CN102257617B - 光矩阵器件的制造方法 - Google Patents

光矩阵器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102257617B
CN102257617B CN200980150770.1A CN200980150770A CN102257617B CN 102257617 B CN102257617 B CN 102257617B CN 200980150770 A CN200980150770 A CN 200980150770A CN 102257617 B CN102257617 B CN 102257617B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
gate insulating
semiconductor film
insulating film
forms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200980150770.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102257617A (zh
Inventor
足立晋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Publication of CN102257617A publication Critical patent/CN102257617A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102257617B publication Critical patent/CN102257617B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78681—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising AIIIBV or AIIBVI or AIVBVI semiconductor materials, or Se or Te
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明公开一种光矩阵器件的制造方法，由于是在真空中形成最影响薄膜晶体管的特性的半导体膜和栅极绝缘膜(S12、S13)，因此半导体膜和栅极绝缘膜的界面不会被污染。另外，虽然半导体膜和栅极绝缘膜在真空中形成，但对于配线来说，可以不在真空中形成(S03)。这样，因为是在预先形成的配线上转印在真空中形成的半导体膜和栅极绝缘膜(S21)，所以，即使基板为大面积，也能够高效地形成薄膜晶体管的配线、半导体膜及栅极绝缘膜。

Description

光矩阵器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种光矩阵器件的制造方法，其具有如下构造：将用作为电视机或个人计算机的监视器使用的薄型图像显示装置、或用于医疗领域或产业领域等的放射线摄像装置所具有的放射线检测器等显示元件或受光元件所形成像素排列成二维矩阵状的构造。
背景技术
现在，将具有由薄膜晶体管(TFT)等形成的有源元件和电容器的、与光有关的元件排列成二维矩阵状的光矩阵器件正在被广泛应用。作为有关光的元件，可举出受光元件和显示元件。另外，将该光矩阵器件分类时，可分为用受光元件构成的器件和用显示元件构成的器件。作为用受光元件构成的器件，有光摄像传感器及医疗领域或产业领域等中所使用的放射线摄像传感器等。作为用显示元件构成的器件，有具备调节透射光的强度的元件的液晶型及、具备发光元件的EL型等、作为电视机或个人计算机的监视器使用的图像显示器。在此，光是指红外线、可见光线、紫外线、放射线(X射线)、γ射线等。
近年来，作为这样制作的光矩阵器件所具备的有源矩阵基板的配线等的形成方法，积极地研究了采用喷墨法的方法。不仅限于有源矩阵基板的栅极线或数据线等配线，通过喷墨法也可以形成栅极沟道等半导体膜。与现有光刻法不同，可以局部性地印刷形成，由于不需要掩膜，因此非常有用。根据这种理由，可期待作为制作大面积的有源矩阵基板的技术。
根据喷墨印刷技术，通过印刷涂布含有半导体、绝缘体、或导电性微粒子的液滴(墨汁)，可以形成半导体膜、绝缘体膜或导线。从喷嘴射出的液滴使半导体、绝缘体、或导电性微粒子的任一种向有机溶剂中溶解或分散，保持溶液或胶质状态。而且在印刷涂布了该液滴后通过进行加热处理使有机溶剂挥发掉，形成半导体膜、绝缘体膜、或导线(配线)。
例如，专利文献1中公开有通过喷墨法形成底栅型薄膜晶体管的薄膜晶体管的制造方法。
专利文献1：(日本)特开2004-349583号
但是，用喷墨法形成的薄膜晶体管与在真空中用溅射法等形成的相比，栅极OFF时的漏电流值、ON/OFF电流比、迁移等特性变差。薄膜晶体管的这些特性在很大程度上受薄膜晶体管的半导体膜和栅极绝缘膜的界面的连接状态所左右。这些界面由于有机污染或氧化污染等稍有污染，其特性往往就会变差。也就是说，用喷墨法只能在大气中印刷形成薄膜晶体管，而不能在真空中进行印刷形成。由此，通过喷墨法所形成薄膜晶体管相比于在真空中形成的薄膜晶体管，特性必然会差。
发明内容
本发明是鉴于这种事情而设立的，目的在于提供一种光矩阵器件的制造方法，尽管是大面积的基板，薄膜晶体管的特性也很好。
为了实现这种目的，本发明设定为如下的构成。
即，本发明的光矩阵器件的制造方法，是将具备薄膜晶体管的有关光的元件在基板上排列成二维矩阵状而构成的光矩阵器件的制造方法，其特征为，具备：在转印模上，在真空中层叠半导体膜的半导体膜形成步骤；在层叠有所述半导体膜的所述转印模上，在真空中连续地层叠栅极绝缘膜的栅极绝缘膜形成步骤；向在所述基板上预先形成的第一配线上转印所述栅极绝缘膜及所述半导体膜的转印步骤。
根据本发明的光矩阵器件的制造方法，由于是在真空中连续地制成最影响薄膜晶体管的特性的半导体膜和栅极绝缘膜，半导体膜和栅极绝缘膜的界面不会受到污染。此外，虽然半导体膜和栅极绝缘膜是在真空中形成，但对于配线来说也可以在真空中形成。这样，因为是在预先形成的配线上，转印在真空中形成的半导体膜和栅极绝缘膜，即使基板为大面积，也能够有效地形成薄膜晶体管的配线、半导体膜及栅极绝缘膜，可以制造薄膜晶体管的特性良好的光矩阵器件。
另外，通过喷墨法形成配线时，通过压印法在形成有配线的基板上的绝缘膜上形成配线图案的槽，从而，通过喷墨法射出的液滴沿着槽的图案伸长。由此虽然是喷墨法，但由于能够防止液滴的渗出，所以也能够高精度地形成配线。
此外，由于是在转印有栅极绝缘膜及半导体膜的配线上形成绝缘膜，再在该绝缘膜上形成在该绝缘膜的面上形成的别的配线所用的图案的槽，因此能够高精度地进行配线的形成。
另外，虽然转印模的粘接力小时，也可以在转印模直接层叠半导体膜，但转印模的粘接力强、不能将被层叠的半导体膜剥离的情况下，也可以在转印模上预先形成剥离层。作为在转印模上预先形成的剥离层，只要采用通过加热或紫外线照射，粘度会减少的剥离层，就可以通过对剥离层实施加热或紫外线照射，将栅极绝缘膜及半导体膜有效地转印在配线上。进而，如果第一绝缘膜是有机物，则可在常温下简单地进行涂布形成。
另外，通过在转印模上先形成栅极绝缘膜，其后形成半导体膜，可以在基板侧形成半导体膜。
另外，如果半导体膜是氧化物半导体，则可形成特性优良的薄膜晶体管。因为栅极绝缘膜是在真空中形成，所以优选栅极绝缘膜为无机物。此外，栅极绝缘膜及半导体膜的转印即使不能在基板整体上全部进行转印，也可以将基板分为小区域而反复几次进行转印。
另外，利用上述光矩阵器件的制造方法，能够制造薄膜晶体管的特性稳定的光检测器、放射线检测器、或图像显示装置。
另外，本发明另一方面的光矩阵器件的制造方法，其为将具备薄膜晶体管的有关光的元件在基板上排列成二维矩阵状而构成的光矩阵器件的制造方法，其特征为，具备：在转印模上，在真空中层叠栅极绝缘膜的栅极绝缘膜形成步骤；在层叠有所述栅极绝缘膜的所述转印模上，在真空中连续地层叠半导体膜的半导体膜形成步骤；向薄膜上转印所述栅极绝缘膜及所述半导体膜的第一转印步骤；向在所述基板上预先形成的第一配线上转印已被转印在所述薄膜上的所述栅极绝缘膜及所述半导体膜的第二转印步骤。
根据本发明的另一光矩阵器件的制造方法，由于是在真空中连续地制造最影响薄膜晶体管的特性的栅极绝缘膜和半导体膜，栅极绝缘膜和半导体膜的界面不会被污染。此外，虽然栅极绝缘膜和半导体膜在真空中形成，但对于配线来说，也可以不在真空中形成。这样，因为是在预先形成的配线上转印在真空中形成的栅极绝缘膜和半导体膜，所以，即使基板为大面积，也能够有效地形成薄膜晶体管的配线、半导体膜及栅极绝缘膜，能够制造薄膜晶体管的特性也良好的光矩阵器件。
再者，由于具备向薄膜上转印被层叠在转印模上的栅极绝缘膜及半导体膜的第一转印步骤、和向预先形成于基板上的第一配线上转印被转印在薄膜上的栅极绝缘膜及半导体膜的第二转印步骤，所以可以防止栅极绝缘膜及半导体膜的转印泄漏的发生，提高转印成品率。
另外，薄膜的粘度通过加热或紫外线照射会降低，通过加热或紫外线照射使薄膜的粘度降低而实施第二转印步骤，所以，能够从薄膜向第一配线上恰当地转印栅极绝缘膜及半导体膜。
发明效果
根据本发明的光矩阵器件的制造方法，可以提供尽管是大面积的有源矩阵基板，但薄膜晶体管的特性也良好的光矩阵器件的制造方法。
附图说明
图1是表示实施例1的平板型X射线检测器(FPD)的制造工序的流程的流程图。
图2是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图3是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图4是表示实施例1的FPD的制造工序的概略立体图。
图5是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图6是在实施例1的FPD的制造工序中使用的转印模的概略立体图。
图7是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图8是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图9是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图10是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图11是表示实施例1的FPD的制造工序的正视图。
图12是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图13是表示实施例1的FPD的制造工序的正视图。
图14是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图15是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图16是表示实施例1的FPD的制造工序的正视图。
图17是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图18是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图19是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图20是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图21是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图22是表示实施例1的FPD的制造工序的纵剖面图。
图23是表示实施例1的FPD具备的有源矩阵基板及周边电路的构成的电路图。
图24是表示具备利用实施例2的方法制作的有源矩阵基板的图像显示装置的概略立体图。
图25是表示实施例3的平板型X射线检测器(FPD)的制造工序的流程的流程图。
图26是表示实施例3的FPD的制造工序的纵剖面图。
图27是表示实施例3的FPD的制造工序的纵剖面图。
图28是表示实施例3的FPD的制造工序的纵剖面图。
图29是表示实施例3的FPD的制造工序的纵剖面图。
图30是表示实施例3的FPD的制造工序的纵剖面图。
图31是表示实施例3的FPD的制造工序的纵剖面图。
图32是表示实施例3的FPD的制造工序的纵剖面图。
图33是表示本发明的变形实施的FPD的制造工序的纵剖面图。
图34是表示本发明的变形实施的FPD的制造工序的纵剖面图。
符号说明
1…基板
2…绝缘膜
3…栅极线
4…接地线
5…转印模
6…转印模
7…剥离层
8…半导体膜
9…栅极绝缘膜
10…绝缘膜
11…数据线
12…电容电极
15…薄膜晶体管(TFT)
27…平板型X射线检测器(FPD)
50…粘接膜
52…薄膜
DU…X射线检测元件
具体实施方式
实施例1
<平板型X射线检测器制造方法>
下面，参照附图对作为本发明的光矩阵器件之一例的平板型X射线检测器(以下称为FPD)的制造方法进行说明。
图1是表示形成实施例1的FPD的制造工序的流程的流程图，图2～图22是表示实施例1的FPD的制造工序的图。图12是图11的A-A向视剖面图，图14是图13的A-A向视剖面图，图17是图16的A-A向视剖面图。
作为实施例1中的FPD的制造工序，大致有两个工序。参照图1，一个是在基板上形成有源矩阵基板及放射线转换层等的工序(步骤S01～S03及步骤S21～S29)，另一个是形成薄膜晶体管(以下称为TFT)的半导体膜及栅极绝缘膜的工序(步骤S11～S13)。
(步骤S01)绝缘膜形成
如图2所示，在基板1的表面上形成绝缘膜2。基板1可以是玻璃、合成树脂、金属等中的任一种。为合成树脂的场合，作为例子可举出：聚(酰)亚胺(ポリイミド)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)(ポリエチレンナフタレ一ト)、PES(聚醚砜(ポリエ一テルスルホン)、PET(聚对苯二甲酸乙酯(ポリエチレンテレフタレ一ト))等，但优选耐热性优良的聚(酰)亚胺。采用不锈钢等金属的场合，基板1也可以作为后面要说明的接地线兼用。如果基板1和绝缘膜2是合成树脂等有机物，就能够制造柔性的基板。由此具有就算是将基板弄掉也不会破裂的优点。另外，如果基板是柔性的，就能够进行用连续式微纳米压印技术的批量生产。如果绝缘膜2为有机物，则易于在常温下进行涂布形成。
绝缘膜2优选有机类的材料且具有热塑性或用光可进行固化的材料，可举出聚(酰)亚胺、丙烯酸树脂、UV固化树脂等。在基板1的表面上一样地形成该绝缘膜2。绝缘膜2相当于本发明中的第一绝缘膜，步骤S01相当于本发明中的第一绝缘膜形成步骤。
(步骤S02)绝缘膜图案形成
如图3所示，在形成于基板1上的软化状态的绝缘膜2上，将预先形成有通过后面的工序形成的栅极线3和接地线4的图案的转印模5，按压在绝缘膜2上。此时，如果绝缘膜2为热塑性，预先将绝缘膜2进行加热并保持在软化状态再按压转印模5。该转印模5的图案被转印在绝缘膜2上后，将绝缘膜2冷却使绝缘膜2固化，将转印模5从绝缘膜2脱模。由此，如图4所示，在绝缘膜2上形成将在后面的工序中形成的栅极线3及接地线4的图案即槽。另外，如果绝缘膜2为紫外线硬化性，则在将转印模5按压在软化状态的绝缘膜2上后，向绝缘膜2照射紫外线。通过该紫外线的照射，绝缘膜2固化，形成绝缘膜2的图案。转印模5可以采用例如用Si(硅)、Ni(镍)、PDMS(Polydimethylsiloxane)等形成的薄膜。转印模5的图案形成可以通过EB曝光或光刻法形成。步骤S02相当于本发明中的第一图案形成步骤。
(步骤S03)栅极线·接地线形成
在经过图案形成后的绝缘膜2上，通过喷墨法形成栅极线3及接地线4。在绝缘膜2上，因为在形成有栅极线3及接地线4的图案上形成有槽，所以由喷墨法射出金属墨汁如形成有槽的图案那样伸长。栅极线3相当于本发明中的第一配线，步骤S03相当于本发明中的第一配线形成步骤。
接着，对在与上述步骤S01～S03不同的工序中形成的半导体膜及栅极绝缘膜的形成进行说明。为了在通过上述步骤S03形成的栅极线3上形成栅极绝缘膜及半导体膜(栅极沟道)，使用应用了压印(インプリント)法的转印法对它们进行转印。
(步骤S11)剥离层形成
如图6及图7所示，在预先形成有半导体膜(栅极沟道)的图案的规定位置，在形成有凹凸的形状的转印模6的整个表面上，涂布剥离层7而形成。剥离层7优选例如加热到80℃左右时粘接性下降的树脂、或被照射紫外线时粘接性下降的树脂等。作为加热到80℃左右时粘接性下降的树脂，可举出积水化学工业株式会社制的自剥离糊料(临时固定用粘接剂)、或株式会社泰斯科(テスコ)公司制的UV固化型热熔临时粘接材料A-1579。另外，根据情况，也可以是通过氟等离子处理等薄膜涂敷单分子层的剥离层。该剥离层7的凹凸的节距为TFT的半导体膜(栅极沟道)的节距间隔。转印模6可以采用例如用Si、SiO2(氧化硅)、SiC(碳化硅)、Ni、PDMS等形成的转印模。
(步骤S12)半导体膜形成
如图8所示，在形成有剥离层7的转印模6上，在真空中形成半导体膜8。真空度优选约1Pa以下。或者，也可以在抽真空至约0.1Pa以下之后，通过另外供应Ar(氩)、O2(氧)、N2(氮)等气体，达到约1Pa以下的负压气氛气。作为形成方法可举出溅射法、等离子体蒸镀法、或离子镀膜法等。作为半导体膜8的材料，可举出InGaZnO4(镓铟共掺杂氧化锌(ガリウム·インジウム酸化亜鉛))、ZnO(氧化锌)等的氧化物半导体、或CdS(硫化镉)等硫系玻璃。另外，除此之外，可以是Si、A-Si(非晶硅)、poly-Si(缩聚硅)，或者，也可以是由并五苯(ペンタセン)等有机物构成的有机半导体膜。当采用作为无机物半导体膜的氧化物半导体膜时，移动度高，与有机半导体膜相比，经时稳定性好。另外，在图8中，在转印模6的凸部的面上经由剥离层7形成的半导体膜8的宽度P1为1～20μm左右，层叠有剥离层7的转印模6的凹凸的节距P2，因为和以后形成的有源矩阵基板17的单像素的节距为同程度，所以，其为50～200μm程度。步骤S12相当于本发明中的半导体膜形成步骤。
(步骤S13)栅极绝缘膜
如图9所示，在形成有半导体膜8的转印模6上，在真空中形成栅极绝缘膜9。真空度优选大约为1Pa以下。或者也可以在抽真空至大约0.1Pa以下之后，通过另外供应Ar、O2、N2等气体，达到大约1Pa以下负压气氛气。作为形成方法可举出溅射法、等离子体蒸镀法法、或离子镀膜法等。作为栅极绝缘膜9的材料，可举出SiO2、SiNx(氮化硅)、ZrO2(氧化锆)、Y2O3(酸化铱)、Al2O3(氧化铝)、TiO2(氧化钛)等无机氧化物。另外，作为栅极绝缘膜材料也可以采用强电解质薄膜。此外，也可以是聚(酰)亚胺、丙烯酸、PVP(聚乙烯基吡咯烷酮)等有机物。步骤S13相当于本发明中的栅极绝缘膜形成步骤。
(步骤S21)转印
接着，如图10所示将层叠有半导体膜8及栅极绝缘膜9的转印模6按压在栅极线3的上面，使剥离层7剥离，从而转印半导体膜8及栅极绝缘膜9。由此，如图11及图12所示，在栅极线3上形成栅极绝缘膜9，再在其上形成半导体膜8。剥离层7的剥离可以通过加热的方法，也可以通过紫外线照射，也可以通过超声波的振动，也可以通过这些方法的组合来实现。例如如果是当加热到80℃以上时粘接性下降的剥离层7，则可以通过将转印模6加热到80℃以上，使剥离层7的粘接性下降，并且通过对转印模6附加超声波的振动，将半导体膜8及栅极绝缘膜9从转印模6剥离。步骤S21相当于本发明中的转印步骤。
(步骤S22)绝缘膜形成
接着，如图13及图14所示，在接地线4及绝缘膜2上形成绝缘膜10。因为在半导体膜8的上部面上，在后面的工序中要连接数据线及电容电极，所以不层叠绝缘膜10。绝缘膜10也优选有机类的材料且为热塑性或利用光进行固化的材料，可举出聚(酰)亚胺、丙烯酸树脂、UV硬化树脂等。绝缘膜10相当于本发明中的第二绝缘膜，步骤S22相当于本发明中的第二绝缘膜形成步骤。
(步骤S23)绝缘膜图案形成
接着，如图15所示，在软化状态的绝缘膜10上，将预先形成有通过后面的工序形成的数据线11和电容电极12的图案的转印模13，按压在绝缘膜2上。绝缘膜10的图案形成方法因为和步骤S02是一样的，所以省略其说明。由此，在绝缘膜10上形成作为在后面的工序形成的数据线11及电容电极12的图案的槽。步骤S23相当于本发明中的第二图案形成步骤。
(步骤S24)数据线·电容电极形成
如图16及图17所示，在绝缘膜10上夹着半导体膜8形成电容电极12及数据线11。电容电极12按照夹着绝缘膜10而与接地线4相面对的方式层叠形成。再者，用与半导体膜8相面对的栅极线3的一部分、数据线11的半导体膜8侧的部分、半导体膜8、电容电极12的半导体膜8侧的部分、介于栅极线3/数据线11·半导体膜8·电容电极12间的绝缘膜9构成TFT15。另外，用电容电极12、接地线4、介于电容电极12/接地线4间的绝缘膜10构成电容器16。由此构成具备基板1、电容电极12、电容器16、TFT15、半导体膜8、数据线11、栅极线3、接地线4、绝缘膜2、栅极绝缘膜9、及绝缘膜10的有源矩阵基板17。数据线11相当于本发明中的第二配线，步骤S24相当于本发明中的第二配线形成步骤。
(步骤S25)绝缘膜形成
如图18所示，在数据线11、电容电极12、半导体膜8、及绝缘膜10上层叠形成绝缘膜18。为了和之后层叠的像素电极19进行连接，在电容电极12上存在未层叠形成绝缘膜18的部分，将电容电极12的周围用绝缘膜18层叠形成。绝缘膜18也可以作为TFT15的钝化(パツシベ一シヨン)膜起作用。
(步骤S26)像素电极形成
如图19所示，在电容电极12及绝缘膜18上层叠像素电极19。由此，像素电极19和电容电极12电连接。
(步骤S27)绝缘膜形成
如图20所示，在像素电极19及绝缘膜18上层叠绝缘膜20。为了向像素电极19收集由之后进行层叠的X射线转换层21生成的载流子，在应与X射线转换层21直接接触的像素电极19的大部分不层叠形成绝缘膜20，而是仅将像素电极19的周围用绝缘膜20层叠形成。即，按照使像素电极19的大部分开口的方式层叠形成绝缘膜20。
(步骤S28)X射线转换层形成
如图21所示，在像素电极19及绝缘膜20上层叠形成X射线转换层21。实施例1的情况，作为受光元件的X射线转换层21层叠非晶硒(a-Se)，所以使用蒸镀法。可以根据X射线转换层21使用了什么样的半导体而改变层叠方法。
(步骤S29)电压施加电极形成
如图22所示，在X射线转换层21上层叠形成电压施加电极22。之后，如图23所示，通过连接栅极驱动电路24、电荷-电压转换器组25及多路转换器(マルチプレクサ)26等周边电路，结束FPD27的一系列制造。
这些FPD27的绝缘膜2、10、18、20的形成方法，如果是局部性的形成，则优选喷墨法，在基板整体上一样地形成的情况下，优选旋涂法。除此以外，也可以通过凸版印刷法、凹版(グラビア)印刷法、苯胺(フレキソ)印刷法等来形成。
半导体膜8及栅极绝缘膜9的转印方法可以是对基板1整体统一进行转印的方法，也可以分成小区域进行反复转印。另外，向绝缘膜2及绝缘膜10的图案形成同样可以是对基板1整体统一进行图案形成的方法，也可以分成小区域反复进行图案形成。
<平板型X射线检测器>
如以上操作而制造的FPD27，如图22及图23所示，在入射X射线的X射线检测部SC，将X射线检测元件DU沿XY方向排列成二维矩阵状。X射线检测元件DU与被入射的X射线发生感应，向每一个像素输出电荷信号。再者，为方便说明，在图23中，X射线检测元件DU设定为3×3像素量的二维矩阵构成，但在实际的X射线检测部SC，X射线检测元件DU设定为例如与4096×4096像素量程度、且与FPD27的像素数一致的矩阵构成。X射线检测元件DU相当于本发明中的有关光的元件。
另外，X射线检测元件DU如图22所示，在施加有偏置电压的电压施加电极22的下层，形成有通过X射线的入射而生成载流子(电子·空穴对)的X射线转换层21。而且，在X射线转换层21的下层形成针对每个像素收集载流子的像素电极19，并且形成有有源矩阵基板17，所述有源矩阵基板17具备：储备由被收集在像素电极19上的载流子产生的电荷的电容器16、与电容器16电连接的TFT15、向TFT15传送开关作用的信号的栅极线3、通过TFT15将储备将电容器16中所储备的电荷作为X射线检测信号读出的数据线11、支撑它们的基板1。通过该有源矩阵基板17能够根据在X射线转换层21生成的载流子，针对每一个像素读出X射线检测信号。这样，在各X射线检测元件DU中都具备X射线转换层21、像素电极19、电容器16和TFT15。
X射线转换层21由X射线感应型半导体构成，例如用非晶质的非晶硒(a-Se)膜形成。另外，成为向X射线转换层21入射X射线时，直接生成与该X射线的能量成比例的规定个数的载流子的构成(直接转换型)。该a-Se膜尤其能够容易地实现检测区域的大面积化。作为X射线转换层21，除上述以外，还可以是其它半导体膜，例如CdTe(碲化镉)等多晶半导体膜。
这样，本实施例的FPD27成为作为X射线检测像素的大量的检测元件DU沿X、Y方向排列成的二维阵列构成的平板型X射线传感器，所以，每个各检测元件DU都能够进行局部性的X射线检测，可以进行X射线强度的二维分布测定。
本实施例的FPD27的X射线检测动作如下。
即，在对被检体照射X射线进行X射线摄像的情况下，透过被检体的放射线像被投影到a-Se膜上，在a-Se膜内产生与像的浓淡成比例的载流子。产生的载流子通过生成偏置电压的电场被收集到像素电极19上，相应于生成的载流子的数，电容器16中被感应起电荷并以规定时间被存储。其后，根据从栅极驱动电路24通过栅极线3传送的栅极电压，TFT15发挥转换作用，电容器16中储备的电荷经由TFT15通过数据线11用电荷-电压转换器组25转换为电压信号，由多路转换器26作为X射线检测信号依次向外部被读出。
上述的FPD27中的形成数据线11、栅极线3、接地线4、像素电极19、电容电极12及电压印加电极22的导电体，可以是用将Ag、Au、Cu等金属制成糊状的金属墨汁形成的导电体，也可以通过印刷以涂敷了ITO墨汁、聚苯乙烯磺酸(ポリスチレンスルホン酸)的聚乙烯二氧噻吩(ポリエチレンジオキシチオフエン)(PEDOT/PSS)等为代表的高导电性的有机物墨汁来形成。另外，也可以是ITO和Au薄膜等的构成。
上述的实施例1中，虽然X射线转换层21是由X射线生成载流子的转换层，但不限于X射线，也可以使用与γ射线等放射线发生感应的放射线转换层或与光发生感应的光转换层。另外，也可以代替光转换层而使用光电二极管。这样一来，虽然是相同的构造，但可以制造放射线检测器及光检测器。
根据如上述构成的光矩阵器件的制造方法，因为是在真空中连续制造半导体膜8和栅极绝缘膜9，半导体膜8和栅极绝缘膜9的界面不会引起有机污染或氧化污染等污染。由此，可以减少半导体膜8和栅极绝缘膜9的界面的陷阱(trap)，所以与通过喷墨法形成的TFT相比，TFT15的栅极OFF时的漏电流值、ON/OFF电流比、运动性等特性得以提高。另外，通过用应用了压印法的方法转印在真空中形成的半导体膜8及栅极绝缘膜9，能够将这些膜简单地转印在栅极线3上。
压印法中，虽然通常是通过将转印模按压在抗蚀剂膜上，在抗蚀剂层上凹凸逆转地转印转印模的形状，但本申请中，是在转印模5上在真空中层叠由半导体膜8及栅极绝缘膜9构成的两个功能膜，将这些功能膜在通常的大气环境中转印在栅极线3上的规定的位置。由此，就算是小面积的转印模5，也可以在真空腔内将半导体膜8及栅极绝缘膜9一个一个地层叠在转印模5，并依次转印在栅极线3上的规定的位置。也就是说，就算是基板1为大面积，因为转印模5比基板1小，所以也能够实现将真空腔的小型化。
另外，因为是通过压印法在形成有栅极线3、接地线4、数据线11等配线及电容电极12的绝缘膜上，作为槽形成各配线及电极的形成图案，易于通过喷墨法形成各配线及电极。也就是说，通过喷墨法射出的液滴沿着绝缘膜上所形成的槽的图案伸长，所以虽然是喷墨法也可以形成线宽及位置精度正确的图案。
实施例2
接着，参照图24对本发明的实施例2进行说明。图24是作为图像显示装置之一例具备有源矩阵基板的显示器(有机EL显示器)的局部剖切立体图。
本发明的方法还优选应用于图像显示装置的制造。作为图像显示装置可列举薄型的电致发光显示器或液晶显示器等。就图像显示装置而言，也优选具备在有源矩阵基板上形成的像素电路，且适用于这种器件的图像显示装置。
如图24所示，具备有源矩阵基板的有机EL显示器30具备：基板31、与多个在基板31上配置成矩阵状的TFT电路32和像素电极33连接并依次层叠在基板31上的有机EL层34、透明电极35及保护薄膜36、与各TFT电路32和源极驱动电路37连接的多根源极电极线39、与各TFT电路32和栅极驱动电路38连接的多根栅极电极线40。在此，有机EL层34由层压电子输送层、发光层、空穴输送层等各层而构成。
在该有机EL显示器30中，因为TFT电路32内的栅极绝缘膜及半导体膜也是通过前述的实施例1的光矩阵器件的制造方法所形成，所以TFT电路32的特性不会劣化。由此，可以制作虽然是大面积但响应性也很快的图像显示装置。
另外，上述的图像显示装置为使用了有机EL等显示元件的显示器，但不限于此，也可以是具备液晶显示元件的液晶型显示器。为液晶型显示器的情况下，用滤色板将像素着色成RGB。此外，如果采用透明的配线及透明的基板，有提高光的透射效率的优点。另外，也可以是具备其它显示元件的显示器。
实施例3
接着，参照图25～图32对本发明的实施例3进行说明。图25是表示实施例3的FPD的制造工序流程的流程图，图26～图32是表示FPD的制造工序的图。
实施例3中，改变了实施例1中的从转印模向基板的转印。即，实施例3的特征在于，将转印模上形成的半导体膜及绝缘膜暂时转印到薄膜上后再向基板上进行转印。另外，实施例3的另一特征在于，在形成于基板上的栅极线上的转印有半导体膜及绝缘膜的区域形成粘接膜。下面记载和实施例1不同的光矩阵器件的制造方法，其以外的光矩阵器件的制造方法和实施例1的制造方法是一样的。
(步骤S04)粘接膜形成
如图25及图26所示，在实施例1的步骤S01～03工序之后，在栅极线3上的形成有栅极绝缘膜9及半导体膜8的位置上，形成粘接膜50。使用喷墨打印机或分配器局部性地涂布粘接膜50。也可以代替局部性地进行涂布，而在绝缘膜2、栅极线3及接地线4上的整面进行旋涂，形成粘接膜50。
粘接膜50为粘接性的绝缘体。粘接膜50优选聚(酰)亚胺或丙烯酸系的树脂。粘接膜优选加热固化性的粘接膜、或通过UV照射进行固化的粘接膜。
接着，对在和步骤S01～S04不同的工序中形成的半导体膜及栅极绝缘膜的形成进行说明。实施例3中，和实施例1不同，因为是从转印模6通过薄膜向基板1进行转印，所以向转印模6层叠半导体膜及栅极绝缘膜的顺序相反。步骤S11的剥离层形成和实施例1是一样的。
(步骤S15)栅极绝缘膜形成
如图27所示，在形成有剥离层7的转印模6上，在真空中形成栅极绝缘膜9。形成方法和实施例1是一样的。
(步骤S16)半导体膜形成
如图27所示，在形成有栅极绝缘膜9的转印模6上，在真空中连续地不破坏真空地形成半导体膜8。形成方法和实施例1是一样的。
(步骤S17)薄膜转印
如图27所示，在大气环境中向半导体膜8上一样地粘贴薄膜52。薄薄膜52虽然具有粘接性，但具有通过加热或UV照射失掉粘接性的性质。剥离层7被加热时则失掉粘接性的情况下，优选为，薄膜52通过UV照射失掉粘接性。另外，在剥离层7通过UV照射失掉粘接性的情况下，优选为薄膜52被加热时则失掉粘接性。另外，在剥离层7及薄膜52都是通过加热失掉粘接性的情况下，优选为剥离层7比薄膜52在更低温下失掉粘接性。作为被加热时粘接性下降的薄膜，可举出日东电工株式会社制的热剥离膜(REVALPHA)。另外，作为通过UV照射粘接性下降的膜，可举出株式会社东洋-阿道特库(ト一ヨ一アドテツク)制的UV剥离型切割带。
用辊等一样地粘贴在半导体膜8上的薄膜52通过加热或UV照射，维持薄膜52的粘接性并使剥离层7的粘接性下降，用辊53一边卷取一边将半导体膜8及栅极绝缘膜9转印在薄膜52上。转印模6和辊53彼此进行相对移动，剥离层7的粘接性下降，所以，伴随辊53的旋转，依靠薄膜52的粘接性，半导体膜8及栅极绝缘膜9从转印模6分离。另外，半导体膜8及栅极绝缘膜9从转印模6上的端部慢慢地被转印到薄膜52上，所以，在转印模6上不会产生转印残余。如图29所示，半导体膜8及栅极绝缘膜9被转印到薄膜52上。步骤S17相当于本发明中的第一转印步骤。
(步骤S20)基板转印
接着，如图30所示，按照在基板1的粘接膜50上形成栅极绝缘膜9的方式对薄膜52进行按压。可以用辊按压薄膜52，也可以通过平板挤压进行按压。另外，为了使薄膜52的粘接性下降而进行加热或UV照射。通过加热使薄膜52的粘接性下降的情况下，优选为，粘接膜50通过加热而固化。另外，通过UV照射使薄膜52的粘接性下降的情况下，优选为粘接膜5通过UV照射而固化。由此，可同时进行使薄膜52的粘接性下降、和粘接膜50的固化。栅极绝缘膜9可以在粘接膜50上层叠，栅极绝缘膜9也可以被埋入粘接膜50的内部，栅极绝缘膜9也可以被直接层叠在栅极线3上。粘接膜50也可以作为栅极绝缘膜发挥作用。
通过粘接膜50在栅极线3上形成栅极绝缘膜9及半导体膜8后，将薄膜52从半导体膜8剥离。如图31所示，基板1和辊54彼此进行相对移动，同时，薄膜52一边被卷取到辊54上一边从基板1的端部剥离。由于辊54的表面具有粘接性，或粘贴有粘接性的带，由此能够将薄膜52卷到辊54上。薄膜52通过加热或UV照射粘接性下降，粘接膜50固化而将栅极绝缘膜9固定，所以，薄膜52自半导体膜8被剥离。薄膜52自半导体膜8慢慢地被剥离，所以，薄膜52上不会残余半导体膜8。步骤S20相当于本发明中的第二转印步骤。
步骤S20以后，和实施例1同样地，如图32实施步骤S22～步骤S29，形成X射线检测部。在实施例1的有源矩阵基板17中，在栅极线3和栅极绝缘膜9之间形成有粘接膜50，为实施例3中的有源矩阵基板17b。
根据实施例3的光矩阵器件的制造方法，因为是在真空中连续地制作栅极绝缘膜9和半导体膜8，所以栅极绝缘膜9和半导体膜8的界面不会引起有机污染或氧化污染等污染。由此，能够减小栅极绝缘膜9和半导体膜8的界面的陷阱，与通过喷墨法形成的TFT相比，TFT15的栅极OFF时的漏电流值、ON/OFF电流比、运动性等特性得以提高。
另外，实施例3中，在转印模5上，在真空中层叠由半导体膜8及栅极绝缘膜9构成的两个功能膜，将这些功能膜在通常的大气环境中转印到薄膜52上，再从薄膜52转印在栅极线3上。也就是说，半导体膜8和栅极绝缘膜9在真空中形成，而对于配线来说，也可以不在真空中形成。
另外，就算是小面积的转印模5，也可以在真空腔内将半导体膜8及栅极绝缘膜9一个一个地层叠在转印模5上，依次转印到薄膜52上，再转印到栅极线3上的预先设定的位置。也就是说，就算是基板1为大面积，因为转印模5比基板1小，所以也能够实现真空腔的小型化。另外，实施例3的光矩阵器件的制造方法，还优选适用于实施例2的图像显示装置的制造。
这样，因为是在预先形成的栅极线3上，转印在真空中形成的半导体膜8和栅极绝缘膜9，所以，就算是基板1为大面积，也能够有效地形成膜晶体管15的配线、半导体膜8及栅极绝缘膜9，能够制造薄膜晶体管15的特性良好的FPD27。
此外，由于具备将转印模6上层叠的栅极绝缘膜9及半导体膜8转印在薄膜52上的第一转印步骤、和将被转印在薄膜52上的栅极绝缘膜9及半导体膜8转印在预先形成于基板1上的栅极线3上的第二转印步骤，因此可以防止栅极绝缘膜9及半导体膜8的转印遗漏(漏れ)的发生，提高转印成品率。
另外，薄膜52通过加热或紫外线照射粘度减小，第二转印步骤实施的是通过加热或紫外线照射使薄膜52的粘度减小，所以，从薄膜52向栅极线3上转印时，栅极绝缘膜9及半导体膜8不会残留在薄膜52。
本发明并不限于上述实施方式，可以如下进行变形实施。
(1)在上述的实施例1中，半导体膜8及栅极绝缘膜9的转印使用了剥离层7，但如图25所示，也可以在绝缘膜2上形成粘接性比剥离层7高的绝缘性的粘接膜51。作为粘接膜51的例子，可举出软化了的聚(酰)亚胺。即，在绝缘膜2、栅极线3、及接地线4的面上一样地形成聚(酰)亚胺的粘接膜51，在转印半导体膜8及栅极绝缘膜9时，通过加热使粘接膜51软化，通过对剥离层7进行加热使剥离层7的粘接性下降。由此，因为粘接膜51的粘度比剥离层7大，所以，栅极绝缘膜9被层叠在粘接膜51上，而半导体层8可容易地从剥离层7进行剥离。
(2)在上述的实施例中，在转印模6上一边形成剥离层7一边形成半导体膜8及栅极绝缘膜9，但当转印模6的表面能量小的场合，因为转印模6的表面的粘接力很弱，即使形成剥离层7，也可以仅施加超声波等振动进行转印。
(3)在上述的实施例中，栅极线3及接地线4的形成在由转印模5形成了图案的绝缘膜2上，通过喷墨法来形成，但不限于此，也可以利用连续式微纳米压印技术的转印模在绝缘膜2上形成图案，再通过Ni(镍)电镀形成栅极线3及接地线4。
(4)在上述的实施例中，为具备底栅型的TFT的光矩阵器件，但如图26所示，也可以是具备顶栅型的TFT的光矩阵器件。为顶栅型的TFT的场合，在转印模6上层叠半导体膜64及栅极绝缘膜65的顺序和上述的实施例不同，在转印模6上形成剥离层7后，先在转印模6上在真空中形成栅极绝缘膜65，再在层叠有栅极绝缘膜65的转印模6上，在真空中形成半导体膜64。接着，向经由绝缘膜61层叠在基板1上的数据线62及电容电极63的一部分上，转印栅极绝缘膜65及半导体膜(栅极沟道)64。然后，在栅极绝缘膜65上形成栅极线66。这样，数据线62相当于本发明中的第一配线，电容电极63相当于本发明中的电极。
另外，绝缘膜67在接地线4和电容电极63之间形成，在电容电极63的面上形成有像素电极69。在栅极线66的面上形成的绝缘膜68作为TFT的钝化膜发挥作用。这些光矩阵器件的形成方法及材质，和上述的实施例是一样的，所以省略其说明。

Claims (17)

1.一种光矩阵器件的制造方法，将具备薄膜晶体管的有关光的元件在基板上排列成二维矩阵状而构成所述光矩阵器件，其特征在于，
具备：
半导体膜形成步骤，其中在转印模上，在真空中层叠半导体膜；
栅极绝缘膜形成步骤，其中在层叠有所述半导体膜的所述转印模上，在真空中连续地层叠栅极绝缘膜；以及
转印步骤，其中向在所述基板上预先形成的第一配线上转印所述栅极绝缘膜及所述半导体膜。
2.如权利要求1所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
具备：
第一绝缘膜形成步骤，其中在所述基板上形成第一绝缘膜；
第一图案形成步骤，其中通过压印法在所述第一绝缘膜上形成所述第一配线的图案的槽；以及
第一配线形成步骤，其中在被形成为图案的所述第一绝缘膜的槽中通过喷墨法形成所述第一配线，
在所述第一配线上转印所述栅极绝缘膜及所述半导体膜。
3.如权利要求2所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
具备：
第二绝缘膜形成步骤，其中在被转印在所述第一配线上的所述栅极绝缘膜及所述半导体膜的周围形成第二绝缘膜；
第二图案形成步骤，其中通过压印法在所述第二绝缘膜上形成第二配线的图案的槽；以及
第二配线形成步骤，其中在被形成为图案的所述第二绝缘膜的槽中通过喷墨法形成所述第二配线。
4.如权利要求1所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
在所述转印模上形成所述半导体膜之前，在所述转印模上预先形成有剥离层。
5.如权利要求4所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
所述剥离层通过加热或紫外线照射其粘度降低。
6.如权利要求2所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
所述第一绝缘膜为有机物。
7.一种光矩阵器件的制造方法，将具备薄膜晶体管的有关光的元件在基板上排列成二维矩阵状而构成所述光矩阵器件，其特征在于，
具备：
栅极绝缘膜形成步骤，其中在转印模上在真空中层叠栅极绝缘膜；
半导体膜形成步骤，其中在层叠有所述栅极绝缘膜的所述转印模上在真空中层叠半导体膜；以及
转印步骤，其中向在所述基板上预先形成的第一配线及电极上转印所述栅极绝缘膜及所述半导体膜。
8.如权利要求1或7所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
所述半导体膜为氧化物半导体膜。
9.如权利要求1或7所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
所述栅极绝缘膜为无机物。
10.如权利要求1或7所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
反复进行所述转印步骤。
11.如权利要求1或7所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
所述光矩阵器件为光检测器。
12.如权利要求11所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
所述光矩阵器件为放射线检测器。
13.如权利要求1或7所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
所述光矩阵器件为图像显示装置。
14.一种光矩阵器件的制造方法，将具备薄膜晶体管的有关光的元件在基板上排列成二维矩阵状而构成所述光矩阵器件，其特征在于，
具备：
栅极绝缘膜形成步骤，其中在转印模上在真空中层叠栅极绝缘膜；
半导体膜形成步骤，其中在层叠有所述栅极绝缘膜的所述转印模上，在真空中连续地层叠半导体膜；
第一转印步骤，其中将所述栅极绝缘膜及所述半导体膜转印在薄膜上；以及
第二转印步骤，其中将被转印在所述薄膜上的所述栅极绝缘膜及所述半导体膜，转印在预先在所述基板上形成的第一配线上。
15.如权利要求14所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
所述薄膜的粘度因加热或紫外线照射而降低，所述第二转印步骤中通过加热或紫外线照射使所述薄膜的粘度降低。
16.如权利要求14所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
所述半导体膜是氧化物半导体膜。
17.如权利要求14所述的光矩阵器件的制造方法，其特征在于，
所述光矩阵器件是放射线检测器。
CN200980150770.1A 2008-12-18 2009-10-29 光矩阵器件的制造方法 Expired - Fee Related CN102257617B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPPCT/JP2008/073113 2008-12-18
PCT/JP2008/073113 WO2010070759A1 (ja) 2008-12-18 2008-12-18 光マトリックスデバイスの製造方法
PCT/JP2009/005746 WO2010070802A1 (ja) 2008-12-18 2009-10-29 光マトリックスデバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102257617A CN102257617A (zh) 2011-11-23
CN102257617B true CN102257617B (zh) 2013-08-28

Family

ID=42268449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980150770.1A Expired - Fee Related CN102257617B (zh) 2008-12-18 2009-10-29 光矩阵器件的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8652863B2 (zh)
CN (1) CN102257617B (zh)
WO (2) WO2010070759A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9379169B2 (en) * 2012-09-14 2016-06-28 Universal Display Corporation Very high resolution AMOLED display
JP6145635B2 (ja) * 2013-04-11 2017-06-14 株式会社明電舎 リチウムイオンキャパシタ用電極の製造方法
KR101520433B1 (ko) * 2013-07-08 2015-05-14 주식회사 레이언스 이미지센서 및 이의 제조방법
CN108393577A (zh) 2013-12-02 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
CN105793957B (zh) * 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
CN107068593B (zh) * 2017-03-30 2019-11-01 京东方科技集团股份有限公司 芯片转移方法及设备
JP7426560B2 (ja) * 2019-01-10 2024-02-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 メッキ用パターン版及び配線基板の製造方法
JP7314019B2 (ja) * 2019-10-30 2023-07-25 キヤノン株式会社 放射線検出装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101000947A (zh) * 2006-01-10 2007-07-18 索尼株式会社 半导体器件的制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4151420B2 (ja) * 2003-01-23 2008-09-17 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法
JP2004349583A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Sharp Corp トランジスタの製造方法
JP4549751B2 (ja) * 2004-06-17 2010-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2007027525A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Sony Corp 半導体装置の製造方法、および半導体装置、ならびに絶縁膜の形成方法
JP2007042849A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタの形成方法
JP2009021126A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Fujifilm Corp 転写材料、パターン膜の形成方法および発光素子の製造方法
ATE537467T1 (de) * 2007-10-23 2011-12-15 Shimadzu Corp Licht- oder strahlungsdetektor und verfahren zu seiner herstellung
JP4760844B2 (ja) * 2008-03-18 2011-08-31 Ｄｉｃ株式会社 電子部品の製造方法および該方法で製造された電子部品

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101000947A (zh) * 2006-01-10 2007-07-18 索尼株式会社 半导体器件的制造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2004-349583A 2004.12.09
JP特开2005-167260A 2005.06.23
JP特开2007-42849A 2007.02.15

Also Published As

Publication number Publication date
US8652863B2 (en) 2014-02-18
CN102257617A (zh) 2011-11-23
WO2010070802A1 (ja) 2010-06-24
WO2010070759A1 (ja) 2010-06-24
US20110244614A1 (en) 2011-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102257617B (zh) 光矩阵器件的制造方法
US7422964B2 (en) Manufacturing method of the active matrix substrate, and an electro-optical apparatus having the active matrix substrate
Wong et al. Flexible electronics: materials and applications
CN107248518B (zh) 光电传感器及其制作方法、显示装置
JP5141685B2 (ja) 光電変換素子の製造方法
US20100163737A1 (en) Radiation detector, method of manufacturing radiation detector, and method of manufacturing supporting substrate
CN106165113B (zh) 具有改善的能见度的光伏装置及其制造方法
US20120276734A1 (en) Method of manufacturing an opto-electric device
CN1280708A (zh) 利用喷墨印刷技术制造有机半导体器件的方法及器件和利用该器件的系统
CN105408950A (zh) 数据处理装置
CN108831905B (zh) 一种基于半导体量子点的红外探测-可见光显示集成系统、制备方法及成像方法
CN1794464A (zh) 有机电子器件的垂直互连
CN102598231A (zh) 柔性半导体装置及其制造方法以及图像显示装置
Ma et al. Highly efficient and mechanically robust stretchable polymer solar cells with random buckling
CN104412128A (zh) 具有有机光电二极管的辐射探测器
CN110544433A (zh) 显示基板、显示面板以及显示装置
Shim et al. Elastic integrated electronics based on a stretchable n-type elastomer–semiconductor–elastomer stack
Hou et al. Low-temperature solution-processed all organic integration for large-area and flexible high-resolution imaging
KR102000152B1 (ko) 표시소자용 도전물질과 전극 형성방법, 이를 구비한 표시소자
CN102473712A (zh) 光矩阵设备的制造方法
Kwak et al. Allrounder Strategy for Photopatterning Silver Nanowire Network Electrodes
TW202004724A (zh) 可印刷的光偵測器陣列面板和製造方法
KR20140091403A (ko) 전극구조 및 그 제조방법, 전극구조를 구비한 표시소자, 그 제조방법
CN110310972A (zh) 光电探测器以及制备方法
US20110236571A1 (en) Method of manufacturing an optical matrix device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130828

Termination date: 20141029

EXPY Termination of patent right or utility model