JPS6355815A - 温度補償用誘電体磁器組成物 - Google Patents
温度補償用誘電体磁器組成物Info
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- JPS6355815A JPS6355815A JP61199801A JP19980186A JPS6355815A JP S6355815 A JPS6355815 A JP S6355815A JP 61199801 A JP61199801 A JP 61199801A JP 19980186 A JP19980186 A JP 19980186A JP S6355815 A JPS6355815 A JP S6355815A
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- dielectric ceramic
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 13
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は温度補償用誘電体磁器組成物に関し、特に、
積層コンデンサの誘電体磁器として用いられる温度補償
用誘電体磁器組成物に関する。
積層コンデンサの誘電体磁器として用いられる温度補償
用誘電体磁器組成物に関する。
(従来技術)
従来、この種の温度補償用誘電体磁器組成物としては、
MgTi、03−CaTiO3系の磁器が用いられてい
た。
MgTi、03−CaTiO3系の磁器が用いられてい
た。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、MgTi03−CaT io、系の磁器
では、その焼結温度が1300 ’c以上と高いため、
焼成コストが高くつき、また、積層コンデンサの誘電体
磁器として用いる際には、内部電極として高融点かつ高
温で酸化しにくい高価なPdやPtを使用しなければな
らず、積層コンデンサのコスト低減の障害となっていた
。さらに、非酸化性雰囲気中で焼成した場合には、磁器
が還元されて絶縁抵抗値が著しく低下するという問題点
を有していた。
では、その焼結温度が1300 ’c以上と高いため、
焼成コストが高くつき、また、積層コンデンサの誘電体
磁器として用いる際には、内部電極として高融点かつ高
温で酸化しにくい高価なPdやPtを使用しなければな
らず、積層コンデンサのコスト低減の障害となっていた
。さらに、非酸化性雰囲気中で焼成した場合には、磁器
が還元されて絶縁抵抗値が著しく低下するという問題点
を有していた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、1000℃以下
で焼結でき、かつ、非酸化性雰囲気中で焼成しても磁器
の比抵抗値が191200以上と高い温度補償用誘電体
磁器組成物を提供することである。
で焼結でき、かつ、非酸化性雰囲気中で焼成しても磁器
の比抵抗値が191200以上と高い温度補償用誘電体
磁器組成物を提供することである。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化
ケイ素および酸化ジルコニウムを主成分として含み、酸
化バリウムをBaOに換算してX・ (1−a)重量部
とし、酸化ストロンチウムをSrOに換算してX−a重
量部とし、酸化ケイ素を5intに換算して7重量部と
し、酸化ジルコニウムをZrO,に換算して7重量部と
したとき、X、Y、Zおよびaの値が、50≧X≧15
.84≧Y≧20.55≧Z≧1、x+y+z= t
。
ケイ素および酸化ジルコニウムを主成分として含み、酸
化バリウムをBaOに換算してX・ (1−a)重量部
とし、酸化ストロンチウムをSrOに換算してX−a重
量部とし、酸化ケイ素を5intに換算して7重量部と
し、酸化ジルコニウムをZrO,に換算して7重量部と
したとき、X、Y、Zおよびaの値が、50≧X≧15
.84≧Y≧20.55≧Z≧1、x+y+z= t
。
Olそして0.9≧a>Qの範囲内に含まれる、温度補
償用誘電体磁器組成物である。
償用誘電体磁器組成物である。
(発明の効果)
この発明によれば、1000℃以下の、たとえばN2ガ
ス、Arガス、CO□ガス、COガスあるいはN2ガス
などにより形成される非酸化性雰囲気中で焼成でき、1
0I2Ω■以上の高い比抵抗を有し、しかも、1000
以上の高いQ値を有する温度補償用誘電体磁器組成物を
得ることができる。
ス、Arガス、CO□ガス、COガスあるいはN2ガス
などにより形成される非酸化性雰囲気中で焼成でき、1
0I2Ω■以上の高い比抵抗を有し、しかも、1000
以上の高いQ値を有する温度補償用誘電体磁器組成物を
得ることができる。
また、この温度補償用誘電体磁器組成物を積層コンデン
サの誘電体磁器として用いれば、焼結温度が1000℃
以下と低いため、焼成コストを低くすることができ、か
つ、抵抗値が低く安価な銅、銅系合金あるいはその他の
卑金属を内部電極として用いることができるので、従来
に比べて積層コンデンサのコストダウンを図ることがで
きる。
サの誘電体磁器として用いれば、焼結温度が1000℃
以下と低いため、焼成コストを低くすることができ、か
つ、抵抗値が低く安価な銅、銅系合金あるいはその他の
卑金属を内部電極として用いることができるので、従来
に比べて積層コンデンサのコストダウンを図ることがで
きる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例)
原料として、BaC0,,5rCO,,5iOz、zr
ozおよびAI、O,を、別表1の組成となるように秤
量し、ボールミルで16時時間式混合した後、蒸発乾燥
して混合粉末を得た。次いで、この混合粉末を850℃
で2時間仮焼し、これに結合剤として酢酸ビニルを5重
量部加え、再びボールミルで16時時間式混合・粉砕し
た。この粉砕物を蒸発乾燥して篩に通して整粒し、果粒
状粉末を得た。こうして得た果粒状粉末を乾式プレス機
で2 ton / ciの圧力で加圧し、直径22鶴、
厚さ1.01の円板に成形した。次いで、この円板をN
2ガス雰囲気中で別表2に示した各温度条件で2時間保
持して焼成を行った。そして、これらの焼成物に、電極
形成の際に磁器が特性の変化を受けることを避けるため
、In−Ga合金を塗布して電極を形成し試料とした。
ozおよびAI、O,を、別表1の組成となるように秤
量し、ボールミルで16時時間式混合した後、蒸発乾燥
して混合粉末を得た。次いで、この混合粉末を850℃
で2時間仮焼し、これに結合剤として酢酸ビニルを5重
量部加え、再びボールミルで16時時間式混合・粉砕し
た。この粉砕物を蒸発乾燥して篩に通して整粒し、果粒
状粉末を得た。こうして得た果粒状粉末を乾式プレス機
で2 ton / ciの圧力で加圧し、直径22鶴、
厚さ1.01の円板に成形した。次いで、この円板をN
2ガス雰囲気中で別表2に示した各温度条件で2時間保
持して焼成を行った。そして、これらの焼成物に、電極
形成の際に磁器が特性の変化を受けることを避けるため
、In−Ga合金を塗布して電極を形成し試料とした。
そして、これらの試料について、次に示す各特性をそれ
ぞれの条件や測定方法で測定し、その結果を別表2に示
した。
ぞれの条件や測定方法で測定し、その結果を別表2に示
した。
(1)焼成温度
(2)比誘電率二周波数IMHz、温度25℃の条件
(3)Q値(品質係数)二層波数I M Hz 、温度
25℃の条件 (4)容量温度係数(ppm/’C) : 25℃の
容量を基準とし、これと125℃の容量とから次の弐に
5℃での容量) (5)比抵抗:25°Cで500Vの直流電圧を印加し
て電流値を測定し算出した値 なお、別表1および別表2中で*印を付したものは、こ
の発明の範囲外のものであり、それ以外はこの発明の範
囲内のものである。
25℃の条件 (4)容量温度係数(ppm/’C) : 25℃の
容量を基準とし、これと125℃の容量とから次の弐に
5℃での容量) (5)比抵抗:25°Cで500Vの直流電圧を印加し
て電流値を測定し算出した値 なお、別表1および別表2中で*印を付したものは、こ
の発明の範囲外のものであり、それ以外はこの発明の範
囲内のものである。
さらに、別表1および別表2に示した各実験例の結果を
、主成分組成図中に示した。この図面において丸印を付
した数字は各試料番号を示す。なお、この図面において
、発明の範囲内にある主成分の組成比を示す領域は、頂
点A、B、CおよびDを有する4角形で示されている。
、主成分組成図中に示した。この図面において丸印を付
した数字は各試料番号を示す。なお、この図面において
、発明の範囲内にある主成分の組成比を示す領域は、頂
点A、B、CおよびDを有する4角形で示されている。
すなわち、上述の3成分の組成比において、BaOおよ
びSrOを合わせてX重量部、SiO□を7重量部およ
びZrO2を2重量部としたとき、この発明の主成分の
範囲(X、Y、Z)は、A (50,49゜1)、B
(50,20,30)、C(15,20,65)、D
(15,84,1)の4点の頂点で囲まれる領域内の組
成比に相当するのである。ただし、この主成分組成図に
おいて、BaOをX・(1−a)重量部とし、SrOを
X−a重量部とした場合に0.9≧a>Oの関係が成り
立つことは表されていない。
びSrOを合わせてX重量部、SiO□を7重量部およ
びZrO2を2重量部としたとき、この発明の主成分の
範囲(X、Y、Z)は、A (50,49゜1)、B
(50,20,30)、C(15,20,65)、D
(15,84,1)の4点の頂点で囲まれる領域内の組
成比に相当するのである。ただし、この主成分組成図に
おいて、BaOをX・(1−a)重量部とし、SrOを
X−a重量部とした場合に0.9≧a>Oの関係が成り
立つことは表されていない。
以下、別表1.別表2および主成分組成図に従い、この
発明の温度補償用誘電体磁器組成物における組成の限定
理由を説明する。
発明の温度補償用誘電体磁器組成物における組成の限定
理由を説明する。
(1)主成分組成図において、頂点AおよびBを結ぶ線
分ABの外側の組成物(試料番号6参照)では、Q値が
1000以下となりかつ容量温度係数が+1100pp
/’c以上となり、しかも、焼結磁器素体の表面上にガ
ラス質が浮くので好ましくない。
分ABの外側の組成物(試料番号6参照)では、Q値が
1000以下となりかつ容量温度係数が+1100pp
/’c以上となり、しかも、焼結磁器素体の表面上にガ
ラス質が浮くので好ましくない。
(2)主成分組成図において、頂点AおよびDを結ぶ線
分ADの外側の組成物(試料番号5参照)では、Q値が
1000以下となりかつ容量温度係数が+100ppm
/’C以上となり、しかも、焼結磁器素体の表面上に
ガラス質が浮くので好ましくない。
分ADの外側の組成物(試料番号5参照)では、Q値が
1000以下となりかつ容量温度係数が+100ppm
/’C以上となり、しかも、焼結磁器素体の表面上に
ガラス質が浮くので好ましくない。
(3)主成分組成図において、頂点BおよびCを結ぶ線
分BCの外側の組成物(試料番号7参照)では、115
0℃の温度で焼成しても緻密な焼結体が得られないので
好ましくない。
分BCの外側の組成物(試料番号7参照)では、115
0℃の温度で焼成しても緻密な焼結体が得られないので
好ましくない。
(4)主成分組成図において、頂点BおよびDを結ぶ線
分BDの外側の組成物(試料番号8参照)では、115
0℃の温度で焼成しても緻密な焼結体が得られないので
好ましくない。
分BDの外側の組成物(試料番号8参照)では、115
0℃の温度で焼成しても緻密な焼結体が得られないので
好ましくない。
(5)主成分に酸化バリウムが全く含まれない場合、す
なわちa=lの場合(試料番号14参照)は、1150
’Cの温度で焼成しても緻密な焼結体が得られないの
で好ましくない。
なわちa=lの場合(試料番号14参照)は、1150
’Cの温度で焼成しても緻密な焼結体が得られないの
で好ましくない。
(6)Alz 03を主成分100重量部に対して、2
0重量部以下添加含有させると、磁器の特性にばらつき
が少なくなりかつ特性が一定の水準で揃う。しかし、A
1.Chの添加が20重量部を超えると(試料番号11
参照)、焼結温度が1150°C以上と高くなるため好
ましくない。
0重量部以下添加含有させると、磁器の特性にばらつき
が少なくなりかつ特性が一定の水準で揃う。しかし、A
1.Chの添加が20重量部を超えると(試料番号11
参照)、焼結温度が1150°C以上と高くなるため好
ましくない。
【図面の簡単な説明】
図面は、この発明の組成物の主成分組成比を示す主成分
組成図である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓 (ばか1名) ノζ=二し *印はこの発明の範囲外 表−2 ホ印はこの発明の範囲外
組成図である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓 (ばか1名) ノζ=二し *印はこの発明の範囲外 表−2 ホ印はこの発明の範囲外
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化ケイ素お
よび酸化ジルコニウムを主成分として含み、 前記酸化バリウムをBaOに換算してX・(1−a)重
量部とし、 前記酸化ストロンチウムをSrOに換算してX・a重量
部とし、 前記酸化ケイ素をSiO_2に換算してY重量部とし、 前記酸化ジルコニウムをZrO_2に換算してZ重量部
としたとき、 X、Y、Zおよびaの値が 50≧X≧15 84≧Y≧20 55≧Z≧1 X+Y+Z=100 0.9≧a>0 の範囲内に含まれる、温度補償用誘電体磁器組成物。 2 前記主成分100重量部に対して、さらに酸化アル
ミニウムをAl_2O_3に換算して20重量部以下(
0重量部を含まず)添加含有した、特許請求の範囲第1
項記載の温度補償用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61199801A JPS6355815A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
US07/088,878 US4816429A (en) | 1986-08-25 | 1987-08-24 | Temperature compensating dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61199801A JPS6355815A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6355815A true JPS6355815A (ja) | 1988-03-10 |
JPH051565B2 JPH051565B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16413852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61199801A Granted JPS6355815A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6355815A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07232577A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Ikeda Bussan Co Ltd | シートスライド装置 |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61199801A patent/JPS6355815A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH051565B2 (ja) | 1993-01-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |