JPH0258901A - 多層配線結合フィルター - Google Patents
多層配線結合フィルターInfo
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- JPH0258901A JPH0258901A JP63210130A JP21013088A JPH0258901A JP H0258901 A JPH0258901 A JP H0258901A JP 63210130 A JP63210130 A JP 63210130A JP 21013088 A JP21013088 A JP 21013088A JP H0258901 A JPH0258901 A JP H0258901A
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- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 22
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術(第4図、第5図)
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段(第1図)
作用
実施例(第2図、第3図)
発明の効果
〔概要〕
多層配線結合フィルターに関し、
結合フィルターの占有面積を減少させることを目的とし
、 片側に導電体が形成された誘電体に半波長共振器が配置
される結合フィルターにおいて、誘電体の内部に少なく
とも1個の半波長共振器を設け、誘電体の表面に入力線
路あるいは出力線路等の少なくとも1個の9R電線を形
成し、該饋電線と上記半波長共振器を上下方向に配置し
たものである。
、 片側に導電体が形成された誘電体に半波長共振器が配置
される結合フィルターにおいて、誘電体の内部に少なく
とも1個の半波長共振器を設け、誘電体の表面に入力線
路あるいは出力線路等の少なくとも1個の9R電線を形
成し、該饋電線と上記半波長共振器を上下方向に配置し
たものである。
本発明はMMIC(モノリシック・マイクロウェーブf
c)等に用いられる半波長共振器に係り、特にその特性
を損なうことなく小型化した結合フィルターの構造に関
する。
c)等に用いられる半波長共振器に係り、特にその特性
を損なうことなく小型化した結合フィルターの構造に関
する。
IC等の高集積化、高密度化はMMICの分野にも当然
及び、組込まれる各電子部品の小型化も要求される。
及び、組込まれる各電子部品の小型化も要求される。
このためフィルターとしては、シールド層上の薄い誘電
体層上に導体(共振器)を平面的に複数個配置した個結
合フィルターが用いられている。
体層上に導体(共振器)を平面的に複数個配置した個結
合フィルターが用いられている。
しかし、共振器の長さに制限(例えば半波長)があるた
め、その特性を損なわずに、より小型化することは困難
であった。
め、その特性を損なわずに、より小型化することは困難
であった。
従来の個結合フィルターの構造を第4図に示す。
第4図(a)は個結合フィルターの主要部の平面図、第
4図(b)は同図(a)の入方向から見た側面図である
。
4図(b)は同図(a)の入方向から見た側面図である
。
第4図において、40は誘電体であって、例えばアルミ
ナ(Aβ203)から成る。41は接地導体であって例
えば金(ALI)から成る。42は入力線路、43〜4
5は共振器、46は出力線路であり、42〜46はこれ
また例えばAuより構成される。
ナ(Aβ203)から成る。41は接地導体であって例
えば金(ALI)から成る。42は入力線路、43〜4
5は共振器、46は出力線路であり、42〜46はこれ
また例えばAuより構成される。
第4図では、誘電体層40の上面に形成された入力線路
42と出力線路46の間に、半波長(λ/2)の長さの
例えば3個の共振器43〜45が、λ/4づつ側面が対
向するように配置されて、バントパスフィルターを構成
している。
42と出力線路46の間に、半波長(λ/2)の長さの
例えば3個の共振器43〜45が、λ/4づつ側面が対
向するように配置されて、バントパスフィルターを構成
している。
人力線路42から入力した信号は共振器43.44.4
5を経由して、予め定められた周波数帯域の信号として
出力線路46側に送出される。この際、各線路と共振器
の間の距離が小さい程、結合度が大きくなり、伝送によ
る信号の撰失が少ないことが知られている。
5を経由して、予め定められた周波数帯域の信号として
出力線路46側に送出される。この際、各線路と共振器
の間の距離が小さい程、結合度が大きくなり、伝送によ
る信号の撰失が少ないことが知られている。
また第5図に示す如く、■面に導体が形成された誘電体
層50の上面に、対向する入力線路52と出力線路56
間に共振器53.54.55を一列に配置した直列型フ
ィルターも考えられている。
層50の上面に、対向する入力線路52と出力線路56
間に共振器53.54.55を一列に配置した直列型フ
ィルターも考えられている。
〔発明が解決し1ようとする課題〕
従来の個結合フィルターは第4図に示す如く、入力線路
42、出力線路46や各共振器43〜45は同一平面上
に配置されているため、人力線路、出力線路や各共振器
間の距離を短くしても、フィルター全体の占有面積はか
なり大きなものとなる問題点がある。
42、出力線路46や各共振器43〜45は同一平面上
に配置されているため、人力線路、出力線路や各共振器
間の距離を短くしても、フィルター全体の占有面積はか
なり大きなものとなる問題点がある。
また、第5図に示す如き直列型のフィルターは占有面積
は小さいが、入力線路・出力線路や各共振器間の結合部
分が導体の幅しかなく実質的な結合面積が大変小さいた
め、出力が極めて小さ(伝送効率か悪くなるという問題
点がある。
は小さいが、入力線路・出力線路や各共振器間の結合部
分が導体の幅しかなく実質的な結合面積が大変小さいた
め、出力が極めて小さ(伝送効率か悪くなるという問題
点がある。
従って、本発明の目的は、上記問題点を解決するため、
フィルターとしての特性を損なうごとなく、その占有面
積の小さな、しかも伝送効率のよいフィルターを提供す
ることである。
フィルターとしての特性を損なうごとなく、その占有面
積の小さな、しかも伝送効率のよいフィルターを提供す
ることである。
〔課題を解決するための手段]
第1図は本発明の結合フィルターの原理図である。
第1図(a)は結合フィルターの主要部の側面図、第1
図(b)は同図(a)の平面図である。
図(b)は同図(a)の平面図である。
図中、10は誘電体層であって、10−1.1゜2に示
す複数層に形成されている。
す複数層に形成されている。
11は接地導体、12は入力線路、13.14は共振器
、16は出力線路である。
、16は出力線路である。
誘電体層10−2の上面には人力線路12と、出力線路
16が形成されており、誘電体層101の上面に共振器
13.14がそれぞれ入力線路J2、出力線Is 16
と立体的に結合するように配置されている。
16が形成されており、誘電体層101の上面に共振器
13.14がそれぞれ入力線路J2、出力線Is 16
と立体的に結合するように配置されている。
本発明では、入力線路12から人力された信号は誘電体
層10内部に形成された共振器13.14を経由して出
力線路16より出力する。
層10内部に形成された共振器13.14を経由して出
力線路16より出力する。
本発明の結合フィルターは、誘電体層内部に形成された
共振器が入力線路、出力線路の一部と垂直面で対向して
結合するように配列されるので、結合フィルターの占有
面積を従来の側結合フィルターより著しく減少すること
ができる。
共振器が入力線路、出力線路の一部と垂直面で対向して
結合するように配列されるので、結合フィルターの占有
面積を従来の側結合フィルターより著しく減少すること
ができる。
また結合が立体的な面の結合となるため、その結合面積
が従来の構造の側結合フィルターのそれより大きくなり
、結合度が向上する。
が従来の構造の側結合フィルターのそれより大きくなり
、結合度が向上する。
(実施例〕
第2図は本発明の一実施例であり、共振器を3個有する
結合フィルターの主要部構成図である。
結合フィルターの主要部構成図である。
第2図(a)は平面図、第2図(b)は同図(a)のa
−a’線に沿った断面図である。
−a’線に沿った断面図である。
第2図において、20は誘電体層であって、3層(20
−1,20−2,2O−3)から成り、例えばAAzO
3で形成されている。
−1,20−2,2O−3)から成り、例えばAAzO
3で形成されている。
21は接地導体であって、例えばAuから成る。
22は入力線路、23.24.25は共振器、26は出
力線路であり、22〜26は例えばAuで形成されてい
る。
力線路であり、22〜26は例えばAuで形成されてい
る。
入力線路22と出力線路26は誘電体層203の上層に
形成されている。
形成されている。
共振器23〜25の長さは所望のバンドパス信号の波長
(λ)の半波長(λ/2)の大きさになるように設計さ
れている。共振器23は誘電体層20−2の上層に形成
され、入力線路22と誘電体層20−3をはさんでλ/
4の幅で立体的に結合するように構成されている。共振
器24は誘電体層20−1の上層に形成される。同様に
、共振器25は誘電体層20−2の上層に共振器24、
出力線路26と立体的に結合するように構成される。
(λ)の半波長(λ/2)の大きさになるように設計さ
れている。共振器23は誘電体層20−2の上層に形成
され、入力線路22と誘電体層20−3をはさんでλ/
4の幅で立体的に結合するように構成されている。共振
器24は誘電体層20−1の上層に形成される。同様に
、共振器25は誘電体層20−2の上層に共振器24、
出力線路26と立体的に結合するように構成される。
第2図から明らかな如く、本実施例においては誘電体層
20の表面には入力線路、出力線路のみしか形成されて
おらず、共振器部分23〜25は誘電体層20の内部に
形成されている。従って、平面的な誘電体層20の占有
面積が、同一平面内に共振器部分も形成される従来例(
例えば第4図参照)より大幅に減少できる。
20の表面には入力線路、出力線路のみしか形成されて
おらず、共振器部分23〜25は誘電体層20の内部に
形成されている。従って、平面的な誘電体層20の占有
面積が、同一平面内に共振器部分も形成される従来例(
例えば第4図参照)より大幅に減少できる。
また各共振器部分が面で結合しており、同一平面上で線
で結合している従来例に比して結合面積を大きくとれる
ので結合度も向上する。
で結合している従来例に比して結合面積を大きくとれる
ので結合度も向上する。
さらに共振器を配置する誘電体各層の厚さをより薄くす
ることにより、結合度の向上が一層期待できる。
ることにより、結合度の向上が一層期待できる。
本発明の第2の実施例を第3図に示す。第3図は共振器
を3個有する結合フィルターの主要部平面図である。
を3個有する結合フィルターの主要部平面図である。
図中、30は裏面に接地導体を有する誘電体層、32は
入力線路、33.34.35は共振器、36は出力線路
を示す。
入力線路、33.34.35は共振器、36は出力線路
を示す。
本実施例では誘電体層30の上層に入力線路32と出力
線路36が形成され、共振器33〜35は誘電体層30
の内部層の同一表面に互いに側部が重なり合って結合す
るように形成されている。
線路36が形成され、共振器33〜35は誘電体層30
の内部層の同一表面に互いに側部が重なり合って結合す
るように形成されている。
入力線路32と共振器33、共振器35と出力線路36
は立体的な面の結合となっている。
は立体的な面の結合となっている。
本実施例の構造にすることにより、同一平面上に入力線
路、共振器、出力線路が形成される従来の構造に比べて
大幅にその占有面積を減少することができる。
路、共振器、出力線路が形成される従来の構造に比べて
大幅にその占有面積を減少することができる。
なお、上記実施例においては共振器が3個の例について
説明したが、本発明は共振器の数を特定するものではな
く、必要に応じて増減出来ることは云うまでもない。
説明したが、本発明は共振器の数を特定するものではな
く、必要に応じて増減出来ることは云うまでもない。
本発明の構造にすることにより、フィルターの占有面積
をその特性を変えずに従来の構造のものより大幅に減少
出来る。従って、フィルターの小型化ひいてはMM I
C等の高集積化、高密度化に貢南天する。
をその特性を変えずに従来の構造のものより大幅に減少
出来る。従って、フィルターの小型化ひいてはMM I
C等の高集積化、高密度化に貢南天する。
さらに、共振器の結合が面で結合することにより、結合
面積が増大し、結合度が向上する。従って、伝送効率の
よいフィルターを提供できる。
面積が増大し、結合度が向上する。従って、伝送効率の
よいフィルターを提供できる。
第1図は本発明のフィルターの原理図、第2図は本発明
の実施例のフィルターの構造説明図、 第3図は本発明の他の実施例のフィルターの構造説明図
、 第4図は従来例の側結合フィルターの構造説明図、 第5図は他の従来例のフィルターの構造説明図である。 ■ 誘電体層、 ■ 2−人力線路、 13、 ■ 共振器、 ■ 出力線路。
の実施例のフィルターの構造説明図、 第3図は本発明の他の実施例のフィルターの構造説明図
、 第4図は従来例の側結合フィルターの構造説明図、 第5図は他の従来例のフィルターの構造説明図である。 ■ 誘電体層、 ■ 2−人力線路、 13、 ■ 共振器、 ■ 出力線路。
Claims (1)
- (1)片側に導電体が形成された誘電体に半波長共振器
が配置される結合フィルターにおいて、誘電体(10)
の内部に少なくとも1個の半波長共振器を設け、 誘電体(10)の表面に入力線路(12)あるいは出力
線路(16)等の少なくとも1個の饋電線を形成し、 該饋電線と上記半波長共振器を上下方向に配置したこと
を特徴とする多層配線結合フィルター。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63210130A JPH0258901A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 多層配線結合フィルター |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63210130A JPH0258901A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 多層配線結合フィルター |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0258901A true JPH0258901A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16584287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63210130A Pending JPH0258901A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 多層配線結合フィルター |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0258901A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5484764A (en) * | 1992-11-13 | 1996-01-16 | Space Systems/Loral, Inc. | Plural-mode stacked resonator filter including superconductive material resonators |
US6624728B2 (en) * | 2000-01-31 | 2003-09-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Low-pass filter |
JP2008236174A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | Dcカット回路 |
JP2010154199A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フィルタ回路 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63210130A patent/JPH0258901A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5484764A (en) * | 1992-11-13 | 1996-01-16 | Space Systems/Loral, Inc. | Plural-mode stacked resonator filter including superconductive material resonators |
US6624728B2 (en) * | 2000-01-31 | 2003-09-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Low-pass filter |
JP2008236174A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | Dcカット回路 |
JP2010154199A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フィルタ回路 |
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