JPH0254765A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0254765A JPH0254765A JP20703288A JP20703288A JPH0254765A JP H0254765 A JPH0254765 A JP H0254765A JP 20703288 A JP20703288 A JP 20703288A JP 20703288 A JP20703288 A JP 20703288A JP H0254765 A JPH0254765 A JP H0254765A
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- Japan
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- thin film
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- substrates
- pallet
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はスパッタ蒸着法等を用いて、光ディスクや磁気
ディスク等を生産するｙｔ膜形成装置に関する。
ディスク等を生産するｙｔ膜形成装置に関する。
従来の技術
第３図は従来の薄膜形成装置を示す透視図である。同図
において、チャンバ２０の中にはスパッタ用のターゲラ
）２１ａ、２１ｂが装置されている。ターゲット２１ａ
、：２１ｂからスパックされた材料は、回転するパレッ
ト２２に保持されている基板２３ （２３ａ、２３ｂ、
２３ｃ）に付着して薄膜が形成される。また、第４図（
ａ）、 （ｂ）はパレット２２に基板２３が保持されて
いる状態を拡大した側面図、及びこの側面の断面を表し
た断面図である。同図において、パレット３０には基板
３１が装置されており、この基板３１を装着し、保持し
ながら基板３１自身が回転できるように案内溝３２が設
けられている。このような構成で、パレット３０が回転
すると、基板３１はパレ７）３０の回転軸２４を中心に
公転し、しかも案内溝３２に装着されているのでこの案
内溝３２に沿って自転する。
において、チャンバ２０の中にはスパッタ用のターゲラ
）２１ａ、２１ｂが装置されている。ターゲット２１ａ
、：２１ｂからスパックされた材料は、回転するパレッ
ト２２に保持されている基板２３ （２３ａ、２３ｂ、
２３ｃ）に付着して薄膜が形成される。また、第４図（
ａ）、 （ｂ）はパレット２２に基板２３が保持されて
いる状態を拡大した側面図、及びこの側面の断面を表し
た断面図である。同図において、パレット３０には基板
３１が装置されており、この基板３１を装着し、保持し
ながら基板３１自身が回転できるように案内溝３２が設
けられている。このような構成で、パレット３０が回転
すると、基板３１はパレ７）３０の回転軸２４を中心に
公転し、しかも案内溝３２に装着されているのでこの案
内溝３２に沿って自転する。
従来このような装置で基板に均一な膜厚の薄膜が形成さ
れていた。
れていた。
発明が解決しようとする課題
前記の薄膜形成装置において、第４図によると基板３１
がパレット３０の案内溝３２の内面３３（特に接触部３
４ａ、３４ｂ、３４ｃ）で接しながら基板外周部と内面
がこすれて回転することになる。
がパレット３０の案内溝３２の内面３３（特に接触部３
４ａ、３４ｂ、３４ｃ）で接しながら基板外周部と内面
がこすれて回転することになる。
また、パレット３０は普通、金属材料でできており、か
つパレット３０に付着した薄膜が剥離しにくくするため
にサンドブラスト処理されている。
つパレット３０に付着した薄膜が剥離しにくくするため
にサンドブラスト処理されている。
さらに、基板３１が樹脂材料であるときは、基板３１の
外周部が内面３３とこすれて削れたりキズが多（発生す
る。基板３１がこすれるとこの部分から多くの削りクズ
（以下ダストという）が発生し、このダストが基板３１
に付着したり、あるいは飛散したりしたものが、基板３
１の内周表面に付着するようになる。このため、形成さ
れた薄膜中にはダストが混入し欠陥の多い膜が発生し、
良質な膜の形成が困難であった。
外周部が内面３３とこすれて削れたりキズが多（発生す
る。基板３１がこすれるとこの部分から多くの削りクズ
（以下ダストという）が発生し、このダストが基板３１
に付着したり、あるいは飛散したりしたものが、基板３
１の内周表面に付着するようになる。このため、形成さ
れた薄膜中にはダストが混入し欠陥の多い膜が発生し、
良質な膜の形成が困難であった。
そこで、本発明は従来の装置がもつ以上のような課題を
解決し、実現容易な具体的構成を提供するものである。
解決し、実現容易な具体的構成を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記の課題を解決するための本発明の技術的手段は以下
のようになる。すなわち、薄膜化しようとする材料を蒸
発させる蒸発手段と、この蒸発手段から蒸発する材料が
付着する基板を保持しながら回転する保持部材とを備え
ており、この保持部材には前記基板を遊挿かつ転動可能
に保持する保持手段があり、少なくとも、前記保持手段
の基板と接触する部分の表面粗さをＲｍａｘ １μｍ
以下にした構成としている。
のようになる。すなわち、薄膜化しようとする材料を蒸
発させる蒸発手段と、この蒸発手段から蒸発する材料が
付着する基板を保持しながら回転する保持部材とを備え
ており、この保持部材には前記基板を遊挿かつ転動可能
に保持する保持手段があり、少なくとも、前記保持手段
の基板と接触する部分の表面粗さをＲｍａｘ １μｍ
以下にした構成としている。
作用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、保持手段の基板と接触する部分の表面粗さを
Ｒｍａｘ １μｍ以下にすることで、基板と保持手段が
、保持部材の回転によってこすれても、基板の削れは発
生しなくなる。
Ｒｍａｘ １μｍ以下にすることで、基板と保持手段が
、保持部材の回転によってこすれても、基板の削れは発
生しなくなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、添付図面に基づいて
説明する。第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施例を
示す斜視図及び部分拡大断面の斜視図である。同図にお
いて、スパッタターゲラｌ−１（ｌａ。
説明する。第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施例を
示す斜視図及び部分拡大断面の斜視図である。同図にお
いて、スパッタターゲラｌ−１（ｌａ。
ｌｂ）より蒸発した材料は回転するパレット２に保持さ
れた基板３ （３ａ、３ｂ、３ｅ、３ｄ）に付着して薄
膜が形成される。パレット２には基板３を保持しながら
、基板３自身が回転できるように基板３の厚さよりも若
干広くした案内溝４が設けられている。基板３を案内溝
４に装着し、パレット２が回転すると、基板３は案内溝
４に沿って転動することになる。ここで、案内溝４の内
径は基板３の外径よりも大きいので、パレット２が１回
転すると基板３は１回転以上自転することになる。つま
り、パレット２の回転と基板３の自転の位相を変えるこ
とによって、薄膜の膜厚均一性を得ている。ところが、
基板３が案内溝４を転動すると、基板３の外周部が案内
溝４の内面５とこすれることになるが、本実施例では内
面５の表面粗さをＲ＋＊ａｘ １μｍ以下にしている
ので、もはや基板３の外周部にキズやダストが発生しな
くなる。
れた基板３ （３ａ、３ｂ、３ｅ、３ｄ）に付着して薄
膜が形成される。パレット２には基板３を保持しながら
、基板３自身が回転できるように基板３の厚さよりも若
干広くした案内溝４が設けられている。基板３を案内溝
４に装着し、パレット２が回転すると、基板３は案内溝
４に沿って転動することになる。ここで、案内溝４の内
径は基板３の外径よりも大きいので、パレット２が１回
転すると基板３は１回転以上自転することになる。つま
り、パレット２の回転と基板３の自転の位相を変えるこ
とによって、薄膜の膜厚均一性を得ている。ところが、
基板３が案内溝４を転動すると、基板３の外周部が案内
溝４の内面５とこすれることになるが、本実施例では内
面５の表面粗さをＲ＋＊ａｘ １μｍ以下にしている
ので、もはや基板３の外周部にキズやダストが発生しな
くなる。
しかるに、本実施例では、基板３と案内溝４がこすれて
も、内面６の表面粗さをＲｓ＋ａｘｌＩＩｍ以下にする
ことで、こすれによる基１反のキズやダストの発生を防
止できる。その結果、ダストが飛散して、基板３の表面
に付着することを防止できるので、異物混入の無い良質
な薄膜形成ができる。
も、内面６の表面粗さをＲｓ＋ａｘｌＩＩｍ以下にする
ことで、こすれによる基１反のキズやダストの発生を防
止できる。その結果、ダストが飛散して、基板３の表面
に付着することを防止できるので、異物混入の無い良質
な薄膜形成ができる。
なお、パレット２の案内溝４以外の表面は、基板３と接
触しないので、サンドブラストで加工しても良い。パレ
ット２には、スパッタされた材料が薄膜となって付着す
る。この膜は堆積すると、ついにパレット２の表面より
剥離してしまい、基板３の表面に付着して良質な基板へ
の膜形成を妨げる。そこで、パレット２の表面の膜を、
剥離してくる直前で除去する。いわゆるパレット２の再
生をする。しかし、パレット２の表面をサンドブラスト
すると、パレット２の表面積が増えるので、膜の剥離が
発生しにくくなり、その結果、パレット２の温性回数を
減少させることができる。また、本実施例では、案内溝
４をバレント２に直接加工して設けているが、第２図に
示すように、パレット１０と案内溝１１を加工した保持
部材１２を別にした構成にしても良い。この場合、パレ
ット全体を交換せずに一枚のパレットで、保持部材１２
のみを基板に適合することで、容易に様々な径、厚みの
基板の薄膜形成ができる。
触しないので、サンドブラストで加工しても良い。パレ
ット２には、スパッタされた材料が薄膜となって付着す
る。この膜は堆積すると、ついにパレット２の表面より
剥離してしまい、基板３の表面に付着して良質な基板へ
の膜形成を妨げる。そこで、パレット２の表面の膜を、
剥離してくる直前で除去する。いわゆるパレット２の再
生をする。しかし、パレット２の表面をサンドブラスト
すると、パレット２の表面積が増えるので、膜の剥離が
発生しにくくなり、その結果、パレット２の温性回数を
減少させることができる。また、本実施例では、案内溝
４をバレント２に直接加工して設けているが、第２図に
示すように、パレット１０と案内溝１１を加工した保持
部材１２を別にした構成にしても良い。この場合、パレ
ット全体を交換せずに一枚のパレットで、保持部材１２
のみを基板に適合することで、容易に様々な径、厚みの
基板の薄膜形成ができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、基板を保持しながらこれ
自身が回転する保持部材に、基板を遊挿かつ転動可能に
保持できる保持手段を設け、保持手段の基板と接触する
部分の表面粗さをＲｍａｘ１μｍ以下としたので、基板
にキズやダストを発生しないで、異物の混入が無く、か
つ、均一な膜厚の薄膜を形成することができ、その工業
的価値は高い。
自身が回転する保持部材に、基板を遊挿かつ転動可能に
保持できる保持手段を設け、保持手段の基板と接触する
部分の表面粗さをＲｍａｘ１μｍ以下としたので、基板
にキズやダストを発生しないで、異物の混入が無く、か
つ、均一な膜厚の薄膜を形成することができ、その工業
的価値は高い。
第１図及び第２図は本発明の一実施例における薄膜形成
装置の透視図及び部分拡大図、第３図及び第４図は従来
の薄膜形成装置の斜視図及び部分拡大図である。 １・・・・・・スパッタターゲット、２・・・・・・パ
レット、３ （３ａ、３ｂ、３ｃ）・・・・・・基板、
４・・・・・・案内溝、５・・・・・・内面。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名園 １ス１ｂ−一一尺バ・ノベ７６ン−ウＥ＋、１．２−バ
し、外 ＋＋−ｆＨ＝１ ２−一−イ敦埒ａ打 ５−−一丙面
装置の透視図及び部分拡大図、第３図及び第４図は従来
の薄膜形成装置の斜視図及び部分拡大図である。 １・・・・・・スパッタターゲット、２・・・・・・パ
レット、３ （３ａ、３ｂ、３ｃ）・・・・・・基板、
４・・・・・・案内溝、５・・・・・・内面。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名園 １ス１ｂ−一一尺バ・ノベ７６ン−ウＥ＋、１．２−バ
し、外 ＋＋−ｆＨ＝１ ２−一−イ敦埒ａ打 ５−−一丙面
Claims (3)
- （１）薄膜化しようとする材料を蒸発させる蒸発手段と
、この蒸発手段から蒸発する材料が付着する基板を保持
しながら回転する保持部材とを備え、この保持部材には
前記基板を遊挿、かつ転動可能に保持する保持手段があ
り、前記保持手段の基板と接触する部分の表面粗さをＲ
ｍａｘ１μｍ以下にした薄膜形成装置。 - （２）保持部材のうち、基板と保持手段とが接触する保
持手段以外の表面粗さをＲｍａｘ４μｍ以上にした、請
求項（１）記載の薄膜形成装置。 - （３）保持部材のうち、基板と保持手段とが接触する保
持手段以外の表面をサンドブラストで加工した、請求項
（２）記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207032A JPH0823068B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207032A JPH0823068B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254765A true JPH0254765A (ja) | 1990-02-23 |
| JPH0823068B2 JPH0823068B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=16533074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63207032A Expired - Lifetime JPH0823068B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823068B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5443416A (en) * | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
| US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6417865A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Seiko Epson Corp | Substrate-holding mechanism in equipment for thin film manufacture |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63207032A patent/JPH0823068B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6417865A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Seiko Epson Corp | Substrate-holding mechanism in equipment for thin film manufacture |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5443416A (en) * | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
| US5527209A (en) * | 1993-09-09 | 1996-06-18 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head adapted for easy removal of wafers |
| US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0823068B2 (ja) | 1996-03-06 |
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