JPH0259474A - 窒化アルミニウム焼結体 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体Info
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- JPH0259474A JPH0259474A JP63209547A JP20954788A JPH0259474A JP H0259474 A JPH0259474 A JP H0259474A JP 63209547 A JP63209547 A JP 63209547A JP 20954788 A JP20954788 A JP 20954788A JP H0259474 A JPH0259474 A JP H0259474A
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- Japan
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- sintered body
- aluminum nitride
- vapor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は新規な窒化アルミニウム焼結体に関するもので
ある。
ある。
（従来の技術および問題点）
近年、セラミック材料の発展はめざましく、特に窒化ア
ルミニウム（／Ｍ！Ｎ）焼結体は、その熱伝導性、電気
絶縁性、機械的物性、化学的安定性においてすぐれた物
性を有するため電子材料分野においてＩＣ，ＬＳＩの基
板、ハイブリッドＩＣ基板、抵抗素子基板等の各種の基
板への応用が期待されている。ＡｆｆｉＮ基板は、現在
一部を除きほとんど実用化に至っていないが、これまで
に得られている基板は従来からあるアルミナ基板と同様
な製造方法がとられている。これらの方法によって得ら
れるＡｆＮ焼結体の表面粗さは一般には０．３μｍ以上
であり、より平滑な表面を有するＡｆＮ焼結体を得よう
とすれば、研磨などの機械加工によっている。しかしな
がら、これらの方法では研磨後の厚さむらが生じやすい
とか、焼結体中の結晶粒子が欠は落ち均一な平滑な面が
得られにくいとか、製造コストが高くなるといった問題
があった。
ルミニウム（／Ｍ！Ｎ）焼結体は、その熱伝導性、電気
絶縁性、機械的物性、化学的安定性においてすぐれた物
性を有するため電子材料分野においてＩＣ，ＬＳＩの基
板、ハイブリッドＩＣ基板、抵抗素子基板等の各種の基
板への応用が期待されている。ＡｆｆｉＮ基板は、現在
一部を除きほとんど実用化に至っていないが、これまで
に得られている基板は従来からあるアルミナ基板と同様
な製造方法がとられている。これらの方法によって得ら
れるＡｆＮ焼結体の表面粗さは一般には０．３μｍ以上
であり、より平滑な表面を有するＡｆＮ焼結体を得よう
とすれば、研磨などの機械加工によっている。しかしな
がら、これらの方法では研磨後の厚さむらが生じやすい
とか、焼結体中の結晶粒子が欠は落ち均一な平滑な面が
得られにくいとか、製造コストが高くなるといった問題
があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、上記の問題点について鋭意研究を重ねた
結果、ＡＩ！、Ｎ焼結体の表面に／ＩＮを蒸着すること
により、その焼結体の平滑性が著しく改善されることを
見い出し本発明に到った。
結果、ＡＩ！、Ｎ焼結体の表面に／ＩＮを蒸着すること
により、その焼結体の平滑性が著しく改善されることを
見い出し本発明に到った。
すなわち、本発明は蒸着されたＡｆＮ層を存することを
特徴とするＡｆＮ焼結体である。
特徴とするＡｆＮ焼結体である。
さらに本発明について詳しく述べると、／ＩＮ焼結体に
蒸着された蒸着層の表面粗さは０．５μｍ以下が好まし
く、さらには０．３μｍ以下、またさらには０．１μｍ
以下であり、またさらには０．０５μｍ以下が好ましい
。下限については特に限定されないが、本発明では０．
００５μｍ程度が製造しやすい。Ａｌ２Ｎ蒸着層の厚み
は０．１〜１５０μｍが好ましいが、さらには０．４〜
１００μｍ１またさらには０．６〜６０μｍ１またさら
には０．８〜３０μｍが好ましい。
蒸着された蒸着層の表面粗さは０．５μｍ以下が好まし
く、さらには０．３μｍ以下、またさらには０．１μｍ
以下であり、またさらには０．０５μｍ以下が好ましい
。下限については特に限定されないが、本発明では０．
００５μｍ程度が製造しやすい。Ａｌ２Ｎ蒸着層の厚み
は０．１〜１５０μｍが好ましいが、さらには０．４〜
１００μｍ１またさらには０．６〜６０μｍ１またさら
には０．８〜３０μｍが好ましい。
つぎに本発明のＡｆＮ焼結体の製造方法について述べる
。本発明に用いるＡＩＮ焼結体は、焼結体かさ密度が３
．１５ｇ／ｃｃ以上のものが望ましく、さらには３．２
０ｇ／ｃｃ以上、またさらには、３．２２ｇ／ｃｃ以上
のものが望ましい。かさ密度が３．１５ｇ／ｃｃ未溝の
ものでは開気孔率が大きくなり、表面にＡＩＮ層を蒸着
しても表面平滑な焼結体が得られにくい。
。本発明に用いるＡＩＮ焼結体は、焼結体かさ密度が３
．１５ｇ／ｃｃ以上のものが望ましく、さらには３．２
０ｇ／ｃｃ以上、またさらには、３．２２ｇ／ｃｃ以上
のものが望ましい。かさ密度が３．１５ｇ／ｃｃ未溝の
ものでは開気孔率が大きくなり、表面にＡＩＮ層を蒸着
しても表面平滑な焼結体が得られにくい。
また、ＡＩＮを蒸着する前の／ＩＮ焼結体の表面粗さは
１μｍ以下が望ましく、さらには０．７μｍ以下、さら
には０．５μｍ以下、またさらには０．３μｍ以下のも
のが好ましい０表面粗さが１μｍを越える場合、表面に
Ａ４２Ｎ層を蒸着しても表面平滑な焼結体が得られにく
い。表面粗さが１μｍを越える場合には、予め、簡単に
研磨を行なってからＡＩＮ層を蒸着すればよい。この程
度の研磨では、上述した焼結体の厚さむらなどの問題は
ほとんど起きにくい。Ａ ｊＩ！ Ｎ蒸着方法について
は本発明では特に限定されないが、一般的に用いられる
ＣＶＤ法（化学気相法）、ＰＶＤ法（物理気相法）等の
方法で蒸着可能である。具体的には昇華性のへ２化合物
とＮｔ、あるいは／およびＮ Ｈｚの混合ガスからＡｆ
ｉＮを生成させ、Ａｊ２Ｎ焼結体表面に蒸着させる方法
、あるいはＡＩＮをターゲットに用いて真空蒸着法や、
あるいはスパッタリング法によりＡＩＮ焼結体表面に八
〇Ｎを蒸着する方法などがある。
１μｍ以下が望ましく、さらには０．７μｍ以下、さら
には０．５μｍ以下、またさらには０．３μｍ以下のも
のが好ましい０表面粗さが１μｍを越える場合、表面に
Ａ４２Ｎ層を蒸着しても表面平滑な焼結体が得られにく
い。表面粗さが１μｍを越える場合には、予め、簡単に
研磨を行なってからＡＩＮ層を蒸着すればよい。この程
度の研磨では、上述した焼結体の厚さむらなどの問題は
ほとんど起きにくい。Ａ ｊＩ！ Ｎ蒸着方法について
は本発明では特に限定されないが、一般的に用いられる
ＣＶＤ法（化学気相法）、ＰＶＤ法（物理気相法）等の
方法で蒸着可能である。具体的には昇華性のへ２化合物
とＮｔ、あるいは／およびＮ Ｈｚの混合ガスからＡｆ
ｉＮを生成させ、Ａｊ２Ｎ焼結体表面に蒸着させる方法
、あるいはＡＩＮをターゲットに用いて真空蒸着法や、
あるいはスパッタリング法によりＡＩＮ焼結体表面に八
〇Ｎを蒸着する方法などがある。
（実施例）
本発明でいう表面粗さとはＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９
８２に示される中心線平均粗さ（Ｒａ）であり、本発明
ではカットオフ値０．０８ｍ＋ｎ、測定長さ２．５ ｍ
ｍ、送り速さ０．０５ｍｍ／ｓｅｅで測定した時の値で
ある。本発明では表面粗さは、■小板研究所製表面粗さ
測定器サーフコーダ５Ｅ−３０Ｃにより求めた。
８２に示される中心線平均粗さ（Ｒａ）であり、本発明
ではカットオフ値０．０８ｍ＋ｎ、測定長さ２．５ ｍ
ｍ、送り速さ０．０５ｍｍ／ｓｅｅで測定した時の値で
ある。本発明では表面粗さは、■小板研究所製表面粗さ
測定器サーフコーダ５Ｅ−３０Ｃにより求めた。
本発明でいう蒸着の厚みは、ＡＩ！、Ｎを蒸着する前後
のＡｆＮ焼結体の重量変化から求めた。その時、／ＩＮ
の密度は３．２６ｇ／ｃｃとして計算した。
のＡｆＮ焼結体の重量変化から求めた。その時、／ＩＮ
の密度は３．２６ｇ／ｃｃとして計算した。
本発明でいうＡ２Ｎ焼結体のかさ密度は溶媒にケロシン
用いてアルキメデス法により求めた。
用いてアルキメデス法により求めた。
また、ＡｆＮ焼結体の曲げ強度は、島津製作所製島津オ
ートグラフを用いた３点曲げ法（スパン長３０ｍｍクロ
スヘツドスピード０．５胴／ｍ１ｎ）により測定した。
ートグラフを用いた３点曲げ法（スパン長３０ｍｍクロ
スヘツドスピード０．５胴／ｍ１ｎ）により測定した。
実施例１
表面粗さ０．５μｍ、かさ密度３．２５ｇ／ｃｃを有す
る５ ｃｍ角、厚み０．６ＭのＡＩＮ焼結体表面に、ス
パッタリング法によりＡＩＮを蒸着した。蒸着時間を変
化させることにより蒸着層の厚みを調整した。
る５ ｃｍ角、厚み０．６ＭのＡＩＮ焼結体表面に、ス
パッタリング法によりＡＩＮを蒸着した。蒸着時間を変
化させることにより蒸着層の厚みを調整した。
その結果を表１に示す。
実施例２
表面粗さ０．１μｍかさ密度３．２６ｇ／ｃｃを有する
５ｃｍ角、厚み０．３ ｒｕｎのＡｆＮ焼結体表面にス
パッタリング法によりＡｌ１Ｎを蒸着した。蒸着時間を
変化させることにより蒸着層の厚みを調整した。その結
果を表１に示す。
５ｃｍ角、厚み０．３ ｒｕｎのＡｆＮ焼結体表面にス
パッタリング法によりＡｌ１Ｎを蒸着した。蒸着時間を
変化させることにより蒸着層の厚みを調整した。その結
果を表１に示す。
実施例３
表面粗さ０．０５μｍ 、かさ密度３．２６ｇ／ｃｃを
有する２、 ５ ｃｙｎ角、厚み０．４１１１ｆｆｌの
ＡｆＮ焼結体を、反応管内にセット管内に塩化アルミニ
ウム、アンモニア窒素の各ガスを導入して、ＡＩＮを生
成させ、焼結体表面に蒸着した。その結果を表１に示す
。
有する２、 ５ ｃｙｎ角、厚み０．４１１１ｆｆｌの
ＡｆＮ焼結体を、反応管内にセット管内に塩化アルミニ
ウム、アンモニア窒素の各ガスを導入して、ＡＩＮを生
成させ、焼結体表面に蒸着した。その結果を表１に示す
。
（発明の効果）
本発明のＡｆＮ焼結体は蒸着された窒化アルミニウム層
を有することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であ
る。従来、表面平滑な／ＩＮ焼結体を得ようとすれば、
焼結体表面を研磨せねばならず、種々の問題があったが
、本発明では、これらの問題が解決された。本発明によ
って得られた／ＩＮ体は表面平滑が著しく改善されるば
かりでなく、曲げ強度も表１に示すごとく著しく改善さ
れる。このことによ本発明のＡＩＮ焼結体は放熱基板等
の電子材料用途ばかりでなく、構造材料として使用でき
る材料となった。
を有することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であ
る。従来、表面平滑な／ＩＮ焼結体を得ようとすれば、
焼結体表面を研磨せねばならず、種々の問題があったが
、本発明では、これらの問題が解決された。本発明によ
って得られた／ＩＮ体は表面平滑が著しく改善されるば
かりでなく、曲げ強度も表１に示すごとく著しく改善さ
れる。このことによ本発明のＡＩＮ焼結体は放熱基板等
の電子材料用途ばかりでなく、構造材料として使用でき
る材料となった。
Claims (1)
- 蒸着された窒化アルミニウム層を有することを特徴と
する窒化アルミニウム焼結体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209547A JPH0259474A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 窒化アルミニウム焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209547A JPH0259474A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 窒化アルミニウム焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0259474A true JPH0259474A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16574617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63209547A Pending JPH0259474A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 窒化アルミニウム焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0259474A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163428A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性部材 |
| EP0615964A2 (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-21 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Aluminium nitride ceramics and method for preparing the same |
| US8288705B2 (en) | 2008-06-10 | 2012-10-16 | Denso Corporation | Position adjustment device for reflector, detection method and detection device |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP63209547A patent/JPH0259474A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163428A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性部材 |
| EP0615964A2 (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-21 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Aluminium nitride ceramics and method for preparing the same |
| EP0615964B1 (en) * | 1993-03-19 | 1999-06-16 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Aluminium nitride ceramics and method for preparing the same |
| US8288705B2 (en) | 2008-06-10 | 2012-10-16 | Denso Corporation | Position adjustment device for reflector, detection method and detection device |
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