JPS63271984A - 光メモリ、光記録方法および光メモリの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光メモリ、光記録方法および光メモリの製法に
関する。さらに詳しくは、メモリの書き込みは光照射に
よるメモリ媒体の電気特性の変化を用いて行ない、記憶
されたデータはメモリ媒体にバイアスを印加することに
より消去される光メモリ、記録方法および光メモリの製
法に関する。

［従来の技術および発明が解決しようとする課題］ 従来より、光メモリは画像入力、画像記録などのデータ
保存に広く用いられている。

これらの従来の光メモリのうちＣｄ５５ｅＳＳなどのカ
ルコゲン原子を含む化合物を利用した光メモリが、くり
返して書き込みおよび消去が可能なので多用されている
。カルコゲン化合物を利用した光メモリでは、レーザに
よりデータの書き込みおよび消去が行なわれる。しかし
なから、これらのカルコゲン化合物を用いた光メモリは
メモリの書き込みおよび消去に際し、レーザ装置を機械
的にスキャンしなければならない。

さらに光メモリ中に使われているカルコゲン化合物は、
レーザによるくり返し加熱によって疲労してしまい、ま
た数時間しか書き込まれたデータを保持することができ
ない。

また、基板上に非晶質半導体のドーピングモジュレーテ
ッド多層膜を形成し、その多層膜の表面にふたつの電極
を設けたコブラナー型の光メモリも提案されている。こ
のコブラナー型光メモリは多層膜の面に対して垂直方向
のポテンシャルバリアを外部から制御できないために、
デバイスを加熱する以外メモリを消去することができな
い。さらに電極が多層膜の面に対して水平方向に配置さ
れているので、記録密度が低い。

本発明は光の照射による電気特性の変化により情報を記
録することができ、加熱することなしにバイアスを印加
することにより情報を消去することができる新しい光メ
モリを提供することを目的とする。

また、本発明はレーザを用いなくともデータの書き込み
および消去ができるので、デバイスの全面に同時にデー
タを書き込むことができる新しい光メモリを提供するこ
とを目的とする。

さらに、本発明は書き込まれた、または記録されたメモ
リの保持が長時間にわたり可能な新しい光メモリを提供
することを目的とする。

さらにまた、本発明は大面積、かつ記録密度の高い新し
い光メモリの生産を可能ならしめることを目的とする。

本発明の一実施例によれば、光メモリデバイスにより情
報の記録が行なわれる。特定の周波数を有する光の照射
により第１の電気特性から第２の電気特性に長期にわた
り変化し、そしてバイアスを印加することによって第１
の電気特性に戻るメモリ媒体が利用されている。複数の
電極がメモリ媒体に連結されており、それらのうち少な
くともひとつは透光性である。電極はメモリ媒体が透明
電極と少なくとも他の複数の電極のひとつとではさまれ
るように配置される。

他の実施例においては、メモリ媒体はドーピングモジュ
レーテッド多層膜非晶質半導体からなる。

【実施例］ 添付の図面と以下の説明によって本発明が、その目的と
有効性とともに理解できるであろう。

第１図は本発明の光メモリの一実施例の概略断面図、第
２ａ図および第２ｂ図は本発明のデバイスへの照射と、
暗所での測定のために光からデバイスをシールドしたこ
とをそれぞれ示す概略説明図、第３図は本発明の光メモ
リの一実施例の光照射によるコンダクタンスの増加を示
す図、第４図は光照射による電流の増加率と測定バイア
ス電圧との関係を示す図、第５図は本発明の光メモリの
一実施例がバイアス印加と加熱により低コンダクタンス
に戻ることを示す図である。

゛第１図は本発明の光メモリデバイス（至）の一実施例
の概略断面図である。光メモリデバイス（財）は基板０
１）からなりその上面には電極（１２］が設けられてい
る。第１図に示されるように、電極０２）は非晶質半導
休日の底面に連結されており、また電極０４）は非晶質
半導体■の上面に連結されている。

第１図に示される実施例において、電極のうち少なくと
もひとつ、たとえば電極（１４）は透光性を有している
。非晶質半導体ｎはｐ層、ｎ層を交互に積層させたドー
ピングモジュレーテッド多層膜（以下、単に「多層膜」
という）である。

多層膜にはまた超格子構造であってもよい。マルチメモ
リデバイス哨は、単一の大きな半導体エレメント上に多
数のメモリセルを形成している単一の多層膜非晶質半導
体エレメントに上に形成してもよい。

本実施例における、非晶質半導体としては、たとえば水
素と８１、Ｇｅ、　Ｓｎ％Ｃなどの■族元素の少なくと
も１種とからなる非晶質半導体や、微結晶を含む非結晶
質半導体、すなわちａ−８１：Ｉｔ　％ａ−８ｉＣ：Ｉ
（、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ，ａ−８ｉＳｎ：ＩＩ、ａ−８Ｉ
Ｎ：Ｈ。

および微結晶化したａ−８１：　Ｈ５ａ−９ＩＣ：Ｉ（
。

ａ−８ＩＧｅ：ｔｌ、　ａ−ＳｉＳｎ：ｔｌ、ａ−８ｉ
ｌｌ：ＩＩ（ａ−は非晶質金属を示す）などを用いるこ
とができる。

分子半導体など他の半導体を用いることも可能である。

多層膜０はｐｎｐｎ＠・・−・・ｐｎｐというドーピン
グモジュレーテッド構造の繰り返しでもよいし、または
ｐｌｎｐｌｎ・・・・・・ｐｉｎｐというドーピングモ
ジュレーテッド構造の繰返しでもよいし、またこれと同
様なドーピングモジュレーテッド構造の繰り返しでもよ
い。ここに、ＰはＰ型半導体、ｌはドープされていない
半導体からなる絶縁体、ｎはｎ型半導体をあられしてい
る。ｐ層、ｎ層の好ましい厚さは、バンドギャップ、バ
ンド間の状態密度、フェルミ準位などにより異なる。

非晶質半導体は、ｎ層に対しては燐のようなＶ族の元素
を用い、ｐ層に対しては硼素のような■族の元素を用い
てドーピングすればよい。

本実施例では、たとえばａ−８１：Ｈ（ガス比：ＰＨｓ
　／　５ｉＨ４−Ｂ２Ｈｅ　／　５ＩＨ４＝　１０−’
　）からなる非晶質半導体であるｐ層、ｎ層の厚さは２
００〜１０００人が好ましいが５０〜２５００人の範囲
であってもよい。ｐ層またはｎ層の厚さが５０人よりか
なり小さいばあい、ｐｎ界面のポテンシャルバリアが小
さくなりチャージセパレーションの効果が低下すること
がある。一方５０００人を超えるばあいはデバイス（１
０）に対するメモリの書き込み、消去の効果が低下した
り、製造時間が長くなったりする。１０００人を超える
１層を有するデバイスを作製することも可能ではあるが
、１層の厚さは通常３〜１０００人であるのが好ましい
。

ｐ層とｎ層の組み合せによるメモリデバイス（ト）は何
層でもよいが、本実施例においては合計３〜ｔｏｏｏ層
が好ましい。３層未満だとポテンシャル井戸が形成され
ないためメモリ効果が期待できない。ｐ層およびｎ層を
交互に周期的に６層以上積層させてポテンシャル井戸の
数を増加させることによってメモリ効果を最大にするこ
とができる。このメモリ効果はｎ層よりｐ層を１層多く
（たとえば、ｐ層＝９層、ｎ層二８層）することにより
さらに改良される。すなわち、この組み合せにより閉じ
たポテンシャル井戸の数が最大になりメモリ効果が最大
になる。

厚さのバラツキによる過大な測定誤差なしにコンダクタ
ンスを正確に測定するためにはある程度の厚さが必要な
ので、多層膜の全厚さは約１０００人〜約１０μ−であ
るのが好ましい。

ｐ層、１層、ｎ層の組み合せによるメモリデバイス（至
）においては層の合計数は、５〜１０００層であるのが
好ましい。層の合計数が５層未満だと最大メモリ効果を
うるための充分なポテンシャル井戸が形成されない。１
０００層を超えるばあい、製造時間がかかり製造コスト
が増加する。

ｐｉｎ型多型膜層膜厚さは、１０００〜１０００００人
であるのが好ましい。

基板０１）は本発明においてとくに限定されるものでは
なく、多種多様な材料を用いることができるが、電極お
よび（または）半導体が容易に付着する剛性のある材料
であるのが好ましく、具体的にはガラス、サファイア、
耐熱性高分子フィルム、セラミックなどを用いることが
できる。

第１図に示される実施例においては、電極０２）、（１
４１のうち少なくとも一方は、電極から半導体へ光が透
過することができる透光性導電材料、たとえば５１１０
２．５ｎ０２　：Ｆ、　　ＩＴＯ（酸化インジュウムス
ズ）　、ＺｎＯ、５ｎ０２　（半導体側）とＩＴＯとの
組み合せなどで作製されている。透光性を有しない電極
には、よく知られている適当な導電性材料、たとえば代
表的にはＡｕ、　Ｐｔｓ　Ｐｂ、　Ｎｉ、Ｃｒｓ　　Ｃ
ｏ、Ｍｇ、、ＡＩ％　　Ａｇ、　　Ｎｏ、ＴｕｌＦｅｓ
　　Ｗｓ　　Ｃｕまたはこれらの合金（たとえばステン
レス、ニクロム）などの金属が用いられる。これらの中
でＡｇ。

００％　ＡＩが高反射率であり光の内部反射を増加せし
めるので好ましい。半導体と電極、とりわけ金属電極と
のあいだに導電性の拡散ブロック層、好ましくは透光性
のものをはさむことによってデバイスの寿命を長くする
ことができる。そのような拡散ブロック層は、特開昭８
１−２６２６８号公報、特開昭８１−９１９７３号公報
および特開昭６１−９１９７４号公報に記載されている
。かかる透光性ををする層は、光の金属電極からの反射
は許容するが、電極から半導体への破壊的な拡散を防止
する機能を果たす。

電極０２）、■の厚さはとくに限定されないがコストを
最小にし、かつ、適度な機械的強度をもたせるために約
５００〜１００００人であるのが好ましい。

第１図に示される光メモリテバイス００）を作製するに
際しては、まず電極０２）がスパッタリング法などのよ
く知られた種々の積層技術により基板ＯＤ上に形成され
る。多層膜半導休日のｐ′層は、たとえば５１）（４と
８２Ｈ６（Ｂをドーピングしたａ−８ｉ：Ｈを形成する
ために）からなるガス混合物を用いてｒｒグロー放電分
解法、スパッタリング法、光ＣＶＤ法などにより電極０
２）上に形成される。ｎ層はたとえば５ＩＨ４とＰＨ３
（Ｐをドーピングしたａ−８ｉ　：　ＩＩを形成するた
めに）の成分からなる混合ガスを用いる以外はｐ層と同
様の方法により形成される。

ｐｎｐｎ・・・・・・ｐｎｐの構造をもつ多層膜はそれ
ぞれの層が実質的に同じ厚さをもったｐ層、ｎ層を交互
に形成することによりえられる。ドーピングレベルは非
晶質半導体の種類により異なるが通常１Ｏ−５〜５　ａ
ｔｍ％に制御される。ドーピングレベルがｉｏ’ａｔｍ
％未満、または、５’ａｔ■％を超えるときには、メモ
リ効果は低下する。

本実施例では、０バイアスでデバイス上に約１〜約１１
０００ｉ／ｃ−の強度で赤色またはそれに近い波長の光
を照射することによってデータが書き込まれる。半導体
の材料と厚さによって赤外から紫外までの範囲の波長の
中から適当な光が選ばれる。半導体ｎにむらなく光が照
射できるように充分な浸透力と高レベルの吸収をもつ光
源が選ばれる。光照射後半導体のコンダクタンスは１０
０倍ないし１０００倍に増加し、そして−週間またはそ
れ以上の長期にわたってそのままの状態である。

この電気特性の変化がデータの記録に利用される。すな
わち、たとえば高コンダクタンスレベルを論理的Ｈレベ
ル（すなわち“１”）と、そして低コンダクタンスレベ
ルを理論的Ｌレベル（すなわち“Ｏ”）と考えることが
できる。

このことは逆に考えてもよい。このようにしてデジタル
データの記録が行なわれる。アナログ光メモリは、照射
時間および入射光の強度による実際のコンダクタンスの
大きさの変化を利用して実現することができる。従来の
光メモリは書き込み状態が約１時間で失なわれたのに対
し、本発明の光メモリは室温で１週間以上書き込み状態
が維持される。

データは照射のあいだデバイスを０バイアスにしておく
と最も有効に書き込まれるが、微少なバイアスを印加し
た状態でも書き込みの有効性は劣るものの書き込みは可
能である。バイアスを印加しないときにコンダタンスの
比（光照射後の電流値／光照射前の電流値）が最大７に
なる。したがって光照射のあいだにバイアスを印加する
ことにより書き込みを禁止することができる。したがっ
て、特定のセルにバイアスを印加して書き込みを禁止す
ることで、全メモリセルに光照射しつつもある特定のセ
ルにのみデータを書き込むことができる。データの書き
込みにはレーザーを用いてもよいが、コヒーレント光で
ある必要はない。

光メモリデバイス（財）はデバイスを１００℃以上に加
熱することによってデータを消去することができる。し
かしなから、加熱のみでもとのコンダクタンスに戻すこ
の消去法は高温を必要とするので周辺の半導体デバイス
を損傷し、また光メモリデバイス自身の寿命を縮めてし
まう。

また光メモリデバイス（至）は、バイアスを印加するこ
とによって加熱なしに低温ででも消去可能である。この
ばあい、ジャンクションあたり０．１ｖ以上のバイアス
を印加するのがもっとも効果的である。

光メモリデバイス（１０）はデバイスの多層膜を構成す
る非晶質半導体の光学ギャップエネルギーの約２分の１
以下の光子エネルギーを有する光を照射することによっ
ても消去される。もしデバイスに印加しなからこの光が
用いられるならば、さらに効果的に消去ができる。した
がって、たとえば最も効果的な消去法はバイアスを印加
しなからレーザによって同時に照射と加熱を行なう方法
である。

本実施例では、最大の光キヤリアセパレーションをうる
ためにバイアスの印加なしに光照射によりメモリを書き
込み、そして室温よりも約６０℃高い温度でデバイスを
加熱しなからジャンクションあたり約１ｖのバイアスを
印加することによりメモリを消去するのが好ましい。よ
り速くメモリを消去するためには、一般的に、ジャンク
ションが破壊されないかぎりにおいてできるだけ高いバ
イアス電圧であるのが好ましい。

光メモリデバイス（至）はこれらの条件下でくり返し書
き込みと消去が行なわれる。

実施例１ 厚さ１■のガラス基板上（たとえばコーニングガラス７
０５９）にＩＴＯ（酸化インジュウムスズ）からなる８
００人の透明電極を設けた。透明電極上にｒｆグロー放
電分解法（基板温度２５０℃、反応圧０．１Ｔｏｒｒ）
によって厚さ５００人のｐ型非晶質半導体と厚さ５００
人のｎ型非晶質半導体層を５ＩＨ４と８２Ｈ６（８２Ｈ
６／　５ｉＨ４−１０″４）の混合ガスとＳ　Ｉ　Ｈ４
と　ＰＨ３ＣＰＨ５／　５ＩＨ４＝　１０−’　）の混
合ガスをそれぞれ用いて形成した。そして、同様の操作
をくり返して順次Ｐ層とｎ層を堆積させ、ｐｎ・・・・
・・ｐｎｐの構成をもった１７層の半導体（ｐ層が９層
、ｎ層が８層）からなる多層膜を形成した。

反応ガスを交換するとき汚染からサンプルを守るために
、この膜の形成はシャッター付の反応槽の中で行なった
。多層膜の形成後、４つの旧Ｃ「からなる金属電極（０
，１９Ｂｃｊ）を多層膜上に形成した。

以上のようにしてえられたメモリデバイスのに第２ａ図
に示されるように、Ｏバイアスのもとで約５０ｍＷ／−
の強度をもつ赤色光照射してメモリへの書き込みを行な
った。一定時間（すなわち１分間、２分間または１２分
間）のあいだ光を照射したのち、光照射を止め、そして
第２ｂ図に示されているように短絡させたデバイスの暗
電流（すなわちデバイスに光が入射していないときの電
流）を測定できるように密閉された不透明な箱の中にメ
モリデバイスのを置いた。

第３図は光照射後１分後の暗電流の変化を示すグラフで
ある。測定は２分間と１２分間の光照射後に２ボルトの
測定バイアスを印加したとき２ｍ−２ｖ　　　１層ｍ−
２ｖ）と１分間照射後１０ボルト（」、Ｊ の測定バイアスを印加したとき（Ｊｌｍ−１゜Ｖ）につ
いて行なわれた。光照射と暗電流の測定は室温で行った
。第３図にはさらに光照射前の暗電流の値が２ボルトの
測定電圧（Ｊｏ−２■）と１０ボルトの測定電圧（Ｊ　
　　　）において示されている。

−ｔｏｖ 光照射による電流の増加率（Ｊ／Ｊｏ、、Ｊ　　：光照
射後の電流、Ｊｏ：光照射前の電流）と測定バイアス電
圧との関係が第４図に示されている。第４図において、
Ｖｅはメモリ書込み時の照射バイアス電圧（Ｏボルト、
５ボルト、１０ボルト）の値を表わしている。第４図か
られかるように測定バイアス電圧が２ボルト（すなわち
ジャンクションあたりの電圧が０，１３ボルト）であっ
て照射バイアス電圧（Ｖｅ）がＯボルトのときに電流増
加率Ｊ／Ｊｏ　（したがってコンダクタンス比も同様に
）が最大となる。さらに、第４図より電流増加率（Ｊｏ
／Ｊｏｅ、ここでＪｏｅは０バイアスで照射後の電流）
とメモリ書込み時のバイアス電圧（Ｖｅ）の値との関係
がわかる。Ｖｅが０のときの電流値をもとにした電流値
の増加率と光照射時の印加バイアスＶｊとの関係は２ｖ
でＭ１定したばあい次式で与えられる。

Ｊ　−Ｊｏｅｅ　−（■ｊ１０°３４）（ここでＶｊは
ジャンクションあたりのバイアスの値） 第３図は本発明の光メモリの書き込み状態が安定で長時
間保持されることを示している。第４図は、バイアス電
圧がＯボルトで測定バイアスが２ボルトのときにメモリ
効果が最大（すなわち、電気特性の変化が最大）となる
ことを示している。第４図かられかるようにバイアスが
０ボルトのときの電流増加率は１４０倍を超えている。

第５図にはデバイスにバイアスを印加した際の前記実施
例のメモリ消去特性が示されている。

メモリ消去のためにデバイスに印加したバイアス電圧（
すなわち以前のコンダクタンス状態にするバイアス電圧
）は１Ｂボルトであり、そして暗電流は２ボルトの測定
バイアスを用いて測定した。第５図にはバイアス電圧の
印加が開始するときの暗電流の値によって規格化された
暗電流の増加率と１６ボルトのバイアスの印加時間との
関係がプロットされている。第５図の３つの曲線は、２
９３に、　３３３に、および３５３にの温度で測定され
た低コンダクタンスへの復帰状況を示している。第５図
より、デバイスのメモリはバイアス電圧を印加すること
によって消去されることがわかる。さらに、デバイスの
メモリは消去バイアスを印加しなからデバイスを加熱す
ることによってより短時間にそして効果的に消去される
ことがわかる。

［発明の効果］ 本発明の光メモリは、多層膜が透明電極と金属電極間に
はさまれた構造をもっている。この構造によって光照射
による多層膜の状態の変化（たとえばコンダクタンスの
変化）により情報の記憶が可能である。書き込まれたメ
モリは、室温で一週間以上安定である。さらに本発明の
光メモリは、書き込まれたメモリを高温加熱することな
く、デバイスにバイアス電圧を印加することによって消
去するために非常に丈夫である。そして大きな温度差に
よる疲労がないのでデバイスの寿命が長くなる。

さらに、多層膜が光の入射方向に電極ではさまれるよう
に電極が配置されているので、本発明と同じ面積をもつ
コブラナー型光メモリに比べより大きな存効面積かえら
れる。また電極間距離が小さく、それゆえ電気抵抗が低
いのでえられる電流値も大きい。またサンドイッチ構造
のため電極密度を高めることが可能となり、単一の半導
体上に複数のメモリを配列して多数のメモリセルをうる
ことができる。たとえば、もし一つの電極の面積が２ｎ
ｒｒｒならば１ｄあたり２５×１０６個の電極をもつデ
バイスができる。さらに、本発明の光メモリは非晶質半
導体からなるので、大面積（たとえばＩＭの面積）のデ
バイスの製造が可能である。

本発明の新規な光メモリの製法と使用法を説明するべ〈
実施例のい（つかを記載した。種々の点において本発明
に変更、改良を加えることは当業者にとっては明白なこ
とであり、本発明が今までに述べた実施例に限定される
ものではないことが理解されるべきである。それゆえ本
発明は本明細書に開示されかつフレイムされた基本的原
理の真の精神および範囲内にあるすべての変形、変更、
改良、均等物を含むものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光メモリの一実施例の概略説明断面図
、第２ａ図および第２ｂ図は本発明のデバイスへの照射
と、暗所での測定のために光からデバイスをシールドし
たことをそれぞれ示す概略説明図、第３図は本発明の光
メモリの一実施例の光照射によるコンダクタンスの増加
を示す図、第４図は光照射による電流の増加率と測定バ
イアス電圧との関係を示す図、第５図は本発明の光メモ
リの一実施例がバイアス印加と加熱により低コンダクタ
ンスに戻ることを示す図である。 （図面の主要符号） ００）　、光メモリデバイス ０１）：基板 ０′２Ｊ、、ａ中：電極 Ｑ３．半導体多層膜層 第１　図 αＯ）：光メモリデバイス （Ｕ）二基板 （ロ）、０荀：ｉ４極 ■）二手導体多層膜層 第３図 時間（分） 第４図 Ｌｏｇ　１３ｉａｓ　　（Ｖ） 第５図 時間（分）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　特定の周波数を有する光の照射によって第１の電気
   特性から第２の電気特性に変化し、かつ、バイアスを印
   加することによって第１の電気特性に戻るメモリ媒体と
   、該メモリ媒体に連結されてなる少なくともひとつが透
   光性を有する複数の電極とからなり、前記複数の電極が
   、メモリ媒体が透明電極と少なくともひとつの他の電極
   とではさまれるよう配置されてなる情報記憶のための光
   メモリデバイス。 ２　メモリ媒体が加熱によって第２の電気特性から第１
   の電気特性に変化する請求項１記載のメモリデバイス。 ３　メモリ媒体の電気特性がコンダクタンスである請求
   項１記載のメモリデバイス。 ４　メモリ媒体と複数の電極の少なくともひとつの電極
   とのあいだに透光性の拡散ブロック層をさらに有する請
   求項１記載のメモリデバイス。 ５　前記複数の電極のすべてが透光性である請求項１記
   載のメモリデバイス。 ６　照射する光が赤外光から紫外光の範囲から選ばれた
   周波数を有する請求項１記載のメモリデバイス。 ７　メモリ媒体が非晶質半導体ドーピングモジュレーテ
   ッド多層膜からなる請求項１記載のメモリデバイス。 ８　光照射下でバイアスを印加することによりメモリ媒
   体を第１の電気特性から第２の電気特性へ変化させるこ
   とが禁じられた請求項１記載のメモリデバイス。 ９　バイアス印加中にメモリ媒体を加熱することで、メ
   モリ媒体の第２の電気特性から第１の電気特性へ戻る速
   度が増大されてなる請求項１記載のメモリデバイス。 １０　メモリ媒体が特有の光学エネルギーギャップを有
   してなり、該光学エネルギーギャップの実質的に２分の
   １以下の光子エネルギーを有する光を照射することによ
   り、第２の電気特性から第１の電気特性へ変化する請求
   項１記載のメモリデバイス。 １１　メモリ媒体に光を照射するレーザ手段をさらに有
   してなる請求項１記載のメモリデバイス。 １２　メモリ媒体の温度を上昇させるのに充分な強度を
   有し、かつ、メモリ媒体の光学エネルギーギャップの実
   質的に２分の１以下の光子エネルギーを有する光をメモ
   リ媒体に照射する光発生手段をさらに有してなる請求項
   １０記載のメモリデバイス。 １３　光発生手段がレーザである請求項１記載のメモリ
   デバイス。 １４　温度上昇が３０〜１００℃のあいだである請求項
   ９記載のメモリデバイス。 １５　温度上昇が１００〜２００℃のあいだであり、消
   去バイアスが０ボルトである請求項２記載のメモリデバ
   イス。 １６　非晶質半導体ドーピングモジュレーテッド多層膜
   と、該半導体に連結されており少なくともひとつが透光
   性を有する複数の電極とからなり、前記複数の電極が、
   半導体が一方が透光性を有する少なくともふたつの電極
   とではさまれるように配置されてなる光メモリ。 １７　透光性電極が上面に設けられてなる透光性基板を
   さらに有する請求項１６記載の光メモリ。 １８　少なくとも１つの電極と半導体とのあいだに設け
   られてなる導電性の拡散ブロック層をさらに有する請求
   項１８記載の光メモリ。 １９　単一の半導体上に多数のメモリセルを形成するよ
   うに電極が設けられてなる請求項１６記載の光メモリ。 ２０　導電性の拡散ブロック層が透光性であり、かつ半
   導体と少なくともひとつの非透光性電極とのあいだに設
   けられてなる請求項１８記載の光メモリ。 ２１　特有の光学エネルギーギャップを有し、かつ複数
   の電極が連結されてなる非晶質半導体からなる光メモリ
   にデータを記憶、消去させる方法であって、半導体に光
   を照射することで半導体の電気特性を変化させることで
   記憶を行ない、半導体に消去バイアスを印加することで
   消去を行なうことを特徴とするデータの記憶および消去
   方法。 ２２　半導体がドーピングモジュレーテッド多層膜であ
   り、少なくともひとつの電極が透光性を有し、かつデー
   タの記憶が透光性電極を通過した光により半導体を照射
   することで行なわれる請求項２１記載の方法。 ２３　半導体に光を照射しているあいだ、選ばれた電極
   間に禁止バイアスを印加することでデータ記憶すること
   を禁じた請求項２２記載の方法。 ２４　データを消去するに際し、消去バイアスを印加し
   ているあいだ室温より所定の温度だけ高く半導体を加熱
   する請求項２２記載の方法。 ２５　データを消去するに際し、半導体の光学エネルギ
   ーギャップの２分の１以下の光子エネルギーを有する光
   を半導体に照射する請求項２１記載の方法。 ２６　特有の光学エネルギーギャップを有し、複数の電
   極が連結されてなる非晶質半導体からなる光メモリにデ
   ータを記憶、消去させる方法であって、実質的に前記半
   導体の光学エネルギーギャップ以上の光子エネルギーを
   有する光を半導体に照射することで半導体の電気特性を
   変化させて記憶を行ない、実質的に前記半導体の光学エ
   ネルギーギャップの２分の１以下の光子エネルギーを有
   する光を照射することで半導体の電気特性をもとに戻す
   ことにより消去を行なうデータの記憶および消去方法。 ２７　基板上に少なくともひとつの電極を形成する工程
   と、第１の面が該電極と電気的に接触するように非晶質
   半導体ドーピングモジュレーテッド多層膜を形成する工
   程と、半導体上に少なくともひとつの電極を前記第１の
   面と反対側の第２の面と電気的に接触するよう形成する
   工程とからなる光メモリの製法。