JPH0261895A

JPH0261895A - 光記憶素子

Info

Publication number: JPH0261895A
Application number: JP63213086A
Authority: JP
Inventors: Teruhisa Kanbara; 神原　輝寿; Shigeo Kondo; 繁雄近藤
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1988-08-26
Filing date: 1988-08-26
Publication date: 1990-03-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、光照射により出力電圧が変化し、かつ光照射
後もこの出力電圧を維持することにより入力された光信
号を電気信号として記憶し、またこれに光照射後戻化し
た出力信号と逆の電圧を印加することにより記憶された
光信号を消去する機能を有する光記憶素子、および入力
された光信号を二次元的な画像信号として記憶し、複数
の端子より前記画像信号を電気信号として出力すること
のできる光記憶素子に関するものである。

従来の技術従来、光照射の強弱により出力電圧が変化することを利
用し、これを映像信号として取り出す素子として、固体
撮像素子ＣＯＤ　（ＣＨＡＲＧＥＣＯＵＰＬＥＤ　　Ｄ
ＥＶＩＣＥ）等の物カアッタ。

発明が解決しようとする課題しかしながら、ＣＣＤなど従来の素子は、光照射の際に
のみ映像信号を出力し、光照射を停止すると信号出力も
停止するものであり、光照射を停止した後も信号出力を
維持する、つまり画像信号を記憶する機能は有していな
い。

課題を解決するための手段光透過性基体、必要に応じて透明電極、光半導体、第１
電極、固体電解質、第２電極を順次積層することにより
光記憶素子を作成し、前記光半導体に光を照射すること
により光半導体の内部で電子とホールを生成し、これに
より前記第１電極と第２電極で電気化学反応を生じさせ
、第１電極、固体電解質、第２電極からなる二次電池部
分を充電させる。これにより、照射した光信号を化学エ
ネルギーとして第１電極、第２電極に蓄えることにより
メモリー状態を得ることが出来る。またそのとき、第１
電極と第２電極の間の電圧を読み取ることにより、入力
された光情報を知ることが出来る。

作用光透過性基体を通じて光半導体に光半導体材料のバンド
ギャップより大きいエネルギーを有する光を照射すると
、光半導体において伝導帯では励起電子が、また価電子
帯ではホールが生成される。

このとき、透明電極と第２電極とを電気的に短絡すると
、この電子及びホールの作用により第１電極及び第２電
極ではそれぞれ特定の電気化学反応が発生し、この反応
により第１電極と第２電極間の電圧が変化する。この第
１電極と第２電極間の電圧は第１電極、固体電解質、第
２電極により構成される二次電池の起電圧に相当し、光
照射を停止した後もそのまま維持されるものである。ま
た第１電極と第２電極に対して、これとは逆の電圧の印
加、あるいは電気的に短絡することにより、光照射によ
り生じた電気化学反応とは逆の電気化学反応を第１電極
および第２電極で起こさせることができ、これにより第
１電極と第２電極の間に発生する電圧を光が照射される
以前の電圧に再び戻す事が出来る。この操作を繰り返す
と、本素子は再記録可能な光記憶素子として機能するこ
とになる。

また、固体電解質として厚さ方向つまり第１電極と第２
電極との向きに対しイオン導電性が優れた固体電解質異
方性イオン伝導体を用いると、先に述べた光照射により
生ずる電気化学反応は固体電解質が異方性を有するため
横方向には広がりにり＜、光半導体面に於て光が照射さ
れた局所的な範囲を中心としてこの反応は停まる。そこ
で第１電極及び第２′Ｉｌｉ極を複数のマｌ−ＩＪフッ
クス状配置すると、光照射により電気化学反応が生じた
局所的な部分と暗状態の部分とを、そこから取り出され
る電圧により判別することが出来、また、出力電圧の高
低により二次元的な画像信号として記憶することが出来
る。

実施例以下、本発明の素子について詳細に説明する。

第１図は本発明の素子の概略図である。図中１は光透過
性基体、２は透明電極、３は光半導体、４は第１電極、
５は固体電解質、６は第２電極、７はパッジベージロン
膜である。光透過性基体１を構成する材料は、ソーダガ
ラス、石英ガラス等の無機ガラス、あるいはポリイミド
、ポリサルホンなどの光透過性を有する有機材料を使用
することが出来る。光半導体としては、照射光の波長強
度より小さいバンドギャップを有するものが使用される
。例えば入力光信号として可視光領域の光を用いるとき
には、光半導体材料のバンドギャップは１．０から２．
５ｅＶ程度のもの例えば、Ｓｉ＋アモルファスシリ：ｙ
７Ｓ　Ｌ　　Ｚｎ５ｅｓ　　ＺｎＴｅ１ＣｄＳ＋　　Ｃ
ｄＳｅ１　ＣｄＴｅ＋　　ＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ（０≦
Ｘ≦１）＋　　ＧａＡＳ＋−ｘＰｘ　（０≦Ｘ≦１）ｌ
Ａ　Ｉ　Ｓ　ｂｚ　　Ｉ　ｎ　Ｐ＋　　ＭＯ８２１ＭＯ
Ｓ　Ｃ２＋　　ＷＳ２、ＷＳ　Ｃ２，Ｍｘ　Ｉ　ｎ　Ｓ
２（Ｍ＝　ＣｕまたはＡｇ、Ｏ＜Ｘ＜１）、ＭｘＩｎＳ
ｅ２（Ｍ＝ＣｕまたはＡｇ。

０＜Ｘ＜１）等を使用することが出来、また紫外光のみ
を選択的に入力光信号として捉えたいときには、ＺｎＳ
１　ＧａＮ５　　ＳｉＣ等のバンドギャップのより大き
いものを主体とし、これらのＰ型、Ｎ型、あるいはＰ−
１１Ｎ−１，Ｐ−Ｉ−Ｎ接合型のものを選択することが
出来る。また様々な波長の光が混成して照射されるとき
には、必要とする波長により光半導体材料のバンドギャ
ップを選択することで、逆に記憶すべき入射信号を選択
することも出来る。また異なるバンドギャップの光半導
体材料により作成した複数個の光記憶素子や、光透過性
基体として相異なる特定波長領域の光のみを透過させる
ものを用い作成した光記憶素子を二次元的に配置した複
合素子を形成することも可能であり、これにより、波長
を限定することにより作成した複数情報光信号の記憶素
子として機能させることも可能となる。

また、本素子の光照射に対する応答速度は、本素子の構
成要素である固体電解質のイオン伝導度により大きく影
響をうける。本素子の機能目的を考えるとイオン伝導度
は少なくとも１（１’ｓ／ａｍ程度のものが好ましく、
このようなイオン伝導度を有する固体電解質としては、
ＲｂＣ１−ＣｕＣ１−ＣｕＩ系やＣｕ　Ｉ　−Ｃｕ２０
　　Ｍｏ　Ｏｓ系の結晶状及びガラス状銅イオン導電性
固体電解質物、又は、Ｒｂｌ−ＡｇＩ系やＡ　ｇ　Ｉ　
−Ａ　ｇ２０−Ｂａ０３系の結晶状及びガラス状銀イオ
ン導電性固体電解質物を用いることが出来る。

また、本素子は画像信号の記憶素子としても用いること
が出来、そのときは画像信号を２次元的に分解する必要
が有り、このためには、入力画像信号の分解能に応じた
分解能を有する異方性固体電解質を使用する必要が有る
。例えば１ｃｍＸＩＣｍの大きさの入力画像信号を１０
０μｍＸ１００μｍの画素に分解するときは、１ブロツ
クが５０μｍ×５０μｍ程度の大きさの異方性固体電解
質を用い、縦横それぞれ１００×１００個の端子を取り
出すことにより、画像としての記憶が可能となる。

また、上述の固体電解質を用いて素子を構成したとき、
第１及び第２電極を構成する材料は固体電解質との界面
に於て可逆的に電気化学反応を起こす必要が有るため、
例えば固体電解質として銅イオン導電性固体電解質を用
いた場合は、ＣｕＸ５１ＣｕｘＴ　ｉ　Ｓ２、　ＣＬＩ
ＸＮ　ｂ　Ｓ２や、　ＣｕｘＭＯｅＳｓで示される銅シ
ェブレル相化合物やカーボンが、また固体電解質として
銀イオン導電性固体電解質を用いた場合は、Ａ　ｇｘＴ
　ｉ　Ｓ２、Ａ　ｇｘＮ　ｂ　Ｓ２や、Ａ　ｇ　ｘ　Ｍ
　Ｏａ　Ｓ　ｓで示される銀シェブレル相化合物やカー
ボン等を用いることが出来る。更に、透明電極としては
、酸化インジウム、酸化スズ、金よりなる透明電極が用
いられ、必要に応じてこれらに白金を付けることも可能
である。

以下、本発明の詳細な実施例を用い具体的に説明する。

（実施例１）第２図は、本発明の実施例である光記憶素子の断面図で
ある。第１図における光透過性基体１に対応するものと
して大きさｌ　Ｑ　Ｘ　１０．ｍｍ１　　厚さ０．１ｍ
ｍのガラスよりなるものを用い、前記基体８上に酸化イ
ンジウムを主体としてなる透明電極を蒸着し、透明電極
層９とした。さらに前記透明電極の上に第１図の光半導
体３として、まずアモルファスシリコンをＣＶＤ法によ
り厚さ０．０４μｍ形成した後、不純物としてホウ素を
ドープしＰ型半導体層１０を、更に連続して前記ＣＶＤ
法によりＩ型アモルファスシリコンＪｌｌｌｔ−０゜４
μｍ形成した２層構造の光半導体を用いた。光半導体層
１０とした。引きつずき前記アモルファスシリコン層上
にＲＦスパッタ法を用いてＣｕａＭｏａｓａで示される
銅シェブレル相化合物を厚さ１μｍ形成し第１電極層１
２とした。つぎに前記第１電極層の上にＲｂ　Ｃｕ４Ｉ
　１．７６Ｃ１３，２ｓで表される固体電解質層１２を
真空蒸着法により５μｍ形成した。更に前記固体電解質
層上に前記第１電極と同一のシェブレル相化合物を前記
ＲＦスパッタ法を用いて厚さ１μｍ形成し第２電極層１
４とし、最後にスパッタ法により酸化ジルコニウムで全
体をコートシハッシベーシロン層１５とすることで、本
実施例の光記憶素子とした。

以上のようにして作成した本実施例の光記憶素子に対し
て、波長５１５（ｎｍ）の単色光を用いて様々の照射強
度を有する光を照射したときの、第１電極１２と第２電
極１４より取り出される出力電圧を測定したものが第３
図である。なお、出力信号の測定は、透明電極２と第２
電極６とを短絡させた後、光照射時間を１秒間行ない、
その後１０秒間の休止を、した後、第１電極と第２電極
との電圧を測定した。この結果、本実施例の光記憶素子
は照射光の強度により連続的に変化しており、その照射
光の強度を記憶する機能を有していることが判明した。

言うことが出来る。また出力信号の消去は第１電極１２
と第２電極１４とを１０秒間短絡することで消去するこ
とが出来た。

次ぎに前記実施例の光記憶素子に対して、波長５１５（
ｎｍ）の単色光を用いて照射強度を１ｍＷ／ｃＩ１１２
で一定とし、照射時間を変化させたときの出力電圧を測
定した。その結果を第４図に示した。

この結果から、本実施例の光記憶素子は照射光の照射時
間により連続的に変化しており、その照射光の照射時間
の記憶機能を果たしていることが明かで、入力された光
信号は電極間の電圧を測定することにより検出すること
が出来た。なお出力信号は、第１電極１２と第２電極１
４とを１０秒間短絡することで消去することが出来た。

実施例（２）−（９）実施例１では、光半導体としてＰ−Ｉ接合型アモルファ
スシリコン、電極材料として銅シェブレル相化合物Ｃｕ
２Ｍ０ｅＳ＊、固体電解質として結晶伏の銅イオン伝導
性固体電解質Ｒｂ　ＣＬ１２　Ｉ　１．７６Ｃ１３２６
を用いたが、これらの構成材料以外に上記実施例で記載
した材料を用いても同様の機能を有する光記憶素子を容
易に作成することが出来る。

以下、様々な構成材料を用いて実施例１と同様にして光
記憶素子を作成した。それぞれの素子の構成材料を表１
、またその出力特性を表２及び３に示す。表２に示した
電圧の測定は、まず素子作成直後、暗所において電極１
と電極２を１ｏ分間短絡した後、表２に記載した種々の
波長を有する照射強度１ｍＷ／ａｍ２の単色光源を用い
、それぞれ光照射を１秒間行ない、１０秒間の休止後、
第１電極と第２電極の間に発生する電圧を測定した。ま
た、表３は上記試験で光照射を１０秒間としたときのも
のである。なお、実施例（２）から（９）の素子は、構
成材料が異なる以外その大きさ及び構成は全て実施例（
１）の素子のものと同一である。またその製膜方法は、
光半導体であるＩｎＰはＣＶＤ法、Ｐ−Ｎ接合型ＧａＡ
ｓはＭＯＣＶＤ法により製膜した後それぞれ亜鉛及びイ
オウをドープすることによりＰ−Ｎ接合型にしたもの、
ＺｎＳ−Ｃｄ５は真空蒸着法により連続的に作成した。

第１電極の構成材料である銅及び銀は真空蒸着法、固体
電解質材料のＣｕ　Ｉ−ＣＬ１２０−Ｍｏ　Ｏ３、Ａｇ
ｌ−Ａｇ２０−Ｂ２Ｏ２はＲＦスッパタ法、Ｒｂ　Ａ　
ｇ　ａ　Ｉ　ｓは真空蒸着法、また第２電極材料のＴｉ
Ｓ２及びＮ　ｂ　Ｓ　２はプラズマＣＶＤ法、ＮｂＳｅ
２、ＡｇＭｏａＳｅ、Ｃｕ４Ｍ０ａＳｓはＲＦスッパタ
法を用いて作成した。

表２及び表３を見ると分かるように実施例（２）−（９
）の光記憶素子はそれぞ特定波長領域の光に対して、光
記憶素子としての機能を有していた。

実施例１０光半導体としてＣｄ５−ＣｄＴｅ接合型、第１電極に銀
、固体電解質としてＡ　ｇ　Ｉ　−Ａ　ｇ　２０−　Ｂ
２Ｏ３で示されるガラス状銀イオン導電性固体電解質を
用いて光記憶素子を作成した。その断面を第５図に示す
。光透過性基体として大きさ５０×５０ｍｍ１　厚さ２
ｍｍのガラス１６を用い、前記基体上に光半導体として
Ｃｄ５１７及びＣｄＴｅ１８を設けた。それぞれの光半
導体は、次ぎのように作成した。まずＣｄＳをスクリー
ン印刷した後、赤外線乾燥炉内で１２０°Ｃの温度で乾
燥、その後、窒素雰囲気中６９０℃で焼成し、厚さ２５
μｍの薄膜を形成した直後、ＣｄＴｅも同様に上記スク
リーン印刷法により印刷し、上記赤外線乾燥炉内で１２
０°Ｃの温度で乾燥した後、窒素雰囲気中５８０℃で焼
成し厚さ１０μｍの薄膜を形成した。

このようにして作成した光半導体層に接触するように第
１電極を形成した。第１電極は、銅を微量含有するカー
ボンペーストをスクリーン印刷法により１０μｍの膜厚
で印刷、その後上記赤外線乾燥炉内で１２０’Ｃの温度
で乾燥した後、微量の酸素を含む窒素雰囲気中４００℃
で熱処理を行ない第１電極１９を形成した。つずいてＡ
ｇＩ　−Ａｇ２０−　Ｂ　２０３で表される固体電解質
を前記スクリーン印刷法により５０μｍ形成した後、全
体を乾燥窒素雰囲気中１３０°Ｃでアニールし固体電解
質層２０とした。さらに前記固体電解質層上に第２電極
としてＡｇ＠、＋Ｎｂ５ｇで表される電極材料をスクリ
ーン印刷法により１０μｍの膜厚で印刷、その後上記赤
外線乾燥炉内で１２０℃の温度で乾燥し、第２電極２１
とし、ひきつずき、前記第２電極と電気的接触を保つよ
うに、Ｉ　ｎｓ　　Ａ　ｇｌ　　を含有するカーボンペ
ーストをスクリーン印刷しリード端子２２とした。最後
に、パッシベーション膜としてエポキシ樹脂２３により
全体をコートし本実施例の光記憶素子とした。

このようにして作成した光記憶素子に対して、実施例（
２）−（９）と同一の評価試験を行なった。その結果を
前記表１．　２．　３に示した。得ら表１表３表２れた結果より分かるように、明かに本実施例の素子も特
定波長領域の照射光に対して光記憶素子としての機能を
何することが分かる。

なを、本実施例では特定波長の照射光に対する特性のみ
を記載したが、例えば２８８　ｎ　ｍ、　　３５５　ｎ
ｍ、　　８００　ｎ　ｍの３種類波長の光信号が重複さ
れた光信号が加えられても、このような３種類の波長光
に対して、２８８　ｎｍの光に対してのみ機能する実施
例９の光記憶素子、３５５ｎｍの光に対してのみ機能す
る実施例１−ゐ光記憶素子、８００ｎｍの光に対しての
み機能する実施例１０の光記憶素子を同一面に配置する
と、この複数情報光信号にたいする光記憶素子として機
能することは言うまでもない。

同様に、実施例１の素子、実施例７の素子のガラス基体
上に７００ｎｍより短波長側の光を吸収するフィルター
を接着した素子、実施例１の素子のガラス基体上に４５
０ｎｍより短波長側の光を吸収するフィルターを接着し
た素子の３種類の素子を組み合わせた物を作成すると、
３５０　ｎ　ｒｒｈ５１５ｎｍ１８００ｎｍの３種類の
波長の光により構成された複数情報光信号の記憶素子と
して機能することも言うまでもない。

実施例１１次ぎに、第１電極と第２電極をマトリックス状に二次元
的に配置し、かつ固体電解質として厚さ方向つまり第１
電極から第２電極への方向に対して伝導性が優れた異方
性固体電解質を用いて、二次元的な画像信号を記憶する
素子を作成した。

第６図は、本発明の実施例である画像記憶素子の断面図
である。大きさ５０　Ｘ　５０　ｍ　ＩＮ　　厚さ２ｍ
ｍのガラスを光透過性基体２４として、前記基体上に酸
化インジウムを主体としてなるＩＴＯを蒸着し透明電極
２５を実施例１と同様構成した。

さらに前記透明電極の上にアモルファスシリコンをＣＶ
Ｄ法により厚さ０．０４μｍ形成した後、不純物として
ホウ素をドープしＰ型半導体特性を与え、更に連続して
前記ＣＶＤ法によりＩ型アモルファスシリコン層を０．
　４μｍ形成してなる光半導体層２６を形成した。引き
つずき前記１型アモルファスシリコン層上に前記ＩＴＯ
電極を幅０゜５　ｍ　ｆＴｈ　相互の間隔０．５ｍｍｔ
　厚さ５μｍの形状で平行に４０本作成し第１電極群２
７とした。

次ぎにＲｂ　Ｃｕ４Ｉ　１．？６Ｃ１３，ａｓで表され
る固体電解質とスチレンブタジェン共重合体ゴムにより
形成された厚さ１０１１ｍの異方性固体電解質シートを
前記第１電極群上に設置し固体電解質層２８とした。な
お、この異方性固体電解質シートの作成方法は、発明者
の特許出願昭和６１−２２３１０１における実施例１に
示した作成方法を用い、１ブロツクの大きさは約２μｍ
である。この後、ＲＦスパッタ法を用いてＣｕａＭＯｅ
Ｓｓで示されるシェブレル相化合物を前記第１電極群と
直行する向きに幅０．５ｍｍ１相互の間隔０．５ｍｍ１
　厚さ５μｍの形状で平行に４０本作成し第２電極群２
９とした最後にＲＦスッパタ法により酸化ジルコニウム
で全体をコートしパッジベージロン層３０とし、本実施
例の画像記憶素子とした。なを、３１は第２電極群との
リードを取るための端子群であり、前記ＩＴＯよりなる
ものである。

このようにして作成した画像記憶素子の出力電圧は、光
照射のないときは、ＩＴＯ／固体電解質／　Ｃｕ　２　
Ｍ　Ｏ６３ｓよりなる電位記憶部分の起電圧３００（ｍ
Ｖ）がＩＴＯ電極を正として得られた。これに光照射を
行なうとＩＴＯ電極側では銅の析出反応、Ｃｕ２Ｍ０６
Ｓｅ電極側では銅のデインターカレーションが起こり、
最終的には金属銅とＭ　ｏ　ａ　Ｓ、との電位差５２０
（ｍＶ）がＩＴＯ電極を負として得られる。また記憶信
号の消去は前記第１電極を正、第２電極を負として３０
０（ｍＶ）以上の逆電圧を印加することにより消去する
ことが出来た。

本光記憶素子の二次元的な画像信号に対する応答を確認
するため、以下に示す測定を行なった。

波長５１５　（ｎｍ）、照射強度１ｍＷ／ｃｍ２の単色
光を１秒間素子に照射した。照射光の形状は第７図に示
したように幅２ｍｍの十字型の物とし、照射光の中心を
素子の受光部分の中心に位置を合わせた。測定は、照射
後１秒間の休止後に前記第１及び第２電極群より入力画
像信号として対照的な位置にあるＡｌＢ、　　Ｃ，Ｄの
４箇所の出力電圧を測定しその結果を第１電極側を正と
して第９図−に示した。これから分かるように光が照射
された部分の出力電圧のみ光照射の前後で正負が反転し
ており、二次元的な画像信号を記憶させることが出来た
。

さらに本素子の画像信号の記憶および逆電圧印加による
記憶信号の消去の応答速度を確認するため、前記光源と
同一のものを用いて、１秒間の光照射の後、１秒間の休
止を行ないその後、第１及び第２電極間の電圧測定を行
ない、１秒間の４００　（ｍＶ）の逆電圧印加を行なう
サイクルを繰り返したときの、第８図におけるＡｌＢ、
　　Ｃ，Ｄポイントの電圧を前記第９図に記録した。こ
の結果本光記憶素子は１砂丘度の間隔で変化する二次元
的な画像を電気信号として処理する機能を有しているこ
とが判明した。

また、本実施例で用いた構成材料に限らず、実施例（１
）−（１０）に示した材料で構成し、本実施例の素子の
構成のように電極１及び２をマトリックス状に配置すれ
ば、同様に画像信号の記憶素子としての機能を有するこ
とは言うまでもない。

更に、機能波長領域の異なる単一素子を複数個組み合せ
ることで複数画像信号の記憶素子としての機能を有する
ことは言うまでもない。

発明の効果本発明に従えば、書換可能な光記憶素子を作製すること
が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光記憶素子の概略図、第２
図は同光記憶素子の断面図、第３図及び第４図同光記憶
素子の出力を示した特性図、第５図は本発明の実施例１
０の断面図、第８図は本発明の実施例１１の光記憶素子
の断面図、第７図は照射光の形状図、第８図は特性図で
ある。１・・光透過性基体、２・・透明電極、３・・光半導体
、４・・第１電極、５・・固体電解質、６・・第２電極
、７・・パッジベージロン膜、８・・ガラス基体、９・
・ＩＴＯ透明ＩＫ！、１０・・Ｐ型アモルファスシリコ
ン、１１・・Ｉ型アモルファスシリコン、１２・・第１
電極、１３・・固体電解質、１４・・第２電極、１５・
・パッシベーション膜、　１６・・ガラス基体、１７−
ＣｄＳｍ、　　１８・・ＣｄＴｅ層、　１９・・第１電
極、２０・・固体電解質、２１・・第２電極、２２−エ
ポキシコート、２３・・リード端子、２４・・ガラス基
体、２５・・透明電極、２６・・光半導体層、２７・・
第１電極群、２８・・固体電解質層、２９・・第２電ｉ
群、３０・・パッジベーン８フ層、３１・・リード端子
群。代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第１図第図 ′０．ｌ１１２ θ、６０．８／ＭＩＴ潴ｇ　（ｗｒＷ／ｃｒｎｌ！ジ第図第図０．２０．６乙８／照璽竹針■ （ｆ））第図第図麻図 θ Ｏ４θ 乙θ ｇ。／θＯプイグ・少数

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光透過性基体、必要に応じて透明電極、光半導体
、前記光半導体と電気的接触する第１電極、固体電解質
、第２電極を順次積層してなり、前記光半導体に光を照
射することにより、前記第１電極と前記第２電極間の電
圧を変化させ、光照射を停止した後も前記変化後の電圧
を維持することにより光信号を電気信号として記憶する
ことを特徴とする光記憶素子。
（２）請求項４において、光半導体に光を照射し、第１
電極と第２電極間の電圧を変化させ、前記照射光を電気
信号として記憶した後、前記第１電極と前記第２電極間
に発生している電圧とは逆の電圧を印加、あるいは前記
第１電極と前記第２電極とを電気的に短絡することによ
り前記記憶信号を消去することを特徴とする光記憶素子
。
（３）請求項１または２において、光透過性基体として
特定波長領域の光のみを透過させるものを用い、これに
より前記特定波長領域の光に対してのみ動作することを
特徴とする光記憶素子。
（４）請求項３において、動作波長領域の相異なる複数
個の光記憶素子を二次元的に配置することにより、波長
を限定することにより合成された複数情報光信号の光記
憶素子として機能することを特徴とする光記憶素子。
（５）請求項１または２において、異なるバンドギャッ
プの光半導体材料により作成した複数個のものを二次元
的に配置することにより、波長を限定することにより合
成された複数情報光信号の光記憶素子として機能するこ
とを特徴とする光記憶素子。
（６）請求項１、２、３、４または５において、第１電
極及び第２電極は、共に複数個よりなる帯状構造を有し
、かつ、第１電極及び第２電極はお互いに交差してなる
ことを特徴とする光記憶素子。
（７）請求項１、２、３、４、５または６において、固
体電解質は異方性固体電解質であることを特徴とする光
記憶素子。
（８）請求項１、２、３、４、５、６または７において
、固体電解質は銅イオン導電性固体電解質あるいは銀イ
オン導電性固体電解質であることを特徴とする光記憶素
子。
（９）請求項１、２、３、４、５、６または７において
、固体電解質はガラス状銅イオン導電性固体電解質ある
いはガラス状銀イオン導電性固体電解質であることを特
徴とする光記憶素子。