JPH0255289A - 高解離圧化合物半導体単結晶成長方法及びその装置 - Google Patents
高解離圧化合物半導体単結晶成長方法及びその装置Info
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- JPH0255289A JPH0255289A JP63205861A JP20586188A JPH0255289A JP H0255289 A JPH0255289 A JP H0255289A JP 63205861 A JP63205861 A JP 63205861A JP 20586188 A JP20586188 A JP 20586188A JP H0255289 A JPH0255289 A JP H0255289A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高解離圧成分ガスの圧力制御を行なう高解離圧
化合物半導体単結晶成長方法及びその装置に関するもの
である。
化合物半導体単結晶成長方法及びその装置に関するもの
である。
高解離圧化合物半導体単結晶成長方法の一つとして特開
昭６０−２５５６９２号公報に開示された方法がある。
昭６０−２５５６９２号公報に開示された方法がある。
この方法を用いる従来の具体的な単結晶成長装置につい
て、第２図を参照して詳しく説明する。第２図の高解離
圧化合物半導体単結晶成長装置は、外容器１と、その内
部に収容された密封容器上体２ａ、密封容器下体２ｂと
からなる密封容器２と、上端にフランジ３ａを、中間に
緩衝機構３ｂを有し外容器１を気密に上下動可能に貫通
して設けられた押し上げ軸３と、上部から外容器１およ
び密封容器上体２ａの上壁をを貫いて密封容器２の内部
に延ひ、上下動かつ回転可能な上軸フォースパー４と、
同様に下部から外容器１および密封容器下体２ｂの下壁
を貫いて密封容器２の内部に延び、上下動かつ回転可能
な下軸フォースパー５と、この下軸フォースパー５の上
端に設けられたサセプタ６と、このサセプタ６に支持さ
れた原料融液容器（るつぼ）７と、密封容器２の外側に
設置された加熱機構（ヒータ）８．８’と、密封容器２
に設けられた高解離圧成分ガス圧制御炉９と、密封容器
上体２ａと上軸フォースパー４との接触摺動部、密封容
器下体２ｂと下軸フォースパー５との接触摺動部にそれ
ぞれ設けられた液体シール剤１０．１０’ と、上軸
フォースパー４を挿入させて外容器１内に挿入された」
二軸アウターフルチューブ１１と、上軸フォースパー４
と上軸アウタープルチューブ１１に接続されたロードセ
ル１２と、外容器１の上方から密封容器２内に気密に挿
入された透光性ロッド１３とからなっており、前記ヒー
タ８′ とロードセルＩ２との間にはＡ／Ｄ変換器１４
およびコンピュータ１５が接続されている。なお、密封
容器上体２ａ、密封容器下体２ｂは接合部２Ｃ，２ｄに
おいて接合され密封容器２内は密封されている。
て、第２図を参照して詳しく説明する。第２図の高解離
圧化合物半導体単結晶成長装置は、外容器１と、その内
部に収容された密封容器上体２ａ、密封容器下体２ｂと
からなる密封容器２と、上端にフランジ３ａを、中間に
緩衝機構３ｂを有し外容器１を気密に上下動可能に貫通
して設けられた押し上げ軸３と、上部から外容器１およ
び密封容器上体２ａの上壁をを貫いて密封容器２の内部
に延ひ、上下動かつ回転可能な上軸フォースパー４と、
同様に下部から外容器１および密封容器下体２ｂの下壁
を貫いて密封容器２の内部に延び、上下動かつ回転可能
な下軸フォースパー５と、この下軸フォースパー５の上
端に設けられたサセプタ６と、このサセプタ６に支持さ
れた原料融液容器（るつぼ）７と、密封容器２の外側に
設置された加熱機構（ヒータ）８．８’と、密封容器２
に設けられた高解離圧成分ガス圧制御炉９と、密封容器
上体２ａと上軸フォースパー４との接触摺動部、密封容
器下体２ｂと下軸フォースパー５との接触摺動部にそれ
ぞれ設けられた液体シール剤１０．１０’ と、上軸
フォースパー４を挿入させて外容器１内に挿入された」
二軸アウターフルチューブ１１と、上軸フォースパー４
と上軸アウタープルチューブ１１に接続されたロードセ
ル１２と、外容器１の上方から密封容器２内に気密に挿
入された透光性ロッド１３とからなっており、前記ヒー
タ８′ とロードセルＩ２との間にはＡ／Ｄ変換器１４
およびコンピュータ１５が接続されている。なお、密封
容器上体２ａ、密封容器下体２ｂは接合部２Ｃ，２ｄに
おいて接合され密封容器２内は密封されている。
この装置を用いて化合物半導体単結晶を育成する場合に
は、先ず、るつぼ７内に原料となる■族金属（Ｇａ）を
投入し、密封容器２の底部に高解離圧成分固体（Ａ ｓ
）を置き、外容器Ｉおよび密封容器２内を真空状態とし
た後、ヒータ８，８′を発熱させ液体シール剤１０．１
０’ を溶融し、密封容器２を外客ＩＢ １と隔離し、
不活性ガスにて外容器１内を所定の圧力とし、更にヒー
タ８′を発熱させ高解離圧成分固体を蒸発させ、かつ高
解離圧成分ガス圧制御炉９を調節して密封容器２内を所
定の圧力の高解離圧成分ガス（！＼Ｓ）で満たし、この
高解離圧成分ガスとるつぼ７内の■族金属とを反応させ
原料融液（ＧａＡｓ）１６を作り、この状態で上軸フォ
ースパー４を下降して種結晶（ＧａＡｓ）１７を原料融
液１６に浸漬し、上軸フォースパー４を回転しつつ引き
上げることにより化合物半導体単結晶（Ｇ ａＡ ｓ）
を得ることかできる。
は、先ず、るつぼ７内に原料となる■族金属（Ｇａ）を
投入し、密封容器２の底部に高解離圧成分固体（Ａ ｓ
）を置き、外容器Ｉおよび密封容器２内を真空状態とし
た後、ヒータ８，８′を発熱させ液体シール剤１０．１
０’ を溶融し、密封容器２を外客ＩＢ １と隔離し、
不活性ガスにて外容器１内を所定の圧力とし、更にヒー
タ８′を発熱させ高解離圧成分固体を蒸発させ、かつ高
解離圧成分ガス圧制御炉９を調節して密封容器２内を所
定の圧力の高解離圧成分ガス（！＼Ｓ）で満たし、この
高解離圧成分ガスとるつぼ７内の■族金属とを反応させ
原料融液（ＧａＡｓ）１６を作り、この状態で上軸フォ
ースパー４を下降して種結晶（ＧａＡｓ）１７を原料融
液１６に浸漬し、上軸フォースパー４を回転しつつ引き
上げることにより化合物半導体単結晶（Ｇ ａＡ ｓ）
を得ることかできる。
この際に上軸フォースパー４に取り付けたロードセル１
２によって重量変化を検出し、育成単結晶の形状制御を
行なっている。なお、９ａは高解離圧成分固体（Ａｓ）
である。
２によって重量変化を検出し、育成単結晶の形状制御を
行なっている。なお、９ａは高解離圧成分固体（Ａｓ）
である。
ところが、以上のような高解離圧成分ガスの圧力の制御
を行なう高解離圧化合物半導体単結晶成長方法によって
は、化合物半導体単結晶を育成する場合に、上軸アウタ
ープルチューブ１１の端部が密封容器２の外側にあるた
め、上軸フォースパー４は密封容器２の内圧と外容器１
の内圧との差圧力の力を受け、このために正確な育成結
晶の重量を検出することができず、ひいては育成結晶の
正確な形状制御を行うことかできないという問題かあっ
た。
を行なう高解離圧化合物半導体単結晶成長方法によって
は、化合物半導体単結晶を育成する場合に、上軸アウタ
ープルチューブ１１の端部が密封容器２の外側にあるた
め、上軸フォースパー４は密封容器２の内圧と外容器１
の内圧との差圧力の力を受け、このために正確な育成結
晶の重量を検出することができず、ひいては育成結晶の
正確な形状制御を行うことかできないという問題かあっ
た。
本発明は、従来の高解離圧化合物半導体単結晶成長方法
及びその装置が持つ以」−のような問題点を解決すべく
、第１の発明においては、密封容器の気密性をも確保し
つつ、育成結晶の正確な形状制御を行うことかできる高
解離圧（ヒ合物半導体弔結晶成長方法を、第２の発明に
おいては、密封容器の気密性を確保しつつ育成結晶の正
確な形状制御を行うことができる高解離圧化合物半導体
単結晶成長装置を提供することを目的とする。
及びその装置が持つ以」−のような問題点を解決すべく
、第１の発明においては、密封容器の気密性をも確保し
つつ、育成結晶の正確な形状制御を行うことかできる高
解離圧（ヒ合物半導体弔結晶成長方法を、第２の発明に
おいては、密封容器の気密性を確保しつつ育成結晶の正
確な形状制御を行うことができる高解離圧化合物半導体
単結晶成長装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、前記目的を達成させるために次のような構成
としている。即ち、第１の発明においては、加熱密封容
器内に密封された高解離圧成分ガスの圧力を制御しつつ
、前記密封容器内で化合物半導体単結晶を引き上げるチ
ョクラルスキー法による化合物半導体単結晶成長方法で
あって、前記単結晶を引き上げる上軸フォースパーに取
す付けられた第１のロードセルおよび前記上軸フォース
バーと径の異なる、前記密封容器内の原料融液容器を支
持する下軸フォースパーに取り付けられた第２のロード
セルにより、育成された高解離圧化合物半導体単結晶の
重量を測定し、この測定型型より育成された高解離圧化
合物半導体単結晶の重量を正確に算出し、育成された化
合物半導体単結晶の形状を制御するようにし、 第２の発明においては、外容器と、この外容器内に設け
られた密封容器と、前記外容器および密封容器の上壁、
下壁をそれぞれ上下動かつ回転可能に気密に貫通して密
封容器内部に延ばされて設けられた上軸フォースバーお
よび該上軸フォースバーと径の異なる下軸フォースバー
と、前記密封容器内において下軸フォースバーにより支
持された原料融液容器と、前記密封容器を加熱可能にこ
の密封容器外に設けられた加熱機構と、前記密封容器に
設けられた高解離圧成分ガス圧制御炉と、前記上軸フォ
ースバーに接続された第１のロードセルと、前記下軸フ
ォースバーに接続された第２のロードセルとからなる構
成としている。
としている。即ち、第１の発明においては、加熱密封容
器内に密封された高解離圧成分ガスの圧力を制御しつつ
、前記密封容器内で化合物半導体単結晶を引き上げるチ
ョクラルスキー法による化合物半導体単結晶成長方法で
あって、前記単結晶を引き上げる上軸フォースパーに取
す付けられた第１のロードセルおよび前記上軸フォース
バーと径の異なる、前記密封容器内の原料融液容器を支
持する下軸フォースパーに取り付けられた第２のロード
セルにより、育成された高解離圧化合物半導体単結晶の
重量を測定し、この測定型型より育成された高解離圧化
合物半導体単結晶の重量を正確に算出し、育成された化
合物半導体単結晶の形状を制御するようにし、 第２の発明においては、外容器と、この外容器内に設け
られた密封容器と、前記外容器および密封容器の上壁、
下壁をそれぞれ上下動かつ回転可能に気密に貫通して密
封容器内部に延ばされて設けられた上軸フォースバーお
よび該上軸フォースバーと径の異なる下軸フォースバー
と、前記密封容器内において下軸フォースバーにより支
持された原料融液容器と、前記密封容器を加熱可能にこ
の密封容器外に設けられた加熱機構と、前記密封容器に
設けられた高解離圧成分ガス圧制御炉と、前記上軸フォ
ースバーに接続された第１のロードセルと、前記下軸フ
ォースバーに接続された第２のロードセルとからなる構
成としている。
［作用］
第１の発明においては、上軸フォースバーに取り付けら
れた第１のロードセルと、前記上軸フォースバーと径の
異なる下軸フォースバーに取り付けられた第２のロード
セルとにより育成された高解離圧化合物半導体単結晶の
重量を測定し、このｊ則定宙量より育成された高解離圧
化合物半導体単結晶の重↑を正確に算出することにより
、密封容器内と外容器内の差圧による育成結晶の重量の
測定精度に対する悪影響を解消し、育成された化合物半
導体単結晶の形状を制御する。
れた第１のロードセルと、前記上軸フォースバーと径の
異なる下軸フォースバーに取り付けられた第２のロード
セルとにより育成された高解離圧化合物半導体単結晶の
重量を測定し、このｊ則定宙量より育成された高解離圧
化合物半導体単結晶の重↑を正確に算出することにより
、密封容器内と外容器内の差圧による育成結晶の重量の
測定精度に対する悪影響を解消し、育成された化合物半
導体単結晶の形状を制御する。
第２の発明においては、上軸フォースバーに取り付けら
れた第１のロードセルと、前記上１１１］ ７オースバ
ーと径の異なる下軸フォースバーに取り付けられた第２
のロードセルとにより育成された高解離圧化合物半導体
単結晶の重量を測定し、育成された高解離圧化合物半導
体単結晶の重量を正確に算出し、加熱機構の出力を調整
して育成単結晶の形状制御を行う。
れた第１のロードセルと、前記上１１１］ ７オースバ
ーと径の異なる下軸フォースバーに取り付けられた第２
のロードセルとにより育成された高解離圧化合物半導体
単結晶の重量を測定し、育成された高解離圧化合物半導
体単結晶の重量を正確に算出し、加熱機構の出力を調整
して育成単結晶の形状制御を行う。
第１の発明においては、前記従来法の状況に鑑みて、下
軸フォースバー５に第２のロードセル２４を設け、上軸
フォースバー４に具備した第１のロードセル１２を併用
して育成単結晶重量を測定することにより、前述の密封
容器２内と外容器１内との差圧による育成結晶重量の測
定精度に対する悪影響を解消して、育成される化合物半
導体単結晶の形状を正確に制御し得るようにしている。
軸フォースバー５に第２のロードセル２４を設け、上軸
フォースバー４に具備した第１のロードセル１２を併用
して育成単結晶重量を測定することにより、前述の密封
容器２内と外容器１内との差圧による育成結晶重量の測
定精度に対する悪影響を解消して、育成される化合物半
導体単結晶の形状を正確に制御し得るようにしている。
即ち、密１１容器２内と外容器１内の差圧を八Ｐ、上軸
フォースバー４の半径をＲ１、下軸フォースパー５の半
径をＲ７、」二軸フォースパー４に取り付けた第１のロ
ードセル１２が検出する重量をＷｌ、真のｆｆ１ｆｆｉ
をｗｌ、下軸フォースバー５に取り付けた第２のロード
セル２４が検出する重量をＷ７、真の重量をｗ２とする
と、 第１のロードセル１２．第２のロードセル２４には密封
容器２の内圧と外容器ｌの内圧との圧力差の変動分か影
響するので、 Ｗ 、 ＝ ｗ 、＋ΔＰＸπＸＲ Ｗ ２＝ ｗ 、−ΔＰ×πｘ Ｒｔ また、１と 、２との和は一定であるからｗ ” 、
、＋ Ｗｅ （ｗは定数）Ｒ，ＸＷ、＋Ｒ，’ Ｘ
Ｗ −、、ＸＲ，＋い、ＸＲ ｗ＋＝ ｆ （Ｗｔ ｗ） Ｘ Ｒ，２＋ｗ、ｘ Ｒ
２’ ｌ ／（Ｒ，−Ｒ，’） 但し Ｒ１≠Ｒ２ ここで Ｒ１＝ｋＸＲ とすると Ｗ、＝ （ｋ’ ｘｗ＋＋ｗｔ−ｗ）／（ｋ” ｌ）と
なり正確な結晶重量が求められる。
フォースバー４の半径をＲ１、下軸フォースパー５の半
径をＲ７、」二軸フォースパー４に取り付けた第１のロ
ードセル１２が検出する重量をＷｌ、真のｆｆ１ｆｆｉ
をｗｌ、下軸フォースバー５に取り付けた第２のロード
セル２４が検出する重量をＷ７、真の重量をｗ２とする
と、 第１のロードセル１２．第２のロードセル２４には密封
容器２の内圧と外容器ｌの内圧との圧力差の変動分か影
響するので、 Ｗ 、 ＝ ｗ 、＋ΔＰＸπＸＲ Ｗ ２＝ ｗ 、−ΔＰ×πｘ Ｒｔ また、１と 、２との和は一定であるからｗ ” 、
、＋ Ｗｅ （ｗは定数）Ｒ，ＸＷ、＋Ｒ，’ Ｘ
Ｗ −、、ＸＲ，＋い、ＸＲ ｗ＋＝ ｆ （Ｗｔ ｗ） Ｘ Ｒ，２＋ｗ、ｘ Ｒ
２’ ｌ ／（Ｒ，−Ｒ，’） 但し Ｒ１≠Ｒ２ ここで Ｒ１＝ｋＸＲ とすると Ｗ、＝ （ｋ’ ｘｗ＋＋ｗｔ−ｗ）／（ｋ” ｌ）と
なり正確な結晶重量が求められる。
上述の結果から上軸フォースバー４に取り付けられた第
１のロードセル１２と同様に、押し」二げ軸３．緩衝機
構３ｂに通された下軸アウタープルチューブ２３及びこ
の下軸アウターブルチューブ２３に通された下軸フォー
スバー５に第２のロードセル２４を取り付け、かつ」二
軸フォースバー４の外径と下軸フォースパー５の外径と
を異なる径としておくことにより、正確な育成結晶重量
が１１１１定可能となる。前述の演算処理を行なう手段
としては、コンピューター１５による方法や電気回路に
よる方法等がある。
１のロードセル１２と同様に、押し」二げ軸３．緩衝機
構３ｂに通された下軸アウタープルチューブ２３及びこ
の下軸アウターブルチューブ２３に通された下軸フォー
スバー５に第２のロードセル２４を取り付け、かつ」二
軸フォースバー４の外径と下軸フォースパー５の外径と
を異なる径としておくことにより、正確な育成結晶重量
が１１１１定可能となる。前述の演算処理を行なう手段
としては、コンピューター１５による方法や電気回路に
よる方法等がある。
このようにして得られた正確な育成結晶重量をもとにし
て自動Ｉヒ状制御を行なうことにより、育成単結晶の正
確な形状制御を行なうことが可能となる。
て自動Ｉヒ状制御を行なうことにより、育成単結晶の正
確な形状制御を行なうことが可能となる。
次に、第１の発明の方法の一実施例を第１図に示す装置
に基づいて説明する。なお、本実施例の装置において従
来例と同一部分には同一符号を用いてその説明を省略す
る。
に基づいて説明する。なお、本実施例の装置において従
来例と同一部分には同一符号を用いてその説明を省略す
る。
本実施例の装置は、下軸フォースパー５に第２のロード
セル２４が具備されている点を除いて従来例の第２図に
示した高解離圧化合物半導体単結晶成長装置と同様であ
る。ただし、上軸フォースバー４の外径と下軸フォース
パー５の外径とは異なる径とされている。
セル２４が具備されている点を除いて従来例の第２図に
示した高解離圧化合物半導体単結晶成長装置と同様であ
る。ただし、上軸フォースバー４の外径と下軸フォース
パー５の外径とは異なる径とされている。
本実施例においては、第１のロードセル１２゜第２のロ
ードセル２４からの出力信号をＡ／Ｄ変換器１４．２５
によってディジタル信号に変換しコンピュータ１５に取
り込み、数値演算を行い、正確な結晶重用を算出し、こ
の値を基に結晶直径を求める。このようにして得られた
結晶直径を参照してコンピュータ１５により加熱機構（
ヒータ）８．８′の出力パワーを調整して自動的に形状
制御を行う。
ードセル２４からの出力信号をＡ／Ｄ変換器１４．２５
によってディジタル信号に変換しコンピュータ１５に取
り込み、数値演算を行い、正確な結晶重用を算出し、こ
の値を基に結晶直径を求める。このようにして得られた
結晶直径を参照してコンピュータ１５により加熱機構（
ヒータ）８．８′の出力パワーを調整して自動的に形状
制御を行う。
運転例
第１図に示した前記構造を有する装置を使用して、Ａｓ
の蒸気圧制御を行ないなから、自動直径制御によりＧ
ａ Ａ ｓ単結晶の引き上げを行なった。
の蒸気圧制御を行ないなから、自動直径制御によりＧ
ａ Ａ ｓ単結晶の引き上げを行なった。
育成条件は引き」二げ速度５ｍｍ／ｈ、結晶回転５ ｒ
ｐｍ、るつぼ回中云５ｒｐ＋ｎとしｔこ。
ｐｍ、るつぼ回中云５ｒｐ＋ｎとしｔこ。
得られた結晶は、直径８０ ｍｍ、長さ１００ｍｍの単
結晶であり、形状制御も設定値に対して±１ｍｍ以下に
収まり良好なものであった。
結晶であり、形状制御も設定値に対して±１ｍｍ以下に
収まり良好なものであった。
従来の高解離圧成分ガスの圧力制御を行なう高解離圧化
合物半導体単結晶成長方法及び装置においては、密封容
器２内と外容器１内之の差圧による育成結晶重量の測定
精度に対する悪影響のためロードセルを用いて形状制御
を行なうことは困難てあったが、本発明の装置によれば
１．桟体封止チ１クラルスキー法（Ｌ Ｅ Ｃ）法と同
様にロー１−セルによる形状制御が可能となる。
合物半導体単結晶成長方法及び装置においては、密封容
器２内と外容器１内之の差圧による育成結晶重量の測定
精度に対する悪影響のためロードセルを用いて形状制御
を行なうことは困難てあったが、本発明の装置によれば
１．桟体封止チ１クラルスキー法（Ｌ Ｅ Ｃ）法と同
様にロー１−セルによる形状制御が可能となる。
次に第２の発明について述べると、この第２の発明の一
実施例としては既に述へた第１図に示す装置による実施
か該当し、これは前述の説明で明らかであるのでその説
明を省略するが、この第２の発明の実施例によれば、第
１のロードセル１２と第２のロードセル２４とにより、
育成された高解離圧化合物半導体中結晶の重量を１ｌｌ
１１定し、この測定重量より育成された高解離圧化合物
半導体ノｌ結晶のｆｆ１ｆｆｉを正確に算出し、ヒータ
８，８′の出力を調整することにより、密封容器２の内
圧と外容器１の内圧との差圧による育成結晶の重量の測
定精度に対する悪影響を解消して、育成された化合物半
導体単結晶の形状を容易にかつ正確に自動制御すること
ができる。
実施例としては既に述へた第１図に示す装置による実施
か該当し、これは前述の説明で明らかであるのでその説
明を省略するが、この第２の発明の実施例によれば、第
１のロードセル１２と第２のロードセル２４とにより、
育成された高解離圧化合物半導体中結晶の重量を１ｌｌ
１１定し、この測定重量より育成された高解離圧化合物
半導体ノｌ結晶のｆｆ１ｆｆｉを正確に算出し、ヒータ
８，８′の出力を調整することにより、密封容器２の内
圧と外容器１の内圧との差圧による育成結晶の重量の測
定精度に対する悪影響を解消して、育成された化合物半
導体単結晶の形状を容易にかつ正確に自動制御すること
ができる。
第１の発明によれば、」二軸フォースバーに取り付けら
れた第１のロードセル、前記１−軸フオースバーと径の
異なる下軸フォースパーに取り付けられた第２のロー１
〜セルにより、育成された高解離圧化合物半導体ｒｉ結
晶の重重を測定し、この測定型９より育成された高解離
圧化合物半導体単結晶の重量を正確に算出することによ
り、密封容器の内圧と外容器の内圧との差圧による育成
結晶の重量の測定精度に対する悪影響を解消し、育成さ
れた化合物半導体単結晶の形状を自動的に正確にしかも
容易に制御することができる。
れた第１のロードセル、前記１−軸フオースバーと径の
異なる下軸フォースパーに取り付けられた第２のロー１
〜セルにより、育成された高解離圧化合物半導体ｒｉ結
晶の重重を測定し、この測定型９より育成された高解離
圧化合物半導体単結晶の重量を正確に算出することによ
り、密封容器の内圧と外容器の内圧との差圧による育成
結晶の重量の測定精度に対する悪影響を解消し、育成さ
れた化合物半導体単結晶の形状を自動的に正確にしかも
容易に制御することができる。
また、第２の発明によれば、上軸フォースバーに取り付
けられた第１のロードセル、前記上軸フォースバーと径
の異なる下１袖フォースバーに取り付けられた第２のロ
ードセルにより、育成された高解離圧化合物半導体単結
晶の重量を測定し、育成された高解離圧化合物半導体ｍ
結晶の重量を正確に算出し、加熱機構の出力を調整して
育成単結晶の形状制御を正確にかつ容易に自動制御する
ことかできる。
けられた第１のロードセル、前記上軸フォースバーと径
の異なる下１袖フォースバーに取り付けられた第２のロ
ードセルにより、育成された高解離圧化合物半導体単結
晶の重量を測定し、育成された高解離圧化合物半導体ｍ
結晶の重量を正確に算出し、加熱機構の出力を調整して
育成単結晶の形状制御を正確にかつ容易に自動制御する
ことかできる。
第１図は第１の発明を実施するための装置の例を示す概
略断面図、第２図は従来の高解離圧化合物半導体単結晶
成長方法を実施するための装置の一例を示す概略断面図
である。 ｌ・・ 外容器、２・ ・密封容器、４・・・・上軸フ
ォースパー ５ ・下軸フォースバー、６・・・・サ
セプタ、７・・・・・原料融液容器〈るつは）、８８′
・・・ 加熱機構（ヒータ）、９・・・・高解離圧成分
ガス圧制御炉、１１・・・ 上軸アウタープルチューブ
、１２ ・・・第１のロードセル、１６・・ 原料融液
、２３・・・・下軸アウタープルチューブ、２４ ・・
第２のロードセル。
略断面図、第２図は従来の高解離圧化合物半導体単結晶
成長方法を実施するための装置の一例を示す概略断面図
である。 ｌ・・ 外容器、２・ ・密封容器、４・・・・上軸フ
ォースパー ５ ・下軸フォースバー、６・・・・サ
セプタ、７・・・・・原料融液容器〈るつは）、８８′
・・・ 加熱機構（ヒータ）、９・・・・高解離圧成分
ガス圧制御炉、１１・・・ 上軸アウタープルチューブ
、１２ ・・・第１のロードセル、１６・・ 原料融液
、２３・・・・下軸アウタープルチューブ、２４ ・・
第２のロードセル。
Claims (2)
- （１）加熱密封容器内に密封された高解離圧成分ガスの
圧力を制御しつつ、前記密封容器内で化合物半導体単結
晶を引き上げるチョクラルスキー法による化合物半導体
単結晶成長方法であって、前記単結晶を引き上げる上軸
フォースバーに取り付けられた第１のロードセルおよび
前記上軸フースバーと径の異なる、前記密封容器内の原
料融液容器を支持する下軸フォースバーに取り付けられ
た第２のロードセルにより、育成された高解離圧化合物
半導体単結晶の重量を測定し、この測定重量より育成さ
れた高解離圧化合物半導体単結晶の重量を正確に算出し
、育成された化合物半導体単結晶の形状を制御すること
を特徴とする高解離圧化合物半導体単結晶成長方法。 - （２）外容器と、この外容器内に設けられた密封容器と
、前記外容器および密封容器の上壁、下壁をそれぞれ上
下動かつ回転可能に気密に貫通して密封容器内部に延ば
されて設けられた上軸フォースバーおよび該上軸フォー
スバーと径の異なる下軸フォースバーと、前記密封容器
内において下軸フォースバーにより支持された原料融液
容器と、前記密封容器を加熱可能にこの密封容器外に設
けられた加熱機構と、前記密封容器に設けられた高解離
圧成分ガス圧制御炉と、前記上軸フォースバーに接続さ
れた第１のロードセルと、前記下軸フォースバーに接続
された第２のロードセルとからなることを特徴とする高
解離圧化合物半導体単結晶成長装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205861A JPH0255289A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 高解離圧化合物半導体単結晶成長方法及びその装置 |
| KR1019890010032A KR940009940B1 (ko) | 1988-08-19 | 1989-07-14 | 고해리압화합물반도체 단결정성장방법 및 그의 장치 |
| US07/395,724 US5074953A (en) | 1988-08-19 | 1989-08-18 | Method for monocrystalline growth of dissociative compound semiconductors |
| EP89115296A EP0355747B1 (en) | 1988-08-19 | 1989-08-18 | Method for monocrystalline growth of dissociative compound semiconductors |
| DE68917054T DE68917054T2 (de) | 1988-08-19 | 1989-08-18 | Verfahren zur Einkristallzüchtung von zersetzbaren Halbleiter-Verbindungen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205861A JPH0255289A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 高解離圧化合物半導体単結晶成長方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0255289A true JPH0255289A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16513934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205861A Pending JPH0255289A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 高解離圧化合物半導体単結晶成長方法及びその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0255289A (ja) |
| KR (1) | KR940009940B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255288A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Mitsubishi Metal Corp | 高解離圧化合物半導体単結晶成長方法及びその装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525772B1 (ko) * | 2002-07-03 | 2005-11-03 | 삼화페인트공업주식회사 | 폴리아닐린을 이용한 철강용 방청도료 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61205697A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | Nec Corp | ３−５族化合物半導体の単結晶成長装置 |
| JPS627695A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-14 | Nec Corp | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JPS63176396A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置 |
| JPH0255288A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Mitsubishi Metal Corp | 高解離圧化合物半導体単結晶成長方法及びその装置 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63205861A patent/JPH0255289A/ja active Pending
-
1989
- 1989-07-14 KR KR1019890010032A patent/KR940009940B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61205697A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | Nec Corp | ３−５族化合物半導体の単結晶成長装置 |
| JPS627695A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-14 | Nec Corp | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JPS63176396A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置 |
| JPH0255288A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Mitsubishi Metal Corp | 高解離圧化合物半導体単結晶成長方法及びその装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255288A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Mitsubishi Metal Corp | 高解離圧化合物半導体単結晶成長方法及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900003424A (ko) | 1990-03-26 |
| KR940009940B1 (ko) | 1994-10-19 |
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