JPS6417792U - - Google Patents

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JPS6417792U
JPS6417792U JP11307487U JP11307487U JPS6417792U JP S6417792 U JPS6417792 U JP S6417792U JP 11307487 U JP11307487 U JP 11307487U JP 11307487 U JP11307487 U JP 11307487U JP S6417792 U JPS6417792 U JP S6417792U
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electrostatic holding
thermal conductivity
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の実施例の構成図、第２図、
第３図、第４図はこの考案のそれぞれ異なる実施
例の断面図、第５図は従来技術による構成を示す
断面図である。 １，１１……絶縁性基板、２，３，１２，１３
……薄膜電極、４，２０……被覆、５……物体、
２１……絶縁性厚膜。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 絶縁性基板上に少なくとも一対の電極とそ
    の電極に対する被覆とを設けてその被覆上の物体
    を前記の電極間の静電界のもたらす吸引力で保持
    固定する装置において、被覆が弾性に富む緻密な
    電気絶縁性材料よりなることを特徴とする静電保
    持装置。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項記載の装置
    において、弾性に富む緻密な電気絶縁性材料がエ
    ラストマーであることを特徴とする静電保持装置
    。 (3) 実用新案登録請求の範囲第１項記載の装置
    において、弾性に富む緻密な電気絶縁性材料が軟
    質樹脂であることを特徴とする静電保持装置。 (4) 実用新案登録請求の範囲第１項から第３項
    までのいずれかに記載の装置において、絶縁性基
    板がセラミクスよりなることを特徴とする静電保
    持装置。 (5) 実用新案登録請求の範囲第１項から第３項
    までのいずれかに記載の装置において、絶縁性基
    板が硬質樹脂よりなることを特徴とする静電保持
    装置。 (6) 実用新案登録請求の範囲第１項から第３項
    までのいずれかに記載の装置において、絶縁性基
    板が熱伝導率の高い材料よりなることを特徴とす
    る静電保持装置。 (7) 実用新案登録請求の範囲第６項記載の装置
    において、熱伝導率の高い材料が窒化ボロンであ
    ることを特徴とする静電保持装置。 (8) 実用新案登録請求の範囲第１項から第７項
    までのいずれかに記載の装置において、絶縁性基
    板が熱伝導率のきわめて高い材料の板上に形成さ
    れることを特徴とする静電保持装置。 (9) 実用新案登録請求の範囲第８項記載の装置
    において熱伝導率のきわめて高い材料の板が冷媒
    の流路を備えることを特徴とする静電保持装置。 (10) 実用新案登録請求の範囲第８項記載の装置
    において熱伝導率のきわめて高い材料の板が冷却
    用のフインを備えることを特徴とする静電保持装
    置。 (1) 実用新案登録請求の範囲第８項から第１０
    項までのいずれかに記載の装置において熱伝導率
    のきわめて高い材料の板が金属板であることを特
    徴とする静電保持装置。
JP11307487U 1987-07-23 1987-07-23 Pending JPS6417792U (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5242975B2 (ja) * 1972-09-29 1977-10-27
JPS622632A (ja) * 1985-06-28 1987-01-08 Fujitsu Ltd 静電吸着装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5242975B2 (ja) * 1972-09-29 1977-10-27
JPS622632A (ja) * 1985-06-28 1987-01-08 Fujitsu Ltd 静電吸着装置

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