JPH0258246A - フィルムキャリアテープ及びフィルムキャリア半導体装置の製造方法 - Google Patents
フィルムキャリアテープ及びフィルムキャリア半導体装置の製造方法Info
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- JPH0258246A JPH0258246A JP20991988A JP20991988A JPH0258246A JP H0258246 A JPH0258246 A JP H0258246A JP 20991988 A JP20991988 A JP 20991988A JP 20991988 A JP20991988 A JP 20991988A JP H0258246 A JPH0258246 A JP H0258246A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフィルムキャリアテープ及びフィルムキャリア
半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造方法に関する。
従来のフィルムキャリア方式による半導体装置の製造方
法は、第５図及び第６図に示す如く、搬送及び位置決め
用のスプロケットホール１と、半導体チップ２が入る開
孔部を有するポリイミド系樹脂等の絶縁フィルム上に銅
等の金属箔を接着し、前記金属箔を選択的にエツチング
して所望の形状のり一ド４と電子１別のためのバッド５
とを形成したフィルムキャリアテープ６と、あらかじめ
電極端子上に金属突起物であるバンブ７を設けた半導体
チップ２とを準備し、次に、フィルムキャリアテープ６
のリード４と半導体チップのバンブ７とを熱圧着法また
は共晶法等によりインナーリードボンディングし、フィ
ルムキャリアテープ６の電気選別用バッド５の上に測定
器の接触子を接触させて電気選別やバイアス試験を実施
することにより完成する。ここで、リード４の変形防止
用として絶縁フィルムの枠であるサスペンダー８をあら
かじめフィルムキャリアテープ６に設けることや信頌性
向上及び機械的保護のなめ第７図に示すように樹脂９を
ボッティングして樹脂封止を行なう場合もある。
法は、第５図及び第６図に示す如く、搬送及び位置決め
用のスプロケットホール１と、半導体チップ２が入る開
孔部を有するポリイミド系樹脂等の絶縁フィルム上に銅
等の金属箔を接着し、前記金属箔を選択的にエツチング
して所望の形状のり一ド４と電子１別のためのバッド５
とを形成したフィルムキャリアテープ６と、あらかじめ
電極端子上に金属突起物であるバンブ７を設けた半導体
チップ２とを準備し、次に、フィルムキャリアテープ６
のリード４と半導体チップのバンブ７とを熱圧着法また
は共晶法等によりインナーリードボンディングし、フィ
ルムキャリアテープ６の電気選別用バッド５の上に測定
器の接触子を接触させて電気選別やバイアス試験を実施
することにより完成する。ここで、リード４の変形防止
用として絶縁フィルムの枠であるサスペンダー８をあら
かじめフィルムキャリアテープ６に設けることや信頌性
向上及び機械的保護のなめ第７図に示すように樹脂９を
ボッティングして樹脂封止を行なう場合もある。
上記のようなフィルムキャリア半導体装置を実装する場
合は、リード４を所望の長さに切断し、ついで第８図に
示すように、例えばプリント基板１１上に固着剤１０に
より半導体チップ２を固着後、リード４をプリント基板
上のポンディングパッド１２にアウターリードボンディ
ングして実施することがて′きる。
合は、リード４を所望の長さに切断し、ついで第８図に
示すように、例えばプリント基板１１上に固着剤１０に
より半導体チップ２を固着後、リード４をプリント基板
上のポンディングパッド１２にアウターリードボンディ
ングして実施することがて′きる。
これらのフィルムキャリア半導体装置は、ボンディング
がリード数と無関係に一度で可能であるためスピードが
速いこと、フィルムキャリアテープを使用するため作業
の自動化が容易である等の利点を有している。
がリード数と無関係に一度で可能であるためスピードが
速いこと、フィルムキャリアテープを使用するため作業
の自動化が容易である等の利点を有している。
上述した従来のフィルムキャリア半導体装置は、リード
変形防止用の絶縁フィルムの枠であるサスペンダーが一
般に設けられており、サスペンダーの熱的寸法変化によ
りリード強度の劣化やリード位置精度の悪化が生じると
いう欠点がある。
変形防止用の絶縁フィルムの枠であるサスペンダーが一
般に設けられており、サスペンダーの熱的寸法変化によ
りリード強度の劣化やリード位置精度の悪化が生じると
いう欠点がある。
即ち、ポリイミド系樹脂からなるサスペンダーの線膨張
係数は約１ 、５〜４ 、５ Ｘ １０−５ｃｍ／ｃｍ
／°Ｃ程度で、Ｓｉからなる半導体チップと比較すると
数倍であり、温度サイクル等の熱衝撃試験を実施した場
合、サスペンダーの収縮・膨張により、半導体チップの
バンブにボンディングされたリードが引張られ、繰り返
しの引張りによりリードにクラックが生じたり、リード
が切れてしまうという問題点がある。また、ボリミイド
系樹脂からなる絶縁フィルムは一般に加熱により収縮す
る性質を有しているため、半導体装置の組立工程中に加
わる熱によりサスペンダーが収縮し、リードの位置精度
が悪くなるという問題点がある。
係数は約１ 、５〜４ 、５ Ｘ １０−５ｃｍ／ｃｍ
／°Ｃ程度で、Ｓｉからなる半導体チップと比較すると
数倍であり、温度サイクル等の熱衝撃試験を実施した場
合、サスペンダーの収縮・膨張により、半導体チップの
バンブにボンディングされたリードが引張られ、繰り返
しの引張りによりリードにクラックが生じたり、リード
が切れてしまうという問題点がある。また、ボリミイド
系樹脂からなる絶縁フィルムは一般に加熱により収縮す
る性質を有しているため、半導体装置の組立工程中に加
わる熱によりサスペンダーが収縮し、リードの位置精度
が悪くなるという問題点がある。
さらに、サスペンダー上に残存している不純物イオンの
影響により、サスペンダー上にあるリード間の絶縁抵抗
が劣化し、電気的リーク不良が生じるという問題点もあ
る。
影響により、サスペンダー上にあるリード間の絶縁抵抗
が劣化し、電気的リーク不良が生じるという問題点もあ
る。
これらの問題点は、半導体装置が多数リード化するに従
って、リード幅及びリード間ピッチが縮小し、また半導
体チップサイズが拡大することによりサスペンダーサイ
ズが拡大するため、より増大されることになる。
って、リード幅及びリード間ピッチが縮小し、また半導
体チップサイズが拡大することによりサスペンダーサイ
ズが拡大するため、より増大されることになる。
サスペンダーを除いた場合は、これらの問題点は皆無と
なるが、逆にサスペンダーの役割であるリード変形防止
の効果を失うことになり、特に多数リードの場合はサス
ペンダーを除去することについて問題は大きい。
なるが、逆にサスペンダーの役割であるリード変形防止
の効果を失うことになり、特に多数リードの場合はサス
ペンダーを除去することについて問題は大きい。
本発明のフィルムキャリアテープは、絶縁フィルムの中
央部に配列して設けた開孔部と、前記開孔部の周縁の前
記絶縁フィルム上に配列して接着され且つ前記開孔部の
内側に向けて導出されたリードと、前記絶縁フィルムの
周辺に配列して設けたスプロケットホールとを有するフ
ィルムキャリアテープにおいて、加熱、溶剤浸漬又は紫
外線照射のうちの少くとも１手段により剥離可能な接着
剤を介して前記開孔部内のリードを互いに連結するよう
に取付けた絶縁フィルム枠を有する。
央部に配列して設けた開孔部と、前記開孔部の周縁の前
記絶縁フィルム上に配列して接着され且つ前記開孔部の
内側に向けて導出されたリードと、前記絶縁フィルムの
周辺に配列して設けたスプロケットホールとを有するフ
ィルムキャリアテープにおいて、加熱、溶剤浸漬又は紫
外線照射のうちの少くとも１手段により剥離可能な接着
剤を介して前記開孔部内のリードを互いに連結するよう
に取付けた絶縁フィルム枠を有する。
本発明のフィルムキャリア半導体装置は、絶縁フィルム
の中央部に配列して設けた開孔部の周縁に配列して設け
前記開孔部の内側へ向けて導出されたリードと前記リー
ドを剥離可能な接着剤を介して連結した絶縁フィルム枠
とを有するフィルムキャリアの前記リードの先端に半導
体チップの電極をボンディグする工程と、前記絶縁フィ
ルム枠を加熱、溶剤浸漬又は紫外線照射の少くとも１手
段を用いて剥離する工程とを含んで構成される。
の中央部に配列して設けた開孔部の周縁に配列して設け
前記開孔部の内側へ向けて導出されたリードと前記リー
ドを剥離可能な接着剤を介して連結した絶縁フィルム枠
とを有するフィルムキャリアの前記リードの先端に半導
体チップの電極をボンディグする工程と、前記絶縁フィ
ルム枠を加熱、溶剤浸漬又は紫外線照射の少くとも１手
段を用いて剥離する工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例な示すフィルムキャリア
半導体装置の平面図である。フィルムキャリアテープ６
に、スプロケットホール１．リード４．電気選別用バッ
ド５及び半導体チップ２が入る開孔部３が設けられてい
る。半導体チップ２は、その電極であるバンブ７とリー
ド４とがボンディングされ、開孔部３内に支持されてい
る。また、サスペンダー８が、開孔部３内に半導体チッ
プ２を囲むように設けられている。
半導体装置の平面図である。フィルムキャリアテープ６
に、スプロケットホール１．リード４．電気選別用バッ
ド５及び半導体チップ２が入る開孔部３が設けられてい
る。半導体チップ２は、その電極であるバンブ７とリー
ド４とがボンディングされ、開孔部３内に支持されてい
る。また、サスペンダー８が、開孔部３内に半導体チッ
プ２を囲むように設けられている。
第２図は本発明のフィルムキャリア半導体装置を基板に
実装した断面図で、サスペンダー８が除去されている。
実装した断面図で、サスペンダー８が除去されている。
第３図（ａ＞、（ｂ）及び第４図（ａ＞、（ｂ）は本発
明のフィルムキャリア半導体装置の製造方法を説明する
ための工程順に示した平面図及びＡ−Ａ’線断面図並び
にＢ−Ｂ’線断面図である。
明のフィルムキャリア半導体装置の製造方法を説明する
ための工程順に示した平面図及びＡ−Ａ’線断面図並び
にＢ−Ｂ’線断面図である。
まず、第３図（ａ）、（ｂ）に示すように、プレス法に
より両端近傍にスプロケットホール１と、中央部に開孔
部３をそれぞれ配列して形成したポリイミド系樹脂から
なる絶縁フィルム１５に接着剤１３を介してＣｕ等から
なる金属箔１４を接着する。
より両端近傍にスプロケットホール１と、中央部に開孔
部３をそれぞれ配列して形成したポリイミド系樹脂から
なる絶縁フィルム１５に接着剤１３を介してＣｕ等から
なる金属箔１４を接着する。
次に、第４図（ａ）、（ｂ）に示すように、ポリイミド
系樹脂からなる絶縁フィルム】５をプレス法等により加
工して、所望の形状のサスペンダー８を形成し、絶縁フ
ィルム１５に接着した金属箔１４の接着剤１３とは別の
接着剤１３ａを介して開化部３内の金属箔１４の所定の
位置に接着する。ここでサスペンダー８は、形状の制限
は無いがリード変形防止用であるため、半導体チップを
囲むように、かつリード上に存在するように、四角形の
リング状が良い。また、サスペンダー８の接着剤１３ａ
は加熱、溶剤浸漬又は紫外線照射等により容易に溶解す
るか接着力が著しく劣化するものを選択する６次に、−
数的なホトエツチング法により金属箔１４を選択エツチ
ングして所望の形状のリード４及び電気選別用バッド５
を形成する。次に、半導体チップのバンブとフィルムキ
ャリアテープのリード４とを熱圧着法又は共晶法等によ
りボンディングし、電子選別用のバッド５に測定器の接
触子を接触させて電子選別を行ない、さらに加熱、溶剤
浸漬または紫外線照射等によりサスペンダー８の接着剤
１３ａの接着力を劣化させるか接着剤を溶解してサスペ
ンダー８を除去して本発明のフィルムキャリア半導体装
置が完成する。
系樹脂からなる絶縁フィルム】５をプレス法等により加
工して、所望の形状のサスペンダー８を形成し、絶縁フ
ィルム１５に接着した金属箔１４の接着剤１３とは別の
接着剤１３ａを介して開化部３内の金属箔１４の所定の
位置に接着する。ここでサスペンダー８は、形状の制限
は無いがリード変形防止用であるため、半導体チップを
囲むように、かつリード上に存在するように、四角形の
リング状が良い。また、サスペンダー８の接着剤１３ａ
は加熱、溶剤浸漬又は紫外線照射等により容易に溶解す
るか接着力が著しく劣化するものを選択する６次に、−
数的なホトエツチング法により金属箔１４を選択エツチ
ングして所望の形状のリード４及び電気選別用バッド５
を形成する。次に、半導体チップのバンブとフィルムキ
ャリアテープのリード４とを熱圧着法又は共晶法等によ
りボンディングし、電子選別用のバッド５に測定器の接
触子を接触させて電子選別を行ない、さらに加熱、溶剤
浸漬または紫外線照射等によりサスペンダー８の接着剤
１３ａの接着力を劣化させるか接着剤を溶解してサスペ
ンダー８を除去して本発明のフィルムキャリア半導体装
置が完成する。
ここで、サスペンダー８の除去は、第２図に示すように
基板に実装した後に実施しても良く、この場合は実装時
におけるリード変形をも防止できる効果を有する。但し
、リング状のサスペンダー８が実装後除去できるように
、第２図のように実装する場合はサスペンダー８をリー
ド４上面であるフィルムキャリアテープの絶縁フィルム
が接着されている反対面の金属箔１４上に設けておく必
要があり、実装形態にあわせてサスペンダー８を接着す
る面をあらかじめ考慮しておくことが必要である。
基板に実装した後に実施しても良く、この場合は実装時
におけるリード変形をも防止できる効果を有する。但し
、リング状のサスペンダー８が実装後除去できるように
、第２図のように実装する場合はサスペンダー８をリー
ド４上面であるフィルムキャリアテープの絶縁フィルム
が接着されている反対面の金属箔１４上に設けておく必
要があり、実装形態にあわせてサスペンダー８を接着す
る面をあらかじめ考慮しておくことが必要である。
尚、上記実施例ではボリミイド系樹脂からなる四角形の
リング状のサスペンダー８を接着剤１３ａを介して接着
したが、加熱又は溶剤浸漬等により容易に溶解する接着
剤のみをリング状に印刷法又はスタンプ法等により形成
しても良い。この場合は、有機系の溶剤に容易に溶解し
、粘度も高いワックス系の接着剤が適当である。
リング状のサスペンダー８を接着剤１３ａを介して接着
したが、加熱又は溶剤浸漬等により容易に溶解する接着
剤のみをリング状に印刷法又はスタンプ法等により形成
しても良い。この場合は、有機系の溶剤に容易に溶解し
、粘度も高いワックス系の接着剤が適当である。
以上説明したように本発明は、フィルムキャリアテープ
のサスペンダーをフィルムキャリア半導体装置の組立又
は実装後に除去することにより、サスペンダーの目的で
あるリード変形防止の効果を維持した上で、従来実装後
に問題となっていたサスペンダーの加熱収縮による寸法
精度の悪化。
のサスペンダーをフィルムキャリア半導体装置の組立又
は実装後に除去することにより、サスペンダーの目的で
あるリード変形防止の効果を維持した上で、従来実装後
に問題となっていたサスペンダーの加熱収縮による寸法
精度の悪化。
線膨張係数が大きいことにより熱衝撃試験時のサスペン
ダーの収縮・膨張で生じるリードへの引張力が引き起す
リード強度の劣化及びサスペンダー上のリード間の電気
的リーク等がすべて解決できる効果がある。
ダーの収縮・膨張で生じるリードへの引張力が引き起す
リード強度の劣化及びサスペンダー上のリード間の電気
的リーク等がすべて解決できる効果がある。
特に２００本以上の多数リードで半導体チップサイズが
太きく １０ｍｍ平方を越えるような場合、サスペンダ
ーが付いているものでは１００サイクル程度の繰返し熱
衝撃試験でリードが破壊することがあり、本発明による
サスペンダーを除去することによりリードの破壊を防止
でき、信頼性上非常に有効である。
太きく １０ｍｍ平方を越えるような場合、サスペンダ
ーが付いているものでは１００サイクル程度の繰返し熱
衝撃試験でリードが破壊することがあり、本発明による
サスペンダーを除去することによりリードの破壊を防止
でき、信頼性上非常に有効である。
来のフィルムキャリア半導体装置の第２の例を示す断面
図、第８図は従来のフィルムキャリア半導体装置を実装
した状態を示す断面図である。
図、第８図は従来のフィルムキャリア半導体装置を実装
した状態を示す断面図である。
１・・・スプロケットホール、２・・・半導体チップ、
３・・・開孔部、４・・・リード、５・・・パッド、６
・・・フィルムキャリアテープ、７・・・バンブ、８・
・・サスペンダー、９・・・樹脂、１０・・・固着剤、
１１・・・基板、１２・・・ポンディングパッド、１３
．１３ａ・・・接着剤、１４・・・金属箔、１５・・・
絶縁フィルム。
３・・・開孔部、４・・・リード、５・・・パッド、６
・・・フィルムキャリアテープ、７・・・バンブ、８・
・・サスペンダー、９・・・樹脂、１０・・・固着剤、
１１・・・基板、１２・・・ポンディングパッド、１３
．１３ａ・・・接着剤、１４・・・金属箔、１５・・・
絶縁フィルム。
第１図は本発明の一実施例を示すフィルムキャリア半導
体装置の平面図、第２図は本発明のフィルムキャリア半
導体装置を実装した状態を示す断面図、第３図（ａ）、
（ｂ）及び第４図（ａ）。
体装置の平面図、第２図は本発明のフィルムキャリア半
導体装置を実装した状態を示す断面図、第３図（ａ）、
（ｂ）及び第４図（ａ）。
Claims (2)
- （１）絶縁フィルムの中央部に配列して設けた開孔部と
、前記開孔部の周縁の前記絶縁フ ィルム上に配列して接着され且つ前記開孔 部の内側に向けて導出されたリードと、前 記絶縁フィルムの周辺に配列して設けたス プロケットホールとを有するフィルムキャ リアテープにおいて、加熱、溶剤浸漬又は 紫外線照射のうちの少くとも１手段により 剥離可能な接着剤を介して前記開孔部内の リードを互いに連結するように取付けた絶 縁フィルム枠を有することを特徴とするフ ィルムキャリアテープ。 - （２）絶縁フィルムの中央部に配列して設けた開孔部の
周縁に配列して設け前記開孔部の 内側へ向けて導出されたリードと、前記リ ードを剥離可能な接着剤を介して連結した 絶縁フィルム枠とを有するフィルムキャリ アテープの前記リードの先端に半導体チッ プの電極をボンディグする工程と、前記絶 縁フィルム枠を加熱、溶剤浸漬又は紫外線 照射の少くとも１手段を用いて剥離する工 程とを含むことを特徴とするフィルムキャ リア半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20991988A JPH0258246A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | フィルムキャリアテープ及びフィルムキャリア半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20991988A JPH0258246A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | フィルムキャリアテープ及びフィルムキャリア半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258246A true JPH0258246A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16580836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20991988A Pending JPH0258246A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | フィルムキャリアテープ及びフィルムキャリア半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258246A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139365A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-29 | Nec Yamagata Ltd | キャリアテープ |
| US4990437A (en) * | 1985-04-30 | 1991-02-05 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Silver halide photographic light-sensitive material |
| US5085979A (en) * | 1987-06-25 | 1992-02-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide color photographic materials and processing method |
| US6303144B1 (en) | 1998-02-10 | 2001-10-16 | Welfide Corporation | Preparations with controlled release |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP20991988A patent/JPH0258246A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990437A (en) * | 1985-04-30 | 1991-02-05 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Silver halide photographic light-sensitive material |
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| JPH02139365A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-29 | Nec Yamagata Ltd | キャリアテープ |
| US6303144B1 (en) | 1998-02-10 | 2001-10-16 | Welfide Corporation | Preparations with controlled release |
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