JPH0256943A - 回路基板への電子回路素子の接続方法、接続構造およびそれを用いる表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえばｉα晶表示装置などの表示装置に関
連して好適に実施され、さらに詳しくは表示バ↑、ルな
どのガラス基板に、ａｙ’ｓ回路または集積回路などが
取付けられたテープキャリアを接続するＪ′％かに好適
に実施される回路基板への電子回路素子の接続方法、接
続構造およびそれを用いる表示装置の製造方法に関する
。

従来の技術 従来から、液晶表示装置の小形化と低コスト化とを実現
するために、液晶駆動用の集積回路が取付けられたテー
プキャリアを直接、表示パ木ルを構成するガラス基板に
接続する方法が行われている。第１７［］Ｇ、を典型的
な先行技術である液晶表示装置のテープキャリア６付近
の構成を示す断面図である。ｊα晶バ木ルを構成する２
枚のガラス基板はずらされて重きわされている。したが
−）て一方のガラス基板２は、他方のガラス基板と重複
しない領域を有している。この領域に液晶駆動用の集積
回路（図示せず）などが取付けられたテープキャリア６
が接続される。また２枚のガラス基板の重複する領域に
は液晶材料等が封入され、この領域で液晶表示が行われ
る。

ガラス基板２の表面には、入力信号用共通導体４が設け
られる。またテープキャリア６のガラス基［２に対向す
る面には、入力信号導体３および接続用導体７が形成さ
れる。この接続用導体７が異方導電ＷＡ５を介して入力
信号用共通導体４と接続される。

このような接続構造では、第１７図の参照符Ａ１で示さ
れる領域において、テープキャリア６上の入力信号導体
３とガラス基板２上に形成された入力信号用共通導体４
とが交差した多層導体構造となる。従来では、この入力
信号導体３と入力信号用共通導体４とが短絡しないよう
に、入力信号導体３上に電気絶縁性の樹脂などのレジス
ト１を塗布していた。このレジスト１によってテープ；
■ヤリアロの入力信号導体３とガラス基板２上の入力信
号用共通導体４とが絶縁される。

発明が解決しようとする課題 上記従来の技術においては、テープキャリア６が参照符
Ａ１で示される領域において変形を生じる。このような
チーアキヤリアロの変形は、レジスト１の厚みが比歓的
大きいこと、およびレジスト１の熱膨張率とチー１キヤ
リア６の熱膨張率との違いなどに起因して生じると考え
られる。このようなテープキャリア６の変形によって、
入力信号用共通導体４と接続用導体７との接続部におい
て応力を生じ、接続不良などを発生する。

またチー１キヤリア６から表示領域までの導体は、ガラ
ス基板２の表面に形成される。このような導体の引回し
部では、導体間隔を狭くして高密度に導体する必要があ
る。しかしながら、導体間の幅が決すざると、水分の結
露などによる絶縁不良を生じるので、このような配線用
導体の微細化には限界がある。また導体間隔の快い領域
では、異物などの付着による絶縁不良が発生することが
あった。

また集積回路を直接ガラス基板などに接続するいわゆる
フェースダウンボンディングにおいても、上記技術的問
題は解決されない、しがもこの場きには、集積回路の高
精度の位置会わせが要求される。すなわち接続部分にお
いて導体間隔が侠いときには、わずかな位置ずれによっ
て、集積回路の接続用ｔｉと、ガラス基板の接続位置に
隣接する導体との間で短絡またはリークを招来するなど
の問題を生じる。さらにａ積回路を直接ガラス基板など
に接続する堝きに接続材料として導電性べ一ストを用い
ると、接続時にこの導電性ベースｌ、が不所望に押し広
げられて隣接導体間で短絡またはリークを招来するおそ
れもある。

本発明の目的は、上記問題点を解決し、電気的接続の信
頼性を向上し、なおかつ導体間および導体と接続用電極
との間の絶縁性能を向上して配線用導体の微細１ヒを可
能とする回路基板への電子回路素子の接続方法、接続ｉ
遣およびそれを用いる表示装置の製造方法を提供するこ
とである。

課題を解決するための手段 本発明は、電子装置形成領域が設定される電気絶縁性力
回路基板であ−）で、配線用導体とフォトリソグラフィ
による電気絶縁性ＴＩ１．膜とがこの順序で形成されて
いて、前記電子装置形成領域には、前記配線用導体およ
び電気絶縁性波膜を含んで電子装置が形成される、その
ような回路基板への電子回路素子の接続方法において、 上記電気絶縁性波膜を、回路基板の電子装置形成領域以
外の領域においてもフ第１・リングラフィにて選択的に
形成し、 該電気絶縁性被膜の非形成領域において、回路基板上の
配線用導体と、電子回路素子に形成された接続用型（至
）とを接続するようにしたことを特徴とする回路基板へ
の電子回路素子の接続方法である。

また本発明は、電子装置形成領域が設定される電気絶縁
性の回路基板であって、配線用導体とフォトリソグラフ
ィ４こよる電気絶縁性被膜とがこの順序で形成されてい
て、前記電子装置形成領域には、前記配線用導体および
電気絶縁性被膜を含んで電子装置が形成される、そのよ
うな回路基板への電子回路素子の接続構造において、 接続用電極の形成された電子回路素子と、前記回路基板
上の電子装置形成領域以外の領域に形成される配線用導
体と、 前記回路基板上の電子装置形成領域以外の領域において
、ｙＩ膜から成り、前記配線用導体の一部分を被覆する
ように形成される電気絶縁性被膜とを含み、 電子回路素子に形成される接続用＠極が前記回路基板上
の電気絶縁性波膜に被覆されていない配線用導体に接続
されることを特徴とする回路基板への電子回路素子の接
続＋ｉＩ造である。

さらに本発明は、表示素子形成領域が設定されている回
路基板に配線用導体を形成する工程と、前記回路基板上
のに示素子形成領域、および表示素子形成領域以外の領
域であって、電子回路素子との接続位置を除く領域に、
電気絶縁性被膜をフォトリソグラフィによ−）で選択的
に形成する工程と、 前記に示素子形成領域において、回路基板、配線用導体
および電気絶縁性波膜を含んで表示素子を形成する工程
と、 前記電気絶縁性被膜が形成されていない接続位置におい
て、回路基板上の配線用導体と、電子回路素子に形成さ
れた接続用電極とを接続する工程とを含むことを特徴と
する表示装置の製造方法である。

作　　用 本発明に従う回路基板ｌ・、の電子回路素子の接続にお
いては、電気絶縁性の回路基板には、配線用導体とフォ
トリソグラフィによる電気絶縁性波膜とがこの順序で形
成される。また、前記回路基板には電子装置形成領域が
設定されており、この電子装置形成領域には、前記配線
用導体および電気絶縁性被膜を含んで電子装置が形成さ
れる。

本発明に従えば、前記電気絶縁性被膜は、フォトリソグ
ラフィによって回路基板の電子装置形成領域以外の領域
においても選択的に形成される。

また、電子回路素子には接続用電極が形成されており、
前記電気絶縁性波膜の形成されていない（領域において
、配線用導体と前記接続用電極とが接続される。

したがって、電子装置を形成するための電気絶縁性被膜
によ−）で、電子装置形成領域以外の領域における配線
用導体間の絶縁性が向上されるので、製造工程を複雑化
することなく、配線用導体間の絶縁不良が防止される。

また、このような回路基板への電子回路素子の接続方法
を表示装置に用いた堝きには、前記電子装置として表示
領域を有する表示素子が形成される。

実施例 第１図は本発明の一実施例であり、本発明に従う接続方
法が使用された液晶表示装Ｔ１３０のテープキャリア１
６付近の断面図であり、第２図は液晶表示装置３０を入
力信号用共通導体１４に沿って切断したテープキャリア
１６け近の断面図であり、第３図および第４図はテープ
キャリア１６付近の構成を示す平面図および斜視図であ
り、第５図は液晶表示装置３０全体の平面図である。

第５図を参照して、液晶表示装置３０は、回路基板であ
る２枚のガラス基板１２．２２が積層されて構成されて
いる。２枚のガラス基［１２２２は、ずらされて重ね会
わされており、互いに重複しない領域を有している。こ
の領域に液晶を駆動するための複数の集積回路２３が個
別的にテープキャリア１６を介して接続されている。

テープキャリア１６は！１’！回路２３をガラス基板１
２．２２に電気的に接続するためのもので、可撓性を有
するフィルムから成る。後述するように、この表示領＋
４３１において、２枚のガラス基板１２．２２の間には
、カラーフィルタ、透明重陽、電気絶縁性被膜である透
明絶縁膜、配向膜および液晶などが介在しており、液晶
表示が行われる。

集積回路２３には、ガラス基板１２の表面上に形成され
る入力信号用共通導体１．・１からテープキャリア１６
を介して入力信号が与えられる。

集積回路２３からの出力信号はテープキャリア１６を介
して電極１８に与えられる。また電ｆｆ１１８は、テー
プキャリア１６から表示領域３１までのガラス基板１２
上の領域に設けられている。このような構成は、ガラス
基板２２のガラス基数１２とｇＬ複しない領域において
も、同様とな−）ている、テープキャリア１６からの電
極１８．２８は表示ｉｉｊ′Ｖ域３１においてｋｉＩ横
にそれぞれ延びてマトリクスを構成しており、これによ
−）て表示領域３１上に２次元の表示が達成される。

本実施例においては、透明絶縁膜は後述するように表示
領域３１だけでなく、テープキャリア１６に重複する領
域Ａ２および′：４掻１８．２８の露出している領域へ
３にも形成されている。

第３図は、液晶表示装置３０の１つのテープキャリア１
６付近の構成を示す平面図であり、第４０はその構成を
示す斜視図である。ガラス基板１２の表面上には電極１
８および入力信号用共通導体１４が形成されている。

ガラス基板１２上に形成される入力信号用共通導体１４
および電極１８は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔ
ｉｎ　０ｘｉｄｅ）　、あるいはその他の＊ｇ膜等で形
成される。

さらに後述する領域Ａ２および領域Ａ３には、透明絶縁
膜が形成されている。この透明絶縁膜は、たとえばＳ　
ｉ　Ｏ２、Ｓ　ｉ　Ｎ　ｘなどであって、液晶パオ・ル
２０の作成工程においてスパッタ法、ＣＶＤ法などによ
って形成され、フォトエツチングまたはフォト・リング
ラフィを施すことにより容易にか′）微細にパターン形
成することが可能である。

以下、この透明絶縁膜の製造工程を説明する。

電極１８および入力信号用共通導体１４が形成されてい
るガラス基板１２の表面にスパンタ法またはＣＶＤ法な
どによって全面にＳｉｎ、またはＳｉＮｘなとの薄膜を
たとえば膜厚３０００人に形成する。さらに光硬化性の
フォトレジストを全面に塗布し、所望ヅ）バター〉゛の
マスクを介して光を照射する。この状曹で溶剤に漫潰し
、硬ｆヒしていないフォトレジス■・を溶解して除去す
る。さらに湿式エンチングまたはドライエツチングによ
−〕で、フォトレジストが除去されて露出しているＳｉ
Ｏ□またはＳｉＮｘを取除て。これによ−）て５ｉｎ２
またはＳｉＮｘ膜がパターン形成されて透明絶縁膜が形
成される。なお残余のフォトレジストはこの後除去され
る。

一方、テープキャリア１６のガラス基Ｗ、１２と対向す
る面には入力信号導体１３が形成され、この入力信号導
体１３とそれに対応する入力信号用共通導体１４とは異
方導電膜１５によって個別的に電気的に接続される。

テープキャリア１６はたとえば熱膨張係数の小さい有機
樹脂フィルム等から成る。このテープキャリア１６に形
成される入力信号導体１３および接続用導体１７は、た
とえば銅箔、錫箔または銅箔に＾め−）きしたものであ
−）て、薄膜パターン加工などの技術を利用して微細か
つ高密度に配列することが可能である。また異方導ｆｆ
１ｌｌｉ！１５はたとえば粒径５μ汀１＼２０μｍのＮ
ｉにツゲル）粒子を分散させた厚さ２５μｍ程度のシー
トで構成され、加熱されて圧接された部分が圧接方向に
導電性となる。またこの異方導電膜１５は、テープキャ
リア１６とガラス基［１２とを機械的に接続するＦ！１
０′２も有している。

このようなテープキャリア１６とガラス基板１２との重
複部分において、領域Ａ２では、入力信号導体１３と入
力信号用共通導体１４とが接続されず、多層１造となる
。またガラス基板１２上の領域Ａ３では、電Ｓ１８が露
出している。

本実施例では、領域Ａ２に形成される透明絶縁膜によっ
て、入力信号導体１３と、入力信号用共通導体１４との
絶縁が達成される。また領域Ａ３に形成されろ透明絶縁
膜によって異物のＣ＋着等に起因する１峰１８間の絶縁
不良が防止される。

第１図は液晶表・子装置３０の断面図であり、第２図は
液晶表示装置３０を入力信号用共通導体１・１に沿−）
で切断したときのテープキャリア１６付近の断面図であ
る。前述したようにテープキャリア１６上には、液晶を
駆動するための集積回路２３が取付けられる。この集積
回路２３からの出力１２４は、バンプ２５によりインナ
ーリードポンデイ〉′グされ、入力信号導体１３および
電極１８に個別的に異方導電膜１５やハンダ等の接続材
料を介して接続されている。

第１Ｉ２Ｉ左方に位置する表示パ木ル２０は、セグメン
ト１隋１８が形成されるガラス基板１２とコモン電極２
８が形成されるガラス基板２２とが積層されて構成され
る。ガラス基板１２上には、前述したようにカラーフィ
ルタ３２、電極１８が形成され、この電極１８上に透明
絶縁膜１１２ｔが形成されている０表示バ木ル２０の表
示領域３１に対応する透明絶縁Ｍ　１１　ａ上には、配
向ＷＡ１９が形成されている。同様にガラス基板２２に
は電極２８、透明絶縁膜２１および配向膜２９などが形
成されている。ガラス基板１２およびガラス基板２２は
、シール材２６を介して固定され、配向膜１９および配
向膜２９の間には液晶２７が介在されている。

このような表示バ本ル２０では、集積回路２３から電極
１８に出力される信号と、８％２８に導出される信号と
によ−）で電極１ｓ、２８間に電圧が画素醇に選択的に
印加され、これによ−）で液晶２７の光学特性が変Ｃヒ
し、液晶表示が達成される。

以下、第１図および第２図を参照して、チー１キヤリア
１６とガラス基板１２との接続部付近の構成を詳細に説
明する。ガラス基板１２上に形成された入力信号用共通
導体１４上には、領域Ａ２において前述した透明絶縁７
１！　１１　ｔｔと同一工程によ−）て透明絶縁１！！
１１が形成されている。ｉ域Ａ２は入力信号用共通導体
１４と入力信号導体１３とが交差し、多層導体構造と成
る領域で、通常この領域Ａ２において導体間の短絡が生
じやすい。

しかしながら本実施例においては透明絶縁膜１１が形成
されているので両導体間の短絡が防止され、確実な絶縁
が達成されている。

領域Ａ２以外の領域において、接続用導体１７と電１１
１８、また入力信号導体１３と入力信号用共通導体１４
とは、異方導電ＷＡ１５を介して電気的および機械的に
接続される。このような接続位置には透明絶縁膜１１は
形成されていない。

このように液晶表示装置３０において、領域Ａ２に透明
絶縁膜１１を形成しているので、従来の技術に関連して
説明したような、レジストなどを塗布する必要がなく、
テープキャリア１６の接続工程が簡略化され、テープキ
ャリア１６の接続における歩留まりが向上される。

またこの透明絶縁Ｍｌｌは薄膜であるので、レジストの
ような大きな厚みがない。しがもテープキャリア１６に
直接接着されないので、テープキャリア１６とレジス［
・との熱膨張率の差などの悪影響を受けることがない、
このためチー１キヤリア１６は、領域Ａ２において変形
を生じることがない、したがって、入力信号導体１３と
入力信号用共通導体１４との接続部において応力を生じ
ないので、接続への悪影響が解消され、接続の信頼性が
向上される。このとき透明絶縁膜１１が薄膜であり、異
方導電膜１５による接続過程における歩留まりが向上さ
れるために、装置全体のコストダウンも同時に達成する
ことが可能になる。

さらに領域Ａ３において、透明絶縁膜１１を形成するよ
うにしたので、隣接する電極１８間の絶縁が向上され、
水分の結露などに起因する′＠電極１８間絶縁不良が防
止される。また異物等のけ着による絶縁不良も防止され
るために、このような電！１１１８の微細化と高密度化
とを同時に達成することが可能となる。しかもこのよう
な透明電極絶縁膜１１は表示バ本ル２０の製ｆヤニ程に
おいて形成することができるので、製作工程を複雑化す
ることなく、上記効果が実現される。

本実施例において領域Ａ２および領域Ａ３に透明絶縁［
１１を形成するように構成したけれども、領域Ａ２．Ａ
３のうちいずれか一方だけに透明絶縁ｖ１１を形成する
こともできるし、このような領域の一部分あるいはこの
ような領域以外の部分に透明絶縁８１１を形成するよう
に構成することもできる。このようなＪ％外に、本発明
では）第１−リングラフィによって透明絶縁膜１１を高
精細にバター〉・形成することができるので、所望の領
域、たとえば電極１８の絶縁不良を生じ易い領域にだけ
選択的に透明絶縁膜１１を形成することができる。また
入力信号用共通導体の設けられた通常のプリント基板等
にテープキャリアが接続され、このテープキャリアがガ
ラス基板に接続される場かには、透明絶縁膜はテープキ
ャリアから表示領域に沖びる電極上に好適に形成される
。

第６図は本発明の他の実施例である液晶表示装置におけ
るガラス基板４２への集積回路４３の接続１ＩｌＩ造を
示す平面図であり、第７０は第６図の切断面線■−■か
ら見た断面図であり、第８図は第６図の切断面線〜１−
■から見た断面図であり、第９図は第６図の切断面線ｆ
ｆ−ＩＭから見た断面口である。この実施例においては
、液晶表示装置の一方のガラス基板４２の他方のガラス
基板と重複しない領域に集積回路４３が直接接続される
。なお、他方のガラス基板にも同様に集積回路が接続さ
れるｉ′＃１きもある。

第６図〜第９図を参照して、ガラス基板４２の一方の表
面には、液晶表示装置における画素電極あるいは走査電
極などと同一工程によ−）で出力電極３４、入力′ａｌ
ｌＫ３５および出力導体３３などが形成される。このよ
うな各電極等は、たとえば７オトリングラフイなどによ
−）で選択的に形成され、たとえばＩＴＯまたは各種金
属薄膜などから成っている。

ガラス基板４２にはさらに、電気絶縁性被膜である透明
絶縁膜４１が形成される。この透明絶縁膜４１は前述の
実施例と同様に、たとえばＳ　ｉ　ＯｚＳｉＮｘなどで
あって、スパッタ法あるいは化学的ＣＶＤ法などによっ
て膜状に形成され、フォトリソグラフィによってパター
ン形成される。第７図〜第９図に示されるように、入力
電極３５および出力電極３４および入力端子３６の参照
符Ｂｌ。

Ｂ２で示される領域には、透明絶縁膜４１は形成されな
い 一方、集積回路４３は、この液晶表示装置を駆動するた
めの機能が備えられており、外部と信号の入出力を行う
ために突起電極３７が形成されている。この突起電極３
７は、フォトリソグラフィによって選択的にレジストを
塗布し、電界メツキによ−）で銅を付着して形成させろ
。また池の実施例としてワイヤポンデイグのファースト
ボ〉ドで金から成る突起電極を形成するようにしてもよ
い。

この突起電極３７は、出力電極３４および入力電極３５
の露出している領域Ｂ２に電気的゛に接続される。この
ようにして集積回路４３は、ガラス基板４２の出力＠極
３４および入力＠極３５と電気的に接続される。突起電
（至）３７と出力型１３　＝１または入力電極３５との
接続に′）いては、たとえば導電性ペーストを用いて接
続してもよいし、圧接によって直接接続してもよい。ま
た突起電極３７を形成することな・り、異方導電性膜な
どを介して集積回路４３とガラス基板４２の出力電極３
４および入力型Ｗ！３５とを接続するように構成するこ
ともできる。

集積回路４３を接続した後に、この液晶表示装置におけ
る動ｆヤが検査され、異常のない集積回路４３について
は第７図に示されるように対土用のき成樹脂３８が注入
される。なお、異常のあ−）た集積回路は、たとえば取
外されて他の集積回路が再び接続される。

第１０図は上述した接続構造の出力電極３４付近の構成
を示す平面図であり、第１１図は第１０図の切断面４１
ＩＸＩ−ｎから見た断面図である。この実施例では、透
明絶縁［４１は出力電極３４の周縁部において部分的に
出力型Ｆ＠３４に重複して形成されている。出力電極３
４の露出している領域Ｂ２に前記突起電極３７が接続さ
れる。

第１２図は本発明のさらに他の実施例である液晶表示装
置の出力型ｆｉ　３４　ａ付近の構成を示す平面口であ
り、第１３１１Ｊは第１２図の切断面線ＸＩ［［−Ｘ■
から見た断面図である。この実施例においては、出力電
極３４ａと透明絶縁ＪＩＧ！４１ａとは重複しない点が
前述した実施例と異なる。また出力電極３４ａと同一工
程によって゛製造され、出力型４！［！　３４　ａから
表示領域に延びる出力導体３３ａは透明絶縁８４１εｔ
と重複している。すなわち、出力導体３３　ａは透明絶
縁膜によって被覆されている。

このような液晶表示装置においては、入力端子３６の領
域Ｂ１に、入力信号用共通導体の形成されたフレキシブ
ルプリント基板（ＦＰＣ）などが接続され、外部からの
入力信号はこの入力端子３６に与えられる。この入力信
号は入力′＠％　３５および突起電極３７を介してｊ［
回路４３に与えられる。この後、集積回路４３において
各種信号処理が施され、前記入力信号に応じた出力信号
が出力される。この出力信号は、集積回路４３の突起型
ｆｆ！３７からガラス基板４２上の出力電極３４および
出力導体３３を経由して、液晶表示部に伝達され、２次
元の表示が達成される。

このように本実施例においては、出力導体３３などの表
面に透明絶縁膜４１を形成したので、導体間の絶縁性が
向上され、導体間のリーク、導体の腐食が防止されると
ともに、＆積回路４３の位置決め不良などに起因する集
積回路４３の突起電極３７と導体３３とのリークなどを
防止することが可能である。

またこの透明絶縁膜４１は、液晶パネルの製造工程に含
まれており、表示領域における透明絶縁膜形成と同時に
行われるため、４Ａ積回路４３を接続ずべき領域に透明
絶縁膜を形成しても製造工程を複ｍ（ヒすることはない
。

しかも本実施例によれば、透明絶縁膜４１はフォトエン
チングによ−）でパターン形成されるので、パターン位
置決め精度およびパターン形成精度に非常に優れている
。したか−）てＳ積回路４３とガラス基板４２との間で
は微細な導体が形成されるけれども、このような＠細な
導体パターンに応じて任意のパターン形成をすることが
できろ、これによ−）で不所望な導体間の短絡等を防止
することができる。この透明絶縁１！４１は、たとえば
Ｓｉｎ、、ＳｉＮｘなどであるけれども、上記液晶パネ
ル作成工程に含まれフォトリソグラフィなどの＠線加工
が可能な絶縁膜であれば、他の材料のものであってもよ
い。

第１４図は、本発明のさらに他の実施例の液晶表示装置
のガラス基板５２と集積回路６３との接続構造を示す断
面図である。この実施例においては、ガラス基板５２と
集積回路６３とが重複する領域全体に亘−）で透明絶縁
膜５１は形成されていない。集積図１ｉ６３の外側の領
域については、透明絶縁Ｉａ５１および液晶パネルの作
成工程において形成される配向膜５０が形成される。こ
のうち４Ａ￥！１回路６３とガラス基板５２との間には
、き成樹脂５８などが封止される。領域Ｂ３における出
力型ｓ！５４および出力導体５３などの絶縁不良は、こ
のき成樹脂５８によ−）て防止される。

領域Ｂ３以外グ）領域には、さらに合成樹脂５９が塗布
され、出力導体５３間のリークおよび出力導体５３の腐
食などを完全に防止している。

このような構成によれば、たとえば透明絶縁膜５１とき
成樹脂５８とが密着性に劣っていても、き成樹脂５８と
ガラス基板５２および出力導体５３との密着性は劣化し
ないので、機緘的強度に優れた集積回路６３とガラス基
板５２との接続が実現される。

第１５１２１および第１６図は、集積回路に対向するガ
ラス基板上に形成される出力型１ｉ３４ｂ、３４ｃと出
力導体３３ｂ、３３ｃおよび透明絶縁膜４１ｂ、４１ｃ
の形成領域を示す平面図である。

第１４図に示した実施例では、領域Ｂ３において全く透
明絶縁膜を形成しなか−）たけれども、第１５図に示す
ように出力導体３３ｂに沿って、出力導体３３ｂを被覆
するように透明絶縁膜４１しを形成することができる０
本発明に従えば、フすトリソグラフィによって透明絶縁
１１ｉ４　ｌ　ｂがパターン形成されるので、このよう
な微細なパターンを形成することができる。

また第１６１２１に示されるように、出力＠筆３４Ｃの
近傍に存在する出力導体３３Ｃにおいて出力＠極３４ｃ
との短絡あるいはリークを生じやすい部分だけを被覆す
るように透明絶縁膜４１Ｃを形成した堝きが示されてい
る。

第１５図および第１６０！に示される実施例では、集積
回路とガラス基板との間に注入される合成樹脂と透明絶
縁膜４１ｂ、４１ｃとの密着性が劣−）ている４きであ
っても、集積回路を十分な強度で接続することができ、
なおか−）前述した絶縁不良を防止することができる。

このように液晶表示装置などのガラス基板に、直接、集
積回路を接続する渇きに集積回路の外側の導体において
は、導体間の絶縁不良が防止される。また異物等のけ着
による短絡またはリークも防止される。したがって導体
のｍ細化と高密度化とを同時に達成することが可能とな
る。またガラス基板の集積回路と重複する領域において
も、集積回路の位置会わせのずれに起因する接続用１険
と導体との短絡またはリーク、および導電性ペーストを
用いた１％合に、導Ｔｈ性ペーストが過度に押し広げら
れることに起因する隣接導体間の短絡などを防止するこ
とができる。しかも、二のような透明絶ｉ膜は、表示パ
ネルのＷ　ｆｌＥ工程において形成することができるの
で、製造工程を複雑化することなく、このような効果が
実現される。

また液晶表示装置に本発明を実施する場合について説明
したけれども、本発明はプラズマ表示装置、エレクトロ
ルミ本ツセンス表示装置、エレクトロクロミック表示装
置などの他の表示装置に実施することも可能であるし、
表示装置だけでなく基板上に電気絶縁性膜がフォトエツ
チングに゛よ−）でパターン形成される工程を有して製
造される電子装置ならば、他の電子装置に応用すること
ができる。

発明の詳細 な説明したように本発明に従えば、配線用導体が形成さ
れる電気絶縁性の基板上には、フォトリソグラフィによ
って電気絶縁性波膜が形成されて電子装置が構成される
。このとき、上記電気絶縁性被膜は電子装置形成領域以
外の部分においても選択的に形成されるので、配線用導
体が形成されている部分にこの電気絶縁性被膜が形成さ
れれば、配線用導体間の絶縁を向上させ配線用導体のＶ
＆細化と高密度化を図ることが可能となる。

またこの配線用導体に接続される電子回路素子と基板上
の配線用導体との間の非接続部に上記絶縁性成膜を形成
すれば、従来ｊ）技術に関連して述べたレジストのよう
な大きな厚みなどによる接続Ｉ＼の悪影響を解消した絶
縁を行うことが可能となる。しかも電子装置の構成する
際の電気絶縁性膜ｒＰＡｆ）形成工程において、上記電
子装置形成領域以外内部分に電気絶縁性被膜を形成する
ことができるので、電子装置の製造工程が簡単化される
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の液晶表示装置３０の断面図
、第２図は液晶表示装置３０を入力信号用共通導体１４
に沿って切断したチーブキャリア１６け近の断面図、第
３図および第４図は液晶表示装置３０のテープキャリア
１６付近のｔｉ成を示す平面図および斜視図、第５図は
液晶表示装置３０の平面図、第６図は本発明の他の実施
例のｊα晶表示装置のガラス基板へのｔＡ積回路４３の
接続構造を示す平面図、第７図は第６図グ）切断面線■
−■から見た断面図、第８図は第６［２１の切断面線■
〜１から見た断面口、第９図は第６０の切断面線ｒＸ　
−ＩＫから見た断面図、第１０図は第６図示の接続ｌＩ
Ｉ造の出力電極３４け近の構成を示す平面図、第１１図
は第１０図の切断面線ＸＩ　−ＸＩから見た断面図、第
１２図は本発明のさらに他の実施例の接続構造における
出力電１１３４　ａ　ｆ１近の構成を示す平面図、第１
３図は第１２図の切断面線ｘｎｔ−ｘ■から見た断面図
、第１４図は本発明の他の実施例である液晶表示装置の
ガラス基［５２／＼の集積回路６３の接続構造を示す断
面図、第１５図および第１ｒ″）図は本発明のさらに他
の実施例の出力１険３４ｂ、３４ｃけ近の構成を示す平
面図、第１７０は先行技術の液晶表示装置のテープキャ
リア６け近の構成を示す断面図である。 １１、−１１．４１ａ、４１１：＋、４１ｃ＋　　５１
・・・透明絶縁膜、］、　２　、４２　、４２　ａ　、
　５２・・・ガラスｖ５板、１３・・・入力信号導体、
１４・・・入力信号用共通導体、１５・・・異方導電膜
、１６・・・テープキャリア、１７・・・接続用導体、
２３．４３・−集積回路、３７．５７・・・突起電極、
３３　、３３　ａ　、　３３　ｂ３３　ｃ−−出力導ｆ
本、３４．３４ａ、３４ｂ、３４Ｃ・・・出力電極、３
５・・・入力電極、３（：Ｉ・・・入力端子、５０・・
・配向膜、Ａ２．Ａ３．Ｂｌ、Ｂ２・・頭域代理人　　
弁理士　西教　圭一部 第 図 第 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）電子装置形成領域が設定される電気絶縁性の回路
   基板であって、配線用導体とフォトリソグラフィによる
   電気絶縁性被膜とがこの順序で形成されていて、前記電
   子装置形成領域には、前記配線用導体および電気絶縁性
   被膜を含んで電子装置が形成される、そのような回路基
   板への電子回路素子の接続方法において、 上記電気絶縁性被膜を、回路基板の電子装置形成領域以
   外の領域においてもフォトリソグラフィにて選択的に形
   成し、 該電気絶縁性被膜の非形成領域において、回路基板上の
   配線用導体と、電子回路素子に形成された接続用電極と
   を接続するようにしたことを特徴とする回路基板への電
   子回路素子の接続方法。
2. （２）電子装置形成領域が設定される電気絶縁性の回路
   基板であって、配線用導体とフォトリソグラフィによる
   電気絶縁性被膜とがこの順序で形成されていて、前記電
   子装置形成領域には、前記配線用導体および電気絶縁性
   被膜を含んで電子装置が形成される、そのような回路基
   板への電子回路素子の接続構造において、 接続用電極の形成された電子回路素子と、 前記回路基板上の電子装置形成領域以外の領域に形成さ
   れる配線用導体と、 前記回路基板上の電子装置形成領域以外の領域において
   、薄膜から成り、前記配線用導体の一部分を被覆するよ
   うに形成される電気絶縁性被膜とを含み、 電子回路素子に形成される接続用電極が前記回路基板上
   の電気絶縁性被膜に被覆されていない配線用導体に接続
   されることを特徴とする回路基板への電子回路素子の接
   続構造。
3. （３）表示素子形成領域が設定されている回路基板に配
   線用導体を形成する工程と、 前記回路基板上の表示素子形成領域、および表示素子形
   成領域以外の領域であって、電子回路素子との接続位置
   を除く領域に、電気絶縁性被膜をフォトリソグラフィに
   よって選択的に形成する工程と、 前記表示素子形成領域において、回路基板、配線用導体
   および電気絶縁性被膜を含んで表示素子を形成する工程
   と、 前記電気絶縁性被膜が形成されていない接続位置におい
   て、回路基板上の配線用導体と、電子回路素子に形成さ
   れた接続用電極とを接続する工程とを含むことを特徴と
   する表示装置の製造方法。