JPH025283B2 - - Google Patents
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- JPH025283B2 JPH025283B2 JP16637583A JP16637583A JPH025283B2 JP H025283 B2 JPH025283 B2 JP H025283B2 JP 16637583 A JP16637583 A JP 16637583A JP 16637583 A JP16637583 A JP 16637583A JP H025283 B2 JPH025283 B2 JP H025283B2
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- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 15
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 12
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 150000003097 polyterpenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セラミツク積層コンデンサの内部電
極を形成するための銀−パラジウム組成物に関す
る。 積層コンデンサはチタン酸バリウム、酸化チタ
ン等未焼成のセラミツク誘電体層と内部電極層と
を交互に数層〜数十層積層し、高温で焼結させる
ことによつて一体化された構造のコンデンサ素体
とし、これに外部端子を取付けて製造される。内
部電極材料には従来より、誘電体の焼結温度に耐
える白金、パラジウム、銀−パラジウムなどの高
融点貴金属粉末を導電成分として用い、これに有
機ビヒクル及び必要に応じて無機酸化物添加剤等
を配合し、塗料化した組成物が使用されている。 近年、特にチツプ形の積層コンデンサはハイブ
リツドICや基板直付け用のリードレスチツプ部
品として需要が急増しており、それに伴つて低価
格化・小形化・高性能化の要求がなされている
が、焼成コスト及び貴金属コスト低減のため、比
較的低温で焼結するセラミツク誘電体及び内部電
極材料としては低融点の銀を多量に含有する銀−
パラジウム組成物が求められるようになつてき
た。 ところが、銀−パラジウム組成物中の銀の比率
が高くなると、焼成時にコンデンサ素体にクラツ
ク等の構造欠陥が発生し易い。クラツクは注意深
い工程管理を行つても防止し難く、このため銀量
の多い銀−パラジウム内部電極を用いた積層コン
デンサは歩留りの非常に悪いものであつた。 本発明者等は、銀とパラジウムの配合割合及び
導電粉末の粒度とコンデンサ素体の構造欠陥発生
との関係に着目した。即ち従来の銀の比率の低い
パラジウム系内部電極組成物において使用される
パラジウム粉末は、例えば特公昭53−23495号公
報、特開昭48−16893号公報、米国特許第3872360
号明細書に示されているように、比表面積約10
m2／ｇ以下、特に0.5〜４m2／ｇ程度の比較的粒
度の粗いものであつた。これは、この範囲を越え
て比表面積の大きい、即ち粒度の細かいものを用
いると層間剥離（デラミネーシヨン）が発生し易
くなるためである。しかし銀含有量の多い（例え
ば銀30％以上）の内部電極にこの粒度のパラジウ
ム粉末を用いると、前述のごとくクラツクが発生
する。本発明者等は、おそらく銀が高比率になる
と、焼成中の銀とパラジウムの拡散速度の違いか
ら銀−パラジウム層の焼結が悪くなつて体積膨脹
が起り、このときセラミツクにひび割れが発生す
るものと考えた。この推測に基づき、種々の粒度
の銀、パラジウムで実験を重ねた結果、比表面積
の極めて大きなパラジウム粉末が銀−パラジウム
の比の特定範囲で有効であることを見出した。 即ち本発明は、導電成分が銀粉末60〜90重量％
及びパラジウム粉末40〜10重量％からなり、該パ
ラジウム粉末の比表面積が15〜25m2／ｇである積
層コンデンサ内部電極用導電性組成物に関するも
のである。 銀とパラジウムの比率が60：40〜90：10でパラ
ジウムの比表面積が上記の範囲であれば、コンデ
ンサの焼成時、銀−パラジウムの合金化が速やか
に進行し、焼結性が向上する。結果として緻密で
連続性の良好な内部電極被膜が形成されるととも
に、焼結時の電極膜厚の膨脹が抑えられ、クラツ
クの発生が防止されると考えられる。しかもパラ
ジウムの多い電極に見られたような、デラミネー
シヨンを起こす傾向が全くないという特徴もあ
る。 従つて本発明の内部電極組成物を用いることに
より緻密な製造工程管理の必要なく、構造欠陥の
ない良好な内部電極膜が形成される。このこと
は、積層コンデンサ製造工程の簡略化、不良率の
低下、信頼性の向上につながり、ひいては製造コ
ストの低下が可能となる。 パラジウム粉末の比表面積が15m2／ｇ未満だと
クラツクが発生し易い。又25m2／ｇを越えるとデ
ラミネーシヨンが発生したり、粉末の嵩が大きす
ぎるため塗料化が困難となるので使用することが
できない。 パラジウム粉末と混合する銀粉末は、通常用い
られている粒度のもの、例えば比表面積0.5〜10
m2／ｇのものでよい。銀粉末の粒度は、本発明の
銀−パラジウムの比率では構造欠陥発生にほとん
ど影響が認められない。 銀−パラジウムの比率はセラミツクの焼結温度
によつて適宜決定される。 導電粉末を塗料化するためのビヒクルとして
は、通常積層コンデンサの内部電極に用いられて
いるものであれば差し支えない。例えばエチルセ
ルロース、ニトロセルロース、ポリテルペン樹脂
等の樹脂類、テルピネオール、ブチルセロソル
ブ、ブチルカルビトール等の溶剤、ジブチルフタ
レート、ジエチルフタレート、ワツクスなどが適
宜選択されて使用される。 更に本発明組成物には、積層コンデンサの特性
改善のため従来よりしばしば用いられている無機
酸化物添加剤例えば酸化チタン、酸化ジルコニウ
ム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、アル
ミナ、シリカなどの金属酸化物粉末や、誘電体層
と同一の誘電体粉末、アミン処理ベントナイト等
を添加してもよい。 次に、本発明を実施例によつて具体的に説明す
る。 実施例で使用した粉末の比表面積は、吸着ガス
にN2を用いたB.E.T.法によつて測定したもので
ある。又実施例中、「部」はすべて重量部である。 実施例 １ 比表面積15m2／ｇのパラジウム粉末 30部 比表面積２m2／ｇの銀粉末 70部 エチルセルロース ６部 石油系溶剤 30部 テルピネオール 34部 以上の混合物を３本のロールミルにて混練し、
塗料とした。これを酸化チタン系誘電体セラミツ
クのグリーンシート上にスクリーン印刷し、30層
積層、加圧成形したものを電気炉にて200℃／時
間の速度で昇温し、1100℃に２時間保持した後、
200℃／時間の速度で降温し、積層コンデンサを
製造した。 得られた積層コンデンサについてクラツクの発
生、デラミネーシヨン、及び内部電極膜の膜厚と
連続性を調べた。結果を表に示す。 実施例 ２ 実施例１において、比表面積18m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 実施例 ３ 実施例１において、比表面積20m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 実施例 ４ 実施例１において、比表面積23m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 実施例 ５ 実施例２において、銀とパラジウムの重量比を
80：20として同様に積層コンデンサを製造した。 比較例 １ 実施例１において、比表面積５m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 比較例 ２ 実施例１において、比表面積10m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 比較例 ３ 実施例１において、比表面積30m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 比較例 ４ 実施例２において、銀とパラジウムの重量比を
50：50として同様に積層コンデンサを製造した。 実施例２〜５、比較例１〜４についても実施例
１と同様クラツク、デラミネーシヨン、電極膜厚
及び連続性を調べ、結果を表に示した。 クラツクの有無は、コンデンサ表面を低倍率の
光学顕微鏡で観察し、コンデンサ50個中クラツク
の発生した個数で示した。 デラミネーシヨンの有無、内部電極膜の連続性
及び膜厚は、積層コンデンサを電極面に垂直な面
で切断した後切断面を研磨し、光学顕微鏡により
観察、測定した。デラミネーシヨンも試料50個中
の発生数で表わした。電極膜の連続性は、連続な
らば〇、不連続点の見られたものは×として評価
した。 【表】
極を形成するための銀−パラジウム組成物に関す
る。 積層コンデンサはチタン酸バリウム、酸化チタ
ン等未焼成のセラミツク誘電体層と内部電極層と
を交互に数層〜数十層積層し、高温で焼結させる
ことによつて一体化された構造のコンデンサ素体
とし、これに外部端子を取付けて製造される。内
部電極材料には従来より、誘電体の焼結温度に耐
える白金、パラジウム、銀−パラジウムなどの高
融点貴金属粉末を導電成分として用い、これに有
機ビヒクル及び必要に応じて無機酸化物添加剤等
を配合し、塗料化した組成物が使用されている。 近年、特にチツプ形の積層コンデンサはハイブ
リツドICや基板直付け用のリードレスチツプ部
品として需要が急増しており、それに伴つて低価
格化・小形化・高性能化の要求がなされている
が、焼成コスト及び貴金属コスト低減のため、比
較的低温で焼結するセラミツク誘電体及び内部電
極材料としては低融点の銀を多量に含有する銀−
パラジウム組成物が求められるようになつてき
た。 ところが、銀−パラジウム組成物中の銀の比率
が高くなると、焼成時にコンデンサ素体にクラツ
ク等の構造欠陥が発生し易い。クラツクは注意深
い工程管理を行つても防止し難く、このため銀量
の多い銀−パラジウム内部電極を用いた積層コン
デンサは歩留りの非常に悪いものであつた。 本発明者等は、銀とパラジウムの配合割合及び
導電粉末の粒度とコンデンサ素体の構造欠陥発生
との関係に着目した。即ち従来の銀の比率の低い
パラジウム系内部電極組成物において使用される
パラジウム粉末は、例えば特公昭53−23495号公
報、特開昭48−16893号公報、米国特許第3872360
号明細書に示されているように、比表面積約10
m2／ｇ以下、特に0.5〜４m2／ｇ程度の比較的粒
度の粗いものであつた。これは、この範囲を越え
て比表面積の大きい、即ち粒度の細かいものを用
いると層間剥離（デラミネーシヨン）が発生し易
くなるためである。しかし銀含有量の多い（例え
ば銀30％以上）の内部電極にこの粒度のパラジウ
ム粉末を用いると、前述のごとくクラツクが発生
する。本発明者等は、おそらく銀が高比率になる
と、焼成中の銀とパラジウムの拡散速度の違いか
ら銀−パラジウム層の焼結が悪くなつて体積膨脹
が起り、このときセラミツクにひび割れが発生す
るものと考えた。この推測に基づき、種々の粒度
の銀、パラジウムで実験を重ねた結果、比表面積
の極めて大きなパラジウム粉末が銀−パラジウム
の比の特定範囲で有効であることを見出した。 即ち本発明は、導電成分が銀粉末60〜90重量％
及びパラジウム粉末40〜10重量％からなり、該パ
ラジウム粉末の比表面積が15〜25m2／ｇである積
層コンデンサ内部電極用導電性組成物に関するも
のである。 銀とパラジウムの比率が60：40〜90：10でパラ
ジウムの比表面積が上記の範囲であれば、コンデ
ンサの焼成時、銀−パラジウムの合金化が速やか
に進行し、焼結性が向上する。結果として緻密で
連続性の良好な内部電極被膜が形成されるととも
に、焼結時の電極膜厚の膨脹が抑えられ、クラツ
クの発生が防止されると考えられる。しかもパラ
ジウムの多い電極に見られたような、デラミネー
シヨンを起こす傾向が全くないという特徴もあ
る。 従つて本発明の内部電極組成物を用いることに
より緻密な製造工程管理の必要なく、構造欠陥の
ない良好な内部電極膜が形成される。このこと
は、積層コンデンサ製造工程の簡略化、不良率の
低下、信頼性の向上につながり、ひいては製造コ
ストの低下が可能となる。 パラジウム粉末の比表面積が15m2／ｇ未満だと
クラツクが発生し易い。又25m2／ｇを越えるとデ
ラミネーシヨンが発生したり、粉末の嵩が大きす
ぎるため塗料化が困難となるので使用することが
できない。 パラジウム粉末と混合する銀粉末は、通常用い
られている粒度のもの、例えば比表面積0.5〜10
m2／ｇのものでよい。銀粉末の粒度は、本発明の
銀−パラジウムの比率では構造欠陥発生にほとん
ど影響が認められない。 銀−パラジウムの比率はセラミツクの焼結温度
によつて適宜決定される。 導電粉末を塗料化するためのビヒクルとして
は、通常積層コンデンサの内部電極に用いられて
いるものであれば差し支えない。例えばエチルセ
ルロース、ニトロセルロース、ポリテルペン樹脂
等の樹脂類、テルピネオール、ブチルセロソル
ブ、ブチルカルビトール等の溶剤、ジブチルフタ
レート、ジエチルフタレート、ワツクスなどが適
宜選択されて使用される。 更に本発明組成物には、積層コンデンサの特性
改善のため従来よりしばしば用いられている無機
酸化物添加剤例えば酸化チタン、酸化ジルコニウ
ム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、アル
ミナ、シリカなどの金属酸化物粉末や、誘電体層
と同一の誘電体粉末、アミン処理ベントナイト等
を添加してもよい。 次に、本発明を実施例によつて具体的に説明す
る。 実施例で使用した粉末の比表面積は、吸着ガス
にN2を用いたB.E.T.法によつて測定したもので
ある。又実施例中、「部」はすべて重量部である。 実施例 １ 比表面積15m2／ｇのパラジウム粉末 30部 比表面積２m2／ｇの銀粉末 70部 エチルセルロース ６部 石油系溶剤 30部 テルピネオール 34部 以上の混合物を３本のロールミルにて混練し、
塗料とした。これを酸化チタン系誘電体セラミツ
クのグリーンシート上にスクリーン印刷し、30層
積層、加圧成形したものを電気炉にて200℃／時
間の速度で昇温し、1100℃に２時間保持した後、
200℃／時間の速度で降温し、積層コンデンサを
製造した。 得られた積層コンデンサについてクラツクの発
生、デラミネーシヨン、及び内部電極膜の膜厚と
連続性を調べた。結果を表に示す。 実施例 ２ 実施例１において、比表面積18m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 実施例 ３ 実施例１において、比表面積20m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 実施例 ４ 実施例１において、比表面積23m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 実施例 ５ 実施例２において、銀とパラジウムの重量比を
80：20として同様に積層コンデンサを製造した。 比較例 １ 実施例１において、比表面積５m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 比較例 ２ 実施例１において、比表面積10m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 比較例 ３ 実施例１において、比表面積30m2／ｇのパラジ
ウム粉末を用いる以外は同様にして積層コンデン
サを製造した。 比較例 ４ 実施例２において、銀とパラジウムの重量比を
50：50として同様に積層コンデンサを製造した。 実施例２〜５、比較例１〜４についても実施例
１と同様クラツク、デラミネーシヨン、電極膜厚
及び連続性を調べ、結果を表に示した。 クラツクの有無は、コンデンサ表面を低倍率の
光学顕微鏡で観察し、コンデンサ50個中クラツク
の発生した個数で示した。 デラミネーシヨンの有無、内部電極膜の連続性
及び膜厚は、積層コンデンサを電極面に垂直な面
で切断した後切断面を研磨し、光学顕微鏡により
観察、測定した。デラミネーシヨンも試料50個中
の発生数で表わした。電極膜の連続性は、連続な
らば〇、不連続点の見られたものは×として評価
した。 【表】
Claims (1)
- １ 導電成分が銀粉末60〜90重量％及びパラジウ
ム粉末40〜10重量％からなり、該パラジウム粉末
の比表面積が15〜25m2／ｇである積層コンデンサ
内部電極用導電性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16637583A JPS6057912A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 積層コンデンサ内部電極用導電性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16637583A JPS6057912A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 積層コンデンサ内部電極用導電性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057912A JPS6057912A (ja) | 1985-04-03 |
| JPH025283B2 true JPH025283B2 (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=15830241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16637583A Granted JPS6057912A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 積層コンデンサ内部電極用導電性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057912A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05250912A (ja) * | 1991-02-28 | 1993-09-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 導電性ペ−スト及びこれを使用した積層磁器コンデンサの製造方法 |
| JPH05250913A (ja) * | 1991-02-28 | 1993-09-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 導電性ペ−スト及びこれを使用した積層磁器コンデンサの製造方法 |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP16637583A patent/JPS6057912A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6057912A (ja) | 1985-04-03 |
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