JPH0259065A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
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- JPH0259065A JPH0259065A JP20834388A JP20834388A JPH0259065A JP H0259065 A JPH0259065 A JP H0259065A JP 20834388 A JP20834388 A JP 20834388A JP 20834388 A JP20834388 A JP 20834388A JP H0259065 A JPH0259065 A JP H0259065A
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 108
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 63
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、塗布装置の技術に関し、特に、半導体ウェハ
あるいはマスク基板等におけるレジスト材の塗布膜を均
一にするだめの塗布装置に適用して有効な技術に関する
。
あるいはマスク基板等におけるレジスト材の塗布膜を均
一にするだめの塗布装置に適用して有効な技術に関する
。
[従来の技術]
この種のレジストの塗布に関する技術としては、回転状
態の半導体ウェハに対してノズルよりレジスト液を滴下
し、回転遠心力によってウェハ全面にレジスト液を拡げ
て塗布する、いわゆる回転塗布装置による塗布技術が知
られている(たとえば、特開昭51−114877号公
報記載)。
態の半導体ウェハに対してノズルよりレジスト液を滴下
し、回転遠心力によってウェハ全面にレジスト液を拡げ
て塗布する、いわゆる回転塗布装置による塗布技術が知
られている(たとえば、特開昭51−114877号公
報記載)。
ところで、このような塗布技術において、精密な配線パ
ターンを実現するためには、半導体ウェハ上のレジスト
液の均一な塗布が必要とされ、このためには、たとえば
ノズルから滴下されるレジスト液が常に一定の粘度に維
持されていることが一条件とされる。
ターンを実現するためには、半導体ウェハ上のレジスト
液の均一な塗布が必要とされ、このためには、たとえば
ノズルから滴下されるレジスト液が常に一定の粘度に維
持されていることが一条件とされる。
すなわち、ノズルによるレジスト液の塗布停止時から塗
布開始時までの塗布待機時間が比較的長時間になると、
レジスト液の粘度特性などがその溶剤の揮発により変化
し、この変化によりレジスト液の均一な塗布が妨げられ
る。
布開始時までの塗布待機時間が比較的長時間になると、
レジスト液の粘度特性などがその溶剤の揮発により変化
し、この変化によりレジスト液の均一な塗布が妨げられ
る。
そこで、ノズルの塗布待機時間が一定時間経過すると、
そのレジスト液を一定量強制的に排出させる、いわゆる
1−空出し」を行う技術が考えられてJ)る。
そのレジスト液を一定量強制的に排出させる、いわゆる
1−空出し」を行う技術が考えられてJ)る。
二発問が解決しようとする課題]
しかしながら、前記した:空出し」を行う技術において
は、塗布待機時間が予め設定された一定の設定時間を経
過すると、その塗布待機時間の長短にかかわらず、レジ
スト液が強制的に一定量排出される。
は、塗布待機時間が予め設定された一定の設定時間を経
過すると、その塗布待機時間の長短にかかわらず、レジ
スト液が強制的に一定量排出される。
二のた於、たとえばノズルの塗布待機時間が設定時間よ
り長かった場合において、ノズルから排出されるし/ス
ト液の排出量が少な目に設定されていると、レジスト液
の粘度特性などの変化に十分対応できず、レジスト材の
塗布が不均一とされる。
り長かった場合において、ノズルから排出されるし/ス
ト液の排出量が少な目に設定されていると、レジスト液
の粘度特性などの変化に十分対応できず、レジスト材の
塗布が不均一とされる。
他方、ノズルの塗布待機時間が設定時間より短かった場
合において、ノズルがら排出されるレジスト液の排出量
が多め目に設定されていると、レジスト材の塗布の均一
化に対して不必要なレジスト液までが排出され、レジス
ト液が無駄になる。
合において、ノズルがら排出されるレジスト液の排出量
が多め目に設定されていると、レジスト材の塗布の均一
化に対して不必要なレジスト液までが排出され、レジス
ト液が無駄になる。
本発明の目的は、塗布待機時間の長短に対応した最適量
の塗布液を排出させることができ、塗布の均一化を図る
ことができる塗布装置を提供することにある。
の塗布液を排出させることができ、塗布の均一化を図る
ことができる塗布装置を提供することにある。
本発明の前記なろびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面かみ明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面かみ明らかになるであろう
。
S:S題を解決するだめの手段]
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、ノズルから被塗布物に供給されて塗布される
塗布液の特性変化の防止のために、ノズルから供給され
る塗布液が強制的に排出される塗布装置であって、前記
ノズルから強制的に排出される塗布液の排出量が該ノズ
ルによる塗布停止時から塗布開始時までの塗布待機時間
に対応して変化されるものである。
塗布液の特性変化の防止のために、ノズルから供給され
る塗布液が強制的に排出される塗布装置であって、前記
ノズルから強制的に排出される塗布液の排出量が該ノズ
ルによる塗布停止時から塗布開始時までの塗布待機時間
に対応して変化されるものである。
[作用]
前記した手段によれば、前記ノズルから強制的に排出さ
れる塗布液の排出量が塗布待機時間に対応して変化され
るため、塗布待機時間の長短に対応した最適量の塗布液
を排出させることができ、塗布の均一化を図ることがで
きる。
れる塗布液の排出量が塗布待機時間に対応して変化され
るため、塗布待機時間の長短に対応した最適量の塗布液
を排出させることができ、塗布の均一化を図ることがで
きる。
[実施例]
第1図は本発明の一実施例である塗布装置を示す説明図
、第2図は第1図の塗布装置の配置状態を示す説明図、
第3図は第1図の塗布装置のメモリに記憶されている塗
布待機時間と塗布液の排出量との関係を示す図、第4図
は第1図の塗布装置の動作説明図である。
、第2図は第1図の塗布装置の配置状態を示す説明図、
第3図は第1図の塗布装置のメモリに記憶されている塗
布待機時間と塗布液の排出量との関係を示す図、第4図
は第1図の塗布装置の動作説明図である。
第1図に示すように、本実施例の塗布装置lは、スピン
ヘッド2が内設されたチャンバ3と、スピンへノド2の
上方に延設されたノズルアーム4とを備えている。
ヘッド2が内設されたチャンバ3と、スピンへノド2の
上方に延設されたノズルアーム4とを備えている。
前記チャンバ3は、上面が開口された偏平円筒形状とさ
れ、スピンヘッド2が内設されている。
れ、スピンヘッド2が内設されている。
スピンヘッド2の上面には、真空吸着口5が形成され、
該スピンへノド2は、チャンバ3外に配置されたモータ
6等の回転駆動源により所定の高速状態で回転可能とさ
れている。
該スピンへノド2は、チャンバ3外に配置されたモータ
6等の回転駆動源により所定の高速状態で回転可能とさ
れている。
前記ノズルアーム4は、軸芯部7を中心に所定角度範囲
での回動力Z可能な構造きされている。
での回動力Z可能な構造きされている。
ノズルアーム4の先端には、スピンヘッド2側に向かっ
て垂設されたノズル8が装備され、このノズル8には、
流路9が接続されている。
て垂設されたノズル8が装備され、このノズル8には、
流路9が接続されている。
流路9には、ベローズポンプ等の送り出しポンプlOが
介在され、このポンプ10を通じて塗布液[11内のレ
ジスト液(塗布液)がノズル8に送り出される構造上さ
れている。
介在され、このポンプ10を通じて塗布液[11内のレ
ジスト液(塗布液)がノズル8に送り出される構造上さ
れている。
第2図に示すように、チャンバ3の側方には、排出液[
12が配置され、ノズル8がノズルアーム4の回動によ
りスピンヘッド2の上方と排出液槽12との間を移動可
能とされている。
12が配置され、ノズル8がノズルアーム4の回動によ
りスピンヘッド2の上方と排出液槽12との間を移動可
能とされている。
そして、ノズル8が排出液槽12の上方に移動され、ポ
ンプIOが駆動されることによりノズル8内に残留する
レジスト液が排出液槽12に強制的に排出される構造、
すなわち「空出し」が行われる構造とされている。
ンプIOが駆動されることによりノズル8内に残留する
レジスト液が排出液槽12に強制的に排出される構造、
すなわち「空出し」が行われる構造とされている。
また、そのレジスト液の排出量は、排出量制御機構13
によって制御される。
によって制御される。
排出量制御機構13は、タイマ14 (計時手段)とメ
モIJ 15 (記憶手段)と制御部16 (制御手段
)とから構成されている。
モIJ 15 (記憶手段)と制御部16 (制御手段
)とから構成されている。
タイマ14は、ノズル8内に残留するレジスト液の塗布
待機時間、すなわち、第4図に示すように、ノズル8に
よるレジスト液の前回の供給終了時からノズル8による
レジスト液の次回の供給開始時までの塗布待機時間T+
、 T2 、 T3 をその供給開始時毎に計時する
ようになっている。
待機時間、すなわち、第4図に示すように、ノズル8に
よるレジスト液の前回の供給終了時からノズル8による
レジスト液の次回の供給開始時までの塗布待機時間T+
、 T2 、 T3 をその供給開始時毎に計時する
ようになっている。
また、メモIJ 15には、第3図に示すように、塗布
待機時間とこの塗布待機時間に夫々対応したレジスト液
の最適な排出量との関係が記憶されている。
待機時間とこの塗布待機時間に夫々対応したレジスト液
の最適な排出量との関係が記憶されている。
このメモリ15に記憶されている最適な排出量は、ノズ
ル8内のレジスト液の粘度変化による塗布の不均一化が
防止され、またその塗布の不均一化の防止に対して不必
要なレジスト液までが排出されることのない数値とされ
ている。
ル8内のレジスト液の粘度変化による塗布の不均一化が
防止され、またその塗布の不均一化の防止に対して不必
要なレジスト液までが排出されることのない数値とされ
ている。
また、制御部16は、前記したタイマ14によって計時
される塗布待機時間と、前記メモIJ l 5によって
記憶されているレジスト液の最適な排出量とに基づいて
ポンプlOの駆動部に制御信号を送り、そして、ノズル
8がらレジスト液が塗布待機時間に対応した最適な排出
量で排出されるようにポンプIOを作動させるようにな
っている。
される塗布待機時間と、前記メモIJ l 5によって
記憶されているレジスト液の最適な排出量とに基づいて
ポンプlOの駆動部に制御信号を送り、そして、ノズル
8がらレジスト液が塗布待機時間に対応した最適な排出
量で排出されるようにポンプIOを作動させるようにな
っている。
すなわち、第4図に示すように、たとえば塗布待機時間
がT、 であるときには、その塗布待機時間T、 に
対して最適な排出量N1 のレジスト液がノズル8から
排出液槽12に排出され、また塗布待機時間T1 よ
りも長い塗布待機時間T2 に対しては、排出IN、
よりも多くその塗布待機時間Tに対して最適な排出I
N 2 のレジスト液がノズル8から排出液!’!12
に排出されるようになっている。
がT、 であるときには、その塗布待機時間T、 に
対して最適な排出量N1 のレジスト液がノズル8から
排出液槽12に排出され、また塗布待機時間T1 よ
りも長い塗布待機時間T2 に対しては、排出IN、
よりも多くその塗布待機時間Tに対して最適な排出I
N 2 のレジスト液がノズル8から排出液!’!12
に排出されるようになっている。
なお、ポンプ10によるレジスト液の排出量の制御は、
たとえばポンプ10の作動時間、回数、移動量等の制御
によって行われる。
たとえばポンプ10の作動時間、回数、移動量等の制御
によって行われる。
次に、本実施例の作用について説明する。
先ス、チャンバ3内のスピンヘッド2上に回転中心を位
置決めされた半導体ウェハ17 (被塗付物)が回路形
成面を上面側にして載置されると、スピンへノド2の真
空吸着口5より真空吸引が開始され、半導体ウェハ17
がスピンへノド2の上面に密着される。
置決めされた半導体ウェハ17 (被塗付物)が回路形
成面を上面側にして載置されると、スピンへノド2の真
空吸着口5より真空吸引が開始され、半導体ウェハ17
がスピンへノド2の上面に密着される。
次いで、モータ6の駆動によりスピンヘッド2が高速回
転され、このスピンヘッド2が安定した高速回転状態と
されると、ポンプ10が作動され、半導体ウェハ17の
回転中心直上に位置されているノズル8からレジスト液
が所定の滴数、半導体ウェハ17に滴下される。
転され、このスピンヘッド2が安定した高速回転状態と
されると、ポンプ10が作動され、半導体ウェハ17の
回転中心直上に位置されているノズル8からレジスト液
が所定の滴数、半導体ウェハ17に滴下される。
半導体ウェハ17に滴下されたレジスト液は、回転遠心
力によって半導体ウェハ17の表面上で渦巻き状に拡散
され、半導体ウェハ17の表面全面に均一なレジスト膜
が形成される。
力によって半導体ウェハ17の表面上で渦巻き状に拡散
され、半導体ウェハ17の表面全面に均一なレジスト膜
が形成される。
このようにして、半導体ウェハ17の表面全面にレジス
ト膜が形成された後に、ノズルアーム4が軸芯部7を中
心に回動され、ノズル8が半導体ウェハ17の直上から
排出液槽12の直上に移動される。
ト膜が形成された後に、ノズルアーム4が軸芯部7を中
心に回動され、ノズル8が半導体ウェハ17の直上から
排出液槽12の直上に移動される。
このノズル8の移動に伴って、モータ6の駆動および真
空吸着口5への真空吸引が停止され、半導体ウェハ17
がスピンへラド2上からチャンバ3外に取り出される。
空吸着口5への真空吸引が停止され、半導体ウェハ17
がスピンへラド2上からチャンバ3外に取り出される。
次いで、次の半導体ウェハ17がスピンへ、ド2上に載
置されると、前記したと同様に、スピンヘッド2の真空
吸引、スピンヘッド2の高速回転、ノズル8からのレジ
スト液の滴下により、半導体ウェハ17の表面全面に均
一なレジスト膜が形成され、その後に、ノズル8が半導
体ウェハ17の直上から排出液槽12の直上に移動され
、半導体ウェハ17がチャンバ3外に取り出される。
置されると、前記したと同様に、スピンヘッド2の真空
吸引、スピンヘッド2の高速回転、ノズル8からのレジ
スト液の滴下により、半導体ウェハ17の表面全面に均
一なレジスト膜が形成され、その後に、ノズル8が半導
体ウェハ17の直上から排出液槽12の直上に移動され
、半導体ウェハ17がチャンバ3外に取り出される。
本実施例の塗布装置によれば、このようにして半導体ウ
ェハ17の表面にレジスト膜が塗布されるが、この場合
に、チャンバ3内の半導体ウエハ17の交換時などにお
けるノズル8の塗布待機時間は、タイマ14によって計
時されている。
ェハ17の表面にレジスト膜が塗布されるが、この場合
に、チャンバ3内の半導体ウエハ17の交換時などにお
けるノズル8の塗布待機時間は、タイマ14によって計
時されている。
そして、第4図に示すように、その塗布待機時間がたと
えばT1 と計時されると、この計時された塗布待機
時間T1 とメモリ15によって記憶されているレジ
スト液の最適な排出量とに基づいて制御部16がポンプ
10の駆動部に制御信号を送る。
えばT1 と計時されると、この計時された塗布待機
時間T1 とメモリ15によって記憶されているレジ
スト液の最適な排出量とに基づいて制御部16がポンプ
10の駆動部に制御信号を送る。
制御部16から制御信号が送られたポンプ10よ、その
制御信号により、ノズル8のレジスト液が塗布待機時間
T1 に対応した最適な排出INで排出液[12に排出
されるように作動される。
制御信号により、ノズル8のレジスト液が塗布待機時間
T1 に対応した最適な排出INで排出液[12に排出
されるように作動される。
そして、このポンプ10の作動により、ノズル8かろレ
ジスト液が排出液槽12に塗布待機時間T1 に対応
した最適な排出量N2 、すなわちし/スト液の粘度変
化による塗布の不均一化が防止され、またその塗布の不
均一化の防止に対して不必要なレジスト液までが排出さ
れることのない排出量N1 て排出される。
ジスト液が排出液槽12に塗布待機時間T1 に対応
した最適な排出量N2 、すなわちし/スト液の粘度変
化による塗布の不均一化が防止され、またその塗布の不
均一化の防止に対して不必要なレジスト液までが排出さ
れることのない排出量N1 て排出される。
このため、本実施例によれば、し/スト液の塗布の不均
一化の防止に対して不必要なレジスト液までが排出され
ることがない。
一化の防止に対して不必要なレジスト液までが排出され
ることがない。
また、この排出後に、スピンベンド2上に移動されたノ
ズル8は、前記したレジスト液の排出により、そのスピ
ンヘッド2上の半導体ウェハ17に、粘度変化のないレ
ジスト液を滴下するので、半導体ウェハ17に対する塗
布の均一化を図ることができる。
ズル8は、前記したレジスト液の排出により、そのスピ
ンヘッド2上の半導体ウェハ17に、粘度変化のないレ
ジスト液を滴下するので、半導体ウェハ17に対する塗
布の均一化を図ることができる。
このように本実施例によれば、以下の効果を得ることが
できる。
できる。
(I)、塗布待機時間の長短に応じ、ノズル8からレノ
スト液がその塗布待機時間に対応した最適な排出量、す
なわちレジスト液の粘度変化による塗布の不均一化が防
止され、またその塗布の不均一化の防止に対して不必要
なレジスト液までが排出されることのない排出量で排出
されるので、レジスト液の塗布の不均一化の防止に対し
て不必要なレジスト液まで排出されるのを確実に防止す
ることができる。
スト液がその塗布待機時間に対応した最適な排出量、す
なわちレジスト液の粘度変化による塗布の不均一化が防
止され、またその塗布の不均一化の防止に対して不必要
なレジスト液までが排出されることのない排出量で排出
されるので、レジスト液の塗布の不均一化の防止に対し
て不必要なレジスト液まで排出されるのを確実に防止す
ることができる。
(2) 前記した(1)の効果により、レジスト液の
使用量の低減化を図ることができる。
使用量の低減化を図ることができる。
(3) ノズル8が最適な排出量でレジスト液を排出
した後に、スピンベンド2上の半導体ウェハ17に、粘
度変化のないレジスト液を滴下するので、半導体ウェハ
17に対する塗布の均一化を図ることができる。
した後に、スピンベンド2上の半導体ウェハ17に、粘
度変化のないレジスト液を滴下するので、半導体ウェハ
17に対する塗布の均一化を図ることができる。
(4)、@記した(3)の効果により、半導体ウェハ1
7のレノスト膜厚の均一化、精度の向上を図ることがで
きる。
7のレノスト膜厚の均一化、精度の向上を図ることがで
きる。
(5) 前記した(3)と(・1)の効果により、半
導体ウェハの塗布工程における歩留りの向上を図ること
ができる。
導体ウェハの塗布工程における歩留りの向上を図ること
ができる。
(6)、前記した(1)〜(5)の効果により、半導体
ウェハの塗布工程における低コスト化を図ることができ
る。
ウェハの塗布工程における低コスト化を図ることができ
る。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、本実施例においては、ポンプ10に対する制
御により、ノズル8から排出されるレジスト液の排出量
が制御される構造とされているが、本発明においてはそ
のようなポンプ10に対する制御に限るものではなく、
たとえば流路9に制御部16によって制御される流量制
御弁を介在させ、この流量制御弁によりレジスト液の排
出量が制御される構造としても良い。
御により、ノズル8から排出されるレジスト液の排出量
が制御される構造とされているが、本発明においてはそ
のようなポンプ10に対する制御に限るものではなく、
たとえば流路9に制御部16によって制御される流量制
御弁を介在させ、この流量制御弁によりレジスト液の排
出量が制御される構造としても良い。
また、以上の説明では、主として本発明者によってなさ
れた塗布装置の発明をその利用分野であるレジスト液の
塗布に適用した場合について説明したが、本発明の塗布
装置は、これに限定されるものではなく、たとえば石英
ガラスなどのマスク基板あるいはレチクル基板上のへの
レジスト液の塗布、更には磁気ディスクなどへの塗布に
適用することができる。
れた塗布装置の発明をその利用分野であるレジスト液の
塗布に適用した場合について説明したが、本発明の塗布
装置は、これに限定されるものではなく、たとえば石英
ガラスなどのマスク基板あるいはレチクル基板上のへの
レジスト液の塗布、更には磁気ディスクなどへの塗布に
適用することができる。
[発明の効果]
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりであ
る。
って得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりであ
る。
すなわち、前記ノズルから強制的に排出される塗布液の
排出量が塗布待機時間に対応して変化されることにより
、塗布待機時間の長短に対応し、塗布液の特性変化の防
止のために最適量の塗布液を排出させることができるの
で、不必要な塗布液の排出を防止することができ、また
塗布の均一化を図ることができる。
排出量が塗布待機時間に対応して変化されることにより
、塗布待機時間の長短に対応し、塗布液の特性変化の防
止のために最適量の塗布液を排出させることができるの
で、不必要な塗布液の排出を防止することができ、また
塗布の均一化を図ることができる。
第1図は本発明の一実施例である塗布装置を示す説明図
、 第2図は第1図の塗布装置の配置状態を示す説明図、 第3図は第1図の塗布装置のメモリに記憶されている塗
布待機時間と塗布液の排出量との関係を示す図、 第4図は第1図の塗布装置の動作説明図である。 l・・・塗布装置、2・・・スピンヘッド、3・・チャ
ンバ 4・・・ノズルアーム、5・・・真空吸着口、6
・・・モータ、7・・・軸芯部、8・・・ノズル、9・
・・流路、10・・・ポンプ、11・・・塗布液槽、1
2・・・排出液槽、13・・・排出量制御機構、14・
・・タイマ(計時手段)、15・・・メモリ (記憶手
段)、16・・・制御部(制御手段)、17・・・半導
体ウェハ(被塗付物)、TI、 T2 、 T3 、
・・塗布待機時間、N+ 、 N2 、 N3
・・・排出量。
、 第2図は第1図の塗布装置の配置状態を示す説明図、 第3図は第1図の塗布装置のメモリに記憶されている塗
布待機時間と塗布液の排出量との関係を示す図、 第4図は第1図の塗布装置の動作説明図である。 l・・・塗布装置、2・・・スピンヘッド、3・・チャ
ンバ 4・・・ノズルアーム、5・・・真空吸着口、6
・・・モータ、7・・・軸芯部、8・・・ノズル、9・
・・流路、10・・・ポンプ、11・・・塗布液槽、1
2・・・排出液槽、13・・・排出量制御機構、14・
・・タイマ(計時手段)、15・・・メモリ (記憶手
段)、16・・・制御部(制御手段)、17・・・半導
体ウェハ(被塗付物)、TI、 T2 、 T3 、
・・塗布待機時間、N+ 、 N2 、 N3
・・・排出量。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ノズルから被塗布物に供給されて塗布される塗布液
の特性変化の防止のために、ノズルから供給される塗布
液が強制的に排出される塗布装置であって、前記ノズル
から強制的に排出される塗布液の排出量が該ノズルによ
る塗布停止時から塗布開始時までの塗布待機時間に対応
して変化されることを特徴とする塗布装置。 2、前記塗布待機時間を計時する計時手段と、前記塗布
待機時間に対応した最適な塗布液の排出量を記憶してい
る記憶手段と、前記計時手段によって計時される塗布待
機時間と前記記憶手段によって記憶されている塗布液の
最適な排出量とに基づいて前記ノズルから排出される塗
布液の排出量を最適な排出量に制御する制御手段とを備
えていることを特徴とする請求項1記載の塗布装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63208343A JP2642434B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63208343A JP2642434B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 塗布装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0259065A true JPH0259065A (ja) | 1990-02-28 |
JP2642434B2 JP2642434B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=16554704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63208343A Expired - Lifetime JP2642434B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2642434B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103800A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 薬液塗布装置制御方法および薬液塗布装置 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63208343A patent/JP2642434B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103800A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 薬液塗布装置制御方法および薬液塗布装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2642434B2 (ja) | 1997-08-20 |
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