3）充
填ゴム例えばシリコンゴムにAl2O3粉末（重量比
で、シリコンゴム：Al2O3の粉末＝１：３〜７程
度）を略均一に分散させたもの（具体例として信
越化学製熱伝導ゴムTC−Ａ）からなり基体５と
吸引電極６との間を絶縁する下部絶縁層、８は下
部絶縁層と同じ材料からなり厚さ約200μmで吸引
電極６の上面を絶縁する上部絶縁層、９は対をな
す吸引電極６に例えば3000V程度の直流電圧を印
加する直流電源である。
ばアルミニウムなどからなる基体、５ａは基体５
内に組み込まれ冷水を通すことにより基体５を冷
却する冷却機構、６は例えば厚さ約20μmの銅膜
からなり基体５上にあつて対をなす吸引電極、７
は厚さ約300μmの酸化アルミニウム（Al2O3）充
填ゴム例えばシリコンゴムにAl2O3粉末（重量比
で、シリコンゴム：Al2O3の粉末＝１：３〜７程
度）を略均一に分散させたもの（具体例として信
越化学製熱伝導ゴムTC−Ａ）からなり基体５と
吸引電極６との間を絶縁する下部絶縁層、８は下
部絶縁層と同じ材料からなり厚さ約200μmで吸引
電極６の上面を絶縁する上部絶縁層、９は対をな
す吸引電極６に例えば3000V程度の直流電圧を印
加する直流電源である。
上部絶縁層８上にウエーハＷを載置し吸引電極
６に上記直流電圧を印加すると、ウエーハＷは静
電引力によりその略全面が吸引電極６に吸引さ
れ、上部下部絶縁層８，７が有する弾性の作用と
相俟つて、ウエーハＷの下面は多少の曲がりや凹
凸などがあつても全面が上部絶縁層８に密着す
る。
６に上記直流電圧を印加すると、ウエーハＷは静
電引力によりその略全面が吸引電極６に吸引さ
れ、上部下部絶縁層８，７が有する弾性の作用と
相俟つて、ウエーハＷの下面は多少の曲がりや凹
凸などがあつても全面が上部絶縁層８に密着す
る。
従つて、この静電吸着装置２は、ウエーハＷと
上部絶縁層８間の熱伝達障壁となる空隙の発生を
防ぎ、上部絶縁層８、吸引電極６、下部絶縁層７
を介して基体５がウエーハＷの熱を吸収し、ウエ
ーハＷの温度上昇を抑制する。
上部絶縁層８間の熱伝達障壁となる空隙の発生を
防ぎ、上部絶縁層８、吸引電極６、下部絶縁層７
を介して基体５がウエーハＷの熱を吸収し、ウエ
ーハＷの温度上昇を抑制する。
第２図図示エツチング装置は、エツチング速度
が前述の放電に与えられる放電電力に対応し、放
電電力が大きい程速度が速くなるので、処理効率
を上げるため放電電力の増大化が望まれている。
が前述の放電に与えられる放電電力に対応し、放
電電力が大きい程速度が速くなるので、処理効率
を上げるため放電電力の増大化が望まれている。
然し放電電力が大きい程ウエーハＷ表面の発熱
も増大するため、放電電力の上限は、静電吸着装
置２のウエーハＷに対する温度上昇抑制能に左右
される。このため、放電電力を更に大きくするた
めには上記温度上昇抑制能を更に向上させた静電
吸着装置を使用する必要がある。
も増大するため、放電電力の上限は、静電吸着装
置２のウエーハＷに対する温度上昇抑制能に左右
される。このため、放電電力を更に大きくするた
めには上記温度上昇抑制能を更に向上させた静電
吸着装置を使用する必要がある。
本発明はこのような問題を解決して、ウエーハ
との密着性を確保しつつ熱伝導性を改善した静電
吸着装置を提供することを目的とする。
との密着性を確保しつつ熱伝導性を改善した静電
吸着装置を提供することを目的とする。
第１図は本発明による静電吸着装置の実施例の
要部構成を示す平面図ａと側断面図ｂである。
要部構成を示す平面図ａと側断面図ｂである。
上記問題点は、第１図に示される如く、冷却機
構を有する基体５と、基体５上部のウエハと密着
する上部絶縁層８と、基体５側に位置する下部絶
縁層７ａと、下部絶縁層７ａと上部絶縁層８との
間に介入される少なくとも一対の吸引電極６とを
有する静電吸着装置であり、上部絶縁層８は酸化
アルミニウム充填ゴムであり、下部絶縁層７ａは
前記上部絶縁層８より厚い窒化硼素充填ゴムであ
る本発明の静電吸着装置によつて解決される。
構を有する基体５と、基体５上部のウエハと密着
する上部絶縁層８と、基体５側に位置する下部絶
縁層７ａと、下部絶縁層７ａと上部絶縁層８との
間に介入される少なくとも一対の吸引電極６とを
有する静電吸着装置であり、上部絶縁層８は酸化
アルミニウム充填ゴムであり、下部絶縁層７ａは
前記上部絶縁層８より厚い窒化硼素充填ゴムであ
る本発明の静電吸着装置によつて解決される。
第３図に示す従来例においては、上部および下
部絶縁層７，８の材料に、Al2O3の充填によつて
熱伝導度を大きくしたAl2O3充填ゴムを使用して
熱伝導性を高め、前述の温度上昇抑制能を得てい
る。
部絶縁層７，８の材料に、Al2O3の充填によつて
熱伝導度を大きくしたAl2O3充填ゴムを使用して
熱伝導性を高め、前述の温度上昇抑制能を得てい
る。
本静電吸着装置においては、下部絶縁層７に相
当する７ａの材料に、Al2O3より熱伝導度の大き
なBNの充填によつてAl2O3充填ゴムより熱伝導
度を大きくしたBN充填ゴムを使用して熱伝達性
を高め、従来例より上記温度上昇抑制能を向上さ
せている。
当する７ａの材料に、Al2O3より熱伝導度の大き
なBNの充填によつてAl2O3充填ゴムより熱伝導
度を大きくしたBN充填ゴムを使用して熱伝達性
を高め、従来例より上記温度上昇抑制能を向上さ
せている。
なお、上部絶縁層８の材料をBN充填ゴムにし
ないのは、BN充填ゴムの硬度がAl2O3充填ゴム
より高く、物体なるウエーハＷを密着させるのに
難があるからである。
ないのは、BN充填ゴムの硬度がAl2O3充填ゴム
より高く、物体なるウエーハＷを密着させるのに
難があるからである。
そして上記温度上昇抑制能の向上分は、例えば
第２図図示ドライエツチング装置における放電電
力の増大化に振り向けることが出来るものであ
り、その分ドライエツチング装置の性能を向上さ
せる。
第２図図示ドライエツチング装置における放電電
力の増大化に振り向けることが出来るものであ
り、その分ドライエツチング装置の性能を向上さ
せる。
以下第１図を用い本発明による静電吸着装置の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
第１図に示す静電吸着装置２ａは、第３図図示
従来例における下部絶縁層７を厚さ約600μmの
BN充填ゴム例えばシリコンゴムにBN粉末（重
量比で、シリコンゴム：BN粉末＝１：２〜４程
度）を略均一に分散させたもの（具体例として信
越化学製熱伝導ゴムTC−BG）からなる下部絶
縁層７ａに替えたもので、その他は従来例と変わ
らない。
従来例における下部絶縁層７を厚さ約600μmの
BN充填ゴム例えばシリコンゴムにBN粉末（重
量比で、シリコンゴム：BN粉末＝１：２〜４程
度）を略均一に分散させたもの（具体例として信
越化学製熱伝導ゴムTC−BG）からなる下部絶
縁層７ａに替えたもので、その他は従来例と変わ
らない。
下部絶縁層７ａの厚さを従来の７（厚さ約
300μm）より厚くしたのは、吸引電極６と基体５
との間の耐電圧を確保するためと、BN充填ゴム
の硬度増大分を補償するためのもので、ウエーハ
Ｗの密着性は従来と変わらず、然も下部絶縁層の
厚さが厚くなつたにもかかわらず、ウエーハＷと
基体５との間の熱伝導性は従来の約1.5倍になつ
ている。
300μm）より厚くしたのは、吸引電極６と基体５
との間の耐電圧を確保するためと、BN充填ゴム
の硬度増大分を補償するためのもので、ウエーハ
Ｗの密着性は従来と変わらず、然も下部絶縁層の
厚さが厚くなつたにもかかわらず、ウエーハＷと
基体５との間の熱伝導性は従来の約1.5倍になつ
ている。
そしてこの静電吸着装置２ａを第２図図示ドラ
イエツチング装置に使用した場合、従来の静電吸
着装置２を使用した場合に比較して、ウエーハＷ
の温度上昇が同じになるようにした際の放電電力
は約1.5倍になり、エツチングの処理効率が大幅
に増大した。
イエツチング装置に使用した場合、従来の静電吸
着装置２を使用した場合に比較して、ウエーハＷ
の温度上昇が同じになるようにした際の放電電力
は約1.5倍になり、エツチングの処理効率が大幅
に増大した。
なお以上の従来例および実施例においては、ウ
エーハＷの温度上昇抑制の場合を示したが、本発
明の静電吸着装置は、その原理からして、基体５
の温度制御により被処理物体の温度を制御する際
にも従来より優れて機能することが容易に理解出
来る。
エーハＷの温度上昇抑制の場合を示したが、本発
明の静電吸着装置は、その原理からして、基体５
の温度制御により被処理物体の温度を制御する際
にも従来より優れて機能することが容易に理解出
来る。
以上説明したように、本発明の構成によれば、
半導体装置製造のウエーハプロセスに使用される
真空処理装置などに具えられ被処理物体を保持す
る静電吸着装置において、被処理物体との密着性
を確保しつつ被処理物体と静電吸着装置基体との
間の熱伝導性を向上させることが出来て、例えば
ドライエツチング装置の処理効率を向上させるな
ど静電吸着装置を使用する装置の性能向上を可能
にさせる効果がある。
半導体装置製造のウエーハプロセスに使用される
真空処理装置などに具えられ被処理物体を保持す
る静電吸着装置において、被処理物体との密着性
を確保しつつ被処理物体と静電吸着装置基体との
間の熱伝導性を向上させることが出来て、例えば
ドライエツチング装置の処理効率を向上させるな
ど静電吸着装置を使用する装置の性能向上を可能
にさせる効果がある。
第１図は本発明による静電吸着装置の実施例の
要部構成を示す平面図ａと側断面図ｂ、第２図は
静電吸着装置を具えた真空処理装置例の要部を示
す側断面図、第３図は従来の静電吸着装置の要部
構成を示す平面図ａと側断面図ｂ、である。 図において、１は真空処理室、２，２ａは静電
吸着装置、３は放電電極、４は高周波電源、５は
基体、５ａは冷却機構、６は吸引電極、７，７ａ
は下部絶縁層、８は上部絶縁層、９は直流電源、
である。
要部構成を示す平面図ａと側断面図ｂ、第２図は
静電吸着装置を具えた真空処理装置例の要部を示
す側断面図、第３図は従来の静電吸着装置の要部
構成を示す平面図ａと側断面図ｂ、である。 図において、１は真空処理室、２，２ａは静電
吸着装置、３は放電電極、４は高周波電源、５は
基体、５ａは冷却機構、６は吸引電極、７，７ａ
は下部絶縁層、８は上部絶縁層、９は直流電源、
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 冷却機構を有する基体５と 該基体５上部のウエハと密着する上部絶縁層８
と、 前記基体５側に位置する下部絶縁層７ａと、 該下部絶縁層７ａと上部絶縁層８との間に介入
される少なくとも一対の吸引電極６とを有する静
電吸着装置であり、 前記上部絶縁層８は酸化アルミニウム充填ゴム
であり、前記下部絶縁層７ａは前記上部絶縁層８
より厚い窒化硼素充填ゴムであることを特徴とす
る静電吸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14163285A JPS622632A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14163285A JPS622632A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 静電吸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622632A JPS622632A (ja) | 1987-01-08 |
| JPH0263307B2 true JPH0263307B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15296552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14163285A Granted JPS622632A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622632A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2521471B2 (ja) * | 1987-05-14 | 1996-08-07 | 富士通株式会社 | 静電吸着装置 |
| JPS6417792U (ja) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | ||
| JPH0227748A (ja) * | 1988-07-16 | 1990-01-30 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置及びその作成方法 |
| JPH02214533A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
| JPH10158815A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Nissin Electric Co Ltd | 静電チャック用被保持物配置部材及びその製造方法並びに静電チャック |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14163285A patent/JPS622632A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS622632A (ja) | 1987-01-08 |
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